CN105762225B - 硅异质结太阳能电池的退火、制备方法和电池 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种硅异质结太阳能电池的退火、制备方法和硅异质结太阳能电池，涉及太阳能技术领域，用以提高硅异质结太阳能电池中的电极栅线的抗拉性和电学性能。在本发明实施例中，将印制有电极栅线的硅晶衬底置于密闭容器内；采用第一温度、第一气压，对所述密封容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理；其中，所述第一温度的取值范围为100℃～300℃；所述第一气压大于1个标准大气压且小于10个标准大气压；从而提高了硅异质结太阳能电池中的电极栅线的抗拉性和电学性能。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能技术领域，尤其涉及硅异质结太阳能电池的退火、制备方法和电池。
背景技术
随着全球工业化进程的不断加快，能源短缺与环境恶化等问题日益凸显。随着人类对常规能源的过度利用，全世界所拥有的常规能源越来越少。在传统能源的使用过程中，也对人类环境造成了恶劣地破坏。这些都对全球社会的可持续发展带来严重的隐患。近年来，太阳能光伏发电技术以其洁净、安全、可再生成为新能源领域的研究热点。其中，硅异质结太阳能电池凭借其较低的制备工艺温度、较高的光电转换效率、优异的高温弱光发电以及较低的衰减等优势，成为目前太阳能行业的重要发展方向。
硅异质结太阳能电池一般包括晶硅衬底、分别位于晶硅衬底两侧的非晶硅薄膜层、以及位于非晶硅薄膜层外侧的前电极薄膜层和背电极薄膜层。当太阳光照射到PN结时，内建电场使得光照产生的光生空穴电子对分离，从而形成非平衡载流子，产生电流。硅异质结太阳能电池利用了晶体硅和非晶硅的特征，具有较低制备工艺温度、较高转换效率和优异高温特性等特点，得到了迅速发展。
在硅异质结太阳能电池的制备过程中，为了保证电极栅线承受的焊接拉力能够满足后续工艺的制备需要(一般来说，需要承受2牛顿左右的焊接拉力)，需要在电极栅线印制之后对电极栅线进行退火处理。传统工艺中，一般要采用800℃以上的高温对电极栅线进行退火。
然而，硅异质结太阳电池中的非晶硅薄膜层不能承受800℃以上的高温，过高的高温会对硅异质结太阳电池的光谱响应特性产生不利影响，但如果使用较低的温度对电极栅线进行退火，虽然能够保护非晶硅薄膜层，但却无法保证电极栅线的抗拉性。
发明内容
本发明实施例提供硅异质结太阳能电池的退火、制备方法和电池，用以提高硅异质结太阳能电池中的电极栅线的抗拉性和电学性能。
本发明实施例提供一种硅异质结太阳能电池的退火方法，该退火方法包括：
将印制有电极栅线的硅晶衬底置于密闭容器内；
采用第一温度、第一气压，对所述密封容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理；
其中，所述第一温度的取值范围为100℃～300℃；所述第一气压大于1个标准大气压且小于10个标准大气压。
本发明实施例还提供一种硅异质结太阳能电池的制备方法，该制备方法包括：
在清洗后的晶硅衬底上采用非晶硅薄膜层进行沉积；
在所述沉积有非晶硅薄膜层的晶硅衬底上，沉积背电极薄膜层；
在所述沉积有背电极薄膜层的晶硅衬底上，沉积正电极薄膜层；
采用低温银浆对所述沉积有正电极薄膜层的硅晶衬底进行电极栅线印制；
将所述印制有电极栅线的硅晶衬底置于密闭容器内；
采用第一温度、第一气压，对所述密封容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理；
其中，所述第一温度的取值范围为100℃～300℃；所述第一气压大于1个标准大气压且小于10个标准大气压。
本发明实施例还提供一种硅异质结太阳能电池，该硅异质结太阳能电池根据上述制备方法制备。
从上述技术方案可以看出，在本发明实施例中，采用较低温度、较高气压对印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理，由于本发明中采用低温导电浆料对沉积有正电极薄膜层的硅晶衬底进行电极栅线印制，因此在采用低温高压对电极栅线进行退火处理时，既能够保证经过退火处理的电极栅线能够承受一定的焊接拉力，又不破坏非晶硅薄膜层的性能，提高了硅异质结太阳能电池的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种硅异质结太阳能电池的退火方法的流程示意图；
图2为示出了本发明实施例提供的硅异质结太阳能电池的制备方法的流程示意图；
图3为本发明实施例提供的采用300℃对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行退火的流程示意图；
图4为本发明实施例中的一种密封容器的示意图；
图5为本发明实施例提供的采用250℃对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行退火的流程示意图；
图6为本发明实施例提供的采用200℃对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行退火的流程示意图；
图7为本发明实施例提供的采用180℃对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行退火的流程示意图；
图8为本发明实施例提供的采用150℃对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行退火的流程示意图；
图9为本发明实施例提供的采用100℃对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行退火的流程示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例可以应用于硅异质结太阳能电池的制备过程中，特别适用于硅异质结太阳电池栅线的制备过程。本发明实施例采用低温导电浆料对沉积有正电极薄膜层的硅晶衬底进行电极栅线印制；在特定密封设备中施加一定高压，可以在相对低温(低于300℃)条件下对采用低温导电浆料印制的电极栅线进行有效退火，利用高压环境加速银浆材料的固化，并增加其密实度，使其具有良好的电性能和强度。
图1示出了本发明实施例提供的一种硅异质结太阳能电池的退火方法的流程示意图，如图1所示，该流程可以包括：
步骤11：将印制有电极栅线的硅晶衬底置于密闭容器内。
步骤12：采用第一温度、第一气压，对密封容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理；其中，第一温度的取值范围为100℃～300℃；第一气压大于1个标准大气压且小于10个标准大气压。
可选的，在上述步骤12中，第一气压与第一温度成负相关。
可选的，在上述步骤12中，在采用第一温度、第一气压，对印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理时，退火处理的加热时长与第一气压成负相关。
可选的，在上述步骤12中，退火处理的加热时长的取值范围为2分钟～300分钟。
可选的，在上述步骤12中，在密封容器中，利用通入的惰性气体，采用第一温度、第一气压，对密封容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理。
基于上述硅异质结太阳能电池的退火方法，本发明实施例还提供一种硅异质结太阳能电池的制备方法，图2示出了本发明实施例提供的硅异质结太阳能电池的制备方法的流程示意图，如图2所示，该流程可以包括：
步骤21：在清洗后的晶硅衬底上采用非晶硅薄膜层进行沉积。
步骤22：在沉积有非晶硅薄膜层的晶硅衬底上，沉积背电极薄膜层。
步骤23：在沉积有背电极薄膜层的晶硅衬底上，沉积正电极薄膜层。
步骤24：采用低温银浆对沉积有正电极薄膜层的硅晶衬底进行电极栅线印制。
步骤25：将印制有电极栅线的硅晶衬底置于密闭容器内。
步骤26：采用第一温度、第一气压，对密封容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理；其中，第一温度的取值范围为100℃～300℃；第一气压大于1个标准大气压且小于10个标准大气压。
可选的，在上述步骤26中，第一气压与第一温度成负相关。
可选的，在上述步骤26中，在采用第一温度、第一气压，对密封容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理时，退火处理的加热时长与第一气压成负相关。
可选的，在上述步骤26中，退火处理的加热时长的取值范围为2分钟～300分钟。
可选的，在上述步骤26中，在密封容器中，利用通入的惰性气体，采用第一温度、第一气压，对密封容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理。
这样，在特定密封容器中施加一定高压(例如：通过充入干燥压缩空气(CDA)的方式)，在100-300℃的低温下对新印刷的电池栅线进行退火，避免了高温对硅异质结太阳电池内部的非晶硅薄膜层产生不利影响，使栅线在低温下就能达到后续工序中的焊接拉力要求。其中施加的高压条件至少大于1个标准大气压，并小于10个标准大气压，退火时间范围为2-300min。
下面对本发明实施例进行详细描述。
作为一个较优选的实施例，本发明实施例可以在特定的工艺条件下对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行低温退火，在本发明实施例提供的方法中，可以采用低温银浆作为一种低温导电浆料印制硅异质结太阳能电池的电极栅线，还可以使用其它低温导电浆料印制硅异质结太阳能电池的电极栅线。图3示出了本发明实施例提供的采用300℃对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行退火的流程示意图，图4示出了本发明实施例中的一种密封容器的示意图，如图3和图4所示，该方法流程可以具体为：
步骤31：对硅晶衬底表面进行清洗。
步骤32：在清洗后的晶硅衬底上采用非晶硅薄膜层进行沉积。
步骤33：在沉积有非晶硅薄膜层的晶硅衬底上，沉积背电极薄膜层。
步骤34：在沉积有背电极薄膜层的晶硅衬底上，沉积正电极薄膜层。
步骤35：采用低温银浆对沉积有正电极薄膜层的硅晶衬底进行电极栅线印制。
这样，通过执行步骤31～步骤34完成了硅异质结太阳能电池的非晶硅薄膜层、背电极薄膜层以及正电极薄膜层的制作过程。通过执行步骤35完成了硅异质结太阳能电池的电极栅线的制作过程。
步骤36：对密封箱体(可以为一种箱式退火炉)内进行加热，最终使箱体内温度稳定在300摄氏度(℃)。
步骤37：向密封箱体内通入惰性气体，以使密封箱体内保持一定的高压P1。
具体实现时，本实施例中通入的气体可以为CDA，其中，所产生的高压P1的取值范围为1-10个标准大气压。
步骤38：达到退火时间t1后，将硅异质结太阳能电池片从密封容器内取出。
具体实现时，印刷栅线的硅异质结太阳能电池在低温(≤300℃)高压条件下，保持一定退火时间t1，根据箱体内压力的大小，退火时间会在2-300min的时间范围内波动。
需要说明的是，在本发明实施例中，退火处理的加热时长t1与退火温度(在本发明实施例中为300℃)成负相关，并且，退火温度(300℃)与密封箱体内气压P1成负相关；在本发明实施例中，还可以根据实际应用环境，预先建立不同温度、不同气压与退火时间之间的映射关系；还可以对预先建立的温度、气压与退火时间之间的映射关系进行更新。
作为另一个较优选的实施例，本发明实施例可以在特定的工艺条件下对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行低温退火，在本发明实施例提供的方法中，可以采用低温银浆作为一种低温导电浆料印制硅异质结太阳能电池的电极栅线，图5示出了本发明实施例提供的采用250℃对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行退火的流程示意图，如图4和图5所示，该方法流程可以具体为：
步骤51：对硅晶衬底表面进行清洗。
步骤52：在清洗后的晶硅衬底上采用非晶硅薄膜层进行沉积。
步骤53：在沉积有非晶硅薄膜层的晶硅衬底上，沉积背电极薄膜层。
步骤54：在沉积有背电极薄膜层的晶硅衬底上，沉积正电极薄膜层。
步骤55：采用低温银浆对沉积有正电极薄膜层的硅晶衬底进行电极栅线印制。
这样，通过执行步骤51～步骤54完成了硅异质结太阳能电池的非晶硅薄膜层、背电极薄膜层以及正电极薄膜层的制作过程。通过执行步骤55完成了硅异质结太阳能电池的电极栅线的制作过程。
步骤56：对密封箱体(可以为一种箱式退火炉)内进行加热，最终使密封箱体内温度稳定在250℃。
步骤57：向密封箱体内通入惰性气体，以使密封箱体内保持一定的高压P2。
具体实现时，本实施例中通入的气体可以为氮气或CDA，其中，所产生的高压P2的取值范围为1-10个标准大气压。
步骤58：达到退火时间t2后，将硅异质结太阳能电池片从密封容器内取出。
具体实现时，印刷栅线的硅异质结太阳能电池在低温(250℃)高压条件下，保持一定退火时间t2，根据箱体内压力的大小，退火时间会在2-300min的时间范围内波动。
需要说明的是，在本发明实施例中，退火处理的加热时长t2与退火温度(在本发明实施例中为250℃)成负相关，并且，退火温度(250℃)与箱体内气压P2成负相关；在本发明实施例中，还可以根据实际应用环境，预先建立不同温度、不同气压与退火时间之间的映射关系；还可以对预先建立的温度、气压与退火时间之间的映射关系进行更新。
作为再一个较优选的实施例，本发明实施例可以在特定的工艺条件下对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行低温退火，在本发明实施例提供的方法中，可以采用低温银浆作为一种低温导电浆料印制硅异质结太阳能电池的电极栅线，图6示出了本发明实施例提供的采用200℃对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行退火的流程示意图，如图4和图6所示，该方法流程可以具体为：
步骤61：对硅晶衬底表面进行清洗。
步骤62：在清洗后的晶硅衬底上采用非晶硅薄膜层进行沉积。
步骤63：在沉积有非晶硅薄膜层的晶硅衬底上，沉积背电极薄膜层。
步骤64：在沉积有背电极薄膜层的晶硅衬底上，沉积正电极薄膜层。
步骤65：采用低温银浆对沉积有正电极薄膜层的硅晶衬底进行电极栅线印制。
这样，通过执行步骤61～步骤64完成了硅异质结太阳能电池的非晶硅薄膜层、背电极薄膜层以及正电极薄膜层的制作过程。通过执行步骤65完成了硅异质结太阳能电池的电极栅线的制作过程。
步骤66：对密封箱体(可以为一种箱式退火炉)内进行加热，最终使密封箱体内温度稳定在200℃。
步骤67：向密封箱体内通入惰性气体，以使密封箱体内保持一定的高压P3。
具体实现时，本实施例中通入的气体可以为氮气或CDA，其中，所产生的高压P3的取值范围为1-10个标准大气压。
步骤68：达到退火时间t3后，将硅异质结太阳能电池片从密封容器内取出。
具体实现时，印刷栅线的硅异质结太阳能电池在低温(200℃)高压条件下，保持一定退火时间t3，根据箱体内压力的大小，退火时间会在5-120min的时间范围内波动。
需要说明的是，在本发明实施例中，退火处理的加热时长t3与退火温度(在本发明实施例中为200℃)成负相关，并且，退火温度(200℃)与箱体内气压P3成负相关；在本发明实施例中，还可以根据实际应用环境，预先建立不同温度、不同气压与退火时间之间的映射关系；还可以对预先建立的温度、气压与退火时间之间的映射关系进行更新。
作为又一个较优选的实施例，本发明实施例可以在特定的工艺条件下对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行低温退火，在本发明实施例提供的方法中，可以采用低温银浆作为一种低温导电浆料印制硅异质结太阳能电池的电极栅线，图7示出了本发明实施例提供的采用180℃对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行退火的流程示意图，如图4和图7所示，该方法流程可以具体为：
步骤71：对硅晶衬底表面进行清洗。
步骤72：在清洗后的晶硅衬底上采用非晶硅薄膜层进行沉积。
步骤73：在沉积有非晶硅薄膜层的晶硅衬底上，沉积背电极薄膜层。
步骤74：在沉积有背电极薄膜层的晶硅衬底上，沉积正电极薄膜层。
步骤75：采用低温银浆对沉积有正电极薄膜层的硅晶衬底进行电极栅线印制。
这样，通过执行步骤71～步骤74完成了硅异质结太阳能电池的非晶硅薄膜层、背电极薄膜层以及正电极薄膜层的制作过程。通过执行步骤75完成了硅异质结太阳能电池的电极栅线的制作过程。
步骤76：对密封箱体(可以为一种箱式退火炉)内进行加热，最终使密封箱体内温度稳定在180℃。
步骤77：向密封箱体内通入惰性气体，以使密封箱体内保持一定的高压P4。
具体实现时，本实施例中通入的气体可以为氮气或CDA，其中，所产生的高压P4的取值范围为1-10个标准大气压。
步骤78：达到退火时间t4后，将硅异质结太阳能电池片从密封容器内取出。
具体实现时，印刷栅线的硅异质结太阳能电池在低温(180℃)高压条件下，保持一定退火时间t4，根据箱体内压力的大小，退火时间会在5-120min的时间范围内波动。
需要说明的是，在本发明实施例中，退火处理的加热时长t4与退火温度(在本发明实施例中为180℃)成负相关，并且，退火温度(180℃)与箱体内气压P4成负相关；在本发明实施例中，还可以根据实际应用环境，预先建立不同温度、不同气压与退火时间之间的映射关系；还可以对预先建立的温度、气压与退火时间之间的映射关系进行更新。
作为又一个较优选的实施例，本发明实施例可以在特定的工艺条件下对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行低温退火，在本发明实施例提供的方法中，可以采用低温银浆作为一种低温导电浆料印制硅异质结太阳能电池的电极栅线，图8示出了本发明实施例提供的采用150℃对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行退火的流程示意图，如图4和图8所示，该方法流程可以具体为：
步骤81：对硅晶衬底表面进行清洗。
步骤82：在清洗后的晶硅衬底上采用非晶硅薄膜层进行沉积。
步骤83：在沉积有非晶硅薄膜层的晶硅衬底上，沉积背电极薄膜层。
步骤84：在沉积有背电极薄膜层的晶硅衬底上，沉积正电极薄膜层。
步骤85：采用低温银浆对沉积有正电极薄膜层的硅晶衬底进行电极栅线印制。
这样，通过执行步骤81～步骤84完成了硅异质结太阳能电池的非晶硅薄膜层、背电极薄膜层以及正电极薄膜层的制作过程。通过执行步骤85完成了硅异质结太阳能电池的电极栅线的制作过程。
步骤86：对密封箱体(可以为一种箱式退火炉)内进行加热，最终使密封箱体内温度稳定在150℃。
步骤87：向密封箱体内通入惰性气体，以使密封箱体内保持一定的高压P5。
具体实现时，本实施例中通入的气体可以为氮气或CDA，其中，所产生的高压P5的取值范围为1-10个标准大气压。
步骤88：达到退火时间t5后，将硅异质结太阳能电池片从密封容器内取出。
具体实现时，印刷栅线的硅异质结太阳能电池在低温(150℃)高压条件下，保持一定退火时间t5，根据箱体内压力的大小，退火时间会在5-120min的时间范围内波动。
需要说明的是，在本发明实施例中，退火处理的加热时长t5与退火温度(在本发明实施例中为150℃)成负相关，并且，退火温度(150℃)与箱体内气压P5成负相关；在本发明实施例中，还可以根据实际应用环境，预先建立不同温度、不同气压与退火时间之间的映射关系；还可以对预先建立的温度、气压与退火时间之间的映射关系进行更新。
作为又一个较优选的实施例，本发明实施例可以在特定的工艺条件下对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行低温退火，在本发明实施例提供的方法中，可以采用低温银浆作为一种低温导电浆料印制硅异质结太阳能电池的电极栅线，图9示出了本发明实施例提供的采用100℃对硅异质结太阳能电池的电极栅线进行退火的流程示意图，如图4和图9所示，该方法流程可以具体为：
步骤91：对硅晶衬底表面进行清洗。
步骤92：在清洗后的晶硅衬底上采用非晶硅薄膜层进行沉积。
步骤93：在沉积有非晶硅薄膜层的晶硅衬底上，沉积背电极薄膜层。
步骤94：在沉积有背电极薄膜层的晶硅衬底上，沉积正电极薄膜层。
步骤95：采用低温银浆对沉积有正电极薄膜层的硅晶衬底进行电极栅线印制。
这样，通过执行步骤91～步骤94完成了硅异质结太阳能电池的非晶硅薄膜层、背电极薄膜层以及正电极薄膜层的制作过程。通过执行步骤95完成了硅异质结太阳能电池的电极栅线的制作过程。
步骤96：对密封箱体(可以为一种箱式退火炉)内进行加热，最终使密封箱体内温度稳定在100℃。
步骤97：向密封箱体内通入惰性气体，以使密封箱体内保持一定的高压P6。
具体实现时，本实施例中通入的气体可以为氮气或CDA，其中，所产生的高压P6的取值范围为1-10个标准大气压。
步骤98：达到退火时间t6后，将硅异质结太阳能电池片从密封容器内取出。
具体实现时，印刷栅线的硅异质结太阳能电池在低温(100℃)高压条件下，保持一定退火时间t6，根据箱体内压力的大小，退火时间会在2-300min的时间范围内波动。
需要说明的是，在本发明实施例中，退火处理的加热时长t6与退火温度(在本发明实施例中为100℃)成负相关，并且，退火温度(100℃)与箱体内气压P6成负相关；在本发明实施例中，还可以根据实际应用环境，预先建立不同温度、不同气压与退火时间之间的映射关系；还可以对预先建立的温度、气压与退火时间之间的映射关系进行更新。
经大量实验得出，在本发明实施例中，退火温度可以为100℃～300℃之间的任一温度值，退火时间可以为2-300分钟之间的任一时间长度值。较佳的，当退火温度为150℃～200℃之间的任一温度值时，退火时间可以为5-120分钟之间的任一时间长度值。
从上述技术方案可以看出，在本发明实施例中，采用较低温度、较高气压对印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理，由于本发明中采用低温导电浆料对沉积有正电极薄膜层的硅晶衬底进行电极栅线印制，因此在采用低温高压对电极栅线进行退火处理时，既能够保证经过退火处理的电极栅线能够承受一定的焊接拉力，又不破坏非晶硅薄膜层的性能，提高了硅异质结太阳能电池中的电极栅线的抗拉性和电学性能。
基于相同的技术构思，本发明实施例还提供了一种硅异质结太阳能电池，该硅异质结太阳能电池由上述硅异质结太阳能电池的制备方法制备得到；该硅异质结太阳能电池至少包括：硅晶衬底、非晶硅薄膜层、背电极薄膜层、正电极薄膜层以及采用低温银浆印制的电极栅线。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器，使得通过该计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令可实现流程图中的一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图的一个流程或多个流程和/或方框图的一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (11)
1.一种硅异质结太阳能电池的退火方法，其特征在于，该退火方法包括：
将印制有电极栅线的硅晶衬底置于密闭容器内；
采用第一温度、第一气压，对所述密闭容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理；
其中，所述第一温度的取值范围为100℃～300℃；所述第一气压大于1个标准大气压且小于10个标准大气压。
2.如权利要求1所述的退火方法，其特征在于，所述第一气压与所述第一温度成负相关。
3.如权利要求1所述的退火方法，其特征在于，在采用所述第一温度、第一气压，对所述密闭容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理时，所述退火处理的加热时长与所述第一气压成负相关。
4.如权利要求3所述的退火方法，其特征在于，所述退火处理的加热时长的取值范围为2分钟～300分钟。
5.如权利要求1所述的退火方法，其特征在于，在所述密闭容器中，利用通入的惰性气体，采用所述第一温度、第一气压，对所述密闭容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理。
6.一种硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：
在清洗后的晶硅衬底上采用非晶硅薄膜层进行沉积；
在沉积有所述非晶硅薄膜层的晶硅衬底上，沉积背电极薄膜层；
在沉积有所述背电极薄膜层的晶硅衬底上，沉积正电极薄膜层；
采用低温银浆对沉积有所述正电极薄膜层的硅晶衬底进行电极栅线印制；
将印制有所述电极栅线的硅晶衬底置于密闭容器内；
采用第一温度、第一气压，对所述密闭容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理；
其中，所述第一温度的取值范围为100℃～300℃；所述第一气压大于1个标准大气压且小于10个标准大气压。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一气压与所述第一温度成负相关。
8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在采用所述第一温度、第一气压，对所述密闭容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理时，所述退火处理的加热时长与所述第一气压成负相关。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的加热时长的取值范围为2分钟～300分钟。
10.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述密闭容器中，利用通入的惰性气体，采用所述第一温度、第一气压，对所述密闭容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理。
11.一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，该硅异质结太阳能电池根据权利要求6-10中任一项所述的制备方法制备。
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