CN105714322B - 一种碳化硅纳米管的电化学制备方法 - Google Patents
一种碳化硅纳米管的电化学制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105714322B CN105714322B CN201410737148.3A CN201410737148A CN105714322B CN 105714322 B CN105714322 B CN 105714322B CN 201410737148 A CN201410737148 A CN 201410737148A CN 105714322 B CN105714322 B CN 105714322B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sio
- sic
- sic nanotube
- catalyst
- electrochemical preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Catalysts (AREA)
Abstract
本发明公开了一种碳化硅纳米管的电化学制备方法，以SiOx/C/催化剂复合多孔电极为阴极，石墨为阳极，置于包含金属化合物熔盐的电解质中，在阴极和阳极之间施加电压，进行电解，在阴极制备得到碳化硅纳米管；其中，SiOx/C/催化剂复合多孔电极中硅原子与碳原子的摩尔比为0.1‑2，催化剂与硅的摩尔比为0.01‑0.5。本发明具有工艺简单、制备温度低反应过程容易控制、成本低及易于连续生产等优点。采用本发明制备的碳化硅纳米管的直径约10‑100nm，纳米管长约50‑1000μm，该材料在高温恶劣环境下的纳米电子器件、增强材料、场发射材料、光催化、隐身材料、电化学储能等领域均具有广阔的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种碳化硅纳米管的电化学制备方法，属于熔盐电解技术领域。
背景技术
自从1991年碳纳米管被发现以来，由于其独特的结构特征和优异的力学、电学、光学特性，引起了世界各国科学家的广泛关注，研究人员也不断地探索其它一维管状材料的合成方法和制备工艺。2002年，人们利用硅和碳纳米管反应成功的合成出多壁碳化硅纳米管，其层间距在0.38-0.45nm之间，明显大于碳纳米管的管壁间距(0.34nm)。通过研究碳化硅纳米管的相关性质，人们发现其性质远优于碳纳米管。例如，碳纳米管在氧化环境中，其长期使用温度不宜超过600℃；当其应用于自组装、生物、化学传感器材料时，必须对其进行适当的化学改性，但由于碳纳米管由化学稳定性高的石墨烯片层结构组成，导致对其进行表面或管外的化学修饰比较困难。碳化硅纳米管在高温环境下表现出了良好的稳定性，同时因为其外表面有很高的反应活性，其表面比较容易进行化学修饰。碳化硅纳米管具有除碳纳米管的大部分特性和应用外，还可能潜在应用于高温恶劣环境下的纳米电子器件、催化、吸附、储能、隐身、复合材料等领域。因此，开发一种低成本大规模制备碳化硅纳米管的技术十分重要。
目前，国内外的科研工作者已经开发出的碳化硅纳米管制备方法主要有碳纳米管化学转化法、模板法、化学气相沉积法、溶胶凝胶和碳热还原法结合。Sun等人采用碳纳米管为模板，与SiO粉末在1250℃反应40min制备出了层间距约0.35-0.45nm的多壁碳化硅纳米管。(J.Am.Chem.Soc.，124，14464(2002))。T.Taguchi等人采用碳纳米管为模板，与硅粉末在1200℃反应100小时合成单相碳化硅纳米管(Physica E，28，431(2005))。G.Gautam等以单壁碳纳米管为模板，制备了SiC纳米材料，其中包括C涂层SiC纳米棒、SiC纳米管和SiC纳米微晶等纳米相(J.Mater.Chem.，12，1606(2002))。中国专利(授权公告号：CN100515942C)公开了采用多孔氧化铝作为模板浸入到氢甲基硅油和乙烯基聚硅氧烷的混合溶液中，用酸去除氧化铝模板得到聚硅氧烷纳米管的前躯体，在惰性气体保护下以升温到1000-1700℃，然后恒温0.5-10h，制备出高比表面碳化硅纳米管。NASA Glenn Research Center联合Rensselaer Polytechnic Institute采用化学气相沉积法，分别制备了直径约200nm的SiC纳米竹和纳米管(Adv.Mater.，12，1343(2000))。专利文献CN100424011C公开了一种碳化硅纳米管的化学气相沉积制备方法，该方法选取纯净的石墨片为基板，以铁、钴或镍的金属有机化合物为催化剂，含硫有机化合物为助催化剂，气源化合物为含Si-C键且可气化的低分子有机化合物；气相沉积温度为800-1100℃，沉积时间0.8-1.5h，最后酸洗进行钝化处理可得碳化硅纳米管。专利文献CN 101804981 A公开了一种中空结构碳化硅纳米材料的方法，该方法以酚醛树脂为碳源、水玻璃为硅源，制备成凝胶，在氩气气氛下，将干凝胶升温至1200-1400℃，恒温反应3-20小时，自然冷却至室温，得到初级反应产物；将初级反应产物在空气中氧化，除去未反应的碳，再用混酸洗涤，最后经水洗、过滤、烘干，即可得到碳化硅中空颗粒和纳米管。
目前公布的采用碳纳米管化学转化法、模板法等制备碳化硅纳米管，所制碳化硅纳米管的形状、大小及其分散性取决于碳纳米管的形状、大小及其分散性等因素。此外，该法合成温度高(高于1200℃)，反应过程难于控制，工艺设备复杂，原料碳纳米管的成本高，不易实现大规模生产。
熔盐电解是一种将某些金属的盐类熔融并作为电解质进行电解的方法，主要用于提取和提纯金属。目前国内外的科研工作者采用熔盐电解工艺已经成功的制备出了多种金属、半导体及合金材料如Ti、Nb、Cr、Si、LaNi5及Ti-Ni等。随着熔盐电解工艺的不断发展，现在该方法也可以应用于碳化硅纳米线、颗粒等的制备(无机化学学报，29(12)：2543-2548；CN103184465)。但至今为止还未见任何有关采用熔盐电解法制备SiC纳米管的报道。
发明内容
本发明的目的在于提供一种碳化硅纳米管的电化学制备方法，原材料易得，工艺简单，成本低，易于实现大规模生产，同时降低了制备温度。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种碳化硅纳米管的电化学制备方法，以SiOx/C/催化剂复合多孔电极为阴极，石墨为阳极，置于包含金属化合物熔盐的电解质中，在阴极和阳极之间施加电压，进行电解，在阴极制备得到碳化硅纳米管；其中，SiOx/C/催化剂复合多孔电极中硅原子与碳原子的摩尔比为0.1-2，催化剂与硅的摩尔比为0.01-0.5。
本发明所使用的催化剂可以为镍、铁、钴、铝、铜、镁、锆、钼、钛、铌、金、铬、镧、钨和银中的至少一种；也可以为镍、铁、钴、铝、铜、镁、锆、钼、钛、铌、金、铬、镧、钨和银中的两种或两种以上金属元素形成的合金；也可以为金属化合物M1Y1，其中M1为镍、铁、钴、铝、铜、镁、锆、钼、钛、铌、金、铬、镧、钨和银中的至少一种，Y1为O、S、C和N中的至少一种。
在本发明中SiOx/C/催化剂复合多孔电极是由硅氧化物SiOX、碳前驱体和催化剂的混合物在氩气气氛下烧结成型而成，其中，0＜x≤2。SiOX、碳前驱体和催化剂的混合物是通过将SiOX、碳前驱体和催化剂分散在溶剂中经干燥得到的，其中催化剂的添加方式可以是以粉体的方式，也可以直接溶解在溶剂中。所述硅氧化物SiOX的平均粒径D50小于1μm。
所述SiOx/C/催化剂复合多孔电极的C由碳前驱体分解产生。作为碳前驱体可以选自酚醛树脂、苯酚树脂、糠醛树脂、呋喃树脂、脲醛树脂、ABS树脂、AS树脂、聚乙烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚丙烯、聚苯乙烯、聚胺脂、聚酰亚胺、聚丙烯腈、聚甲基丙烯酸甲酯、丁苯橡胶乳、羧甲基纤维素、聚四氟乙烯、聚二乙烯苯、蔗糖、淀粉、果糖、纤维素、骨胶、煤焦油、沥青、渣油和石油焦中的一种或几种。
本发明所使用的电解质中的金属化合物的分子式为M2Y2，其中M2为Ca、Ba、Li、A1、Cs、Na、K或Sr，Y2为Cl或F。电解质中可以含有一种或多种金属化合物熔盐。
本发明的电解温度为500-1100℃。
本发明的优点在于：
本发明具有工艺简单、制备温度低反应过程容易控制、成本低及易于连续生产等优点。采用本发明制备的碳化硅纳米管的直径约10-100nm，纳米管长约50-1000μm，该材料在高温恶劣环境下的纳米电子器件、增强材料、场发射材料、光催化、隐身材料、电化学储能等领域均具有广阔的应用前景。
附图说明
图1为本发明实施例2得到的碳化硅纳米管的TEM图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
按硅碳镍摩尔比8∶8∶1称取一定质量的纳米二氧化硅、酚醛树脂和氧化亚镍，将酚醛树脂溶解在无水乙醇中，采用超细磨的方法将纳米二氧化硅和氧化亚镍分散在酚醛树脂的无水乙醇溶液中，喷雾干燥，得到SiO2/酚醛树脂/NiO的混合物，通过机械压力在8MPa压制为厚度为4mm，直径为40mm的极片，在氩气气氛下900℃恒温6h，在高温烧结的过程中，NiO被还原，得到SiO2/C/Ni电极，将烧结成型的SiO2/C/Ni电极(二氧化硅/酚醛树脂碳/Ni小片)复合多孔电极与导电阴极集流体复合作为阴极，以石墨棒作为阳极，以熔融CaCl2为电解质，在氩气的环境中，温度为850℃，用稳压器控制电压进行恒压电解，槽电压为2.0V，电解时间为4h，电解完成后将电解产物依次用去离子水浸泡、无水乙醇冲洗，真空干燥，得到产物为直径50-80nm，长约0.1mm的碳化硅纳米管。
实施例2
按硅碳镍摩尔比10∶10∶1称取一定质量的纳米二氧化硅、酚醛树脂和氧化亚镍，将酚醛树脂溶解在无水乙醇中，采用超细磨的方法将纳米二氧化硅和氧化亚镍分散在酚醛树脂的无水乙醇溶液中，喷雾干燥，得到SiO2/酚醛树脂/NiO的混合物，通过机械压力在8MPa压制为厚度为4mm，直径为40mm的极片，在氩气气氛下900℃恒温4h，将烧结成型的SiO2/C/Ni(二氧化硅/酚醛树脂碳/Ni小片)复合多孔电极与导电阴极集流体复合作为阴极，以石墨棒作为阳极，以熔融CaCl2为电解质，在氩气的环境中，温度为850℃，用稳压器控制电压进行恒压电解，槽电压为3.0V，电解时间为6h，电解完成后将电解产物依次用去离子水浸泡、无水乙醇冲洗，真空干燥，得到直径约30-60nm，长约0.5mm的碳化硅纳米管，如图1所示为该碳化硅纳米管的TEM图。
实施例3
按硅碳镍摩尔比15∶15∶1称取一定质量的纳米二氧化硅、酚醛树脂和氧化亚镍，将酚醛树脂溶解在无水乙醇中，采用超细磨的方法将纳米二氧化硅和氧化亚镍分散在酚醛树脂的无水乙醇溶液中，喷雾干燥，得到SiO2/酚醛树脂/NiO的混合物，通过机械压力在8MPa压制为厚度为4mm，直径为40mm的极片，在氩气气氛下900℃恒温4h，将烧结成型的SiO2/C/Ni(二氧化硅/酚醛树脂碳/Ni小片)复合多孔电极与导电阴极集流体复合作为阴极，以石墨棒作为阳极，以熔融CaCl2为电解质，在氩气的环境中，温度为850℃，用稳压器控制电压进行恒压电解，槽电压为3.0V，电解时间为8h，电解完成后将电解产物依次用去离子水浸泡、无水乙醇冲洗，真空干燥，得到直径约20-50nm、长约1-50μm的纳米线和长约50-100μm碳化硅纳米管的混合物。
实施例4
按硅碳镍摩尔比10∶10∶1称取一定质量的纳米二氧化硅、蔗糖和甲酸镍，将蔗糖和甲酸镍溶解在去离子水中，采用超细磨的方法将纳米二氧化硅分散在溶有蔗糖和甲酸镍的溶液中，喷雾干燥，得到SiO2/蔗糖/甲酸镍的混合物，通过机械压力在8MPa压制为厚度为4mm，直径为40mm的极片，在氩气气氛下900℃恒温4h，将烧结成型的SiO2/C/Ni(二氧化硅/蔗糖碳/Ni小片)复合多孔电极与导电阴极集流体复合作为阴极，以石墨棒作为阳极，以熔融CaCl2为电解质，在氩气的环境中，温度为850℃，用稳压器控制电压进行恒压电解，槽电压为3.0V，电解时间为6h，电解完成后将电解产物依次用去离子水浸泡、无水乙醇冲洗，真空干燥，得到产物为直径30-80nm，长约0.1mm的碳化硅纳米管。
实施例5
按硅碳镍摩尔比10∶10∶1称取一定质量的纳米二氧化硅、酚醛树脂和金属镍粉，将酚醛树脂溶解在无水乙醇中，采用超细磨的方法将纳米二氧化硅和金属镍粉分散在酚醛树脂的无水乙醇溶液中，喷雾干燥，得到SiO2/酚醛树脂/Ni的混合物，通过机械压力在8MPa压制为厚度为4mm，直径为40mm的极片，在氩气气氛下900℃恒温4h，将烧结成型的SiO2/C/Ni(二氧化硅/酚醛树脂碳/Ni小片)复合多孔电极与导电阴极集流体复合作为阴极，以石墨棒作为阳极，以熔融CaCl2为电解质，在氩气的环境中，温度为850℃，用稳压器控制电压进行恒压电解，槽电压为3.0V，电解时间为6h，电解完成后将电解产物依次用去离子水浸泡、无水乙醇冲洗，真空干燥，得到产物为直径50-100nm，长约0.1mm的碳化硅纳米管。
实施例6
按硅碳镍摩尔比10∶10∶1称取一定质量的粒径为微米二氧化硅、酚醛树脂和氧化亚镍，将酚醛树脂溶解在无水乙醇中，采用超细磨的方法将纳米二氧化硅和氧化亚镍分散在酚醛树脂的无水乙醇溶液中，喷雾干燥，得到SiO2/酚醛树脂/氧化亚镍的混合物，通过机械压力在8MPa压制为厚度为4mm，直径为40mm的极片，在氩气气氛下900℃恒温4h，将烧结成型的SiO2/C/Ni(二氧化硅/酚醛树脂碳/Ni小片)复合多孔电极与导电阴极集流体复合作为阴极，以石墨棒作为阳极，以熔融CaCl2为电解质，在氩气的环境中，温度为850℃，用稳压器控制电压进行恒压电解，槽电压为3.0V，电解时间为6h，电解完成后将电解产物依次用去离子水浸泡、无水乙醇冲洗，真空干燥，得到直径50-100nm，长约50μm的碳化硅纳米管。
实施例7
按硅碳镍摩尔比10∶10∶1称取一定质量的粒径为微米二氧化硅、蔗糖和氧化亚镍，将蔗糖溶解在去离子水中，采用超细磨的方法将纳米二氧化硅和氧化亚镍分散在蔗糖溶液中，喷雾干燥，得到SiO2/蔗糖/氧化亚镍的混合物，通过机械压力在8MPa压制为厚度为4mm，直径为40mm的极片，在氩气气氛下900℃恒温4h，将烧结成型的SiO2/C/Ni(二氧化硅/蔗糖碳/Ni小片)复合多孔电极与导电阴极集流体复合作为阴极，以石墨棒作为阳极，以熔融CaCl2为电解质，在氩气的环境中，温度为850℃，用稳压器控制电压进行恒压电解，槽电压为3.0V，电解时间为6h，电解完成后将电解产物依次用去离子水浸泡、无水乙醇冲洗，真空干燥，得到直径60-100nm，长50-100μm的碳化硅纳米管。
实施例8
按硅碳铁摩尔比10∶10∶1称取一定质量的粒径为纳米二氧化硅、酚醛树脂和金属铁粉，将酚醛树脂溶解在无水乙醇中，采用超细磨的方法将纳米二氧化硅和金属铁粉分散在酚醛树脂的无水乙醇溶液中，喷雾干燥，得到SiO2/酚醛树脂/铁的混合物，通过机械压力在8MPa压制为厚度为4mm，直径为40mm的极片，在氩气气氛下900℃恒温4h，将烧结成型的SiO2/C/Fe(二氧化硅/酚醛树脂碳/Fe小片)复合多孔电极与导电阴极集流体复合作为阴极，以石墨棒作为阳极，以熔融CaCl2为电解质，在氩气的环境中，温度为850℃，用稳压器控制电压进行恒压电解，槽电压为3.0V，电解时间为6h，电解完成后将电解产物依次用去离子水浸泡、无水乙醇冲洗，真空干燥，得到直径30-100nm，长约100μm的碳化硅纳米管。
实施例9
按硅碳钴摩尔比10∶10∶1称取一定质量的粒径为纳米二氧化硅、酚醛树脂和金属钴粉，将酚醛树脂溶解在无水乙醇中，采用超细磨的方法将纳米二氧化硅和金属钴粉分散在酚醛树脂的无水乙醇溶液中，喷雾干燥，得到SiO2/酚醛树脂/金属钴的混合物，通过机械压力在8MPa压制为厚度为4mm，直径为40mm的极片，在氩气气氛下900℃恒温4h，将烧结成型的SiO2/C/Co(二氧化硅/酚醛树脂碳/Co小片)复合多孔电极与导电阴极集流体复合作为阴极，以石墨棒作为阳极，以熔融CaCl2为电解质，在氩气的环境中，温度为850℃，用稳压器控制电压进行恒压电解，槽电压为3.0V，电解时间为6h，电解完成后将电解产物依次用去离子水浸泡、无水乙醇冲洗，真空干燥，得到直径20-100nm，长50-100μm的碳化硅纳米管。
实施例10
按硅碳铜摩尔比10∶10∶1称取一定质量的粒径为纳米二氧化硅、酚醛树脂和金属铜粉，将酚醛树脂溶解在无水乙醇中，采用超细磨的方法将纳米二氧化硅和金属铜粉分散在酚醛树脂的无水乙醇溶液中，喷雾干燥，得到SiO2/酚醛树脂/金属铜的混合物，通过机械压力在8MPa压制为厚度为4mm，直径为40mm的极片，在氩气气氛下900℃恒温4h，将烧结成型的SiO2/C/Cu(二氧化硅/酚醛树脂碳/Cu小片)复合多孔电极与导电阴极集流体复合作为阴极，以石墨棒作为阳极，以熔融CaCl2为电解质，在氩气的环境中，温度为850℃，用稳压器控制电压进行恒压电解，槽电压为3.0V，电解时间为6h，电解完成后将电解产物依次用去离子水浸泡、无水乙醇冲洗，真空干燥，得到直径60-100nm，长约50μm的碳化硅纳米管。
实施例11
按硅碳氧化亚镍摩尔比10∶10∶1称取一定质量的粒径为纳米一氧化硅、酚醛树脂和氧化亚镍粉，将酚醛树脂溶解在无水乙醇中，采用超细磨的方法将纳米一氧化硅和氧化亚镍分散在酚醛树脂的无水乙醇溶液中，喷雾干燥，得到SiO/酚醛树脂/氧化亚镍的混合物，通过机械压力在8MPa压制为厚度为4mm，直径为40mm的极片，在氩气气氛下900℃恒温4h，将烧结成型的SiO/C/Ni(一氧化硅/酚醛树脂碳/Ni小片)复合多孔电极与导电阴极集流体复合作为阴极，以石墨棒作为阳极，以熔融CaCl2为电解质，在氩气的环境中，温度为850℃，用稳压器控制电压进行恒压电解，槽电压为3.0V，电解时间为6h，电解完成后将电解产物依次用去离子水浸泡、无水乙醇冲洗，真空干燥，得到直径40-100nm，长约60μm的碳化硅纳米管。
Claims (10)
1.一种碳化硅纳米管的电化学制备方法，其特征在于：以SiOx/C/催化剂复合多孔电极为阴极，石墨为阳极，置于包含金属化合物熔盐的电解质中，在阴极和阳极之间施加电压，进行电解，在阴极制备得到碳化硅纳米管；其中，SiOx/C/催化剂复合多孔电极中硅原子与碳原子的摩尔比为0.1-2，催化剂与硅的摩尔比为0.01-0.5。
2.根据权利要求1所述的碳化硅纳米管的电化学制备方法，其特征在于：所述催化剂为镍、铁、钴、铝、铜、镁、锆、钼、钛、铌、金、铬、镧、钨和银中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的碳化硅纳米管的电化学制备方法，其特征在于：所述催化剂为镍、铁、钴、铝、铜、镁、锆、钼、钛、铌、金、铬、镧、钨和银中的两种或两种以上金属元素形成的合金。
4.根据权利要求1所述的碳化硅纳米管的电化学制备方法，其特征在于：所述催化剂为金属化合物M1Y1，其中M1为镍、铁、钴、铝、铜、镁、锆、钼、钛、铌、金、铬、镧、钨和银中的至少一种，Y1为O、S、C和N中的至少一种。
5.根据权利要求1-4中的任一项所述的碳化硅纳米管的电化学制备方法，其特征在于：所述SiOx/C/催化剂复合多孔电极是由硅氧化物SiOX、碳前驱体和催化剂的混合物在氩气气氛下烧结成型而成，其中，0＜x≤2。
6.根据权利要求5所述的碳化硅纳米管的电化学制备方法，其特征在于，所述SiOx/C/催化剂复合多孔电极中的C由碳前驱体分解产生。
7.根据权利要求5所述的碳化硅纳米管的电化学制备方法，其特征在于，所述碳前驱体为酚醛树脂、苯酚树脂、糠醛树脂、呋喃树脂、脲醛树脂、ABS树脂、AS树脂、聚乙烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚丙烯、聚苯乙烯、聚胺脂、聚酰亚胺、聚丙烯腈、聚甲基丙烯酸甲酯、丁苯橡胶乳、羧甲基纤维素、聚四氟乙烯、聚二乙烯苯、蔗糖、淀粉、果糖、纤维素、骨胶、煤焦油、沥青、渣油和石油焦中的一种或几种。
8.根据权利要求1所述的碳化硅纳米管的电化学制备方法，其特征在于，所述金属化合物的分子式为M2Y2，其中M2为Ca、Ba、Li、Al、Cs、Na、K或Sr，Y2为Cl或F。
9.根据权利要求1或8所述的碳化硅纳米管的电化学制备方法，其特征在于，所述电解质中含有一种或多种金属化合物熔盐。
10.根据权利要求1所述的碳化硅纳米管的电化学制备方法，其特征在于，电解温度为500-1100℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410737148.3A CN105714322B (zh) | 2014-12-04 | 2014-12-04 | 一种碳化硅纳米管的电化学制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410737148.3A CN105714322B (zh) | 2014-12-04 | 2014-12-04 | 一种碳化硅纳米管的电化学制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105714322A CN105714322A (zh) | 2016-06-29 |
| CN105714322B true CN105714322B (zh) | 2017-10-10 |
Family
ID=56144219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410737148.3A Active CN105714322B (zh) | 2014-12-04 | 2014-12-04 | 一种碳化硅纳米管的电化学制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105714322B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107119283B (zh) * | 2017-04-12 | 2018-12-07 | 上海大学 | 介孔碳纳米线的电化学制备方法 |
| CN109695048B (zh) * | 2019-02-28 | 2020-08-07 | 武汉大学 | 自支撑碳基体表面原位电化学生长纳米碳化物基电催化膜层的方法及应用 |
| CN110359068B (zh) * | 2019-08-07 | 2021-03-16 | 武汉大学 | 一种基于熔盐电化学法制备碳纳米管包覆金属材料的方法 |
| CN113215591B (zh) * | 2021-04-30 | 2024-05-14 | 武汉大学 | 一种无额外添加诱导剂制备二氧化硅纳米管及硅纳米管的熔盐电化学方法 |
| CN113991082B (zh) * | 2021-10-27 | 2024-04-16 | 昆明理工大学 | 一种硅灰制备锂离子电池硅碳负极材料的方法 |
| CN115196636B (zh) * | 2022-09-15 | 2022-11-22 | 溧阳天目先导电池材料科技有限公司 | 一种金属掺杂的硅基负极材料及其制备方法和应用 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1810639A (zh) * | 2006-02-24 | 2006-08-02 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种碳化硅纳米管的化学气相沉积制备方法 |
| CN101525135A (zh) * | 2009-04-10 | 2009-09-09 | 山东大学 | 一种低温辅助反应诱发合成碳化硅或碳化硅纳米管的方法 |
| CN102864462A (zh) * | 2012-10-22 | 2013-01-09 | 辽宁科技大学 | 一种低温电解制备碳化硅的方法 |
| CN103107315A (zh) * | 2011-11-10 | 2013-05-15 | 北京有色金属研究总院 | 一种纳米硅碳复合材料及其制备方法 |
| CN103103552A (zh) * | 2011-11-15 | 2013-05-15 | 北京有色金属研究总院 | 一种采用熔盐电解制取硅的方法 |
| CN103184465A (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-03 | 北京有色金属研究总院 | 一种纳米碳化硅材料的电化学制备方法 |
| CN104018175A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-09-03 | 上海大学 | 碳化硅纳米线的电化学合成方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011001225A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Japan Atomic Energy Agency | 単結晶炭化ケイ素ナノチューブの製造方法 |
-
2014
- 2014-12-04 CN CN201410737148.3A patent/CN105714322B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1810639A (zh) * | 2006-02-24 | 2006-08-02 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种碳化硅纳米管的化学气相沉积制备方法 |
| CN101525135A (zh) * | 2009-04-10 | 2009-09-09 | 山东大学 | 一种低温辅助反应诱发合成碳化硅或碳化硅纳米管的方法 |
| CN103107315A (zh) * | 2011-11-10 | 2013-05-15 | 北京有色金属研究总院 | 一种纳米硅碳复合材料及其制备方法 |
| CN103103552A (zh) * | 2011-11-15 | 2013-05-15 | 北京有色金属研究总院 | 一种采用熔盐电解制取硅的方法 |
| CN103184465A (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-03 | 北京有色金属研究总院 | 一种纳米碳化硅材料的电化学制备方法 |
| CN102864462A (zh) * | 2012-10-22 | 2013-01-09 | 辽宁科技大学 | 一种低温电解制备碳化硅的方法 |
| CN104018175A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-09-03 | 上海大学 | 碳化硅纳米线的电化学合成方法 |
Non-Patent Citations (8)
| Title |
|---|
| Direct electrosynthesis of Ti5Si3/TiC composites from their oxides/C precursors in molten calcium chloride;Xingli Zou 等;《Electrochemistry Communications》;20120510;第21卷;第9-13页 * |
| Formation of metallic Si and SiC nanoparticles from SiO2 particles by plasma-induced cathodic discharge eletrolysis in chloride melt;M.Tokushige 等;《Eletrochimica Acta》;20120825;第100卷;第300-303页 * |
| Manipulation of phase and microstructure at nanoscale for SiC with molten salt synthesis: An unconventional ionothermal route;Xiaofeng Liu 等;《Chemistry of Materials》;20130425 * |
| Silicon carbide: synthesis and processing;W. Wesch;《Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B》;19961231;第116卷;第305-321页 * |
| Synthesis and Photoluminescence Property of Silicon Carbide Nanowires Via Carbothmic Reduction of Silica;Xiaogang Luo 等;《Nanoscale Res Lett》;20091111;第252-256页 * |
| 一维SiC纳米材料制备技术研究进展;赵春荣 等;《稀有金属》;20140331;第38卷(第2期);第320-327页 * |
| 熔盐电解SiO2/C 直接制备SiC 纳米线;赵春荣 等;《无机化学学报》;20131231;第29卷(第12期);第2543-2548页 * |
| 熔盐电解法制备硅纳米线的过程机理;杨娟玉 等;《无机化学学报》;20101031;第26卷(第10期);第1837-1843页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105714322A (zh) | 2016-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105714322B (zh) | 一种碳化硅纳米管的电化学制备方法 | |
| Wang et al. | Emerging nanostructured carbon-based non-precious metal electrocatalysts for selective electrochemical CO 2 reduction to CO | |
| Ye et al. | Hierarchical carbon nanopapers coupled with ultrathin MoS2 nanosheets: Highly efficient large-area electrodes for hydrogen evolution | |
| Wang et al. | Biomass willow catkin-derived Co 3 O 4/N-doped hollow hierarchical porous carbon microtubes as an effective tri-functional electrocatalyst | |
| Su et al. | Large-scale synthesis and mechanism of β-SiC nanoparticles from rice husks by low-temperature magnesiothermic reduction | |
| Yu et al. | Single-source-precursor synthesis of porous W-containing SiC-based nanocomposites as hydrogen evolution reaction electrocatalysts | |
| Xu et al. | Synthesis, properties and applications of nanoscale nitrides, borides and carbides | |
| Zou et al. | Designed synthesis of SiC nanowire-derived carbon with dual-scale nanostructures for supercapacitor applications | |
| CN106185896B (zh) | 三维石墨烯及其复合材料的制备方法 | |
| CN110368969B (zh) | 一种在碳纸或碳布上负载杂原子掺杂碳化钼析氢催化剂的制备方法及其应用 | |
| Xie et al. | CNT–Ni/SiC hierarchical nanostructures: preparation and their application in electrocatalytic oxidation of methanol | |
| CN107352543A (zh) | 一种碳化钼微纳米粉体的制备方法 | |
| US20220235474A1 (en) | Methods, apparatuses, and electrodes for carbide-to-carbon conversion with nanostructured carbide chemical compounds | |
| CN110304632A (zh) | 片层状MXene材料及其制备方法和储能材料 | |
| CN105772708A (zh) | 一种利用生物质废弃物制备氮掺杂碳纳米管包覆金属颗粒复合材料的方法 | |
| Wu et al. | Generalized Synthesis of Ultrathin Cobalt‐Based Nanosheets from Metallophthalocyanine‐Modulated Self‐Assemblies for Complementary Water Electrolysis | |
| Feng et al. | Nowotny phase Mo3+ 2xSi3C0. 6 dispersed in a porous SiC/C matrix: A novel catalyst for hydrogen evolution reaction | |
| CN103184465B (zh) | 一种纳米碳化硅材料的电化学制备方法 | |
| Lei et al. | Synthesis of porous N-rich carbon/MXene from MXene@ polypyrrole hybrid nanosheets as oxygen reduction reaction electrocatalysts | |
| CN103084194A (zh) | 一种碳化钨/石墨烯纳米复合材料及制备方法 | |
| Sun et al. | Synthesis and potential applications of silicon carbide nanomaterials/nanocomposites | |
| Wang et al. | Silica direct evaporation: a size-controlled approach to SiC/carbon nanosheet composites as Pt catalyst supports for superior methanol electrooxidation | |
| CN110304922A (zh) | 多元导电陶瓷材料的制备方法及其储能材料 | |
| Yousef et al. | One-step synthesis of Co-TiC-carbon composite nanofibers at low temperature | |
| Fu et al. | Fe2O3 and Co bimetallic decorated nitrogen doped graphene nanomaterial for effective electrochemical water split hydrogen evolution reaction |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 100088, 2, Xinjie street, Xicheng District, Beijing Patentee after: China Youyan Technology Group Co.,Ltd. Address before: 100088, 2, Xinjie street, Xicheng District, Beijing Patentee before: Youyan Technology Group Co.,Ltd. Address after: 100088, 2, Xinjie street, Xicheng District, Beijing Patentee after: Youyan Technology Group Co.,Ltd. Address before: 100088, 2, Xinjie street, Xicheng District, Beijing Patentee before: GENERAL Research Institute FOR NONFERROUS METALS |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |