CN105712394A - 一种氧化铟纳米晶及其生长方法 - Google Patents

一种氧化铟纳米晶及其生长方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105712394A
CN105712394A CN201610198143.7A CN201610198143A CN105712394A CN 105712394 A CN105712394 A CN 105712394A CN 201610198143 A CN201610198143 A CN 201610198143A CN 105712394 A CN105712394 A CN 105712394A
Authority
CN
China
Prior art keywords
indium
substrate
indium oxide
raw material
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610198143.7A
Other languages
English (en)
Inventor
沈燕
徐现刚
沈建兴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qilu University of Technology
Original Assignee
Qilu University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qilu University of Technology filed Critical Qilu University of Technology
Priority to CN201610198143.7A priority Critical patent/CN105712394A/zh
Publication of CN105712394A publication Critical patent/CN105712394A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种氧化铟纳米晶及其生长方法，将基板置入蒸发炉腔室中的基板架上，同时将氧化铟原料置入所述腔室中的坩埚中；加热氧化铟原料，使其溶解、并部分挥发分解为金属铟蒸汽，金属铟蒸汽挥发至所述基板处，冷凝形成金属液滴；继续加热所述氧化铟原料挥发出氧化铟蒸汽，使氧化铟蒸汽挥发至金属液滴处，金属液滴作为纳米晶生长的催化剂，不断溶解氧化铟，至过饱和状态，便会在所述金属液滴内析出氧化铟晶核，最终形成一维或准一维柱状氧化铟纳米晶。本实施所提出的氧化铟纳米晶生长方法，以氧化铟原料中分解形成的铟液滴为催化剂生长纳米晶，容易获得大面积纯度高纳米晶；在生长过程中，只用到氧化铟一种原料，工艺过程简单且安全。

Description

一种氧化铟纳米晶及其生长方法
技术领域
本发明涉及一维或准一维纳米晶生长技术领域，特别是涉及一种氧化铟纳米晶及其生长方法。
背景技术
In2O3（Indiumoxide，氧化铟）是一种n型透明半导体材料，具有较宽禁带宽度、低电阻率和高催化活性，在光电领域、气敏、催化剂方面广泛应用。当氧化铟尺寸达到纳米级别时除了具有上述特点外，还具有纳米材料的表面效应、量子效应和量子隧道效应，并可产生奇异的力学、电学、磁学、光学、热学和化学特性，在国防、电子、化工、冶金、航空、医药等领域具有重要应用价值。
现有技术中，纳米级氧化铟常用制备方法为溶胶-凝胶法。其主要制备过程为，用含高化学活性组分的化合物作前躯体，在液相下将这些原料均匀混合，并进行水解、缩合化学反应，在溶液中形成稳定的透明溶胶体系，溶胶经胶粒间缓慢聚合，形成三维空间网络结构的凝胶，凝胶网络间充满了失去流动性的溶剂，形成凝胶。凝胶经过干燥、烧结固化制备出分子乃至纳米亚结构的材料。
但是所述溶胶-凝胶法，所使用的原料价格比较昂贵，有些原料为有机物，对健康有害；同时整个溶胶-凝胶过程所需时间长，凝胶中存在大量微孔，在干燥过程中又将会逸出许多气体及有机物，并产生收缩材料体积变化快，原子分子水平均匀混合很难一致。
发明内容
本发明实施例中提供了一种氧化铟纳米晶及其生长方法，以解决现有技术中的溶胶-凝胶法生长成本高以及所生长的纳米晶纯度低的问题。
为了解决上述技术问题，本发明实施例公开了如下技术方案：
根据本发明的第一方面，提供了一种氧化铟纳米晶生长方法，包括:
将基板置入蒸发炉腔室中的基板架上，所述基板包括硅基板、玻璃基板、氧化铝基板或氧化硅基板；
将氧化铟原料置入所述蒸发炉腔室中的坩埚中；
向所述蒸发炉的腔室中通入预设体积的惰性保护气体、或对所述腔室抽真空使所述腔室内的真空度到预设值；
加热所述氧化铟原料，使所述氧化铟原料溶解、并部分挥发分解为金属铟蒸汽；
所述金属铟蒸汽挥发至所述基板处，冷凝形成金属液滴；
对所述氧化铟原料继续加热，使所述氧化铟原料挥发出氧化铟蒸汽；
所述氧化铟蒸汽挥发至所述金属液滴，并以所述金属液滴为催化剂和生长基点、饱和析出氧化铟纳米晶核。
优选地，所述将基板置入蒸发炉腔室中的基板架上，包括：
在基板上制备低熔点金属薄膜获得催化层基板，所述低熔点金属包括铟、锡、铟合金和/或锡合金；
将所述催化层基板置入蒸发炉腔室中的基板架上。
优选地，所述加热所述氧化铟原料之前还包括，
对所述催化层基板进行加热，使所述催化层基板上的所述金属薄膜融化为金属液滴。
优选地，所述金属薄膜的厚度为1-10nm。
优选地，所述对所述催化层基板进行加热，包括：
对所述催化层基板进行加热至200-300℃。
优选地，所述将基板置入蒸发炉腔室中的基板架上之前，还包括：
对所述基板使用SC-1清洗剂清洗处理、去离子水清洗处理和/或无水乙醇清洗处理。
优选地，所述惰性保护气体包括氮气保护气体或氩气保护气体。
根据本发明的第二方面，提供了一种氧化铟纳米晶，所述纳米晶为通过上述氧化铟纳米晶生长方法所获取的一维或准一维柱状纳米晶，所述纳米晶的柱体顶端覆盖有金属冒层。
优选地，所述金属冒层包括金属铟冒层、金属锡冒层或铟锡合金冒层。
优选地，所述纳米晶的直径为20-50nm。
由以上技术方案可见，本发明实施提供的一种氧化铟纳米晶及其生长方法，将基板置入蒸发炉腔室中的基板架上，同时将氧化铟原料置入所述蒸发炉腔室中的坩埚中；向所述蒸发炉的腔室中通入预设体积的惰性保护气体、或对所述腔室抽真空使所述腔室内的真空度到预设值；加热所述氧化铟原料，使所述氧化铟原料溶解、并部分挥发分解为金属铟蒸汽，所述金属铟蒸汽挥发至所述基板处，冷凝形成金属液滴；对所述氧化铟原料继续加热，使所述氧化铟原料挥发出氧化铟蒸汽，所述氧化铟蒸汽挥发至所述金属液滴，所述金属液滴作为纳米晶生长的催化剂，不断溶解氧化铟，至过饱和状态，便会在所述金属液滴内析出氧化铟晶核，所述氧化铟晶核不断长大，便会形成一维或准一维柱状氧化铟纳米晶，同时因为所述氧化铟纳米晶是以所述金属液滴为催化剂起点不断向外生长的，所以所述氧化铟纳米晶的顶端覆盖有金属冒层。本发明实施提出的VLS（Vaporliquidsolid，气液固）生长氧化铟纳米晶生长方法，以所述氧化铟原料在起初加热过程中分解出的金属铟液滴为催化剂，并对所述氧化铟原料持续加热，以在所述金属铟液滴中溶解气相氧化铟至过饱和析出氧化铟晶核，不断长大最终获得氧化铟纳米晶。氧化铟初始分解金属铟会在基板上凝结很多金属液滴，这些金属液滴都是氧化铟纳米晶生长催化剂，所以该方法容易获得大面积纯度高纳米晶；同时，在整个纳米晶生长过程中，只用到氧化铟一种原料，工艺过程简单且安全。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的氧化铟纳米晶的示意图；
图2为本发明实施例提供的氧化铟纳米晶的扫瞄式电子显微镜示意图；
图3为本发明实施例提供的带有低熔点金属薄膜的催化层基板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的催化层基板上的所述金属薄膜融化为金属液滴的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
如图1所示，为本发明实施例提供的氧化铟纳米晶的示意图。
本实施例提供了一种氧化铟纳米晶的生长方法，所述生长方法包括以下步骤：
首先，将基板1置入蒸发炉腔室中的基板架上，将氧化铟原料置入所述蒸发炉腔室中的坩埚中，其中，所述基板1包括硅基板、玻璃基板、氧化铝基板或氧化硅基板，当然，所述基板1还可以为其它材质的基板，只要不与金属发生反应即可；
然后，向所述蒸发炉的腔室中通入预设体积的惰性保护气体、或对所述腔室抽真空使所述腔室内的真空度到预设值，用于排出所述腔室中的空气。
最后，加热所述氧化铟原料，使所述氧化铟原料溶解、并部分挥发分解为金属铟蒸汽，所述金属铟蒸汽挥发至所述基板处，冷凝形成金属液滴，对所述氧化铟原料继续加热，使所述氧化铟原料挥发出氧化铟蒸汽，所述氧化铟蒸汽挥发至所述金属液滴处，并以所述金属液滴为催化剂和生长基点、饱和析出氧化铟纳米晶核，最终获得一维或准一维柱状纳米晶2，所述纳米晶2的柱体顶端覆盖有金属冒层21。
本发明实施例提出的VLS生长氧化铟纳米晶生长方法，以所述氧化铟原料在起初加热过程中分解出的金属铟液滴为催化剂，并对所述氧化铟原料持续加热，以在所述金属铟液滴中不断溶解氧化铟蒸汽至过饱和而析出氧化铟晶核，晶核不断长大最终获得氧化铟纳米晶，此方法容易获得大面积纯度高纳米晶；同时，在整个纳米晶生长过程中，只用到氧化铟一种原料，工艺过程简单且安全。
进一步的，为了获取在基板上分布更为均匀的纳米晶，如图3所示，本实施例还提供了在所述基板1上制备低熔点金属薄膜3获得催化层基板，其中所述低熔点金属包括铟、锡、铟合金和/或锡合金，并通过对所述催化层基板加热，如图4所示，使所述低熔点金属薄膜3高于熔点形成金属液滴31，并以所述金属液滴31为氧化铟纳米晶生长过程中的催化剂。
本实施例中所述低熔点金属的熔点均不超过300℃，所以获取金属液滴催化剂的制备方法简单。
下面将结合具体的实施例对本发明做进一步的说明。
实施例一
S101：选取硅基板，并对所述硅基板进行清洗处理。
其中，具体的清洗处理过程为，通过SC-1（氨水和双氧水的混合物）清洗试剂超声20min，用于去除所述硅基板表面的金属杂质及有机物污染，用去离子水冲洗处理，最后放入80℃无水乙醇进行脱水清洗处理。
S102：将清洗干净的所述硅基板置于蒸发炉中的基板架上。
S103：将氧化铟原料置入所述蒸发炉腔室中的坩埚中。
为了在纳米晶生长过程中，为使所述坩埚和所述硅基板之间有一定的温差，以达到所述氧化铟原料所挥发出的金属铟蒸汽和氧化铟蒸汽到达所述硅基板后冷凝形成液滴的目的，所述坩埚和所述硅基板之间的距离为5-50cm。
S104：向所述蒸发炉的腔室中通入预设体积的氮气惰性保护气体。
其中，所通入的所述氮气惰性保护气体的体积根据所述腔室的体积氧气占比介于5%至10%之间来确定。
本实施例中，向所述腔室中通入预设体积的氮气惰性保护气体目的是，为了排出所述腔室内的空气，防止所述氧化铟原料所分解出的金属铟被氧化。
S105：加热所述氧化铟原料，使所述氧化铟原料溶解、并部分挥发分解为金属铟蒸汽，所述金属铟蒸汽挥发至所述硅基板处，冷凝形成金属铟液滴。
其中，在本实施例中采用电子束加热所述氧化铟原料。
S106：对所述氧化铟原料继续加热，使所述氧化铟原料挥发出氧化铟蒸汽，所述氧化铟蒸汽挥发至所述金属液滴处，并以所述金属液滴为溶解气相氧化铟的催化剂，当溶解催化剂中气相溶质至过饱和时会析出氧化铟晶核，以晶核为生长基点、不断长大而析出氧化铟纳米晶。
根据设置的生长时间，最终获得需要长度的氧化铟纳米晶，所述纳米晶的柱体顶端覆盖有金属铟冒层。
实施例二
S201：选取硅基板，并对所述硅基板进行清洗处理。
其中，具体的清洗处理过过程为，通过SC-1（氨水和双氧水的混合区）清洗试剂超声20min，用于去除所述硅基板表面的金属杂质及有机物污染，用去离子水冲洗处理，最后放入80℃无水乙醇进行脱水清洗处理，当然并不限于所述清洗处理过程，还可以采用其它的清洗剂以及清洗工艺。
S202：在清洗干净的所述硅基板上沉积金属铟薄层，获得带有催化层的催化层基板。
其中，所述硅基板上沉积金属铟薄层的方法可以采用蒸镀或溅射等方式，所述金属铟薄层的厚度为5-10nm，该厚度金属铟层能保证金属铟热熔化后聚结成铟液滴球，彼此隔断从而为单一纳米晶生长提供保证。，当然并不限于所述数值范围。
S203：将所述催化层硅基板置于蒸发炉中的基板架上。
其中，所述催化层硅基板上的金属铟薄层朝向所述蒸发炉腔室中的坩埚开口方向。
S204：将氧化铟原料置入所述蒸发炉腔室中的坩埚中。
其中，所述坩埚和所述硅基板之间的距离为5cm
S205：向所述蒸发炉的腔室中通入预设体积的氮气惰性保护气体。
其中，向所述腔室中通入预设体积的氮气惰性保护气体目的是，为了排出所述腔室内的空气，防止所述硅基板上的金属铟薄层和所述氧化铟原料所分解出的金属铟被氧化。
S206：对所述催化层基板进行加热，并持续向所述腔室中通氮气惰性保护气体，使所述催化层基板上的金属铟薄膜融化为金属铟液滴。
在本实施例张，采用温控热电偶对所述腔室整体升温加热，达到对所述催化层基板进行加热的目的，其中，加热温度为约200℃，即为金属铟的熔点温度。
S207：加热所述氧化铟原料，使所述氧化铟原料溶解、并部分挥发分解为金属铟蒸汽，所述金属铟蒸汽挥发至所述硅基板处，形成新的金属铟液滴或直接融入步骤S206中的金属铟液滴中。
其中，在本实施例中采用加热丝加热所述氧化铟原料。
S208：对所述氧化铟原料继续加热，使所述氧化铟原料挥发出氧化铟蒸汽，所述氧化铟蒸汽挥发至所述金属液滴处，并以所述金属液滴为为溶解气相氧化铟的催化剂，当催化剂中溶解气相溶质至过饱和时会析出氧化铟晶核，以晶核为生长基点、不断长大而析出氧化铟纳米晶所述纳米晶的柱体顶端覆盖有金属铟冒层。
实施例三
S301：选取玻璃基板，并对所述玻璃基板进行清洗处理。
S302：在清洗干净的所述玻璃基板上沉积金属锡薄层，获得带有催化层的催化层基板。
其中，所述金属锡薄层的厚度为5nm，当然还可以为其它厚度值。
S303：将所述催化层玻璃基板置于蒸发炉中的基板架上。
S304：将氧化铟原料置入所述蒸发炉腔室中的坩埚中。
其中，所述坩埚和所述玻璃基板之间的距离为15cm。
S305：对所述腔室抽真空使所述腔室内的真空度到预设值。
在本实施例中，所述预设值为1×10-4至1×10-3毫托，用于防止所述玻璃基板上的金属锡薄层和所述氧化铟原料所分解出的金属铟被空气中的氧气氧化。
S306：对所述催化层基板进行加热，使所述催化层基板上的金属铟薄膜融化为金属锡液滴。
在本实施例中，采用温控热电偶对所述腔室整体升温加热，达到对所述催化层基板进行加热的目的，其中，加热温度为约300℃，即略高于为金属锡的熔点温度。
S307：加热所述氧化铟原料，使所述氧化铟原料溶解、并部分挥发分解为金属铟蒸汽，所述金属铟蒸汽挥发至所述玻璃基板处，形成新的金属铟液滴或直接融入步骤S306中的金属锡液滴中形成铟锡合金液滴。
S308：对所述氧化铟原料继续加热，使所述氧化铟原料挥发出氧化铟蒸汽，所述氧化铟蒸汽挥发至所述金属铟液滴和所述铟锡合金液滴处，并以所述金属铟液滴和所述铟锡合金液滴为溶解气相氧化铟的催化剂，当催化剂中溶解气相溶质至过饱和时会析出氧化铟晶核，以晶核为生长基点、不断长大析出氧化铟纳米晶所述纳米晶的柱体顶端覆盖有金属铟锡或金属铟冒层。
实施例四
S401：选取氧化铝基板，并对所述氧化铝基板进行清洗处理。
S402：在清洗干净的所述氧化铝基板上沉积铟锡合金薄层，获得带有催化层的催化层基板。
其中，铟锡合金的铟锡比例为20:80，所述铟锡合金薄层的厚度为6nm，当然还可以为其它比例和厚度值。
S403：将所述催化层氧化铝基板置于蒸发炉中的基板架上。
S404：将氧化铟原料置入所述蒸发炉腔室中的坩埚中。
其中，所述坩埚和所述氧化铝基板之间的距离为30cm。
S405：对所述腔室抽真空使所述腔室内的真空度到预设值。
在本实施例中，所述预设值为1×10-4至1×10-3毫托mtorr，用于防止所述氧化铝基板上的铟锡合金和所述氧化铟原料所分解出的金属铟被空气中的氧气氧化。
S406：对所述催化层基板进行加热，使所述催化层基板上的铟锡合金薄层融化为铟锡合金液滴。
其中，对所述基板的加热温度为约250℃，即为铟锡合金的熔点温度。
S407：加热所述氧化铟原料，使所述氧化铟原料溶解、并部分挥发分解为金属铟蒸汽，所述金属铟蒸汽挥发至所述氧化铝基板处，形成新的金属铟液滴或直接融入步骤S406中的铟锡合金液滴中形成铟锡合金液滴。
S408：对所述氧化铟原料继续加热，使所述氧化铟原料挥发出氧化铟蒸汽，所述氧化铟蒸汽挥发至所述金属铟液滴和所述铟锡合金液滴处，并以所述金属铟液滴和所述铟锡合金液滴为溶解气相溶质的催化剂，当液相催化剂中溶解气相溶质过饱和时析出溶质晶核，并以此晶核为生长基点、不断长大析出氧化铟纳米晶所述纳米晶的柱体顶端覆盖有金属铟锡或金属铟冒层。
实施例五
S501：选取氧化硅基板，并对所述氧化硅基板进行清洗处理。
S502：在清洗干净的所述氧化硅基板上沉积金锡合金薄层，获得带有催化层的催化层基板。
其中，金锡合金的金锡比例为70:30，所述金锡合金薄层的厚度为10nm，当然还可以为其它比例和厚度值。
S503：将所述催化层氧化硅基板置于蒸发炉中的基板架上。
S504：将氧化铟原料置入所述蒸发炉腔室中的坩埚中。
其中，所述坩埚和所述氧化硅基板之间的距离为40cm。
S505：对所述腔室抽真空使所述腔室内的真空度到预设值。
在本实施例中，所述预设值为1×10-4至1×10-3毫托mtorr，用于防止所述氧化硅基板上的金锡合金和所述氧化铟原料所分解出的金属铟被空气中的氧气氧化。
S506：对所述催化层基板进行加热，使所述催化层基板上的金锡合金薄层融化为金锡合金液滴。
其中，对所述基板的加热温度为约270℃，即为金锡合金的熔点温度。
S507：加热所述氧化铟原料，使所述氧化铟原料溶解、并部分挥发分解为金属铟蒸汽，所述金属铟蒸汽挥发至所述氧化硅基板处，形成新的金属铟液滴或直接融入步骤S506中的金锡合金液滴中形成金锡合金液滴。
S508：对所述氧化铟原料继续加热，使所述氧化铟原料挥发出氧化铟蒸汽，所述氧化铟蒸汽挥发至所述金属铟液滴和所述金锡合金液滴处，并以所述金属铟液滴和所述金锡合金液滴为溶解气相溶质的催化剂，当液相催化剂中溶解气相溶质至过饱和状态时析出溶质晶核，并以此溶质晶核为生长基点、不断长大析出氧化铟纳米晶最终获得氧化铟纳米晶柱体顶端覆盖有金属金锡或金属铟冒层。
上述实施例中，基板上所生长的金属薄膜层仅是以单一的低熔点金属或合金为例，当然还可以为低熔点金属和低熔点合金的混合物，比如In/Sn/InSn/AuSn薄层。
同时，本发明方法实施例中仅是以氧化铟纳米晶为例进行陈述，需要说明的是，本发明实施所述提供的纳米晶生长方法还可以用于无机有机金属、非金属、氧化物、硅化物和碳化物等纳米晶的生长，其中具体的生长过程在此不再赘述。
需要说明的是，在本文中，诸如术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种氧化铟纳米晶生长方法，其特征在于，包括:
将基板置入蒸发炉腔室中的基板架上，所述基板包括硅基板、玻璃基板、氧化铝基板或氧化硅基板；
将氧化铟原料置入所述蒸发炉腔室中的坩埚中；
向所述蒸发炉的腔室中通入预设体积的惰性保护气体、或对所述腔室抽真空使所述腔室内的真空度到预设值；
加热所述氧化铟原料，使所述氧化铟原料溶解、并部分挥发分解为金属铟蒸汽；
所述金属铟蒸汽挥发至所述基板处，冷凝形成金属液滴；
对所述氧化铟原料继续加热，使所述氧化铟原料挥发出氧化铟蒸汽；
所述氧化铟蒸汽挥发至所述金属液滴处，并以所述金属液滴为催化剂和生长基点、饱和析出氧化铟纳米晶核。
2.根据权利要求1所述的氧化铟纳米晶生长方法，其特征在于，所述将基板置入蒸发炉腔室中的基板架上，包括：
在基板上制备低熔点金属薄膜获得催化层基板，所述低熔点金属包括铟、锡、铟合金和/或锡合金；
将所述催化层基板置入蒸发炉腔室中的基板架上。
3.根据权利要求2所述的氧化铟纳米晶生长方法，其特征在于，所述加热所述氧化铟原料之前还包括，
对所述催化层基板进行加热，使所述催化层基板上的所述金属薄膜融化为金属液滴。
4.根据权利要求2所述的氧化铟纳米晶生长方法，其特征在于，所述金属薄膜的厚度为1-10nm。
5.根据权利要求3所述的氧化铟纳米晶生长方法，其特征在于，所述对所述催化层基板进行加热，包括：
对所述催化层基板进行加热至200-300℃。
6.根据权利要求1所述的氧化铟纳米晶生长方法，其特征在于，所述将基板置入蒸发炉腔室中的基板架上之前，还包括：
对所述基板使用SC-1清洗剂清洗处理、去离子水清洗处理和/或无水乙醇清洗处理。
7.根据权利要求1-6任一所述的氧化铟纳米晶生长方法，其特征在于，所述惰性保护气体包括氮气保护气体或氩气保护气体。
8.一种氧化铟纳米晶，其特征在于，所述纳米晶为通过权利要求1-7中的任一生长方法所获取的一维或准一维柱状纳米晶，所述纳米晶的柱体顶端覆盖有金属冒层。
9.根据权利要求8所述的氧化铟纳米晶，其特征在于，所述金属冒层包括金属铟冒层、金属锡冒层或铟锡合金冒层。
10.根据权利要求8或9所述的氧化铟纳米晶，其特征在于，所述纳米晶的直径为20-50nm。
CN201610198143.7A 2016-04-01 2016-04-01 一种氧化铟纳米晶及其生长方法 Pending CN105712394A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610198143.7A CN105712394A (zh) 2016-04-01 2016-04-01 一种氧化铟纳米晶及其生长方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610198143.7A CN105712394A (zh) 2016-04-01 2016-04-01 一种氧化铟纳米晶及其生长方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105712394A true CN105712394A (zh) 2016-06-29

Family

ID=56159473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610198143.7A Pending CN105712394A (zh) 2016-04-01 2016-04-01 一种氧化铟纳米晶及其生长方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105712394A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107352577A (zh) * 2017-06-28 2017-11-17 齐鲁工业大学 微纳网状结构In2O3/SnO2复合材料及其生长方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104812931A (zh) * 2012-09-04 2015-07-29 马克思-普朗克科学促进协会 制造纳米结构的方法和装置以及互联纳米结构网和纳米结构
CN105177706A (zh) * 2015-08-17 2015-12-23 南京大学 一种制备高质量柔性单晶硅纳米线的方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104812931A (zh) * 2012-09-04 2015-07-29 马克思-普朗克科学促进协会 制造纳米结构的方法和装置以及互联纳米结构网和纳米结构
CN105177706A (zh) * 2015-08-17 2015-12-23 南京大学 一种制备高质量柔性单晶硅纳米线的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
沈燕等: "氧化铟锡纳米晶须的VLS自组装生长研究", 《齐鲁工业大学学报》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107352577A (zh) * 2017-06-28 2017-11-17 齐鲁工业大学 微纳网状结构In2O3/SnO2复合材料及其生长方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Beke A review of the growth of V2O5 films from 1885 to 2010
Du et al. Significant changes in phase-transition hysteresis for Ti-doped VO2 films prepared by polymer-assisted deposition
Chen et al. Bulk-quantity synthesis and self-catalytic VLS growth of SnO2 nanowires by lower-temperature evaporation
Wang et al. Growth of SnO2 nanowires with uniform branched structures
Wang et al. Catalytic growth and photoluminescence properties of semiconductor single-crystal ZnS nanowires
Zhang et al. Synthesis of thin Si whiskers (nanowires) using SiCl4
Xu et al. Large-scale synthesis of rutile SnO2 nanorods
Amadi et al. Nanoscale self-assembly: concepts, applications and challenges
Kam et al. In2O3 nanowires, nanobouquets and nanotrees
Feng et al. Fabrication and characterization of tetrapod-like ZnO nanostructures prepared by catalyst-free thermal evaporation
Wang et al. Growth and photoluminescence of SnO2 nanostructures synthesized by Au–Ag alloying catalyst assisted carbothermal evaporation
Kar et al. Cadmium sulfide one‐dimensional nanostructures: synthesis, characterization and application
JP2008143771A (ja) 酸化物系ナノ構造物の製造方法
Zeng et al. Silicon nanowires grown on a pre-annealed Si substrate
Xu et al. Growth of hexagonal ZnO nanowires and nanowhiskers
Wang et al. Large-scale synthesis of aligned hexagonal ZnO nanorods using chemical vapor deposition
Yuan et al. Formation of ZnS nanostructures by a simple way of thermal evaporation
Zhang et al. Graphite/hydrogen reduction route to Ga2O3 nanobelts
CN105712394A (zh) 一种氧化铟纳米晶及其生长方法
Zhang et al. Yttrium–barium–copper–oxygen nanorods synthesized by laser ablation
CN105543972A (zh) 高纯度高密度MoO2层片状纳米结构的制备方法
Fokina et al. AgI thin films prepared by laser ablation
Ghatak et al. Pulsed laser assisted growth of aligned nanowires of WO 3: role of interface with substrate
Duraia et al. Synthesis, characterization and photoluminescence of tin oxide nanoribbons and nanowires
DE102018100681A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Siliziumcarbid

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20160629