CN105760315A - 一种提高同步动态随机存储器访问效率的方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种提高同步动态随机存储器(SDRAM)访问效率的方法，所述方法包括：接收并提取写操作请求中的第一控制字信息及待写入数据，依据所述第一控制字信息将所述待写入数据写入相应的SDRAM组的SDRAM中；接收并提取读操作请求中的第二控制字信息，确定所述第二控制字信息与所述第一控制字信息相同时，读取所述SDRAM组的SDRAM中的数据。本发明还公开了一种提高SDRAM访问效率的装置。

Description

一种提高同步动态随机存储器访问效率的方法及装置

技术领域

本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种提高同步动态随机存储器(SDRAM，SynchronousDynamicRandomAccessMemory)访问效率的方法及装置。

背景技术

随着网络技术的不断发展，对网络数据处理的要求也不断增加。一方面需要处理大容量的数据，另一方需要提高对数据的处理速度。传统的静态随机存储器(SRAM，StaticRandomAccessMemory)虽然处理速度很快，但存储的容量比较小，不能适用于当前大容量数据的处理。SDRAM正好弥补了SRAM的缺陷，它的存储载体主要是电容，通过充放电可以改变存储单元的状态，然而，由于各种漏电流的存在，存储电容的值不可能长时间保持，因此，SDRAM需要在一定时间内进行一个刷新操作，以保持电容的状态。

通常，提高SDRAM访问效率的方法是根据SRAM的特性，通过避免频繁换行或者是提前对其进行预充电(Precharge)等方法来提高其访问效率，然而，上述方法并不能满足实际网络中不同业务数据的不同转发需求；因此，如何依据实际网络数据的不同需求来提高SDRAM的访问效率已成为亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例期望提供一种提高SDRAM访问效率的方法及装置，能够提高SDRAM的访问效率，且操作简单、灵活。

为达到上述目的，本发明实施例的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供了一种提高同步动态随机存储器SDRAM访问效率的方法，所述方法包括：

接收并提取写操作请求中的第一控制字信息及待写入数据，依据所述第一控制字信息将所述待写入数据写入相应的SDRAM组的SDRAM中；

接收并提取读操作请求中的第二控制字信息，确定所述第二控制字信息与所述第一控制字信息相同时，读取所述SDRAM组的SDRAM中的数据。

上述方案中，所述第一控制字信息包括：存储块BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息；

所述依据所述第一控制字信息将所述待写入数据写入相应的SDRAM组的SDRAM中包括：

依据所述第一控制字信息中的BANK复制信息，将所述待写入数据复制成N份相同的数据，并依据所述第一控制字信息中的片选信息及BANK地址信息，将复制后的N份数据分别写入对应的SDRAM组的SDRAM中的不同BANK上；其中，N为正偶数。

上述方案中，所述将所述待写入数据写入相应的SDRAM组的SDRAM中之后，所述方法还包括：

接收检测请求，并执行所述检测；其中，所述检测请求用于检测所述待写入数据是否已正确写入所述SDRAM中。

上述方案中，所述方法还包括：

当同时接收到所述读操作请求及所述检测请求时，判断所述读操作请求及所述检测请求的优先级，并优先处理优先级高的操作请求。

上述方案中，所述第二控制字信息包括：BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息；

所述读取所述SDRAM组的SDRAM中的数据包括：

依据所述第二控制字中的BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息，对所述SDRAM组中的SDRAM进行轮询，读取所述SDRAM中的数据。

本发明实施例还提供了一种提高SDRAM访问效率的装置，所述装置包括：写模块及读模块；其中，

所述写模块，用于接收并提取写操作请求中的第一控制字信息及待写入数据，依据所述第一控制字信息将所述待写入数据写入相应的SDRAM组的SDRAM中；

所述读模块，用于接收并提取读操作请求中的第二控制字信息，确定所述第二控制字信息与所述第一控制字信息相同时，读取所述SDRAM组的SDRAM中的数据。

上述方案中，所述第一控制字信息包括：存储块BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息；

所述写模块，具体用于依据所述第一控制字信息中的BANK复制信息，将所述待写入数据复制成N份相同的数据，并依据所述第一控制字信息中的片选信息及BANK地址信息，将复制后的N份数据分别写入对应的SDRAM组的SDRAM中的不同BANK上；其中，N为正偶数。

上述方案中，所述读模块，还用于接收检测请求，并执行所述检测；其中，所述检测请求用于检测所述待写入数据是否已正确写入所述SDRAM中。

上述方案中，所述读模块，还用于同时接收到所述读操作请求及所述检测请求时，判断所述读操作请求及所述检测请求的优先级，并优先处理优先级高的操作请求。

上述方案中，所述第二控制字信息包括：BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息；

所述读模块，具体用于依据所述第二控制字中的BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息，对所述SDRAM组中的SDRAM进行轮询，读取所述SDRAM中的数据。

本发明实施例所提供的提高SDRAM访问效率的方法及装置，接收并提取写操作请求中的第一控制字信息及待写入数据，依据所述第一控制字信息将所述待写入数据写入相应的SDRAM组的SDRAM中；接收并提取读操作请求中的第二控制字信息，确定所述第二控制字信息与所述第一控制字信息相同时，读取所述SDRAM组的SDRAM中的数据。如此，依据接收的控制字信息进行相应的数据读写操作，实现了依据实际网络数据的不同需求来提高SDRAM的访问效率，且操作简单、灵活。

附图说明

图1本发明实施例一提高SDRAM访问效率的方法流程示意图；

图2为本发明实施例确定本次读取数据的BANK信息的示意图；

图3为本发明实施例对SDRAM轮询读取数据(图a)与同BANK换行读数据(图b)对比示意图；

图4本发明实施例二提高SDRAM访问效率的方法流程示意图；

图5为本发明实施例提高SDRAM访问效率的装置组成结构示意图。

具体实施方式

在本发明实施例中，接收并提取写操作请求中的第一控制字信息及待写入数据，依据所述第一控制字信息将所述待写入数据写入相应的SDRAM组的SDRAM中；接收并提取读操作请求中的第二控制字信息，确定所述第二控制字信息与所述第一控制字信息相同时，读取所述SDRAM组的SDRAM中的数据。

图1为本发明实施例一提高SDRAM访问效率的方法流程示意图；如图1所示，本发明实施例提高SDRAM访问效率的方法流程包括：

步骤101：接收并提取写操作请求中的第一控制字信息及待写入数据，依据所述第一控制字信息将所述待写入数据写入相应的SDRAM组的SDRAM中；

这里，所述SDRAM组及每组中包含的SDRAM的数量均为预先设置的，可以包含多个SDRAM组，每组中包含相同数目的SDRAM，在一实施例中，每组SDRAM包含两片SDRAM；

服务器中的写模块接收中央处理器(CPU，CentralProcessingUnit)侧发送的写操作请求；所述写操作请求包括：第一控制字信息及待写入数据；这里，所述第一控制字信息包括：存储块(BANK)复制信息、片选信息、BANK地址信息及循环冗余校验码(CRC，CyclicRedundancyCheck)使能信息等；

其中，所述BANK复制信息即所述待写入数据复制的份数信息，例如：BANK复制信息为BANK复制四份，即将所述待写入数据复制成四份同样的数据，以放入四个不同的BANK中；

所述片选信息指示所述待写入数据存储的位置，包括SDRAM组信息及所述SDRAM组中的SDRAM信息，例如：共有三个SDRAM组，每个SDRAM组中有两片SDRAM，存在两种表示方式，方式一：二进制数字的高位代表SDRAM组，最低位代表组内SDRAM，例如：第三组即11，0可表示组内第一片SDRAM，则第三组中第一片为110；方式二：二进制数直接指向所有SDRAM中的具体SDRAM，例如：第三组中第一片SDRAM，即为所有SDRAM中的第五片SDRAM，用二进制表示为101；

所述BANK地址信息指示所述待写入数据存储的对应的BANK地址信息；例如：所述BANK地址信息为BA0，则指示所述待写入数据存储至BA0对应的BANK中；

所述CRC使能信息即是否开启数据校验的信息，所述CRC用于校验从SDRAM读写数据的一致性。

进一步的，所述依据所述第一控制字信息将所述待写入数据写入相应的SDRAM组的SDRAM中包括：

依据所述第一控制字信息中的BANK复制信息，将所述待写入数据复制成N份相同的数据，并依据所述第一控制字信息中的片选信息及BANK地址信息，将复制后的N份数据分别写入对应的SDRAM组的SDRAM中的不同BANK上；其中，N为正偶数；

或者，依据所述第一控制字信息中的BANK复制信息确定不对所述待写入数据复制时，依据所述第一控制字信息中的片选信息及BANK地址信息，将所述待写入数据直接写入对应的SDRAM组的SDRAM中的BANK上；

这里，所述依据所述第一控制字信息中的片选信息及BANK地址信息，将复制后的N份数据分别写入对应的SDRAM组的SDRAM中的不同BANK上包括：

依据所述第一控制字信息中的片选信息获取存储所述待写入数据的SDRAM组及组内SDRAM，将复制后的N份数据平均分配给所述SDRAM组中的SDRAM，并将分配给每片SDRAM的数据写入对应所述BANK地址信息的BANK及与所述BANK关联的BANK上；

其中，与所述BANK地址信息对应的BANK关联的BANK为预先设置的，在本发明实施例中，所述关联的BANK为：顺序读取的与所述BANK地址信息对应的BANK相邻的(N/2-1)个BANK，以及对应本片SDRAM的BANK序号的SDRAM组内其它SDRAM的BANK；例如：所述N为4，SDRAM组中有两片SDRAM，每片SDRAM包含8个BANK，分别为BA0、BA1...BA7及BB0、BB1...BB7，则每片SDRAM分配两份数据，所述BANK地址信息对应的BANK为BA0，则本片SDRAM中，与其关联的BANK为：顺序读取的与BA0相邻的(4/2-1)个BANK，即BA1，SDRAM组内另外一片对应本片BANK序号的为BB0、BB1，将所述4份相同的数据分别写入BA0、BA1、BB0及BB1四个BANK中。

进一步的，所述接收并提取写操作请求中的第一控制字信息及待写入数据之后，所述方法还包括：依据所述第一控制字信息中的CRC使能信息确定CRC使能时，对所述待写入数据进行CRC校验。

进一步的，本步骤之后，所述方法还包括：接收检测请求，并执行所述检测；其中，所述检测请求用于检测所述待写入数据是否已正确写入所述SDRAM中，即为对已写入数据进行读取的调试(Debug)过程。

步骤102：接收并提取读操作请求中的第二控制字信息，确定所述第二控制字信息与所述第一控制字信息相同时，读取所述SDRAM组的SDRAM中的数据；

这里，服务器中的读模块接收用户侧发送的读操作请求；所述读操作请求中包括第二控制字信息；所述第二控制字信息包括：BANK复制信息、片选信息、BANK地址信息及CRC使能信息等；

所述确定第二控制字信息与第一控制字信息相同包括：确定第二控制字信息与第一控制字信息中的BANK复制信息、片选信息、BANK地址信息及CRC使能信息均相同。

进一步的，所述读取所述SDRAM组的SDRAM中的数据包括：

依据所述第二控制字中的BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息，对所述SDRAM组中的SDRAM进行轮询，读取所述SDRAM中的数据；具体包括：依据第二控制字中的BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息获得数据存储的BANK信息，获取记录的上次读取数据的BANK信息，依据所述数据存储的BANK信息及上次读取数据的BANK信息，对所述SDRAM组中的SDRAM进行轮询，读取SDRAM中的BANK中的数据；例如：第二控制字中的BANK复制信息为复制成四份相同的数据，共包含两个SDRAM组，每组两片SDRAM，片选信息为读取第一组中第一片SDRAM，BANK地址信息指示读取BA0，则依据上述信息及存储待写入数据的方式可得数据存储的BANK为BA0、BA1、BB0及BB1，获取记录的上次读取数据的BANK信息为BA0，则对SDRAM组内SDRAM进行轮询，本次应读取BB0对应的BANK中的数据，后续读取BA1和BB1对应的BANK中的数据；

这里，记录上次读取数据的BANK信息可由4bit的state_mem寄存器实现，对于每组SDRAM两片SDRAM，每片SDRAM包含8个BANK，分别为BA0、BA1...BA7及BB0、BB1...BB7的情况，所述state_mem寄存器的值为1表示上次读取的为BA0对应的BANK中的数据，值为2表示上次读取的为BB0对应的BANK中的数据，值为3表示上次读取的为BA1对应的BANK中的数据，以此类推，值为16时表示上次读取的为BB7对应的BANK中的数据。

图2所示为本发明实施例依据第二控制字信息及上次读取数据的BANK信息确定本次读取数据的BANK信息的示意图；如图2所示，依据所述第二控制字信息中的BANK复制信息确定复制四份，若依据第二控制字信息中的片选信息及BANK地址信息确定数据存储位置为BA0，可得四份数据分别存储在存储独立块(block)0及block1上，即两片SDRAM中的BA0、BA1、BB0及BB1上，读取state_mem寄存器的值获得上次读取数据的BANK信息，若state_mem寄存器的值为1，则本次应读取BB0对应的BANK中的数据。

本发明实施例中依据所述第二控制字信息，对所述SDRAM组中的SDRAM进行轮询，读取所述SDRAM中的数据；如此，可灵活的调整访问SDRAM中的不同BANK，减少了SDRAM存储空间的浪费，避免了出现同BANK换行时带来的不必要的Precharge和激活(ACT，Action)时间，从而提高了SDRAM的访问时间；如图3所示为采用本发明实施例对SDRAM轮询读取数据(图a)与同BANK换行读数据(图b)对比示意图，采用同BANK换行读数据至少要多出1个tRC的时间；所述tRC为同片SDRAM同BANK两次ACT的时间间隔。

进一步的，所述方法还包括：依据所述第二控制信息确定CRC使能信息为CRC使能时，对读取的数据进行CRC校验。

进一步的，本步骤之后，所述方法还包括：对读取的数据进行整合，并返回给用户侧。

进一步的，所述方法还包括：当同时接收到所述读操作请求及所述检测请求时，判断所述读操作请求及所述检测请求的优先级，并优先处理优先级高的操作请求；在本发明实施例中，所述检测请求的优先级高于所述读操作请求。

图4为本发明实施例二提高SDRAM访问效率的方法流程示意图；如图4所示，本发明实施例提高SDRAM访问效率的方法流程包括：

步骤401：接收并提取写操作请求中的第一控制字信息及待写入数据；

这里，所述写操作请求包括：第一控制字信息及待写入数据；这里，所述第一控制字信息包括：BANK复制信息、片选信息、BANK地址信息及CRC使能信息等；

其中，所述BANK复制信息即所述待写入数据复制的份数信息，例如：BANK复制信息为BANK复制8份，即将所述待写入数据复制成8份同样的数据，以放入8个不同的BANK中；

所述片选信息指示所述待写入数据存储的位置，包括SDRAM组信息及所述SDRAM组中的SDRAM信息，例如：共有三个SDRAM组，每个SDRAM组中有两片SDRAM，存在两种表示方式，方式一：二进制数字的高位代表SDRAM组，最低位代表组内SDRAM，例如：第三组即11，0可表示组内第一片SDRAM，则第三组中第一片为110；方式二：二进制数直接指向所有SDRAM中的具体SDRAM，例如：第三组中第一片SDRAM，即为所有SDRAM中的第五片SDRAM，用二进制表示为101；

其中，所述SDRAM组及每组中包含的SDRAM的数量均为预先设置的，可以包含多个SDRAM组，每组中包含相同的SDRAM个数，在一实施例中，每组SDRAM包含两片SDRAM；

所述BANK地址信息指示所述待写入数据存储的对应的BANK地址信息；例如：所述BANK地址信息为BA0，则指示所述待写入数据存储至BA0对应的BANK中；

所述CRC使能信息即是否开启数据校验的信息，所述CRC用于校验从SDRAM读写数据的一致性。

进一步的，本步骤之后，所述方法还包括：依据所述第一控制字信息中的CRC使能信息确定CRC使能时，对所述待写入数据进行CRC校验。

步骤402：依据所述第一控制字信息将所述待写入数据写入相应的SDRAM组的SDRAM中；

本步骤包括：依据所述第一控制字信息中的BANK复制信息，将所述待写入数据复制成N份相同的数据，并依据所述第一控制字信息中的片选信息及BANK地址信息，将复制后的N份数据分别写入对应的SDRAM组的SDRAM中的不同BANK上；其中，N为正偶数；

或者，依据所述第一控制字信息中的BANK复制信息确定不对所述待写入数据复制时，依据所述第一控制字信息中的片选信息及BANK地址信息，将所述待写入数据直接写入对应的SDRAM组的SDRAM中的BANK上；例如：所述片选信息为第一SDRAM组的第一SDRAM，所述BANK地址信息为BA0，则将所述待写入数据直接写入所述BA0；在本发明实施例中，当所述第一控制字信息中的BANK复制信息为不复制时，默认将待写入数据直接写入BA0对应的BANK中；

这里，所述依据所述第一控制字信息中的片选信息及BANK地址信息，将复制后的N份数据分别写入对应的SDRAM组的SDRAM中的不同BANK上包括：

依据所述第一控制字信息中的片选信息获取存储所述待写入数据的SDRAM组及组内SDRAM，将复制后的N份数据平均分配给所述SDRAM组中的SDRAM，并将分配给每片SDRAM的数据写入对应所述BANK地址信息的BANK及与所述BANK关联的BANK上；这里，与所述BANK地址信息对应的BANK关联的BANK为预先设置的，在本发明实施例中，所述关联的BANK为：顺序读取的与所述BANK地址信息对应的BANK相邻的(N/2-1)个BANK，以及对应本片SDRAM的BANK序号的SDRAM组内其它SDRAM的BANK；例如：所述N为8，SDRAM组中有两片SDRAM，每片SDRAM包含8个BANK，分别为BA0、BA1...BA7及BB0、BB1...BB7，则每片SDRAM分配两份数据，所述BANK地址信息对应的BANK为BA0，则本片SDRAM中，与其关联的BANK为：顺序读取的与BA0相邻的(8/2-1)个BANK，即BA1、BA2、BA3，组内另外一片对应本片BANK序号的为BB0、BB1、BB2、BB3，将所述8份相同的数据分别写入BA0、BA1、BA2、BA3、BB0、BB1、BB2及BB3八个BANK中。

进一步的，本步骤之后，所述方法还包括：接收检测请求，并执行所述检测；其中，所述检测请求用于检测所述待写入数据是否已正确写入所述SDRAM中，即为对已写入数据进行读取的调试(Debug)过程。

步骤403：接收并提取读操作请求中的第二控制字信息，并判断所述第二控制字信息与所述第一控制字信息是否相同，如果相同，执行步骤404；如果不相同，执行步骤405；

这里，所述读操作请求中包括第二控制字信息；所述第二控制字信息包括：BANK复制信息、片选信息、BANK地址信息及CRC使能信息等；

所述判断所述第二控制字信息与所述第一控制字信息是否相同包括：判断第二控制字信息与第一控制字信息中的BANK复制信息、片选信息、BANK地址信息及CRC使能信息是否均相同，如果均相同，表明所述第二控制字信息与所述第一控制字信息相同；否则，表明所述第二控制字信息与所述第一控制字信息不同。

步骤404：读取所述SDRAM组的SDRAM中的数据；

本步骤具体包括：依据所述第二控制字中的BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息，对所述SDRAM组中的SDRAM进行轮询，读取所述SDRAM中的数据；具体包括：依据第二控制字中的BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息获得数据存储的BANK信息，获取记录的上次读取数据的BANK信息，依据所述数据存储的BANK信息及上次读取数据的BANK信息，对所述SDRAM组中的SDRAM进行轮询，读取SDRAM中的BANK中的数据；

在本发明实施例中，第二控制字中的BANK复制信息为复制成八份相同的数据，共包含两个SDRAM组，每组两片SDRAM，片选信息为读取第一组中第一片SDRAM，BANK地址信息指示读取BA0，则依据上述信息及存储待写入数据的方式可得数据存储的BANK为BA0、BA1、BA2、BA3、BB0、BB1、BB2及BB3，获取记录的上次读取数据的BANK信息为BA0，则对SDRAM组内SDRAM进行轮询，本次应读取BB0中的数据，后续读取BA1、BB1、BA2、BB2、BA3及BB3中的数据；这里，记录上次读取数据的BANK信息可由4bit的state_mem寄存器实现，对于每组SDRAM两片SDRAM，每片SDRAM包含8个BANK，分别为BA0、BA1...BA7及BB0、BB1...BB7的情况，所述state_mem寄存器的值为1表示上次读取的为BA0中的数据，值为2表示上次读取的为BB0对应的BANK中的数据，值为3表示上次读取的为BA1对应的BANK中的数据，以此类推，值为16时表示上次读取的为BB7中的数据。

本发明实施例中依据所述第二控制字信息，对所述SDRAM组中的SDRAM进行轮询，读取所述SDRAM中的数据；如此，可灵活的调整访问SDRAM中的不同BANK，减少了SDRAM存储空间的浪费，避免了出现同BANK换行时带来的不必要的Precharge和ACT时间，从而提高了SDRAM的访问时间；如图3所示为采用本发明实施例对SDRAM轮询读取数据与同BANK换行读数据对比示意图，采用同BANK换行读数据至少要多出1个tRC的时间；所述tRC为同片SDRAM同BANK两次ACT的时间间隔。

进一步的，所述方法还包括：依据所述第二控制信息确定CRC使能信息为CRC使能时，对读取的数据进行CRC校验。

进一步的，本步骤之后，所述方法还包括：对读取的数据进行整合，并返回给用户侧。

进一步的，所述方法还包括：当同时接收到所述读操作请求及所述检测请求时，判断所述读操作请求及所述检测请求的优先级，并优先处理优先级高的操作请求；在本发明实施例中，所述检测请求的优先级高于所述读操作请求。

步骤405：结束本次处理流程。

图5为本发明实施例提高SDRAM访问效率的装置组成结构示意图，如图5所示，本发明实施例提高SDRAM访问效率的装置组成包括：写模块51及读模块52；其中，

所述写模块51，用于接收并提取写操作请求中的第一控制字信息及待写入数据，依据所述第一控制字信息将所述待写入数据写入相应的SDRAM组的SDRAM中；

所述读模块52，用于接收并提取读操作请求中的第二控制字信息，确定所述第二控制字信息与所述第一控制字信息相同时，读取所述SDRAM组的SDRAM中的数据；

这里，所述SDRAM组及每组中包含的SDRAM的数量均为预先设置的，可以包含多个SDRAM组，每组中包含相同的SDRAM个数，优选的，每组SDRAM包含两片SDRAM；

所述写操作请求包括：第一控制字信息及待写入数据；这里，所述第一控制字信息包括：BANK复制信息、片选信息、BANK地址信息及CRC使能信息等；

所述读操作请求中包括第二控制字信息；所述第二控制字信息包括：BANK复制信息、片选信息、BANK地址信息及CRC使能信息等。

进一步的，所述写模块51依据所述第一控制字信息将所述待写入数据写入相应的SDRAM组的SDRAM中包括：

所述写模块51依据所述第一控制字信息中的存储块BANK复制信息，将所述待写入数据复制成N份相同的数据，并依据所述第一控制字信息中的片选信息及BANK地址信息，将复制后的N份数据分别写入对应的SDRAM组的SDRAM中的不同BANK上；其中，N为正偶数；

或者，依据所述第一控制字信息中的BANK复制信息确定不对所述待写入数据复制时，依据所述第一控制字信息中的片选信息及BANK地址信息，将所述待写入数据直接写入对应的SDRAM组的SDRAM中的BANK上；

这里，所述写模块51依据所述第一控制字信息中的片选信息及BANK地址信息，将复制后的N份数据分别写入对应的SDRAM组的SDRAM中的不同BANK上包括：

所述写模块51依据所述第一控制字信息中的片选信息获取存储所述待写入数据的SDRAM组及组内SDRAM，将复制后的N份数据平均分配给所述SDRAM组中的SDRAM，并将分配给每片SDRAM的数据写入对应所述BANK地址信息的BANK及与所述BANK关联的BANK上；这里，与所述BANK地址信息对应的BANK关联的BANK为预先设置的，在本发明实施例中，所述关联的BANK为：顺序读取的与所述BANK地址信息对应的BANK相邻的(N/2-1)个BANK，以及对应本片SDRAM的BANK序号的SDRAM组内其它SDRAM的BANK；例如：所述N为4，SDRAM组中有两片SDRAM，每片SDRAM包含8个BANK，分别为BA0、BA1...BA7及BB0、BB1...BB7，则每片SDRAM分配两份数据，所述BANK地址信息对应的BANK为BA0，则本片SDRAM中，与其关联的BANK为：顺序读取的与BA0相邻的(4/2-1)个BANK，即BA1，组内另外一片对应本片BANK序号的为BB0、BB1，将所述4份相同的数据分别写入BA0、BA1、BB0及BB1四个BANK中。

进一步的，所述写模块51，还用于依据所述第一控制字信息中的CRC使能信息确定CRC使能时，对所述待写入数据进行CRC校验。

进一步的，所述读模块52确定所述第二控制字信息与所述第一控制字信息相同包括：

所述读模块52确定所述第二控制字信息与所述第一控制字信息中包含的BANK复制信息、片选信息、BANK地址信息及CRC使能信息均相同；

所述读模块52读取所述SDRAM组的SDRAM中的数据包括：

所述读模块52依据所述第二控制字中的BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息，对所述SDRAM组中的SDRAM进行轮询，读取所述SDRAM中的数据；具体包括：依据第二控制字中的BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息获得数据存储的BANK信息，获取记录的上次读取数据的BANK信息，依据所述数据存储的BANK信息及上次读取数据的BANK信息，对所述SDRAM组中的SDRAM进行轮询，读取SDRAM中的BANK中的数据；例如：第二控制字中的BANK复制信息为复制成四份相同的数据，共包含两个SDRAM组，每组两片SDRAM，片选信息为读取第一组中第一片SDRAM，BANK地址信息指示读取BA0，则依据上述信息及存储待写入数据的方式可得数据存储的BANK为BA0、BA1、BB0及BB1，获取记录的上次读取数据的BANK信息为BA0，则对SDRAM组内SDRAM进行轮询，本次应读取BB0中的数据，后续读取BA1和BB1中的数据；这里，记录上次读取数据的BANK信息可由4bit的state_mem寄存器实现，对于每组SDRAM两片SDRAM，每片SDRAM包含8个BANK，分别为BA0、BA1...BA7及BB0、BB1...BB7的情况，所述state_mem寄存器的值为1表示上次读取的为BA0中的数据，值为2表示上次读取的为BB0中的数据，值为3表示上次读取的为BA1对应的BANK中的数据，以此类推，值为16时表示上次读取的为BB7对应的BANK中的数据。

进一步的，所述读模块52，还用于依据所述第二控制信息确定CRC使能信息为CRC使能时，对读取的数据进行CRC校验；以及对读取的数据进行整合，并返回给用户侧。

进一步的，所述读模块52，还用于接收检测请求，并执行所述检测；其中，所述检测请求用于检测所述待写入数据是否已正确写入所述SDRAM中。

进一步的，所述读模块52，还用于同时接收到所述读操作请求及所述检测请求时，判断所述读操作请求及所述检测请求的优先级，并优先处理优先级高的操作请求。

进一步的，所述读模块52，具体用于依据所述第二控制字中的BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息，对所述SDRAM组中的SDRAM进行轮询，读取所述SDRAM中的数据。

在本发明实施例中，所述写模块51及读模块52均可由服务器中的中央处理器(CPU，CentralProcessingUnit)或数字信号处理器(DSP，DigitalSignalProcessor)、或现场可编程门阵列(FPGA，FieldProgrammableGateArray)、或集成电路(ASIC，ApplicationSpecificIntegratedCircuit)实现。

以上所述，仅为本发明较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种提高同步动态随机存储器SDRAM访问效率的方法，其特征在于，所述方法包括：

接收并提取写操作请求中的第一控制字信息及待写入数据，依据所述第一控制字信息将所述待写入数据写入相应的SDRAM组的SDRAM中；

接收并提取读操作请求中的第二控制字信息，确定所述第二控制字信息与所述第一控制字信息相同时，读取所述SDRAM组的SDRAM中的数据。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述第一控制字信息包括：存储块BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息；

所述依据所述第一控制字信息将所述待写入数据写入相应的SDRAM组的SDRAM中包括：

依据所述第一控制字信息中的BANK复制信息，将所述待写入数据复制成N份相同的数据，并依据所述第一控制字信息中的片选信息及BANK地址信息，将复制后的N份数据分别写入对应的SDRAM组的SDRAM中的不同BANK上；其中，N为正偶数。

3.根据权利要求1或2所述方法，其特征在于，所述将所述待写入数据写入相应的SDRAM组的SDRAM中之后，所述方法还包括：

接收检测请求，并执行所述检测；其中，所述检测请求用于检测所述待写入数据是否已正确写入所述SDRAM中。

4.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述方法还包括：

当同时接收到所述读操作请求及所述检测请求时，判断所述读操作请求及所述检测请求的优先级，并优先处理优先级高的操作请求。

5.根据权利要求1或2所述方法，其特征在于，所述第二控制字信息包括：BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息；

所述读取所述SDRAM组的SDRAM中的数据包括：

依据所述第二控制字中的BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息，对所述SDRAM组中的SDRAM进行轮询，读取所述SDRAM中的数据。

6.一种提高SDRAM访问效率的装置，其特征在于，所述装置包括：写模块及读模块；其中，

所述写模块，用于接收并提取写操作请求中的第一控制字信息及待写入数据，依据所述第一控制字信息将所述待写入数据写入相应的SDRAM组的SDRAM中；

所述读模块，用于接收并提取读操作请求中的第二控制字信息，确定所述第二控制字信息与所述第一控制字信息相同时，读取所述SDRAM组的SDRAM中的数据。

7.根据权利要求6所述装置，其特征在于，所述第一控制字信息包括：存储块BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息；

所述写模块，具体用于依据所述第一控制字信息中的BANK复制信息，将所述待写入数据复制成N份相同的数据，并依据所述第一控制字信息中的片选信息及BANK地址信息，将复制后的N份数据分别写入对应的SDRAM组的SDRAM中的不同BANK上；其中，N为正偶数。

8.根据权利要求6或7所述装置，其特征在于，所述读模块，还用于接收检测请求，并执行所述检测；其中，所述检测请求用于检测所述待写入数据是否已正确写入所述SDRAM中。

9.根据权利要求8所述装置，其特征在于，所述读模块，还用于同时接收到所述读操作请求及所述检测请求时，判断所述读操作请求及所述检测请求的优先级，并优先处理优先级高的操作请求。

10.根据权利要求6或7所述装置，其特征在于，所述第二控制字信息包括：BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息；

所述读模块，具体用于依据所述第二控制字中的BANK复制信息、片选信息及BANK地址信息，对所述SDRAM组中的SDRAM进行轮询，读取所述SDRAM中的数据。