CN105723522A - 太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

根据一个实施方案的太阳能电池包括：支承衬底；布置在支承衬底上的背电极层；布置在背电极层上的光吸收层；布置在光吸收层上的缓冲层；以及布置在缓冲层上的前电极层，其中在背电极层和光吸收层上形成有贯穿背电极层和光吸收层的第一通槽，并且所述光吸收层包括：布置在背电极层上的第一光吸收层；以及布置成与背电极层的通过第一通槽露出的内侧表面接触的第二光吸收层。

Description

太阳能电池及其制造方法
技术领域
本实施方案涉及太阳能电池以及用于制造该太阳能电池的方法。
背景技术
一种制造用于太阳光发电的太阳能电池的方法如下所示。首先，在制备衬底之后，在衬底上形成背电极层并且通过激光来对背电极层进行图案化，从而形成多个背电极。
然后，在背电极上依次形成光吸收层、缓冲层和高电阻缓冲层。可以通过广泛地使用各种方案来形成光吸收层，包括通过同时或分别蒸镀Cu、In、Ga和Se来形成基于Cu(In,Ga)Se2(CIGS)的光吸收层的方案以及在形成金属前体膜之后进行硒化工艺的方案。
然后，通过溅射工艺在光吸收层上形成包含硫化镉(CdS)的缓冲层。
接下来，可以在光吸收层、缓冲层和高电阻缓冲层中形成槽图案。
然后，在高电阻缓冲层上沉积透明导电材料，并且将透明导电材料填充在槽图案中。因而，分别地，在高电阻缓冲层上形成了透明电极层并且在槽图案内形成了连接导线。
此后，在透明电极层中形成槽图案，从而形成了多个太阳能电池。透明电极和高电阻缓冲部分别对应于电池。透明电极和高电阻缓冲部可以布置成条形或矩阵形式。
透明电极与背电极不对准，并且透明电极通过连接导线电连接至背电极。因此，多个太阳能电池可以彼此串联地电连接。
同时，根据相关技术，通过对背电极层进行图案化来将背电极层划分成多个背电极，并且在背电极上沉积光吸收层、缓冲层和前电极层以制造太阳能电池。
然而，光吸收层的沉积工艺在500℃以上的高温下进行，因此在进行光吸收层的沉积工艺的同时支承衬底可能弯曲。支承衬底的这种弯曲可能对背电极层产生影响，使得形成在背电极层中的图案也可能弯曲。由于这种弯曲现象，太阳能电池中的非发电区域(即，死区面积(deadzonearea))增大，使得太阳能电池的效率可能劣化。
因此，需要提供一种具有能够防止支承衬底弯曲的新结构的太阳能电池以及制造该太阳能电池的方法。
发明内容
技术问题
本实施方案提供了一种具有提高的光电转换效率的新结构的太阳能电池以及制造该太阳能电池的方法。
技术方案
根据本发明实施方案的太阳能电池包括：支承衬底；在支承衬底上的背电极层；在背电极层上的光吸收层；在光吸收层上的缓冲层；以及在缓冲层上的前电极层，其中形成有贯穿背电极层和光吸收层的第一通槽，并且所述光吸收层包括：在背电极层上的第一光吸收层；以及与背电极层的通过第一通槽露出的内侧表面接触的第二光吸收层。
有益效果
根据实施方案的制造太阳能电池的方法和通过该方法制造的太阳能电池能够减小太阳能电池中的死区面积，使得太阳能电池的效率能够得到提高。
根据相关技术，在支承衬底上形成背电极层之后，形成第一通槽以将背电极层划分成多个背电极。然后，在具有第一通槽的背电极上形成光吸收层和缓冲层。然而，用于形成光吸收层的过程在500℃以上的高温下进行，因此形成在背电极层中的第一通槽可能由于在形成光吸收层时具有高温的热而弯曲。
由于该原因，根据相关技术，当第二通槽形成为平行于第一通槽并且与第一通槽隔开时，第一通槽与第二通槽之间的间隔距离可能由于第一通槽的弯曲而增大，使得死区面积可能增大，从而使太阳能电池的总效率劣化。
因此，根据本发明实施方案的制造太阳能电池的方法和通过该方法制造的太阳能电池，首先在高温下进行用于形成光吸收层的过程，并且然后形成贯穿光吸收层和背电极层的第一通槽。
因此，第一通槽不会变形，即，第一通槽在随后的过程中不会弯曲，使得死区面积不会增大。
另外，根据本发明实施方案的制造太阳能电池的方法和通过该方法制造的太阳能电池，光吸收层在第一通槽中可以倾斜。换言之，光吸收层或第二光吸收层可以包围背电极层的通过第一通槽露出的侧面。
因为如上所述在形成光吸收层之后形成第一通槽，所以能够防止在前电极设置在第一通槽中时可能产生的前电极与背电极之间的短路。
具体地，根据本发明实施方案的制造太阳能电池的方法和通过该方法制造的太阳能电池，在形成光吸收层之后形成第一通槽，使得第一通槽的宽度能够得到减小。另外，因为光吸收层或第二光吸收层可以包围背电极层的内侧表面，所以能够防止前电极与背电极之间的短路。
因此，根据本发明实施方案的制造太阳能电池的方法和通过该方法制造的太阳能电池，能够减小死区面积，使得太阳能电池的总效率能够得到提高。
附图说明
图1是示出了根据一个实施方案的太阳能电池的平面图。
图2是示出了根据一个实施方案的太阳能电池的截面图。
图3至图9是示出了根据一个实施方案的制造太阳能电池的方法的视图。
具体实施方式
在对本发明实施方案的描述中，应当理解，当层(或膜)、区域、图案或结构被称作位于另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一焊盘或另一图案“上”或“下”时，所述层(或膜)、区域、图案或结构可以“直接地”或“间接地”位于其他衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案上，或者还可以存在一个或更多个中间层。参照附图描述了这样的层的位置。
为了方便或清楚的目的，可以放大、省略或示意性示出附图中所示的每个层(膜)、每个区域、每个图案或每个结构的厚度和尺寸。另外，元件的尺寸不完全反映实际尺寸。
在下文中，将参照附图详细描述本发明的实施方案。
将参照图1和图2详细描述根据一个实施方案的太阳能电池。图1是示出了根据一个实施方案的太阳能电池的平面图，并且图2是示出了根据一个实施方案的太阳能电池的截面图。
参照图1和图2，根据一个实施方案的太阳能电池可以包括支承衬底100、背电极层200、光吸收层300、缓冲层400和前电极层500。
支承衬底100可以具有板状，并且可以支承背电极层200、光吸收层300、缓冲层400和前电极层500。
支承衬底100可以包括绝缘体。支承衬底100可以是玻璃衬底、塑料衬底或金属衬底。同时，支承衬底100可以是钠钙玻璃衬底。另外地，支承衬底100可以包括由氧化铝形成的陶瓷衬底，或者可以包括不锈钢或柔性聚合物。支承衬底100可以是透明的。支承衬底100可以是刚性或柔性的。
在支承衬底100上可以设置背电极层200。背电极层200可以是导电层。背电极层200可以通过使用钼(Mo)、金(Au)、铝(Al)、铬(Cr)、钨(W)和铜(Cu)中之一来形成。在它们之中，因为钼(Mo)的热膨胀系数与支承衬底100的热膨胀系数类似，所以钼(Mo)表现出优越的粘附性能，因此可以防止脱层。
另外，背电极层200可以包括至少两个层。在该情况下，这些层可以包含相同的金属或相互不同的金属。
在背电极层200上可以设置光吸收层300。
光吸收层300可以包含I-III-VI族化合物。例如，光吸收层300可以包括Cu(In,Ga)Se2(CIGS)晶体结构、Cu(In)Se2晶体结构或Cu(Ga)Se2晶体结构。
光吸收层300可以具有在约1eV至约1.8eV的范围内的能带隙。
光吸收层300可以在其中形成有第一通槽TH1。具体地，第一通槽TH1可以形成为贯穿光吸收层300和背电极层200。支承衬底100的顶表面可以通过第一通槽TH1露出。
第一通槽TH1中的每一个均可以具有在约10μm至约200μm的范围内的宽度。具体地，第一通槽TH1可以具有在约10μm至约100μm的范围内的宽度。
光吸收层300可以设置在背电极层200的顶表面上并且设置在第一通槽TH1中。具体地，光吸收层300可以设置成包围背电极层200的顶表面以及背电极层的通过第一通槽TH1露出的内侧表面。
光吸收层300在第一通槽TH1中可以倾斜。具体地，光吸收层300可以以如下方式倾斜：通过第一通槽TH1划分的光吸收层300之间的间隔距离可以朝支承衬底100的方向变窄。即，第一通槽TH1的宽度可以朝支承衬底100的方向变窄。
具体地，背电极层200和光吸收层300的外部区域可以设置在第一通槽TH1中的相互不同的区域处。因此，在第一通槽TH1中，通过第一通槽TH1划分的光吸收层300之间的间隔距离D1可以比通过第一通槽TH1划分的背电极层200之间的间隔距离D2短。
即，在第一通槽TH1中，光吸收层300的一部分包围背电极层200的内侧表面，使得通过第一通槽TH1划分的光吸收层300之间的间隔距离D1可以比通过第一通槽TH1划分的背电极层200之间的间隔距离D2短。
光吸收层300可以包括第一光吸收层310和第二光吸收层320。具体地，光吸收层300可以包括与背电极层200的顶表面接触的第一光吸收层310以及与背电极层200的侧面接触的第二光吸收层320。即，第二光吸收层320可以与背电极层200的通过第一通槽TH1露出的内侧表面接触。
具体地，在第一通槽TH1中，第一光吸收层310的侧面可以平行于背电极层200的侧面，并且第二光吸收层320的侧面可以倾斜于背电极层200的侧面。例如，第二光吸收层320可以配置成具有朝支承衬底100的顶表面的方向变宽的宽度。
第一光吸收层310可以与第二光吸收层320一体地形成。即，第一光吸收层310与第二光吸收层320可以通过使用相同的材料来一体地形成。
包围背电极层的内侧表面的第二光吸收层320可以具有在约1μm至40μm的范围内的宽度。
如果第二光吸收层320的宽度小于1μm，那么从前电极迁移的电子可能由于隧穿效应而通过穿过光吸收层与背电极接触，从而导致短路。如果第二光吸收层320的宽度超过40μm，那么死区面积可能增大，从而使太阳能电池的效率劣化。
背电极层200可以通过第一通槽TH1被划分成多个背电极。即，可以通过第一通槽TH1来限定多个背电极。
背电极可以通过第一通槽TH1彼此隔开。背电极可以布置成条形。
可替代地，背电极可以布置成矩阵形状。在这种情况下，当在平面图中观察时，第一通槽TH1可以设置成格子形状。
在光吸收层300上可以设置缓冲层400。具体地，可以在形成有第一通槽TH1的光吸收层300上设置缓冲层400。
虽然图2示出了缓冲层400形成在光吸收层300的顶表面上，但是实施方案不限于此。缓冲层400不仅可以形成在光吸收层300的顶表面上，而且可以沿光吸收层300的侧面形成在第一通槽TH1的内表面处。
缓冲层400可以包括CdS、ZnS、InXSY和InXSeYZn(O,OH)。缓冲层400可以具有在约50nm至约150nm的范围内的厚度以及在约2.2eV至约2.4eV的范围内的能带隙。
在缓冲层400上还可以设置高电阻缓冲层。高电阻缓冲层可以包含未掺杂杂质的氧化锌(i-ZnO)。高电阻缓冲层的能带隙可以在约3.1eV至约3.3eV的范围内。高电阻缓冲层不是必要元件并且如果需要可以被省略。
在缓冲层400中可以形成第二通槽TH2。第二通槽TH2可以是用于露出背电极层200的顶表面的开口区域。当在平面图中观察时，第二通槽TH2可以沿一个方向延伸。第二通槽TH2的宽度可以在约80μm至约200μm的范围内，但是实施方案不限于此。
缓冲层400可以通过第二通槽TH2限定为多个缓冲层。即，缓冲层400可以通过第二通槽TH2被划分成多个缓冲层。
在缓冲层400上可以设置前电极层500。前电极层500可以是透明导电层。另外，前电极层500的电阻可以比背电极层200的电阻大。
前电极层500可以包含氧化物。例如，构成前电极层500的材料可以包括掺杂铝的氧化锌(AZO)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡氧化物(ITO)。
前电极层500可以具有n型半导体的性质。在这种情况下，前电极层500可以与缓冲层一起构成n型半导体层，并且可以与作为p型半导体层的光吸收层300一起构成p-n结。前电极层500可以具有在约100nm至约1.5μm的范围内的厚度，但是实施方案不限于此。
前电极层500可以完全地或部分地填充第一通槽TH1。具体地，前电极层500在第一通槽TH1中可以沿光吸收层300延伸。
另外，前电极层500可以完全地或部分地填充第二通槽TH2。具体地，前电极层500可以形成在缓冲层400的顶表面上并且形成在第二通槽TH2中。
形成在第二通槽TH2中的前电极层可以用作连接件。具体的，形成在第二通槽TH2中的前电极层可以将相邻的太阳能电池彼此连接。
在前电极层500中可以形成第三通槽TH3。第三通槽TH3可以形成为贯穿前电极层500、缓冲层400和光吸收层300。第三通槽TH3可以穿过缓冲层400、高电阻缓冲层和前电极层500中的全部或一部分。即，第三通槽TH3可以露出背电极层200的顶表面。
第三通槽TH3可以与第二通槽TH2相邻。具体地，第三通槽TH3可以设置在第二通槽TH2的旁边。即，当在平面图中观察时，第三通槽TH3可以形成在第二通槽TH2的旁边并且平行于第二通槽TH2。第三通槽TH3可以沿第一方向延伸。
前电极层500可以通过第三通槽TH3被划分成多个前电极。即，前电极可以通过第三通槽TH3限定。
前电极可以具有与背电极的形状对应的形状。即，前电极可以布置成条形。可替代地，前电极可以布置成矩阵形式。
另外，多个太阳能电池C1、C2、……可以通过第三通槽TH3限定。具体地，太阳能电池C1、C2、……可以通过第二通槽TH2和第三通槽TH3限定。即，根据一个实施方案的太阳能电池可以通过第二通槽TH2和第三通槽TH3被划分成太阳能电池C1、C2、……。另外，太阳能电池C1、C2、……可以沿与第一方向交叉的第二方向彼此连接。即，电流可以沿第二方向流过太阳能电池C1和太阳能电池C2。
换言之，太阳能电池面板10可以包括支承衬底100和太阳能电池C1、C2、……。太阳能电池C1、C2、……可以设置在支承衬底100上，同时彼此隔开。另外，太阳能电池C1、C2、……可以通过连接部彼此串联连接。
连接部可以设置在第二通槽TH2内。连接部可以从前电极层500向下延伸，并且可以与背电极层200连接。例如，连接部可以从第一电池C1的前电极延伸并且可以连接至第二电池C2的背电极。
因此，连接部可以将相邻的电池彼此连接。具体地，连接部可以将包括在相邻的太阳能电池中的每一个中的前电极和背电极连接。
连接部可以与前电极层500集成在一起。即，构成连接部的材料可以与构成前电极层500的材料相同。
根据一个实施方案的太阳能电池可以通过减小太阳能电池中的死区面积来提高太阳能电池的效率。
在实施方案中，死区面积表示太阳能电池中的不发电的面积，并且第一通槽至第三通槽以及在第一通槽至第三通槽之间的面积可以被定义为死区面积。
根据相关技术，在支承衬底上形成背电极层之后，形成第一通槽以将背电极层划分成多个背电极。然后，在具有第一通槽的背电极上形成光吸收层和缓冲层。然而，用于形成光吸收层的过程在500℃以上的高温下进行，因此形成在背电极层中的第一通槽可能由于在形成光吸收层时具有高温的热而弯曲。
由于该原因，根据相关技术，当第二通槽形成为平行于第一通槽并且与第一通槽隔开时，第一通槽与第二通槽之间的间隔距离可能由于第一通槽的弯曲而增大，使得死区面积可能增大，从而使太阳能电池的总效率劣化。
因此，根据本发明实施方案的太阳能电池，首先在高温下进行用于形成光吸收层的过程，并且然后形成贯穿光吸收层和背电极层的第一通槽。
因此，第一通槽不会变形，即，第一通槽在随后的过程中不会弯曲，使得死区面积不会增大。
具体地，因为能够防止第一通槽弯曲，所以能够控制第一通槽的宽度，即，第一通槽的宽度能够减小，使得太阳能电池中的死区面积能够减小。
另外，根据本发明实施方案的太阳能电池，光吸收层在第一通槽中可以倾斜。换言之，光吸收层或第二光吸收层可以包围背电极层的通过第一通槽露出的侧面。
因为如上所述在形成光吸收层之后形成第一通槽，所以能够防止在前电极设置在第一通槽中时可能产生的前电极与背电极之间的短路。
即，包围背电极层的内侧表面的光吸收层或第二光吸收层可以用作阻止电子迁移的阻挡层，使得在形成第一通槽之后形成的前电极层可以防止可能由于隧穿效应而沿光吸收层的侧面行进的电子迁移。
具体地，根据实施方案的太阳能电池，在形成光吸收层之后形成第一通槽，使得第一通槽的宽度能够减小。另外，因为光吸收层或第二光吸收层可以包围背电极层的内侧表面，所以能够防止前电极与背电极之间的短路。
因此，根据实施方案的太阳能电池，死区面积能够得到减小，使得太阳能电池的总效率能够得到提高。
在下文中，将参照图3至图9描述根据实施方案的制造太阳能电池的方法。图3至图9是示出了根据实施方案的制造太阳能电池的方法的视图。
首先，参照图3，可以在支承衬底100上形成背电极层200和光吸收层300。具体地，可以在支承衬底100上形成背电极层200，并且可以在背电极层200上形成光吸收层300。
背电极层200可以通过PVD(物理气相沉积)或镀覆来形成。
另外，光吸收层300可以通过溅射工艺或蒸镀方案来形成。例如，通过广泛地使用各种方案来形成光吸收层300，包括通过同时或分别蒸镀Cu、In、Ga和Se来形成基于Cu(In,Ga)Se2(CIGS)的光吸收层300的方案以及在形成金属前体膜之后进行硒化工艺的方案。
关于在形成金属前体层之后的硒化工艺的细节，通过采用Cu靶、In靶或Ga靶的溅射工艺在背接触电极200上形成金属前体层。
之后，使金属前体层经受硒化工艺，使得形成了基于Cu(In,Ga)Se2(CIGS)的光吸收层300。
另外，采用Cu靶、In靶和Ga靶的溅射工艺以及硒化工艺可以同时进行。
可替代地，可以通过采用仅Cu靶和In靶或者仅Cu靶和Ga靶的溅射工艺以及硒化工艺来形成CIS光吸收层300或CIG光吸收层300。
然后，参照图4，可以部分地去除光吸收层300和背电极层200以形成第一通槽TH1。第一通槽TH1可以具有在约10μm至约100μm的范围内的宽度。
第一通槽TH1可以通过使用机械装置例如尖端(tip)或激光装置来形成。例如，可以通过使用具有预定波长带的激光一次形成贯穿光吸收层300和背电极层200的第一通槽TH1。另外，可以通过使用机械装置例如尖端在缓冲层400和光吸收层300中形成槽，并且然后通过使用激光装置在背电极层的通过槽露出的顶表面上形成槽来设置第一通槽TH1。
背电极层200可以通过第一通槽TH1被划分成多个背电极。具体地，背电极可以通过第一通槽TH1限定。
然后，参照图5，可以使光吸收层300部分地熔融以包围背电极层200的通过第一通槽TH1露出的侧面。
光吸收层300可以通过各种方案来熔融。
例如，可以通过使用例如热或光的源来使光吸收层300的通过第一通槽TH1露出的侧面熔融。因为光吸收层300的侧面被部分地熔融，所以光吸收层300的熔融部分可以包围背电极层200的内侧表面。
包围背电极层200的内侧表面的光吸收层300可以具有在约1μm至约40μm的范围内的宽度。
因此，光吸收层300的内侧表面在第一通槽TH1中可以倾斜。因为光吸收层300在第一通槽TH1中倾斜，所以第一通槽TH1的宽度可以朝支承衬底100的方向逐渐变窄。
接下来，参照图6，可以在光吸收层300上设置缓冲层400。
可以使用本领域中公知的作为用于制造太阳能电池的缓冲层的材料的各种材料用于缓冲层400，而没有特别的限制。
例如，缓冲层400可以通过使用溅射、蒸镀、CVD(化学气相沉积)、MOCVD、近空间升华(close-spacedsublimation，CSS)、喷雾热分解、化学喷涂、丝网印刷、非真空液相沉积、CBD(化学浴沉积)、VTD(气相传输沉积)、原子层沉积(ALD)和电沉积中之一来形成。具体地，缓冲层400可以通过CBD、ALD或MOCVD来形成。
然后，参照图7，可以部分地去除光吸收层300和缓冲层400以形成第二通槽TH2。
第二通槽TH2可以通过使用机械装置例如尖端或激光装置来形成。
例如，可以通过使用具有在约40μm至约180μm的范围内的宽度的尖端来对光吸收层300和缓冲层400进行图案化。另外，可以通过使用具有在约200nm至约600nm的范围内的波长的激光来形成第二通槽TH2。
在该情况下，第二通槽TH2可以具有在约80μm至约200μm的范围内的宽度。第二通槽TH2可以露出背电极层200的顶表面的一部分。
然后，参照图8，可以在缓冲层400上形成前电极层。例如，可以通过使用ZnO靶的RF溅射方案、使用Zn靶的反应溅射方案或MOCVD方案来形成前电极层500。
前电极层500可以填充第一通槽TH1和第二通槽TH2。
接下来，参照图9，可以通过部分地去除光吸收层300、缓冲层400和前电极层500来形成第三通槽TH3。因此，可以通过对前电极层500进行图案化来限定多个前电极、以及第一电池C1、第二电池C2和第三电池C3。第三通槽TH3中的每一个均可以具有在约80μm至约200μm的范围内的宽度。
根据本发明实施方案的制造太阳能电池的方法，在形成背电极层和光吸收层之后，形成贯穿背电极层和光吸收层的第一通槽。然后，使通过第一通槽露出的光吸收层熔融以包围背电极层的通过第一通槽露出的内侧表面。
根据相关技术，通过对背电极层进行图案化来将背电极层划分成多个背电极，并且在背电极上沉积光吸收层、缓冲层和前电极层以制造太阳能电池。
然而，光吸收层的沉积工艺在500℃以上的高温下进行，因此在进行光吸收层的沉积工艺的同时第一通槽可能弯曲。由于第一通槽的弯曲，所以死区面积增加并且太阳能电池的效率劣化。
由于该原因，根据实施方案的制造太阳能电池的方法，在已经在支承衬底上形成背电极层和光吸收层之后，形成贯穿背电极层和光吸收层的通槽以防止通槽弯曲，从而减小死区面积。另外，光吸收层在通槽中被部分地熔融以包围背电极层的内侧表面，使得能够防止由于从前电极至光吸收层的隧穿效应引起的前电极与背电极之间的短路，从而提高太阳能电池的总效率。
在本说明书中对“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等的任何提及是指结合实施方案所描述的具体特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施方案中。在本说明书中的各个位置中这样的短语的出现未必都是指相同实施方案。此外，当结合任意实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为结合实施方案中的其他实施方案实现这样的特征、结构或特性在本领域技术人员的能力范围内。
虽然参照本实施方案的大量说明性实施方案对实施方案进行了描述，但是应当理解，本领域技术人员可以构思出落入本公开内容的原理的精神和范围内的许多其他修改方案和实施方案。更具体地，可以在本公开内容、附图和所附权利要求书的范围内对主题组合布置的组成部分和/或布置进行各种变化和修改。除了组成部分和/或布置的变化和修改之外，替代性用途对于本领域技术人员而言也是明显的。

Claims (20)

1.一种太阳能电池，包括：
支承衬底；
在所述支承衬底上的背电极层；
在所述背电极层上的光吸收层；
在所述光吸收层上的缓冲层；以及
在所述缓冲层上的前电极层，
其中形成有贯穿所述背电极层和所述光吸收层的第一通槽，并且
所述光吸收层包括：
在所述背电极层上的第一光吸收层；以及
第二光吸收层，所述第二光吸收层接触所述背电极层的通过所述第一通槽露出的内侧表面。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述光吸收层的内侧表面在所述第一通槽中倾斜。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中所述光吸收层的所述内侧表面包括弯曲表面。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中所述第一通槽的宽度朝所述支承衬底的方向逐渐变窄。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一光吸收层的侧面平行于所述背电极层的侧面，并且所述第一光吸收层的侧面相对于所述第二光吸收层的侧面倾斜。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中所述第二光吸收层的宽度朝所述支承衬底的顶表面的方向逐渐增大。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中所述第二光吸收层的平均宽度在约1μm至约40μm的范围内。
8.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中所述第一光吸收层与所述第二光吸收层一体地形成。
9.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中所述前电极层在所述第一通槽中沿所述光吸收层的侧面延伸。
10.一种太阳能电池，包括：
支承衬底；
在所述支承衬底上的背电极层；
在所述背电极层上的光吸收层；
在所述光吸收层上的缓冲层；以及
在所述缓冲层上的前电极层，
其中形成有贯穿所述背电极层和所述光吸收层的第一通槽，并且
在所述第一通槽中，所述光吸收层的间隔距离比所述背电极层的间隔距离短。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中所述光吸收层的所述间隔距离朝所述支承衬底的顶表面上的所述前电极的方向逐渐增大。
12.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中所述光吸收层的内侧表面在所述第一通槽中倾斜。
13.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中所述第一通槽的宽度朝所述支承衬底的方向逐渐变窄。
14.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中所述前电极层在所述第一通槽中沿所述光吸收层的侧面延伸。
15.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中所述光吸收层在所述第一通槽中接触所述背电极层的通过所述第一通槽露出的内侧表面。
16.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中在所述第一通槽中所述光吸收层的平均宽度在约1μm至约40μm的范围内。
17.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：
在支承衬底上形成背电极层；
在所述背电极层上形成光吸收层；
在所述光吸收层中形成第一通槽；
在所述光吸收层上形成缓冲层；以及
在所述缓冲层上形成前电极层，
其中在所述光吸收层中形成所述第一通槽包括：
形成贯穿所述光吸收层和所述背电极层的所述第一通槽；以及
使所述光吸收层的内侧表面熔融以使得所述光吸收层能够包围通过所述第一通槽露出的所述背电极层。
18.根据权利要求17所述的方法，其中包围所述背电极层的内侧表面的所述光吸收层的平均宽度在约1μm至约40μm的范围内。
19.根据权利要求17所述的方法，其中所述光吸收层的所述内侧表面在所述第一通槽中倾斜。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一通槽的宽度朝所述支承衬底的顶表面的方向逐渐变窄。
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