CN105792566B - 一种电子设备壳体及其涂层的制备方法、电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电子设备技术领域，公开了一种电子设备壳体及其涂层的制备方法、电子设备，其中，电子设备壳体包括壳体主体，以及形成于壳体主体表面的锰方硼石/金属复合涂层，所述锰方硼石/金属复合涂层为由所述锰方硼石的粉体与所述金属的粉体形成的前驱体粉末在所述壳体主体上喷涂形成。锰方硼石是一种稀有矿石，其可以与金属复合形成具有良好结合强度的锰方硼石/金属复合涂层；由于锰方硼石具有良好的抗磨损性能和抗菌性能，且具有良好的中子辐照性能，伽马射线辐照性能和电磁性能，因此，锰方硼石/金属复合涂层既抗磨损又可以灭菌；上述电子设备壳体中，壳体主体表面形成有锰方硼石/金属复合涂层，因此，上述电子设备壳体既耐磨损又抗菌。

Description

一种电子设备壳体及其涂层的制备方法、电子设备
技术领域
本发明涉及电子设备技术领域，尤其是涉及一种电子设备壳体及其涂层的制备方法、以及一种电子设备。
背景技术
目前，电子设备尤其是手机，在日常生活中的使用频率非常高，且其所处环境温度适宜，因此极易滋生细菌，威胁到人体的健康；同时，电子设备在不同使用环境下会经常与其他介质发生摩擦，因此其外壳需要具备较高的耐磨性；从而，一种既耐磨又抗菌的电子设备壳体对于目前的电子设备领域的发展及应用具有重要意义。
发明内容
本发明提供了一种电子设备壳体及其涂层的制备方法、电子设备，其中，电子设备壳体既耐磨损又抗菌。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种电子设备壳体，包括壳体主体，以及形成于壳体主体表面的锰方硼石/金属复合涂层，所述锰方硼石/金属复合涂层为由所述锰方硼石的粉体与所述金属的粉体形成的前驱体粉末在所述壳体主体上喷涂形成。
锰方硼石是一种稀有矿石，其可以与金属复合形成具有良好结合强度的锰方硼石/金属复合涂层；由于锰方硼石具有良好的抗磨损性能，且具有良好的中子辐照性能，伽马射线辐照性能和电磁性能，因此，锰方硼石/金属复合涂层既抗磨损又可以灭菌；上述电子设备壳体中，壳体主体表面形成有锰方硼石/金属复合涂层，因此，上述电子设备壳体既耐磨损又抗菌。
优选地，所述锰方硼石/金属复合涂层为锰方硼石/铝复合涂层、锰方硼石/铜复合涂层或者锰方硼石/镁铝合金复合涂层。
一种电子设备，包括上述任一技术方案所述的电子设备壳体。
一种电子设备壳体涂层的制备方法，包括：将由锰方硼石的粉体与至少一种金属的粉体形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/金属复合涂层。
优选地，所述将由锰方硼石的粉体与至少一种金属的粉体形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/金属复合涂层，包括：将由锰方硼石的粉体与铝粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/铝复合涂层；或者，将由锰方硼石的粉体与铜粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/铜复合涂层；或者，将由锰方硼石的粉体与镁铝合金粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/镁铝合金复合涂层。
优选地，所述将由锰方硼石的粉体与铝粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/铝复合涂层，包括：将锰方硼石的粉体与铝粉在氮气的氛围下混合并研磨，以形成喷涂前驱体粉末；将前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面上。
优选地，将锰方硼石的粉体与铝粉在氮气的氛围下混合并研磨，以形成喷涂前驱体粉末，具体包括：将亚微米级的锰方硼石的粉体与超细铝粉在氮气的氛围下混合以形成混合粉体；将混合粉体与酒精进行机械预混粉20分钟，所述混合粉体与酒精的体积比为1:0.95～1:1.59；将预混粉之后的粉体通过高能球磨混粉15～20分钟，球料比为11:1，转速为1500～2000转/分钟；将高能球磨后的粉体在氮气氛围下冷却至室温，并在真空干燥箱中干燥；将冷却干燥后的粉体在氮气氛围下研磨10～15分钟。
优选地，所述混合粉体中锰方硼石的质量分数为0.5％～2％。
优选地，将经选矿提纯后的锰方硼石的粉体，高能球磨50～60分钟，球料比为11:1，转速2000～3000转/分钟；将高能球磨后的锰方硼石的粉体在真空干燥箱中干燥5～6小时，温度65～90℃；将干燥后的锰方硼石的粉体研磨20～25分钟，得到亚微米级的锰方硼石的粉体。
优选地，所述将前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面上，包括：采用等离子喷涂技术将前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面。
优选地，所述等离子喷涂技术的工艺参数为：工作电压为70～80V；工作气体为38～60标准公升每分钟(NLPM)的氩气，9～12标准公升每分钟(NLPM)的氢气；送粉速率为3～9克/分钟；喷涂距离为90～130毫米；碳的重量百分比为1～9％。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种电子设备壳体的锰方硼石/铝复合涂层的制备方法流程图；
图2为本发明另一实施例提供的一种电子设备壳体的锰方硼石/铝复合涂层的制备方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1和图2。
本发明实施例提供的一种电子设备壳体，包括壳体主体，以及形成于壳体主体表面的锰方硼石/金属复合涂层，锰方硼石/金属复合涂层为由锰方硼石的粉体与上述金属的粉体形成的前驱体粉末在壳体主体上喷涂形成。
锰方硼石是一种稀有矿石，其可以与金属复合形成具有良好结合强度的锰方硼石/金属复合涂层；由于锰方硼石具有良好的抗磨损性能，且具有良好的中子辐照性能，伽马射线辐照性能和电磁性能，因此，锰方硼石/金属复合涂层既抗磨损又可以灭菌；上述电子设备壳体中，壳体主体表面形成有锰方硼石/金属复合涂层，因此，上述电子设备壳体既耐磨损又抗菌。
一种具体的实施例中，锰方硼石/金属复合涂层可以为锰方硼石/铝复合涂层、锰方硼石/铜复合涂层或者锰方硼石/镁铝合金复合涂层；锰方硼石/金属复合涂层中的金属材料可以增强涂层的结合强度；另外，由于该涂层用于电子设备壳体上，因此，涂层中的金属材料优选为轻金属单质或者合金，进而，优选地，上述锰方硼石/金属复合涂层为锰方硼石/铝复合涂层和锰方硼石/镁铝合金复合涂层。
需要说明的是，本发明中的锰方硼石/金属复合涂层并不限于上述实施例中所列举的金属种类。
一种优选的实施例中，本发明的电子设备壳体中，锰方硼石/金属复合涂层为锰方硼石/铝复合涂层，该锰方硼石/铝复合涂层为由锰方硼石的粉体与铝粉形成的前驱体粉末在壳体主体上喷涂形成。锰方硼石/铝复合涂层不仅具有耐磨损和杀菌的性能，而且还较轻便，因此，本实施例的电子设备壳体既耐磨损又抗菌、且较轻便。
本发明实施例还提供一种电子设备，该电子设备包括上述任一实施例提供的电子设备壳体。该电子设备的壳体耐磨损且可以杀菌，因此，该电子设备使用方便且对人体健康有益。
本发明实施例还提供一种电子设备壳体涂层的制备方法，包括：
将由锰方硼石的粉体与至少一种金属的粉体形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/金属复合涂层。
一种具体的实施例中，将由锰方硼石的粉体与至少一种金属的粉体形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/金属复合涂层，示例性地，可以包括以下几种实施方式：
方式一，将由锰方硼石的粉体与铝粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/铝复合涂层；
方式二，将由锰方硼石的粉体与铜粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/铜复合涂层；
方式三，将由锰方硼石的粉体与镁铝合金粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/镁铝合金复合涂层。
当然，本发明的电子设备壳体的制备方法中，形成锰方硼石/金属复合涂层的实施方式并不限于上述几种。
一种具体的实施例中，如图1所示，上述实施方式一，即将由锰方硼石的粉体与铝粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/铝复合涂层，具体可以包括：
步骤S101，将锰方硼石的粉体与铝粉在氮气的氛围下混合并研磨，以形成喷涂前驱体粉末；
步骤S102，将前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面上。
在上述实施例的基础上，一种具体的实施例中，
步骤S101，即将锰方硼石的粉体与铝粉在氮气的氛围下混合并研磨，以形成喷涂前驱体粉末，具体可以包括：将亚微米级的锰方硼石的粉体与超细铝粉在氮气的氛围下混合以形成混合粉体；将混合粉体与酒精进行机械预混粉20分钟，混合粉体与酒精的体积比为1:0.95～1:1.59，加入酒精进行预混粉可以防止后续球磨过程粉体温度过高，且可以避免粉体被氧化；将预混粉之后的粉体通过高能球磨混粉15～20分钟，球料比为11:1，转速为1500～2000转/分钟；将高能球磨后的粉体在氮气氛围下冷却至室温，并在真空干燥箱中干燥；将冷却干燥后的粉体在氮气氛围下研磨10～15分钟。
优选地，混合粉体中锰方硼石的质量分数为0.5％～2％。
进一步地，
步骤S102，即将前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，可以包括：采用等离子喷涂技术将前驱体粉末喷涂到壳体主体表面。
优选地，上述等离子喷涂技术的工艺参数可以为：工作电压：70～80V；工作气体：38～60标准公升每分钟(NLPM)的氩气，9～12标准公升每分钟(NLPM)的氢气；送粉速率：3～9克/分钟；喷涂距离：90～130毫米；加碳量1～9wt％，即碳的重量百分比为1～9％。
在上述两个实施例的基础上，一种具体的实施例中，在步骤S101之前，即在将锰方硼石的粉体与铝粉在氮气的氛围下混合并研磨之前，还可以包括：将经选矿提纯后的锰方硼石的粉体，高能球磨50～60分钟，球料比为11:1，转速2000～3000转/分钟；将高能球磨后的锰方硼石的粉体在真空干燥箱中干燥5～6小时，温度65～90℃；将干燥后的锰方硼石的粉体研磨20～25分钟，得到亚微米级的锰方硼石的粉体。
在本发明的一种具体的实施例中，如图2所示，制备电子设备壳体的锰方硼石/铝复合涂层的步骤具体可以包括：
步骤S201，将经选矿提纯后的锰方硼石的粉体，高能球磨50～60分钟，球料比为11:1，转速2000～3000转/分钟；将高能球磨后的锰方硼石的粉体在真空干燥箱中干燥5～6小时，温度65～90℃；将干燥后的锰方硼石的粉体研磨20～25分钟，得到亚微米级的锰方硼石的粉体；
步骤S202，将亚微米级的锰方硼石的粉体与超细铝粉在氮气的氛围下混合以形成混合粉体；将混合粉体与酒精进行机械预混粉20分钟，所述混合粉体与酒精的体积比为1:0.95～1:1.59；将预混粉之后的粉体通过高能球磨混粉15～20分钟，球料比为11:1，转速为1500～2000转/分钟；将高能球磨后的粉体在氮气氛围下冷却至室温，并在真空干燥箱中干燥；将冷却干燥后的粉体在氮气氛围下研磨10～15分钟，得到前躯体粉末；
步骤S203，采用等离子喷涂技术将前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种电子设备壳体，其特征在于，包括壳体主体，以及形成于所述壳体主体的表面的锰方硼石/金属复合涂层，所述锰方硼石/金属复合涂层为由所述锰方硼石的粉体与所述金属的粉体形成的前驱体粉末在所述壳体主体上喷涂形成。
2.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述锰方硼石/金属复合涂层为锰方硼石/铝复合涂层、锰方硼石/铜复合涂层或者锰方硼石/镁铝合金复合涂层。
3.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1～2任一项所述的电子设备壳体。
4.一种电子设备壳体涂层的制备方法，其特征在于，包括：
将由锰方硼石的粉体与至少一种金属的粉体形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/金属复合涂层。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述将由锰方硼石的粉体与至少一种金属的粉体形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/金属复合涂层，包括：
将由锰方硼石的粉体与铝粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/铝复合涂层；或者，
将由锰方硼石的粉体与铜粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/铜复合涂层；或者，
将由锰方硼石的粉体与镁铝合金粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/镁铝合金复合涂层。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述将由锰方硼石的粉体与铝粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/铝复合涂层，包括：
将锰方硼石的粉体与铝粉在氮气的氛围下混合并研磨，以形成喷涂前驱体粉末；
将前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面上。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，将锰方硼石的粉体与铝粉在氮气的氛围下混合并研磨，以形成喷涂前驱体粉末，具体包括：
将亚微米级的锰方硼石的粉体与超细铝粉在氮气的氛围下混合以形成混合粉体；
将混合粉体与酒精进行机械预混粉20分钟，所述混合粉体与酒精的体积比为1:0.95～1:1.59；
将预混粉之后的粉体通过高能球磨混粉15～20分钟，球料比为11:1，转速为1500～2000转/分钟；
将高能球磨后的粉体在氮气氛围下冷却至室温，并在真空干燥箱中干燥；
将冷却干燥后的粉体在氮气氛围下研磨10～15分钟。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述混合粉体中锰方硼石的质量分数为0.5％～2％。
9.根据权利要求6～8任一项所述的制备方法，其特征在于，在将锰方硼石的粉体与铝粉在氮气的氛围下混合并研磨之前，还包括：
将经选矿提纯后的锰方硼石的粉体，高能球磨50～60分钟，球料比为11:1，转速2000～3000转/分钟；
将高能球磨后的锰方硼石的粉体在真空干燥箱中干燥5～6小时，温度65～90℃；
将干燥后的锰方硼石的粉体研磨20～25分钟，得到亚微米级的锰方硼石的粉体。
10.根据权利要求6～8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述将前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面上，包括：
采用等离子喷涂技术将前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述等离子喷涂技术的工艺参数为：工作电压为70～80V；工作气体为38～60标准公升每分钟的氩气(NLPM)，9～12标准公升每分钟(NLPM)的氢气；送粉速率为3～9克/分钟；喷涂距离为90～130毫米；碳的重量百分比为1～9％。
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