CN105765450A - 彩膜基板及制备方法,oled,显示面板和显示装置 - Google Patents

彩膜基板及制备方法,oled,显示面板和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105765450A
CN105765450A CN201580002684.1A CN201580002684A CN105765450A CN 105765450 A CN105765450 A CN 105765450A CN 201580002684 A CN201580002684 A CN 201580002684A CN 105765450 A CN105765450 A CN 105765450A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal matrix
type metal
reflection
membrane substrates
color membrane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201580002684.1A
Other languages
English (en)
Inventor
贾文斌
高昕伟
袁广才
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of CN105765450A publication Critical patent/CN105765450A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • G02F1/133603Direct backlight with LEDs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种彩膜基板,用于在OLED和LCD显示结构中提高对比率和出光率,所述彩膜基板包括:一基板;一包含有多种像素单元的彩膜层;一个包括多个反射金属矩阵元的反射型金属矩阵,所述的反射金属矩阵元围绕每个像素单元。

Description

彩膜基板及制备方法,OLED,显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术,具体的,涉及一种彩膜基板及制备方法,有机发光二极管结构,相关的显示面板和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(organiclight-emittingdiode,有机发光二极管)显示器件因具有能耗低、亮度高、响应快、可视角度广、重量轻等优势,被广泛应用于多种设备,比如移动通信终端、个人数字助理(personaldigitalassistant,PDA),以及平板电脑等等。有机发光二极管显示器件常被分为无源矩阵型与有源矩阵型两种。其中,有源矩阵型的有机发光二极管显示器件利用薄膜晶体管(thinfilmtransistor,薄膜晶体管)来驱动有机发光二极管。
白色有机发光器件(whiteorganiclight-emittingdiode,WOLED)能用于高像素大尺寸的显示器,并且能够作为液晶显示器(liquidcrystaldisplay,LCD)的背光,或配合彩膜作为全彩色显示装置的背光。虽然白色有机发光器件和其他顶发射显示器件具有相对较高的开口率,但是这类装置的出光率和可视角度并不理想。为了发出彩色光,需要使用彩膜基板对有机发光二极管层所发出的白色光进行滤光。彩膜基板包括彩膜和显示面板的玻璃基板上的黑矩阵。当光进入基板,该黑矩阵会吸收部分光,从而降低有机发光二极管显示器的反射率并提高对比率。
但是,传统的黑矩阵会吸收多个像素的散射光,从而降低了显示面板的亮度。另外,传统的黑矩阵通常有重金属制造,比如铬,会对环境造成很大的污染。另外,对含有重金属的工业废物的处理往往复杂而昂贵。
因此,改进有机发光二极管/液晶结构以减少制造过程中的污染,以及改进色彩对比率和显示面板的视角非常必要。
发明内容
本发明提供一种有机发光二极管/液晶结构及其制造方法,以及相关的显示面板和显示装置。通过使用本发明提供的彩膜基板,有机发光二极管/液晶结构的出光率和对比率均可得以改进。进一步,本发明实施例中的制造过程更加清洁和经济。
本发明提供一种彩膜基板,包括:一基板;一包含有多种像素单元的彩膜层;一个包括多个反射金属矩阵元的反射型金属矩阵,所述的反射金属矩阵元围绕每个像素单元。
可选的,每一个所述的反射型金属矩阵单元包括一个朝向每个相邻像素单元的反射面。所述反射面与所述接触所述基板的反射型金属矩阵单元的底面形成一个锐角。
可选的,所述反射面与所述基板形成一个30°到60°锐角。
可选的,所述反射型金属矩阵单元包括有多个反射面的锥形金属单元。
可选的,所述的反射型金属矩阵单元包括具有反射面的截锥形金属单元。
可选的,所述彩膜层比所述反射型金属矩阵薄。
可选的,所述彩膜基板包括一个覆盖所述反射型金属矩阵和所述彩膜层的保护层。
可选的,所述保护层的厚度为2到4微米。
可选的,所述的彩膜基板,还包括分部在所述保护层上的散射粒子。
可选的,所述散射粒子是透明的。所述散射粒子是直径为20到80纳米的的光散射颗粒。所述散射粒子可以为SiO2或TiO2的任意一种或其混合物。所述像素单元包括蓝色像素单元、红色像素单元、绿色像素单元,以及白色像素单元。
本发明提供一种能够提升对比率和出光率的有机发光二极管结构,包括:一有机发光二极管阵列基板。所述有机发光二极管阵列基板包括:具有薄膜晶体管层的薄膜晶体管基板;制备于所述薄膜晶体管基板上的发光有机发光二极管层。所述有机发光二极管结构还包括:一彩膜基板,包括:一基板;具有多种像素单元的的一彩膜层;一包含多个反射型金属矩阵单元的反射型金属矩阵,所述反射型金属远围绕每一个像素单元。
可选的,每一个所述反射型金属矩阵单元包括一个朝向每个相邻像素单元的反射面。所述反射面与所述接触所述基板的反射型金属矩阵单元的底面形成一个锐角。
可选的,所述反射面与所述基板形成一个30°到60°锐角。
可选的,所述反射型金属矩阵单元包括有多个反射面的锥形金属单元。
可选的,所述反射型金属矩阵单元包括有多个反射面的截头锥体金属单元。
可选的,所述彩膜层比所述反射型金属矩阵薄。
可选的,所述的有机发光二极管结构,还包括一个覆盖所述反射型金属矩阵和所述彩膜层的保护层。
可选的,所述保护层的厚度为2到4微米。
可选的,所述的有机发光二极管结构,还包括分布在所述保护层上的散射粒子。
可选的,所述散射粒子是透明的。所述散射粒子是直径20到80纳米的的光散射颗粒。所述透明散射粒为SiO2或TiO2的任意一种或其混合物。所述像素单元包括蓝色像素单元、红色像素单元、绿色像素单元,以及白色像素单元。
本发明还提供了一种制备彩膜基板的方法,包括:在玻璃盖板的显示区域制备反射型金属矩阵,其中每个反射型金属矩阵单元为锥形;在所述玻璃盖板的所述显示区域制备像素单元;在所述像素单元和所述反射型金属矩阵上制备保护层;在所述保护层上分布散射粒子。
可选的,每一个所述反射型金属矩阵单元包括一个朝向每个相邻像素单元的反射面。
可选的,所述反射面与所述接触所述基板的反射型金属矩阵单元的底面形成一个锐角。
可选的,所述反射面与所述基板形成一个30°到60°锐角。
可选的,所述反射型金属矩阵单元包括有反射面的锥形金属单元。
可选的,所述反射型金属矩阵单元包括有反射面的截锥形金属单元。
可选的,所述彩膜层比所述反射型金属矩阵薄。
本发明还提供了一种显示面板,所述显示面板包括所提供的任意一个中的彩膜基板。
本发明还提供了一种显示装置,所述显示装置包括所提供的显示面板。
本领域技术人员可以根据本公开的具体实施方式、权利要求以及附图对其他实施例变形进行了解。
附图说明
下述附图仅仅是根据不同的实施例给出的示例性说明,并不用于限制本公开的范围。
图1a为本发明实施例中一示例性玻璃盖板的俯视图;
图1b为本发明实施例中一示例性显示面板的横截面视图;
图2为本发明实施例中用于制造所述有机发光二极管/液晶结构的一示例性工艺流程图;
图3为本发明实施例中图2所示流程中各个示例性部件的示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明提供的一种显示面板和显示装置作进一步详细描述。只要可能,相同的附图标记将贯穿附图来表示相同或相似的部分。
有机发光二极管/液晶结构中的彩膜对色彩纯度、光透性,和光学公差有极高的要求,不会变色或褪色,以及在高温和化学环境中具有高度稳定性。一个彩膜也可以是一个像素单元。在本发明中,这两种表述是可以互换的。在各个像素单元之间往往加入黑矩阵,以减少各像素之间的串扰。
区别于传统的黑矩阵,本发明提供了一种包含有高反射性金属矩阵的彩膜基板,用于各个像素单元。金属矩阵在彩膜基板上形成了多条线型的图案,用以覆盖可视区域中的的总线和薄膜晶体管(thin-filmtransistor,TFT)。这些线型的图案用于划分红、绿和蓝像素,以避免像素间的串扰和漏光现象,从而提升了对比率。进一步,因为所述金属矩阵只是几纳米厚度的一层,所以其对开口率的影响微乎其微。
所述金属矩阵可由具有反射性的金属制成,包括铜(Cu)和银(Ag),等等。并且,因为每一个矩阵元都采用金字塔或类似的形状,整个金属矩阵的反射率会相当高。金属矩阵矩阵元的形状使得原本应该散射到相邻像素单元的光被反射回本像素单元,从而提高了显示面板的出光率。另外,因为金属矩阵比彩膜基板上的像素单元更厚,所以金属矩阵可防止穿过各个像素单元的光混叠。
另外,本发明所提供的彩膜基板还包括一层分布于像素单元和金属矩阵上方的光散射粒子。所述光散射粒子使发光层发出的光发生散射,然后分散的光将被金属矩阵反射,再穿过像素单元从显示面板射出。
本发明提供一种用于有机发光二极管/液晶结构的彩膜基板。
图1a和图1b为本发明实施例中一示例性有机发光二极管/液晶结构100的示意图。如图1b所示,所述有机发光二极管/液晶结构100包括一张粘接薄膜晶体管基板1的玻璃盖板2。玻璃盖板2可封装各个功能层的。具体的,图1a为所述玻璃盖板2的俯/正视图。所述玻璃盖板2包括一显示区域21。所述显示区域21用以在面板的操作中显示图像。所述玻璃盖板2还包括不用来显示图像的边框区域22。
如图1b所示,本发明提供的有机发光二极管/液晶结构100还包括一有机发光二极管阵列基板3。所述有机发光二极管阵列基板3包括一张分布排列有薄膜晶体管的薄膜晶体管基板,以及置于薄膜晶体管上的有机发光二极管/液晶层。
所述有机发光二极管/液晶层是一个发光层。在本实施例中,所述有机发光二极管/液晶层可由某种屏蔽物阻断。在另外的实施例中,有机发光二极管/液晶层也可以集成在一层中。比如,有机发光二极管/液晶层可为一有机发光二极管层。此有机发光二极管层被夹在阴极层与阳极层之间。电极阵列可通过薄膜晶体管层中的薄膜晶体管电路控制。
所述有机发光二极管/液晶结构100还包括彩膜基板4。所述彩膜基板4包括了玻璃盖板2。所述玻璃盖板2又包括了显示区域21与边框区域22。比如,所述显示区域21可能是玻璃盖板2中心的一个矩形区域,用于通过像素单元显示图像。而所述边框区域22可并不具有像素单元。在如图1a所示的实施例中,边框区域22是一个包围着显示区域21矩形的环。边框区域22中可能含有电路和其他元器件。为了让边框区域22中中的电路和其他元器件不被用户所见,边框区域22常常具有不透明的掩膜。所述不透明的掩膜可由不透明的材料制成,比如黑色或其他颜色的不透明材料制成。
所述彩膜基板4还包括像素单元24。所述像素单元24可为红(R)、绿(G)、蓝(B)、和/或白(W)色。所述像素单元24可组成一彩膜层。在彩膜层中的像素单元24阵列可使显示面板能够显示彩色的图像。
所述彩膜基板4还包括反射型金属矩阵23。所述反射型金属矩阵23被放置于各个像素单元24之间。从而,金属矩阵23可以遮挡各个像素单元24之间漏出的光。为了提高反射率,金属矩阵23需由具有高反射率的金属材料制成,比如铝(Al)、铝合金、铜(Cu)、银(Ag)、钛(Ti)等等,以及上述金属的组合。
在显示区域21中,金属矩阵23由相对较薄的网格状的线条组成。金属矩阵23也可以是具有开口的图案,比如一个具有矩形孔的阵列以用于接受像素单元24。在一些实施例中,在边框区域22中,金属矩阵的材料也可用以形成一边框金属矩阵,此边框金属矩阵用以作为显示的黑边。比如,边框区域22中的金属矩阵可为一矩形的环,包围住中间矩形的显示区域21。在一些实施例中,在边框区域22中,用以制作黑矩阵的材料可用来形成一边框黑矩阵。此黑矩阵被用于作为显示的黑边。
在本实施例中,如图1b所示,所述金属矩阵的23的每个矩阵元可为锥形。与其他形状相比,锥形的金属矩阵23可将更多的光反射进入像素单元24,从而使更多的由有机发光二极管/液晶层所发得光穿过像素单元24。金属矩阵的23的每个矩阵元可为直角锥形、非直角锥形、方椎形,三棱镜形,等等。在某些实施例中金属矩阵的23的矩阵元为截锥形。如图1b所示,从玻璃盖板2指向下方的箭头表示显示面板输出的光的方向。
如图1b所示,金属矩阵的23的每个矩阵元都具有反射面30,用于将光反射进相邻像素单元24。在本实施例中,所述金属矩阵的23矩阵元为有四个反射面30的方锥形。其中,每个反射面30与玻璃盖板2成锐角。比如,每个反射面30与玻璃盖板2成约为30到60度的锐角。
在本实施例中,如图1b所示,所述像素单元24的厚度比所述金属矩阵23的厚度更薄。在本实施例中,具体的,所述像素单元24的厚度比所述金属矩阵23的厚度薄大约1到2微米。这种设置使金属矩阵的23能够将散射的光线反射进入像素单元24,从而提升了显示面板的出光率。
本发明提出的金属矩阵23的矩阵元的形状不应受到本方案中各实施例中的具体形状限制。本发明提出的金属矩阵23的各矩阵元的反射面与玻璃盖板2之间的角度,也不应受到本方案中各实施例中的具体角度限制。事实上,本发明提出的金属矩阵23的矩阵元可以是任意合适并能够提高显示面板透光率和对比率的形状。而本发明提出的金属矩阵23的各矩阵元的反射面与玻璃盖板2之间的角度,可根据需实现的,例如透光率、对比率、生产成本等等具体的设计而进行调整。
本发明提出的金属矩阵23的矩阵元的尺寸,不应受到本方案中各实施例中的具体尺寸限制。事实上,本发明提出彩膜基板中的金属矩阵23的单个矩阵元可以是任意合适并且能够恰当的排布于相邻像素单元24之间的尺寸。本发明提出的金属矩阵23的矩阵元的厚度,可根据需实现的,例如由不同的设计目标例如透光率、生产成本等等具体的设计而进行调整。
本发明提出的金属矩阵23的成分也可根据多种设计和应用进行调整。本发明提出的金属矩阵23可由任意合适的,并能够最终提升显示面板透光率和对比率的金属、其他材料,或是任意材料的组合制造。
所述彩膜基板4还包括一个保护层25。例如,所述保护层25是基本透明的,可由例如树脂制成。置于玻璃盖板2上的像素单元24和金属矩阵23封装于保护层25中,使像素元素24和金属矩阵23与外界环境隔离,从而减少了环境因素,比如氧气和水分,造成的损伤。
所述保护层25的厚度必须恰当。如果保护层25过薄,可能无法真正有效隔离外界环境;而如果保护层25过厚,可能达不到足够好的透明度,而降低了透光率。在本实施例中,保护层25的厚度约为2到4微米。
另外,所述彩膜基板还包括散射粒子26。在本实施例中,散射粒子26被分散于保护层25上。从有机发光二极管/液晶层发出的光被所述散射粒子26散射后到达彩膜基板4并穿过像素单元24。所述散射粒子26是另一个有效提升显示面板出光率和可视角度的元素。
所述散射粒子26是一种使光发生散射的颗粒,每个颗粒直径约为30到80纳米。所述散射粒子26可为透明的。如果光射向散射粒子26这样细小的颗粒,通常会发生散。而当颗粒的直径小于光波长的1/10时,前向散射和后向散射都会发生。所谓前向散射是指光沿传播方向的散射,而后向散射是指光沿着其反射方向的散射。这也被称为瑞利散射(RayleighScattering)。
但是,当颗粒的直径大于光波长1/10时,米氏散射(MiieScattering)就会发生。在这种散射中,前向散射于后向散射相比完全占主导。在一些实施例中,所述散射粒子26应能引发米氏散射,使得前向散射完全占主导,从而在不影响光透率的前提下,更多地依靠散射光提高了可视角度。
为了引发米氏散射,散射粒子26直径应大于对应光波长的1/10。考虑到有机发光二极管/液晶层所发出的光的波长范围,散射粒子26直径应大于40到70纳米。
如上所述,采用不同尺寸的散射粒子26会引起不同的散射效果。在一些实施例中,所述散射粒子26的直径约为20到80纳米,可由聚苯乙烯(PS)、二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)等材料制成,并可由溶胶-凝胶法或微乳法使其制备于保护层25上。所述散射粒子26的具体成分和直径,可根据具体设计和应用所需要的散射效果具体调整。
如图1b所示,有机发光二极管阵列基板3用密封胶27与所述彩膜基板4粘合在一起。在一些实施例中,密封胶27为一种紫外线固化密封胶(UV-curingsealant)。密封胶27被施加在玻璃盖板2的边框区域22上。有机发光二极管阵列基板3随后与彩膜基板4压合为一体,再通过紫外线照射使密封胶固化实现粘合。
本发明还提供一种彩膜基板的制备方法。此彩膜基板被用于本发明实施例中的多种有机发光二极管/液晶结构中。
图2为本发明实施例中用于制备如图1a与图1所示的有机发光二极管/液晶结构的示例性工艺流程图。该流程包括步骤S1到步骤S7。进一步的,图3为本发明实施例中图2所示流程中各个示例性部件的示意图。
步骤S1,提供薄膜晶体管基板1,即具有薄膜晶体管层的基本透明的基板。进一步,如图3所示,在薄膜晶体管层的上方设置有有机发光二极管/液晶层。所述有机发光二极管/液晶层就是发光层。在一些实施例中,所述有机发光二极管/液晶层可由某种屏蔽物阻断。在另外的实施例中,有机发光二极管/液晶层也可以集成在一层中。
步骤S2,提供玻璃盖板2。所述玻璃盖板2包括了显示区域21与边框区域22。
进一步的,如图3所示,在步骤S2中,在玻璃盖板2的显示区域21上制备反射型金属矩阵23。在某些实施例中,在边框区域22上也可能制备一反射型金属矩阵。在另一些实施例中,传统的黑矩阵也可以制备在该边框区域22上。
所述金属矩阵23可由曝光显影(photolithography)工艺制备。首先,在玻璃盖板2的显示区域21上制备出金属矩阵23的图案。接着,在玻璃盖板2上覆盖保护层。该保护层可由氮硅化合物(SiNx)或氧硅化合物(SiOx),(例如SiN2或者SiO2)制成。使用图案化工艺,对对应于金属矩阵23的保护层部分实施蚀刻。金属矩阵23可在显示区域21中制备出来。
在本实施例中,为了提高反射率,金属矩阵23可由具有高反射率的金属材料制成,比如铝(Al)、铝合金、铜(Cu)、银(Ag)、银合金、钛(Ti)等等。
在本实施例中,如图3所示,所述金属矩阵的23的每个矩阵元为锥形。锥形的金属矩阵23可将更多的光反射进入像素单元24,从而使更多的由有机发光二极管/液晶层所发得光穿过像素单元24。
本发明提出的金属矩阵23的矩阵元的形状,不应受到本方案中各实施例中的具体形状限制。本发明提出的金属矩阵23的矩阵元可以是任意合适并能够提升显示面板透光率和对比率的形状。本发明提出的金属矩阵23的矩阵元的形状,可根据需实现的,例如透光率、对比率、生产成本等等具体的设计目标而进行调整。
步骤S3,在玻璃盖板2的显示区域21排布像素单元24。如图3所示,所述像素单元24为红(R)、绿(G)、蓝(B)以及白(W)四种像素。所述金属矩阵23被放置于各个像素单元24之间,从而金属矩阵23可以遮挡各个像素单元24之间漏出的光。
在本实施例中,如图3所示,所述像素单元24的厚度比所述金属矩阵23的厚度薄。该种设置使金属矩阵的23能够将散射的光线反射进入像素单元24,从而提升了显示面板的出光率。
步骤S4,制备保护层25,或者说树脂(resin)层,可被形成。保护层25可将像素单元24和金属矩阵23与外界环境隔离。在本实施例中,所述保护层25的厚度约为2到4微米。所述保护层25的具体制备方法可为:丝网印刷法、滴液涂布法、压合涂布法等等。
步骤S5,在保护层25上散布散射粒子26。所述散射粒子26直径应大于40到70纳米。在本实施例中,散射粒子26的直径约为20到80纳米,可由聚苯乙烯(PS)、二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)等材料制成,并可由溶胶-凝胶法或微乳法制备在保护层25上。
步骤S6,在玻璃盖板2上的边框区域22的边缘施加密封胶27。该密封胶可以是一种紫外线固化密封胶(UV-curingsealant)。如图3所示,有机发光二极管阵列基板3与彩膜基板4压和为一体。在本实施例中,在有机发光二极管阵列基板3与彩膜基板4压和为一体前,需在有机发光二极管阵列基板3的边缘先涂好密封胶27。
步骤S7,用紫外线照射紫外线固化密封胶,使其固化,从而使有机发光二极管阵列基板3与所述彩膜基板4粘合为一体。
本发明还提供一种显示面板。
上述有机发光二极管/液晶结构合彩膜基板可被用于显示面板。在一些实施例中,显示面板可为液晶显示面板。在另一些实施例中,显示面板可为有机发光二极管显示面板。在一些实施例中,显示面板可包括有机发光二极管阵列基板3合彩膜基板4。彩膜基板4可包括像素单元24。像素单元之间设置有反射型金属矩阵23。
本发明还提供一种显示装置。
所述显示装置可集成有上述显示面板。本发明实施例中的显示装置可用于任意有显示功能的设备中,例如电视、液晶显示器、电纸书、数码相框、手机、平板电脑、导航仪等等。
为了便于描述,这里列出的实施例只具体展示和描述了本发明提供的有机发光二极管/液晶结构的一部分元素。有机发光二极管/液晶结构的另外一些元素,比如某些电路,因为在本领域内有公认的标准,再次不再赘述。可以理解的是,对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明提供的有机发光二极管/液晶结构的基本概念的前提下,做出的各种变型和改,也应视为本发明的保护范围。
任何在本说明书中的“本实施例”,“一个实施例”,“示例实施例”,“一些实施例”等的引用,表明一特定的特征,结构,或与该实施例描述的相关特性被包括在至少一个本发明的实施例。这样的短语在整个说明书中出现不一定全部指的是同一实施例。进一步,当特定特征,结构,或特性结合任何实施例进行描述时,应当注意,它是本领域技术人员能力范围内,与其他实施例结合实现这些特征,结构或特性。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (37)

1.一种彩膜基板,其特征在于,包括:一基板;一包含有多种像素单元的彩膜层;一个包括多个反射金属矩阵单元的反射型金属矩阵,所述反射金属矩阵单元围绕每个像素单元。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,每一个所述的反射型金属矩阵单元包括一个朝向每个相邻像素单元的反射面。
3.根据权利要求2所述的彩膜基板,其特征在于,所述反射面与接触所述基板的反射型金属矩阵单元的底面形成一个锐角。
4.根据权利要求3所述的彩膜基板,其特征在于,所述反射面与所述基板形成一个30°到60°锐角。
5.根据权利要求1或2所述的彩膜基板,其特征在于,所述反射型金属矩阵单元包括有多个反射面的锥形金属单元。
6.根据权利要求1或2所述的彩膜基板,其特征在于,所述的反射型金属矩阵单元包括具有反射面的截头锥体金属单元。
7.根据权利要求1或2所述的彩膜基板,其特征在于,所述彩膜层比所述反射型金属矩阵薄。
8.根据权利要求1或2所述的彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板还包括一个覆盖所述反射型金属矩阵和所述彩膜层的保护层。
9.根据权利要求8所述的彩膜基板,其特征在于,所述保护层的厚度为2到4微米。
10.根据权利要求8所述的彩膜基板,其特征在于,还包括分部在所述保护层上的散射粒子。
11.根据权利要求10所述的彩膜基板,其特征在于,所述散射粒子是透明的。
12.根据权利要求10所述的彩膜基板,其特征在于,所述散射粒子是直径为20到80纳米的光散射颗粒。
13.根据权利要求10的彩膜基板,其特征在于,所述散射粒子可以为SiO2或TiO2的任意一种或其混合物。
14.根据权利要求1的彩膜基板,其特征在于,所述像素单元包括蓝色像素单元、红色像素单元、绿色像素单元,以及白色像素单元。
15.一种能够提升对比率和出光率的有机发光二极管结构,其特征在于,包括:
一有机发光二极管阵列基板,包括:
具有薄膜晶体管层的薄膜晶体管基板;
于所述薄膜晶体管基板上的发光的有机发光二极管层;
一彩膜基板,包括:
一基板;
具有多种像素单元的一彩膜层;
一包含多个反射型金属矩阵单元的反射型金属矩阵,所述反射型金属矩阵单元围绕每一个像素单元。
16.根据权利要求15所述的有机发光二极管结构,其特征在于,每一个所述反射型金属矩阵单元包括一个朝向每个相邻像素单元的反射面。
17.根据权利要求16所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述反射面与接触所述基板的反射型金属矩阵单元的底面形成一个锐角。
18.根据权利要求17所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述反射面与所述基板形成一个30°到60°锐角。
19.根据权利要求15或16所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述反射型金属矩阵单元包括有多个反射面的锥形金属单元。
20.根据权利要求15或16所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述反射型金属矩阵单元包括有多个反射面的截头锥体金属单元。
21.根据权利要求15或16所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述彩膜层比所述反射型金属矩阵薄。
22.根据权利要求15或16所述的有机发光二极管结构,其特征在于,还包括一个覆盖所述反射型金属矩阵和所述彩膜层的保护层。
23.根据权利要求22所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述保护层的厚度为2到4微米。
24.根据权利要求23所述的有机发光二极管结构,其特征在于,还包括分布在所述保护层上的散射粒子。
25.根据权利要求24所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述散射粒子是透明的。
26.根据权利要求24所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述散射粒子是直径为20到80纳米的光散射颗粒。
27.根据权利要求24所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述透明散射粒为SiO2或TiO2的任意一种或其混合物。
28.根据权利要求15所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述像素单元包括蓝色像素单元、红色像素单元、绿色像素单元,以及白色像素单元。
29.一种制备彩膜基板的方法,其特征在于,包括:
在玻璃盖板的显示区域制备反射型金属矩阵,其中每个反射型金属矩阵单元为锥形;
在所述玻璃盖板的所述显示区域制备像素单元;
在所述像素单元和所述反射型金属矩阵上制备保护层;
在所述保护层上分布散射粒子。
30.根据权利要求29所述的方法,其特征在于,每一个所述反射型金属矩阵单元包括一个朝向每个相邻像素单元的反射面。
31.根据权利要求30所述的方法,其特征在于,所述反射面与所述接触所述基板的反射型金属矩阵单元的底面形成一个锐角。
32.根据权利要求31的方法,其特征在于,所述反射面与所述基板形成一个30°到60°锐角。
33.根据权利要求29的方法,其特征在于,所述反射型金属矩阵单元包括有反射面的锥形金属单元。
34.根据权利要求29的方法,其特征在于,所述反射型金属矩阵单元包括有反射面的截头锥体金属单元。
35.根据权利要求29的方法,其特征在于,所述彩膜层比所述反射型金属矩阵薄。
36.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括基于权利要求1到14任意一个中的彩膜基板。
37.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括基于权利要求36中的显示面板。
CN201580002684.1A 2015-10-29 2015-10-29 彩膜基板及制备方法,oled,显示面板和显示装置 Pending CN105765450A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2015/093194 WO2017070891A1 (en) 2015-10-29 2015-10-29 Color filter substrate and fabrication method thereof, oled structure, related display panel, and related display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105765450A true CN105765450A (zh) 2016-07-13

Family

ID=56343068

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580002684.1A Pending CN105765450A (zh) 2015-10-29 2015-10-29 彩膜基板及制备方法,oled,显示面板和显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9960377B2 (zh)
CN (1) CN105765450A (zh)
WO (1) WO2017070891A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106094324A (zh) * 2016-08-17 2016-11-09 北京小米移动软件有限公司 一体化液晶显示模组及应用其的手机
CN108107618A (zh) * 2017-12-15 2018-06-01 信利光电股份有限公司 一种显示模组及显示面板
CN108254957A (zh) * 2018-01-05 2018-07-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN108957836A (zh) * 2018-07-27 2018-12-07 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板及其制作方法、显示器件
WO2019010772A1 (zh) * 2017-07-12 2019-01-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及制作方法
CN110620136A (zh) * 2019-10-30 2019-12-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及包含其的显示面板

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102568383B1 (ko) 2016-06-17 2023-08-21 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102492199B1 (ko) 2018-03-09 2023-01-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11665929B2 (en) * 2019-06-13 2023-05-30 Intel Corporation Micro light-emitting diode displays with improved power efficiency

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7687989B2 (en) * 2006-12-01 2010-03-30 Global Oled Technology Llc Emissive displays having improved contrast
CN104218183A (zh) * 2013-05-31 2014-12-17 三星显示有限公司 有机白光发射显示器设备
CN104538430A (zh) * 2014-12-30 2015-04-22 北京维信诺科技有限公司 一种有机发光显示装置及其制备方法
CN104659075A (zh) * 2015-03-19 2015-05-27 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制造方法、显示装置
WO2015083823A1 (ja) * 2013-12-06 2015-06-11 シャープ株式会社 発光体基板、太陽電池、表示装置、照明装置、電子機器、有機el素子、及び発光体基板の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7687989B2 (en) * 2006-12-01 2010-03-30 Global Oled Technology Llc Emissive displays having improved contrast
CN104218183A (zh) * 2013-05-31 2014-12-17 三星显示有限公司 有机白光发射显示器设备
WO2015083823A1 (ja) * 2013-12-06 2015-06-11 シャープ株式会社 発光体基板、太陽電池、表示装置、照明装置、電子機器、有機el素子、及び発光体基板の製造方法
CN104538430A (zh) * 2014-12-30 2015-04-22 北京维信诺科技有限公司 一种有机发光显示装置及其制备方法
CN104659075A (zh) * 2015-03-19 2015-05-27 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制造方法、显示装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106094324A (zh) * 2016-08-17 2016-11-09 北京小米移动软件有限公司 一体化液晶显示模组及应用其的手机
CN106094324B (zh) * 2016-08-17 2020-08-21 北京小米移动软件有限公司 一体化液晶显示模组及应用其的手机
WO2019010772A1 (zh) * 2017-07-12 2019-01-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及制作方法
CN108107618A (zh) * 2017-12-15 2018-06-01 信利光电股份有限公司 一种显示模组及显示面板
CN108254957A (zh) * 2018-01-05 2018-07-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN108957836A (zh) * 2018-07-27 2018-12-07 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板及其制作方法、显示器件
CN110620136A (zh) * 2019-10-30 2019-12-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及包含其的显示面板
US11282907B2 (en) 2019-10-30 2022-03-22 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and display panel
CN110620136B (zh) * 2019-10-30 2022-07-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及包含其的显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
US20170294614A1 (en) 2017-10-12
US9960377B2 (en) 2018-05-01
WO2017070891A1 (en) 2017-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105765450A (zh) 彩膜基板及制备方法,oled,显示面板和显示装置
WO2017075879A1 (zh) 量子点彩膜基板及其制作方法与液晶显示装置
CN105301852B (zh) 光控制设备及其制造方法以及具有该设备的透明显示装置
KR100760938B1 (ko) 반사형 액정 표시 장치
CN103972262A (zh) 一种有机发光显示装置及其制造方法
CN112912948B (zh) 黑色矩阵基板及具备黑色矩阵基板的显示装置
CN103278876A (zh) 量子点彩色滤光片及其制作方法、显示装置
TWI520398B (zh) 有機發光裝置及包含其之影像顯示系統
US20210011338A1 (en) Reflective liquid crystal display and method for manufacturing the same
WO2022257167A1 (zh) 显示面板及电子装置
CN103091756A (zh) 光子晶体、彩膜基板、显示面板和显示装置
US20190155095A1 (en) Color film substrate and method for manufacturing the same, and liquid crystal display panel
CN101086581A (zh) 背光单元以及包括该背光单元的液晶显示装置
CN108766980A (zh) 一种显示面板及显示装置
US10901135B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
WO2020024765A1 (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
CN108107623A (zh) 显示装置
CN110034158A (zh) 显示装置
CN104865731A (zh) 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN107942578A (zh) 彩色滤光基板、液晶显示面板及液晶显示装置
CN106681073A (zh) 液晶显示面板
CN110782781B (zh) 显示模组、显示装置
US10914980B2 (en) Quantum-dot color filter substrate and display panel
CN102305373A (zh) 显示装置及其背光模块
WO2022183744A1 (zh) 显示面板、显示装置和制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160713

RJ01 Rejection of invention patent application after publication