CN105720137B - 发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管 - Google Patents

发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN105720137B
CN105720137B CN201610091893.4A CN201610091893A CN105720137B CN 105720137 B CN105720137 B CN 105720137B CN 201610091893 A CN201610091893 A CN 201610091893A CN 105720137 B CN105720137 B CN 105720137B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
passed
reative cell
ammonia
source metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610091893.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105720137A (zh
Inventor
黄小辉
米亭亭
周德保
康建
梁旭东
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EPITOP PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
EPITOP PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EPITOP PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical EPITOP PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201610091893.4A priority Critical patent/CN105720137B/zh
Publication of CN105720137A publication Critical patent/CN105720137A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105720137B publication Critical patent/CN105720137B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/025—Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities

Abstract

本发明提供一种发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管，生长方法包括如下步骤：1)向反应室中通入氢气、氨气和第一金属源，生成缓冲生长层；2)向反应室通入氢气、氨气和第二金属源，缓冲生长层生长为未掺杂层；3)向反应室通入氨气、第三金属源和硅原子，生成N型重掺杂层；硅原子浓度为1×1019～1×1020个/cm3；4)向反应室中通入氮气、氨气、第四金属源、硅原子和三甲基铟，生成多量子阱层；其中，所述硅原子浓度为1×1018个/cm3；5)向反应室中通入氢气、氮气、氨气、第五金属源和镁原子，生成发光二极管外延结构。本发明的生长方法通过生成V型缺陷降低非辐射复合几率，提升二极管外延结构的发光率。

Description

发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管
技术领域
本发明涉及半导体技术，尤其涉及一种发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管。
背景技术
发光二极管(Lighting Emitting Diode，简称LED)以体积小、寿命长、响应速度快，可靠性高等优点，被广泛应用于多领域的电子设备。
发光二极管的发光效率主要决定于发光二极管外延机构的外量子效率，而外量子效率是内量子效率与光提取率的乘积，因此提高发光二极管发光效率的方法大致可以从提高外延结构的内量子效率和光提取率两方面入手，由于外延结构多有氮化镓生成，而氮化镓的折射率为2.4，光的出射角为24.6°，因此其光的提取效率比仅为4.5％。
非辐射复合中心是影响内量子效率的主要原因，非辐射复合中心的降低有助于内量子效率的提高，而位错密度对非辐射复合中心影响极大，降低位错密度有利于非辐射复合中心的降低，但是由于大多数的外延结构在衬底层上属于异质生长，因此电子极易跃迁至位错线附近，使位错密度过高，从而导致内量子效率难以提高。
发明内容
本发明提供一种发光二极管外延机构及其生长方法和发光二极管，通过阻止非辐射复合的发生，提高发光二极管的发光效率。
本发明提供一种二极管外延结构的生长方法，其特征在于，包括如下顺序的步骤：
1)向反应室中的衬底层通入氢气、氨气和第一金属源，在所述衬底层上生成厚度为10～50nm的缓冲生长层；
2)向所述反应室通入氢气、氨气和第二金属源，所述缓冲生长层生长为厚度为50～3000nm的未掺杂层；
3)向所述反应室通入氨气、第三金属源和硅原子，在所述未掺杂层上生成厚度为500～3500nm的N型重掺杂层；所述硅原子浓度为1×1019～1×1020个/cm3；
4)向所述反应室中通入氮气、氨气、第四金属源、硅原子和三甲基铟，在所述N型重掺杂层上生成厚度为10～6000nm的多量子阱层；其中，所述硅原子浓度为1×1018个/cm3；
5)向所述反应室中通入氢气、氮气、氨气、第五金属源和镁原子，生成发光二极管外延结构。
图1为本发明提供的发光二极管外延结构的示意图。如图1所示，本发明的发光二极管外延结构由下至上依次包括衬底层11、未掺杂层12、N型掺杂层13、V型缺陷14、多量子阱层15和P型层16。
步骤1)中，首先是在衬底层上生成缓冲生长层。由于二极管外延结构多为金属的氮化物，因此在通入反应物之前，需要对反应室中的温度以及压力进行控制从而使氨气和第一金属源能够分解成各自原子而发生化合反应生成金属的氮化物。具体实施过程中，将反应室的温度控制在500～550℃，压力为400～600托，在氢气气氛的保护下，将氨气与第一金属源通入反应室中，在该反应条件下，第一金属源分解为相应的金属原子，氨气分解为氮原子，从而生成金属氮化物形成外延结构的缓冲生长层。为了能够控制缓冲生长层的厚度，一般的，氢气的体积为(60～180)L，氨气的体积为(25～75)L，第一金属源的注入速度为(30～90)mL/min，在通入上述反应物后，控制反应室的转速为600r/min，3～5min后，即可在衬底层上成长出厚度为10～50nm的缓冲生长层。
步骤2)中，缓冲生成层生长为非掺杂层。当缓冲生长层生长结束后，可以将反应室的温度提高至800～1100℃，压力维持在200～600托，依旧在氢气气氛的保护下，向反应室中通入第二金属源和氨气。该步骤中的温度压力条件不仅能够使缓冲生长层发生分解聚合形成均匀分布的成核岛，还能够使新通入的反应物分解为原子并化合为金属氮化物，从而与晶核岛合并并长大，使缓冲生长层生长为未掺入任何杂质的未掺杂层。为了能够控制未掺杂层的厚度，一般的，氢气的体积为(60～180)L，氨气的体积为(25～75)L，第二金属源的注入速度为(100～300)mL/min，在通入上述反应物后，控制反应室的转速为600～1200r/min，20～40min后，即可在衬底层上成长出厚度为50～3000nm的未掺杂层。为了控制晶核岛的生长速率，可以先将反应室的温度控制在1000℃，压力控制为200托，转速控制在600r/min，反应30min。随后再升高温度至1050℃，减压至200托，转速提升至1200r/min，反应30min。
步骤3)中，是在未掺杂层上生成N型重掺杂层。本发明中引入的杂原子为硅原子，由于金属源多为ⅢA的金属化合物，经过发明人的大量研究，硅原子作为ⅣA的非金属原子，与金属源中的金属原子半径差较大，随着氨气与第三金属源生成金属氮化物时，碳原子的引入能够使生成的金属氮化物形成较大的晶格应力，从而会在N型重掺杂层上形成V型缺陷，而该V型缺陷能够有效的阻止电子空穴进入位错线非辐射复合区发生非辐射复合，极大地降低了非辐射复合几率，从而提高二极管的内量子效率，有助于发光二极管发光亮度的提升。因此，为了能够通过硅原子的引入在金属氮化物上形成V型缺陷，需要将硅原子的浓度控制在1×1019～1×1020个/cm3，该高浓度能够保证V型缺陷的有力生长。
步骤4)中，是在N型重掺杂层上生成多量子阱层。同样的，在多量子阱层的生长过程中，随着碳原子的加入，继续将V型缺陷引入多量子阱层中，促进V型缺陷的生长，生成势垒较高的量子阱，进一步阻止电子空穴的向位错线附近的跃迁，避免非辐射复合的发生，从而提升发光二极管的发光亮度。
步骤5)中，是在多量子阱层上生成P型层。当多量子阱层生长结束后，将反应室的温度控制为800～1000℃，压力维持在100～300托，在氢气及氮气气氛保护下，生成金属氮化物，由于反应物中还包含镁原子，因此该镁原子能够有效将生成的金属氮化物，即P型层粗化，由于P型层为外延结构的最表面，因而该粗化结构能够减少量子阱层的光在该发光二极管的外延结构的表面的全反射，提高该发光二极管外延结构的出光率。为了能够控制P型层的厚度，一般的，氢气的体积为(60～180)L，氮气的体积为(30～90)L，氨气的体积为(25～75)L，第五金属源的注入速度为(180～550)mL/min，在通入上述反应物后，控制反应室的转速为1200r/min，7～15min后，即可在上多量子阱层成长出厚度为0～500nm的P型层。至此完成发光二极管外延结构的生长。
本发明提供的发光二极管外延结构的生长方法，通过在掺杂层和多量子阱层中引入硅原子，并且通过控制硅原子的浓度，使掺杂层和多量子阱层中都出现了V型缺陷。该V型缺陷能够形成高的电子空穴阻挡势垒较，进一步阻止电子空穴的向位错线附近的跃迁，避免非辐射复合的发生，从而提升发光二极管的发光亮度。
进一步地，所述第一金属源、第二金属源、第三金属源、第四金属源和第五金属源选自三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝、二乙基镓、二乙基铟和二乙基铝中的一个或多个。由于外延结构多为ⅢA的金属，并且为了能够使金属源能够在高温下易分解为金属原子，所以将第一～第五金属源限定为上述几种化合物。当金属源为几种化合物的混合物时，本发明对化合物之间的比例不做限定。
进一步地，步骤3)包括：控制所述反应室的温度为1060℃，压力为400托，向所述反应室通入氨气、第三金属源和硅原子，反应(25～65)min后，在所述未掺杂层上生成厚度为500～3500nm的N型掺杂层；其中，所述氨气为(15～45)L，第三金属源的流速为(150～450)mL/min，所述硅原子浓度为1×1019～1×1020个/cm3。在具有V型缺陷的N型重掺层的生长过程中，还能够通过调节反应物的比例控制V型缺陷的生长速度，以提高V型缺陷的生长率。具体地，可以通过控制氨气与第三金属源的比例，即降低V/Ⅲ比，通过降低氨气的使用量，增加第三金属源的使用量，进一步扩大晶格应力，提高V型缺陷的纵向生长速度。
进一步地，步骤3)中，控制所述反应室的转速为400～800r/min。发明人经过大量研究发现，在V型缺陷的生长过程中，还可以通过控制反应室转速来控制V型缺陷的形成，较慢的转速有助于V型缺陷的三维生长，有利于V型的生成。
进一步地，步骤4)包括：向所述反应室中通入氮气、氨气、第四金属源和硅原子生成掺杂量子垒；随后向所述反应室中通入氮气、氨气、第四金属源和三甲基铟，生成量子阱；依序循环所述2～20次后，在所述N型掺杂层上生成厚度为10～6000nm的多量子阱层；其中，所述硅原子浓度为1×1018个/cm3。
多量子阱层的生成包括量子垒和量子阱的叠加。首先，将反应室的温度控制在500～550℃，压力为400～600托，在氮气气氛保护下，通入氨气、第四金属源和硅原子，生成的金属氮化物量子垒中会被掺入硅原子而继续生成V型缺陷，具体地，在量子垒的生成过程中，可以控制氮气的体积为(35～100)L，氨气的体积为(20～60)L，第四金属源的注入速度为(180～550)mL/min，硅原子的浓度为1×1018个/cm3，在通入上述反应物后，控制反应室的转速为600r/min，2～5min后，即可生长出量子垒。当量子垒生长完毕后，可以控制氮气的体积为(35～100)L，氨气的体积为(20～60)L，第四金属源的注入速度为(60～180)mL/min，三甲基铟的注入速度为(200～600)mL/min，在通入上述反应物后，控制反应室的转速为600r/min，1～5min后，即可生长出量子肼，该量子阱为包含金属铟的金属氮化物。如此的，可以按照量子垒、量子阱的生长顺序循环反应2～20次，生成多量子阱层。为了保证量子垒和量子阱的生长，在反应过程中，可以使量子垒的生长温度低于量子阱的生长温度，优选地，可以将量子垒的生长温度控制为840℃，将量子阱的生长温度控制为760℃。
进一步地，所述掺杂量子垒的宽度为5～25nm，所述量子阱的宽度为2～5nm。
进一步地，步骤5)中，所述镁原子浓度为1×1017～1×1020个/cm3。
进一步地，所述衬底层选自蓝宝石、图形蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃、铜、镍和铬中的一种。
同时，本发明对发光二极管外延结构的生长设备不做限制，可以是金属有机化学气相沉积设备、分子束外延设备或者氢化物气相外延设备中的一种。
本发明提供的发光二极管外延结构生长方法，将硅原子引入重掺层和多量子阱层，并通过控制碳原子的浓度、反应过程的转速以及反应物之间的比例关系，在外延结构中以三维生长模式形成V型缺陷，该V型缺陷能够阻止电子空穴进入位错线非辐射复合区而发生非辐射复合，降低非辐射复合几率，有效提高二极管外延结构的内量子效率，从而提升二极管外延结构的发光率。
本发明还提供一种发光二极管外延结构，该发光二极管外延结构按照上述生长方法得到。
本发明还提供一种发光二极管，该发光二极管包括上述的发光二极管外延结构。
本发明的实施，通过对发光二极管外延结构生长过程中杂原子浓度、反应物比例以及反应转速进行控制，从而在生长过程中实现V型缺陷的形成和控制，以优化内量子效率，提升发光二极管的发光强度。
附图说明
图1为本发明提供的发光二极管外延结构的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
1、缓冲生长层的生长：
在维易科MOCVD K465I机台上，使用图形蓝宝石作为衬底层，控制反应室的温度(衬底层温度)为530℃，反应室内压力为500托，向反应室中通入120L氢气、50L氨气，并且以60ml/min的流速通入三甲基镓，控制反应室转速为600r/min，3min后，生成厚度为20nm的氮化镓无定型缓冲生长层。
2、未掺杂层的生长
将反应室温度提高到1000℃，反应室压力维持为500托，向反应室中通入120L氢气、50L氨气，并且以200ml/min的流速通入三甲基镓，控制反应室转速为600r/min，生长30min，随后提高生长温度至1050℃，压力维持在200托，转速为1200r/min，30min后，生成厚度为2000nm的未掺杂层。
3、N型重掺层的生长
将反应室继续升温至1060℃，反应室压力控制在400托，通入30L氨气、并以300ml/min的流速通入三甲基镓和1×1020个cm-3的掺杂浓度掺入硅原子，控制反应室转速为600r/min，45min后，生成带有V型缺陷的N型重掺层，该N型重掺层的厚度为1500nm。
4、多量子阱层的生长
将反应室温度降至840℃，压力调为200托，通入70L氮气、40L氨气，并以360ml/min的流速通入三乙基镓和1×1018个cm-3的掺杂浓度掺入硅原子，控制反应室转速为600r/min，2.5min后，生成厚度为12nm的GaN量子垒；继续将反应室温度降至760℃，压力维持在200托，通入70L氮气、30L氨气，并分别以120ml/min和400ml/min的流速通入三乙基镓和三甲基铟，控制反应室转速为600r/min，1.5min后，生成厚度为3nm的InGaN量子阱。
依序重复GaN量子垒和InGaN量子阱的生长8个周期，形成8个周期的GaN/InGaN多量子阱结构，经检测，In含量约为10％。
5、P型层的生长
将反应室温度升至900℃，压力调为200托，通入120L氢气、60L氮气、50L氨气，并以360ml/min的流速通入三乙基镓和1×1019个cm-3的掺杂浓度掺入镁原子，控制反应室转速为1200r/min，10min后，生成厚度为150nm的P型GaN层。
对本实施例的发光二极管外延结构进行退火处理，将芯片加工成1mm2大小，通入350mA的电流，发光波长约460nm，为氮化镓蓝光二极管外延结构。经检测，发光效率为180lm/W，且抗静电能力在人体模式下4000V通过率为98％。
现有技术中，发光波长为460nm的二极管的发光效率为150lm/W，相对于现有技术，本实施例的发光二极管的发光效率增长20％。
实施例2
1、缓冲生长层的生长：
在维易科MOCVD K465I机台上，使用图形蓝宝石作为衬底层，控制反应室的温度(衬底层温度)为500℃，反应室内压力为550托，向反应室中通入100L氢气、50L氨气，并且以80ml/min的流速通入三甲基镓，控制反应室转速为600r/min，3min后，生成厚度为30nm的氮化镓无定型缓冲生长层。
2、未掺杂层的生长
将反应室温度提高到1000℃，反应室压力维持为500托，向反应室中通入80L氢气、50L氨气，并且以150ml/min的流速通入三甲基镓，控制反应室转速为600r/min，生长30min，随后提高生长温度至1050℃，压力维持在200托，转速为1200r/min，30min后，生成厚度为2000nm的未掺杂层。
3、N型重掺层的生长
将反应室继续升温至1060℃，反应室压力控制在300托，通入30L氨气、并以300ml/min的流速通入三甲基镓和1×1019个cm-3的掺杂浓度掺入硅原子，控制反应室转速为400r/min，45min后，生成带有V型缺陷的N型重掺层，该N型重掺层的厚度为1200nm。
4、多量子阱层的生长
将反应室温度降至840℃，压力调为200托，通入50L氮气、35L氨气，并以360ml/min的流速通入三乙基镓和1×1018个cm-3的掺杂浓度掺入硅原子，控制反应室转速为600r/min，2.5min后，生成厚度为15nm的GaN量子垒；继续将反应室温度降至720℃，压力维持在200托，通入80L氮气、20L氨气，并分别以120ml/min和400ml/min的流速通入三乙基镓和三甲基铟，控制反应室转速为600r/min，1.5min后，生成厚度为3nm的InGaN量子阱。
依序重复GaN量子垒和InGaN量子阱的生长10个周期，形成10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构，经检测，In含量约为15％。
5、P型层的生长
将反应室温度升至900℃，压力调为200托，通入100L氢气、50L氮气、50L氨气，并以360ml/min的流速通入三乙基镓和1×1017个cm-3的掺杂浓度掺入镁原子，控制反应室转速为1200r/min，10min后，生成厚度为150nm的P型GaN层。
对本实施例的发光二极管外延结构进行退火处理，将芯片加工成300×300μm2大小，通入20mA的电流，发光波长约520nm，为氮化镓绿光二极管外延结构。经检测，发光效率为120lm/W，且抗静电能力在人体模式下4000V通过率为95％。
现有技术中，发光波长为520nm的二极管的发光效率为80lm/W，相对于现有技术，本实施例的发光二极管的发光效率增长50％。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种发光二极管外延结构的生长方法，其特征在于，包括如下顺序的步骤：
1)向反应室中的衬底层通入氢气、氨气和第一金属源，在所述衬底层上生成厚度为10～50nm的缓冲生长层；
2)向所述反应室通入氢气、氨气和第二金属源，在所述缓冲生长层上生成厚度为50～3000nm的未掺杂层；
3)控制所述反应室的转速为400～800r/min、温度为1060℃、压力为400托，向所述反应室通入氨气、第三金属源和硅原子，反应25～65min后，在所述未掺杂层上生成厚度为500～3500nm的N型重掺杂层；其中，所述氨气的体积为15～45L，所述第三金属源的流速为150～450mL/min，所述硅原子的浓度为1×1019～1×1020个/cm3；
4)向所述反应室中通入氮气、氨气、第四金属源、硅原子和三甲基铟，在所述N型重掺杂层上生成厚度为10～6000nm的多量子阱层；其中，所述硅原子浓度为1×1018个/cm3；
5)向所述反应室中通入氢气、氮气、氨气、第五金属源和镁原子，生成发光二极管外延结构。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第一金属源、第二金属源、第三金属源、第四金属源和第五金属源选自三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝、二乙基镓、二乙基铟和二乙基铝中的一个或多个。
3.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，步骤4)包括：向所述反应室中通入氮气、氨气、第四金属源和硅原子生成掺杂量子垒；随后向所述反应室中通入氮气、氨气、第四金属源和三甲基铟，生成量子阱；依序循环2～20次后，在所述N型掺杂层上生成厚度为10～6000nm的多量子阱层；其中，所述硅原子浓度为1×1018个/cm3。
4.根据权利要求3所述的生长方法，其特征在于，所述掺杂量子垒的宽度为5～25nm，所述量子阱的宽度为2～5nm。
5.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，步骤5)中，所述镁原子浓度为1×1017～1×1020个/cm3。
6.根据权利要求1～5任一项所述的生长方法，其特征在于，所述衬底层选自蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃、铜、镍和铬中的一种。
7.一种发光二极管外延结构，其特征在于，按照上述权利要求1～6任一项所述的生长方法得到。
8.一种发光二极管，其特征在于，包括上述权利要求7所述的发光二极管的外延结构。
CN201610091893.4A 2016-02-18 2016-02-18 发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管 Active CN105720137B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610091893.4A CN105720137B (zh) 2016-02-18 2016-02-18 发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610091893.4A CN105720137B (zh) 2016-02-18 2016-02-18 发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105720137A CN105720137A (zh) 2016-06-29
CN105720137B true CN105720137B (zh) 2018-09-14

Family

ID=56155920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610091893.4A Active CN105720137B (zh) 2016-02-18 2016-02-18 发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105720137B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107968138B (zh) * 2017-11-24 2020-07-17 安徽三安光电有限公司 一种氮化物发光二极管
CN109797375B (zh) * 2018-12-29 2022-06-14 晶能光电（江西）有限公司 硅基外延片厚度均匀性的改善方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6058897B2 (ja) * 2012-02-21 2017-01-11 スタンレー電気株式会社 半導体素子の製造方法
JP2015177025A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社東芝 光半導体素子
CN104157752B (zh) * 2014-08-27 2017-09-29 圆融光电科技有限公司 N型层粗化的led生长方法
CN104393124B (zh) * 2014-11-25 2017-04-05 天津三安光电有限公司 一种发光二极管外延片结构的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105720137A (zh) 2016-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101488550B (zh) 高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法
CN103824909B (zh) 一种提高GaN基LED发光亮度的外延方法
CN108461592B (zh) 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN103811601B (zh) 一种以蓝宝石衬底为基板的GaN基LED多阶缓冲层生长方法
CN105355737B (zh) 高发光效率的量子阱组合led外延结构及其制备方法
CN108198921B (zh) 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法
CN109216519A (zh) 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN101847673A (zh) 一种氮化镓基led外延片及其生长方法
CN109119515A (zh) 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN102208503A (zh) 一种发光二极管外延结构及其制造方法
CN112133797B (zh) 发光二极管外延片的生长方法
CN109671814A (zh) 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN109192825B (zh) 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN104576852A (zh) 一种GaN基LED外延结构的发光量子阱应力调控方法
CN104576853B (zh) 一种改善GaN基LED芯片电流扩展的外延方法
CN109786527A (zh) 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN109755360A (zh) 具有组合阱的多量子阱led外延结构及其外延制备方法
CN104051586A (zh) 一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法
CN105449051A (zh) 一种采用MOCVD技术在GaN衬底或GaN/Al2O3复合衬底上制备高亮度同质LED的方法
CN106229398A (zh) 一种高均匀性的红光led 外延结构及其制备方法
CN108831978A (zh) 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN203398149U (zh) 一种新型GaN基发光二极管外延结构
CN105720137B (zh) 发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管
CN103746054B (zh) 阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法及其结构
CN109755361A (zh) 一种提高势阱质量的led外延结构及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant