CN105789476A - 有机发光显示装置 - Google Patents

Abstract

公开了一种包括基板的有机发光显示装置，所述基板包括被限定出发光区域和驱动区域的子像素。在所述基板上形成有第一堤图案，所述第一堤图案配置成限定出所述子像素的发光区域。在所述第一堤图案的一部分上表面上形成有第二堤图案，所述第二堤图案配置成包括暴露所述发光区域和一部分所述驱动区域的开口。在所述开口中形成有机发光层。如此，有机发光层的占据区域变宽。因此，可防止或将有机发光层的厚度偏差最小化。

Description

有机发光显示装置

本申请要求2014年9月22日提交的韩国专利申请第10-2014-0126207号的优先权，在此援引该专利申请的全部内容作为参考。

技术领域

本申请涉及一种有机发光显示(OLED)装置。本申请尤其涉及一种适于防止产生厚度偏差的OLED装置及其制造方法。

背景技术

如今，随着信息通讯的发展，显示装置快速发展。在显示装置之中，使用自发光元件的OLED装置不需要单独的背光单元。据此，与其他显示装置相比，OLED装置具有纤薄和低功耗的特点。

一般来说，OLED装置中使用的有机发光元件包括阳极电极、阴极电极和夹在两个电极之间的有机发光层。这种有机发光元件通过在有机发光层中重新组合来自阳极电极和阴极电极的空穴和电子产生激子。此外，通过激子从激发态跃迁到稳态，有机发光元件发光。

主要使用气相沉积方法形成有机发光层。近来，正使用喷墨印刷工艺在大尺寸基板上形成有机发光层。

喷墨印刷工艺沿子像素的水平方向供给喷嘴并通过喷嘴将液化的有机发光材料滴落到每个子像素中。然而，由于OLED装置的结构，很难确保与单个子像素相对的足够数量的喷嘴。由于该原因，如果在形成有机发光层时至少一个喷嘴显示出异常，则必然会产生有机发光层的厚度偏差。

有机发光层的厚度偏差会导致子像素内的污点。而且，如果有机发光层应用于高分辨率OLED装置，则在每个子像素中形成有机发光层所需的喷嘴数量必然大大减少。由于该原因，有机发光层的厚度偏差必然对异常喷嘴非常敏感。

发明内容

因此，本申请的实施方式涉及一种基本上克服了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的OLED装置及其制造方法。

实施方式涉及提供一种其中适于通过在子像素区域内形成具有暴露一部分驱动区域的开口的额外堤图案来防止或将有机发光层的厚度偏差最小化的显示装置及其制造方法。

在下面的描述中将列出实施方式的其它特征和优点，这些特征和优点的一部分从下面的描述将是显而易见的，或者可从本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得实施方式的这些优点。

根据实施方式的一个一般方面的OLED装置包括基板，所述基板配置成包括被限定出发光区域和驱动区域的子像素。在所述基板上形成有第一堤图案，所述第一堤图案配置成限定出所述子像素的发光区域。在所述第一堤图案的一部分上表面上形成有第二堤图案，所述第二堤图案配置成包括暴露所述发光区域和一部分所述驱动区域的开口。在所述开口中形成有有机发光层。如此，有机发光层的占据区域变宽。因此，可防止或将有机发光层的厚度偏差最小化。

根据下面附图和详细描述的解释，其他系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员来说将是或将变得显而易见。所有这种额外的系统、方法、特征和优点意在包含在该说明书中，在本发明的范围内并由下面的权利要求保护。该部分不应解释为对权利要求的限制。下面结合实施方式讨论进一步的方面和优点。应当理解，本发明前面的一般性描述和下面的详细描述都是典型性的和解释性的，意在提供如权利要求所述的本发明进一步的解释。

附图说明

给本发明提供进一步理解并并入本申请组成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是显示根据本发明第一个实施方式的OLED装置的剖面图；

图2是图解根据本发明第一个实施方式和对比实施方式的有机发光层的形成工序的平面图；

图3是显示根据本发明第二个实施方式的OLED装置的剖面图；

图4是图解根据本发明第二个实施方式和对比实施方式的有机发光层的形成工序的平面图；

图5是显示根据本发明第三个实施方式的OLED装置的剖面图；

图6是图解根据本发明第三个实施方式和对比实施方式的有机发光层的形成工序的平面图。

具体实施方式

现在将详细描述本发明的实施方式，附图中图解了这些实施方式的一些例子。之后引入的这些实施方式仅仅是为了给本领域普通技术人员传达其精神而提供的例子。因此，可以以不同的形式实施这些实施方式，因此并不限于这里所述的这些实施方式。在附图中，为了便于描述，放大了装置的厚度等。只要可能，在包括附图的整个说明书中将使用相同的参考标记表示相同或相似的部件。

图1是显示根据本发明第一个实施方式的OLED装置的剖面图。参照图1，根据本发明第一个实施方式的OLED装置包括基板100，基板100设置有用于显示图像的多个子像素。子像素可被限定出发光区域和被制备用来驱动发光区域的驱动区域。OLED装置包括形成在子像素区域的发光区域中的有机发光元件。此外，OLED装置包括形成在子像素区域的驱动区域中的薄膜晶体管Tr和电容器Cst。

有机发光元件包括第一电极114。此外，有机发光元件包括图中未示出的第二电极和有机发光层。第二电极与第一电极114相对设置。有机发光层形成在第一电极114与第二电极之间。

薄膜晶体管Tr包括依次形成在基板100上的半导体层104、栅极绝缘膜106、栅极电极107、源极电极110和漏极电极111。电容器Cst包括电容器电极112和设置在下方的另一半导体层105。

详细地说，在基板100上形成薄膜晶体管Tr的半导体层104和电容器Cst的半导体层105。薄膜晶体管Tr的半导体层104包括源极区域101、沟道区域102和漏极区域103。

在基板100上以覆盖半导体层104和105的方式形成栅极绝缘膜106。在栅极绝缘膜106上与薄膜晶体管Tr的半导体层104的沟道区域102相对形成栅极电极107。这种栅极电极107可由铜Cu、银Ag、铝Al、铬Cr、钛Ti、钽Ta、钼Mo及其合金之一形成。尽管图中显示出栅极电极107形成为具有单个金属层，但可根据需要通过层叠至少两个金属层形成栅极电极107。

在设置有栅极电极107的基板100的整个表面上形成层间绝缘膜109。在层间绝缘膜109和栅极绝缘膜106中形成第一接触孔。第一接触孔暴露源极区域101和漏极区域103。

之后，在设置有第一接触孔的一部分层间绝缘膜109上形成彼此分离的源极电极110和漏极电极111。源极电极110和漏极电极111通过第一接触孔与薄膜晶体管Tr的源极区域101和漏极区域103连接。同时，还在层间绝缘膜109上与电容器Cst的半导体层105相对形成电容器电极112。电容器电极112可由与源极电极和漏极电极110和111相同的材料形成。

源极电极110、漏极电极111和电容器电极112可由铜Cu、银Ag、铝Al、铬Cr、钛Ti、钽Ta、钼Mo及其合金之一形成。尽管图中显示出源极电极110、漏极电极111和电容器电极112形成为具有单个金属层，但可根据需要通过层叠至少两个金属层形成它们。

这样，在基板100上形成了薄膜晶体管Tr和电容器Cst。由薄膜晶体管Tr和电容器Cst占据的区域被限定为驱动区域。

在设置有薄膜晶体管Tr和电容器Cst的基板100的整个表面上形成平坦化膜113。平坦化膜113用于将由薄膜晶体管Tr导致的基板100的不均匀表面变平坦。

尽管图中未示出，但可在形成平坦化膜113之前，在设置有薄膜晶体管Tr和电容器Cst的基板100的整个表面上进一步形成钝化膜。钝化膜用于保护源极电极110、漏极电极111和电容器电极112。

在平坦化膜113中形成暴露薄膜晶体管Tr的漏极电极111的第二接触孔。在平坦化膜113的一部分上表面上形成有机发光元件的第一电极114。第一电极114通过第二接触孔与漏极电极111连接。

第一电极114可用作阳极电极，但并不限于此。换句话说，第一电极114可用作阴极电极。作为一个例子，现在将描述用作阳极电极的第一电极114。

这种第一电极114由具有相对较高功函数的透明导电材料以单层形成。如此，可实现在第一电极114的向下方向上发射光的底发光模式OLED装置。

可选择地，OLED装置可进一步包括设置在第一电极114下方的反射层。在该情形中，可实现在第一电极114的向上方向上发射光的顶发光模式OLED装置。反射层向着第一电极114的向上方向反射通过第一电极14接收的光。

然而，第一电极114并不限于图中所示的结构。可选择地，第一电极114可以以多层结构形成。例如，第一电极114可以以包括依次层叠的第一到第三层的三层结构形成。

第一层和第三层可由透明导电材料形成。透明导电材料可以是氧化铟锡ITO和氧化铟锌IZO之一。第二层可以是反射层。在该情形中，第二层可由金属和金属合金之一形成。例如，第二电极可由银Ag和包含银Ag的合金之一形成。这种第一电极114将在第二电极的向下方向上传播的光反射到第二电极的向上方向。据此，可实现顶发光模式OLED装置。

可在设置有第一电极114的平坦化膜113上形成第一堤图案115。第一堤图案115可限定出子像素的发光区域。此外，第一堤图案115形成为暴露与发光区域对应的第一电极114的一部分上表面。

可在第一堤图案115的一部分上表面上形成第二堤图案116。详细地说，第二堤图案116与电容器Cst相对设置在驱动区域中。第二堤图案116可形成为具有比第一堤图案115高的高度(或大的厚度)。如此，可防止有机发光层向非发光区域聚集的现象。

据此，可通过第二堤图案116的方式形成暴露发光区域以及与薄膜晶体管Tr相对的一部分驱动区域的开口。为便于解释，由第二堤图案116限定的开口将称为第一开口A。换句话说，第一开口A可暴露发光区域以及被制备用来驱动设置在该发光区域中的有机发光元件的一部分驱动区域。

在第一开口A中设置有机发光层。换句话说，有机发光层可形成为覆盖第一堤图案115的上表面并被第二堤图案116包围。

有机发光层可以是由发光材料形成的单层。为了提高发光效率，有机发光层可以以多层结构形成。例如，有机发光层可包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。

可使用在第一电极114上喷射或滴落液化的有机发光材料并将喷射或滴落的发光材料硬化的喷墨方法形成有机发光层。更具体地说，可通过与子像素相对的油墨头喷嘴给第一开口A供给像素颜料来制备有机发光层。如果使用液化的有机发光材料形成有机发光层，则可有效制造大尺寸显示装置并可简化大尺寸显示装置的制造工序。

这样，用于供给液化的有机发光材料的油墨头喷嘴不仅与发光区域相对，而且还与被制备用来驱动该发光区域的一部分驱动区域相对。如此，可给子像素供给大量的有机发光材料。这是由于与子像素(即第一开口A)相对的油墨头喷嘴的数量增加导致的。如此，即使油墨头喷嘴中的一个显示出异常，也可均匀形成有机发光层。

根据本发明的OLED装置通过形成具有暴露发光区域以及被制备用来驱动该发光区域的一部分驱动区域的第一开口A的额外堤图案(即第二堤图案)，可增加与每个子像素相对的油墨头喷嘴的数量。即使在喷射液化的有机发光材料时喷嘴之一显示出异常，也可将子像素内的有机发光层的厚度偏差最小化。

图2是图解根据本发明第一个实施方式和对比实施方式的有机发光层的形成工序的平面图。如图2中所示，喷嘴部200设置在中心区域，对比实施方式的子像素布置在喷嘴部200的左侧，第一个实施方式的子像素布置在喷嘴部200的右侧。

参照图2，根据对比实施方式和第一个实施方式的OLED装置的子像素可被限定出被制备用来形成有机发光元件的发光区域10以及被制备用来形成薄膜晶体管和电容器的驱动区域。

第一个实施方式和对比实施方式均使第一堤图案包围发光区域10并覆盖驱动区域20。如此，发光区域10可通过第一堤图案115被暴露为椭圆形。换句话说，第一堤图案115用于将子像素区域限定出发光区域10和非发光区域。

与对比实施方式不同，第一个实施方式进一步形成以椭圆形暴露出一部分第一堤图案115的第二堤图案116。被暴露出的第一堤图案115占据与发光区域10相邻的区域以及被制备用来驱动发光区域10上的有机发光元件的一部分驱动区域20。

通过喷嘴部给具有堤图案的基板供给用于形成有机发光层的像素颜料。此时，对比实施方式中使用的喷嘴部200必然仅与发光区域10相对。另一方面，第一个实施方式中使用的喷嘴部200不仅与发光区域10相对，而且还与驱动区域20相对。

如此，与第一个实施方式的子像素相对的喷嘴数量变为大于与对比实施方式的子像素相对的喷嘴数量。据此，当喷嘴部200显示出异常时，与对比实施方式相比，可更均匀地形成第一个实施方式的有机发光层。

此外，本发明的OLED装置使子像素基于水平轴布置成Z字形，而不是布置成单个行。在该情形中，可通过彼此不同的喷嘴给发光区域10和驱动区域20供给像素颜料。据此，可将发光区域10和驱动区域20内的像素颜料的量偏差最小化。

这样，根据本发明第一个实施方式的OLED装置可形成暴露发光区域10以及被制备用来驱动该发光区域10的一部分驱动区域20的额外堤图案(即第二堤图案116)。如此，在形成有机发光层时可增加与每个子像素相对的油墨头喷嘴的数量。据此，可通过单个扫描给每个子像素供给大量的有机发光材料。

随后，将参照图3描述根据本发明第二个实施方式的OLED装置。图3是显示根据本发明第二个实施方式的OLED装置的剖面图。第二个实施方式的OLED显示装置可包括与前一个实施方式相同的组件。如此，将通过相同的参考标记和名称指代具有与前一个实施方式相同功能和形状的第二个实施方式的组件。此外，将省略与前一个实施方式重复的第二个实施方式的描述。

参照图3，根据本发明第二个实施方式的OLED装置包括基板100，基板100设置有用于显示图像的多个子像素。子像素可被限定出发光区域和被制备用来驱动发光区域的驱动区域。OLED装置包括形成在子像素的发光区域中的有机发光元件。此外，OLED装置包括形成在子像素的驱动区域中的薄膜晶体管Tr和电容器Cst。

薄膜晶体管Tr包括依次形成在基板100上的半导体层104、栅极绝缘膜106、栅极电极107、源极电极110和漏极电极111。电容器Cst包括电容器电极112和设置在下方的另一半导体层105。有机发光元件包括第一电极114。此外，有机发光元件包括图中未示出的第二电极和有机发光层。第二电极与第一电极114相对设置。有机发光层形成在第一电极114与第二电极之间。

更具体地说，在基板100上形成薄膜晶体管Tr的半导体层104和电容器Cst的半导体层105。薄膜晶体管Tr的半导体层104包括源极区域101、沟道区域102和漏极区域103。

在基板100上以覆盖半导体层104和105的方式形成栅极绝缘膜106。在栅极绝缘膜106上与薄膜晶体管Tr的半导体层104的沟道区域102相对形成栅极电极107。这种栅极电极107可由铜Cu、银Ag、铝Al、铬Cr、钛Ti、钽Ta、钼Mo及其合金之一形成。尽管图中显示出栅极电极107形成为具有单个金属层，但可根据需要通过层叠至少两个金属层形成栅极电极107。

在设置有栅极电极107的基板100的整个表面上形成层间绝缘膜109。在层间绝缘膜109和栅极绝缘膜106中形成第一接触孔。第一接触孔暴露源极区域101和漏极区域103。

之后，在设置有第一接触孔的一部分层间绝缘膜109上形成彼此分离的源极电极110和漏极电极111。源极电极110和漏极电极111通过第一接触孔与薄膜晶体管Tr的源极区域101和漏极区域103连接。同时，还在层间绝缘膜109上与电容器Cst的半导体层105相对形成电容器电极112。电容器电极112可由与源极电极和漏极电极110和111相同的材料形成。

源极电极110、漏极电极111和电容器电极112可由铜Cu、银Ag、铝Al、铬Cr、钛Ti、钽Ta、钼Mo及其合金之一形成。尽管图中显示出源极电极110、漏极电极111和电容器电极112形成为具有单个金属层，但可根据需要通过层叠至少两个金属层形成它们。这样，在基板100上形成了薄膜晶体管Tr和电容器Cst。

在设置有薄膜晶体管Tr和电容器Cst的基板100的整个表面上形成平坦化膜113。在平坦化膜113中形成暴露薄膜晶体管Tr的漏极电极111的第二接触孔。在平坦化膜113的一部分上表面上形成有机发光元件的第一电极114。第一电极114通过第二接触孔与漏极电极111连接。

第一电极114可用作阳极电极。这种第一电极114由具有相对较高功函数的透明导电材料以单层形成。如此，可实现在第一电极114的向下方向上发射光的底发光模式OLED装置。

可选择地，OLED装置可进一步包括设置在第一电极114下方的反射层。在该情形中，可实现在第一电极114的向上方向上发射光的顶发光模式OLED装置。反射层向着第一电极114的向上方向反射通过第一电极14接收的光。

然而，第一电极114并不限于图中所示的结构。可选择地，第一电极114可以以多层结构形成。例如，第一电极114可以以包括依次层叠的第一到第三层的三层结构形成。

第一层和第三层可由透明导电材料形成。透明导电材料可以是氧化铟锡ITO和氧化铟锌IZO之一。第二层可以是反射层。如此，第一电极114将在第二电极的向下方向上传播的光反射到第二电极的向上方向。据此，可实现顶发光模式OLED装置。

可在设置有第一电极114的平坦化膜113上形成第一堤图案115。第一堤图案115可限定出子像素的发光区域和非发光区域。此外，第一堤图案115形成为暴露与发光区域对应的第一电极114的一部分上表面。

可在第一堤图案115的一部分上表面上形成第二堤图案216。详细地说，第二堤图案216可与薄膜晶体管Tr相对设置在驱动区域中。第二堤图案216可形成为具有比第一堤图案115高的高度(或大的厚度)。

据此，可通过第二堤图案216的方式形成暴露发光区域内的第一电极114的上表面以及与薄膜晶体管Tr相对的一部分驱动区域的开口。为便于解释，由第二堤图案216限定的开口将称为第二开口B。

详细地说，第二开口B可暴露发光区域以及与电容器Cst相对的一部分驱动区域。换句话说，第二开口B可暴露单个发光区域以及被制备用来驱动不同发光区域的一部分相邻驱动区域。

在第二开口B中设置有机发光层。换句话说，有机发光层可形成为覆盖第一堤图案115的上表面并被第二堤图案216包围。

有机发光层可以是由发光材料形成的单层。为了提高发光效率，有机发光层可以以多层结构形成。例如，有机发光层可包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。

可使用在第一电极114上喷射或滴落液化的有机发光材料并将喷射或滴落的发光材料硬化的喷墨方法形成有机发光层。更具体地说，可通过与子像素相对的油墨头喷嘴给第二开口B供给像素颜料来形成有机发光层。

这样，用于供给液化的有机发光材料的油墨头喷嘴不仅与各个子像素的发光区域相对，而且还与相邻的不同子像素的一部分驱动区域相对。如此，当在像素区域上滴落液化的有机发光材料时可通过单个扫描给每个子像素供给大量的有机发光材料。

根据本发明的OLED装置通过形成具有暴露发光区域以及被制备用来驱动发光区域的一部分驱动区域的第二开口B的额外堤图案(即第二堤图案)，可增加与每个子像素相对的油墨头喷嘴的数量。据此，即使在喷射液化的有机发光材料时喷嘴之一显示出异常，也可将子像素内的有机发光层的厚度偏差最小化。

此外，将参照图4描述根据本发明第二个实施方式的形成有机发光层的工序。图4是图解根据本发明第二个实施方式和对比实施方式的有机发光层的形成工序的平面图。如图4中所示，喷嘴部200设置在中心区域，对比实施方式的子像素布置在喷嘴部200的左侧，第二个实施方式的子像素布置在喷嘴部200的右侧。

参照图4，根据对比实施方式和第二个实施方式的OLED装置的子像素可被限定出被制备用来形成有机发光元件的发光区域10以及被制备用来形成薄膜晶体管和电容器的驱动区域。

第二个实施方式和对比实施方式均使第一堤图案包围发光区域10并覆盖形成在每个子像素上的驱动区域20。如此，发光区域10可通过第一堤图案115被暴露为椭圆形。换句话说，第一堤图案115用于将子像素区域限定出发光区域10和非发光区域。

与对比实施方式不同，第二个实施方式进一步形成以椭圆形暴露出一部分第一堤图案115的第二堤图案216。被暴露出的第一堤图案115可占据与各个子像素的发光区域10相邻的区域。此外，被暴露出的第一堤图案115可占据与各个子像素的发光区域10相邻形成并被制备用来驱动不同子像素的发光区域的一部分驱动区域20。

通过喷嘴部给具有堤图案的基板供给用于形成有机发光层的像素颜料。在该情形中，对比实施方式中使用的喷嘴部200必然仅与发光区域10相对。另一方面，第二个实施方式中使用的喷嘴部200不仅与各个子像素的发光区域10相对，而且还与被制备用来驱动其他子像素的发光区域10的相邻驱动区域20相对。

如此，与第二个实施方式的子像素相对的喷嘴数量变为大于与对比实施方式的子像素相对的喷嘴数量。据此，当喷嘴部200显示出异常时，与对比实施方式相比，可更均匀地形成第二个实施方式的有机发光层。

这样，根据本发明第二个实施方式的OLED装置可形成暴露各个子像素的发光区域10以及被制备用来驱动其他子像素的发光区域10的一部分相邻驱动区域20的额外堤图案(即第二堤图案216)。如此，在形成有机发光层时可增加与每个子像素相对的油墨头喷嘴的数量。据此，可通过单个扫描给每个子像素供给大量的有机发光材料。

随后，将参照图5描述根据本发明第三个实施方式的OLED装置。图5是显示根据本发明第三个实施方式的OLED装置的剖面图。第三个实施方式的OLED显示装置可包括与前一个实施方式相同的组件。如此，将通过相同的参考标记和名称指代具有与前一个实施方式相同功能和形状的第三个实施方式的组件。此外，将省略与前一个实施方式重复的第三个实施方式的描述。

参照图5，根据本发明第三个实施方式的OLED装置包括基板100，基板100设置有用于显示图像的多个子像素。子像素可被限定出发光区域和被制备用于驱动发光区域的驱动区域。OLED装置包括形成在子像素区域的发光区域中的有机发光元件。此外，OLED装置包括形成在子像素区域的驱动区域中的薄膜晶体管Tr和电容器Cst。

薄膜晶体管Tr包括依次形成在基板100上的半导体层104、栅极绝缘膜106、栅极电极107、源极电极110和漏极电极111。电容器Cst包括电容器电极112和设置在下方的另一半导体层105。有机发光元件包括第一电极114。此外，有机发光元件包括图中未示出的第二电极和有机发光层。第二电极与第一电极114相对设置。有机发光层形成在第一电极114与第二电极之间。将省略薄膜晶体管Tr和电容器Cst的结构的详细描述。

在设置有薄膜晶体管Tr和电容器Cst的基板100的整个表面上形成平坦化膜113。在平坦化膜113中形成暴露薄膜晶体管Tr的漏极电极111的第二接触孔。在平坦化膜113的一部分上表面上形成有机发光元件的第一电极114。第一电极114通过第二接触孔与漏极电极111连接。

第一电极114可用作阳极电极。这种第一电极114由具有相对较高功函数的透明导电材料以单层形成。如此，可实现在第一电极114的向下方向上发射光的底发光模式OLED装置。

可选择地，OLED装置可进一步包括设置在第一电极114下方的反射层。在该情形中，可实现在第一电极114的向上方向上发射光的顶发光模式OLED装置。反射层向着第一电极114的向上方向反射通过第一电极14接收的光。然而，第一电极114并不限于图中所示的结构。可选择地，第一电极114可以以多层结构形成。

可在设置有第一电极114的平坦化膜113上形成第一堤图案115。第一堤图案115可限定出子像素的发光区域和非发光区域。此外，第一堤图案115形成为暴露与发光区域对应的第一电极114的一部分上表面。

可在第一堤图案115的一部分上表面上形成第二堤图案316。详细地说，第二堤图案316可形成为具有比第一堤图案115高的高度(或大的厚度)。第二堤图案316可设置在与薄膜晶体管Tr和电容器Cst之间的中间区域相对的驱动区域中。

据此，可通过第二堤图案316的方式形成暴露发光区域10以及与薄膜晶体管Tr和电容器Cst相对的一部分驱动区域20的开口。为便于解释，由第二堤图案316限定的开口将称为第三开口C。

详细地说，第三开口C可暴露单个发光区域。第三开口C还暴露被制备用来驱动该发光区域的一部分驱动区域以及与该发光区域相邻的一部分其他驱动区域。

在第三开口C中设置有机发光层。换句话说，有机发光层可形成为覆盖第一堤图案115的上表面并被第二堤图案316包围。

有机发光层可以是由发光材料形成的单层。为了提高发光效率，有机发光层可以以多层结构形成。例如，有机发光层可包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。

可使用在第一电极114上喷射或滴落液化的有机发光材料并将喷射或滴落的发光材料硬化的喷墨方法形成有机发光层。更具体地说，可通过与子像素相对的油墨头喷嘴给第三开口C供给像素颜料来形成有机发光层。

这样，用于供给液化的有机发光材料的油墨头喷嘴不仅可与各个子像素的发光区域相对，而且还与被制备用来驱动各个子像素的该发光区域的一部分驱动区域以及与各个子像素的该发光区域相邻形成并被制备用来驱动不同子像素的发光区域的一部分其他驱动区域相对。如此，当在像素区域上滴落液化的有机发光材料时可通过单个扫描给每个子像素供给大量的有机发光材料。此外，与每个子像素相对的油墨头喷嘴的数量增加。据此，即使在喷射液化的有机发光材料时喷嘴显之一示出异常，也可将子像素内的有机发光层的厚度偏差最小化。

接下来，将参照图6描述根据本发明第三个实施方式的形成有机发光层的工序。图6是图解根据本发明第三个实施方式和对比实施方式的有机发光层的形成工序的平面图。如图6中所示，喷嘴部200设置在中心区域，对比实施方式的子像素布置在喷嘴部200的左侧，第三个实施方式的子像素布置在喷嘴部200的右侧。

参照图6，根据对比实施方式和第三个实施方式的OLED装置的子像素可被限定出被制备用来形成有机发光元件的发光区域10以及被制备用来形成薄膜晶体管和电容器的驱动区域。

第三个实施方式和对比实施方式均使第一堤图案包围发光区域10并覆盖形成在每个子像素上的驱动区域20。如此，发光区域10可通过第一堤图案115被暴露为椭圆形。换句话说，第一堤图案115用于将子像素区域限定出发光区域10和非发光区域。

与对比实施方式不同，第三个实施方式进一步形成以椭圆形暴露出一部分第一堤图案115的第二堤图案316。被暴露出的第一堤图案115可占据与各个子像素的发光区域10相邻的区域。此外，被暴露出的第一堤图案115可占据被制备用来驱动各个子像素的发光区域10的一部分驱动区域20及其相邻区域。而且，被暴露出的第一堤图案115可占据被制备用来驱动不同子像素的发光区域10的一部分其他驱动区域20及其相邻区域。

通过喷嘴部给具有堤图案的基板供给用于形成有机发光层的像素颜料。在该情形中，对比实施方式中使用的喷嘴部200必然仅与发光区域10相对。另一方面，第三个实施方式中使用的喷嘴部200不仅与各个子像素的发光区域10相对，而且还与被制备用来驱动各个子像素的发光区域的驱动区域20以及被制备用来驱动不同子像素的发光区域10的其他驱动区域20相对。

如此，与第三个实施方式的子像素相对的喷嘴数量变为大于与对比实施方式的子像素相对的喷嘴数量。据此，当喷嘴部200显示出异常时，与对比实施方式相比，可更均匀地形成第三个实施方式的有机发光层。

尽管仅针对上述实施方式限制性地描述了本发明，但本领域技术人员应当理解，本发明并不限于这些实施方式，而是在不脱离本发明的精神的情况下可进行各种变化或修改。因此，本发明的范围应当仅由所附权利要求及其等同确定，而并不限于本发明的说明书。

Claims (17)

1.一种有机发光显示装置，包括：

基板，所述基板配置成包括被限定出发光区域和驱动区域的子像素；

第一堤图案，所述第一堤图案设置在所述基板上，并配置成限定出所述子像素的发光区域；

第二堤图案，所述第二堤图案设置在所述第一堤图案的一部分上表面上，并配置成包括暴露所述发光区域和一部分所述驱动区域的开口；和

设置在所述开口中的有机发光层。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第二堤图案具有大于所述第一堤图案的高度。

3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第二堤图案与电容器相对设置在所述驱动区域中。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述开口暴露所述发光区域以及与薄膜晶体管相对的所述驱动区域。

5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第二堤图案与薄膜晶体管相对设置在所述驱动区域中。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述开口暴露所述发光区域和与电容器相对的所述驱动区域。

7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第二堤图案与薄膜晶体管和电容器之间的中间区域相对地设置在所述驱动区域中。

8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述开口暴露所述发光区域以及与薄膜晶体管和电容器相对的所述驱动区域。

9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光层由液化的有机发光材料构成。

10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述开口暴露所述发光区域以及与薄膜晶体管及所述薄膜晶体管与电容器之间的中间区域相对的所述驱动区域。

11.一种有机发光显示装置，包括：

基板，所述基板配置成包括被限定出发光区域和驱动区域的子像素；

第一堤图案，所述第一堤图案设置在所述基板上，并配置成限定出所述子像素的发光区域；

第二堤图案，所述第二堤图案设置在所述第一堤图案的一部分上表面上；和

设置为覆盖所述第一堤图案的有机发光层。

12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中所述第二堤图案具有大于所述第一堤图案的高度。

13.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中所述第二堤图案与电容器相对地设置在所述驱动区域中。

14.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中所述第二堤图案与薄膜晶体管相对地设置在所述驱动区域中。

15.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中所述第二堤图案与薄膜晶体管和电容器之间的中间区域相对地设置在所述驱动区域中。

16.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光层由液化的有机发光材料构成。

17.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中所述开口暴露所述发光区域以及与薄膜晶体管及所述薄膜晶体管与电容器之间的中间区域相对的所述驱动区域。