CN105702197A - 像素单元及其驱动方法 - Google Patents

Abstract

一种像素单元及其驱动方法。在像素单元中，存储电容具有第一连接端与第二连接端，第一连接端电性连接开关晶体管与第二控制电路，第二连接端连接驱动晶体管与第一控制电路，有机发光二极管电性连接第一控制电路。数据信号在第一时间段通过扫描信号控制的开关晶体管加载至存储电容，参考电压在第一、二时间段通过第二控制电路加载至第一连接端。驱动晶体管在参考电压与数据信号控制下输出驱动电流，该第一控制电路在第二时间段将该驱动电流传输至有机发光二极管并驱动其发光。

Description

像素单元及其驱动方法

技术领域

本发明涉及一种像素单元，尤其是涉及一种包含有机发光二极管的像素单元及其驱动方法。

背景技术

有机发光二极管（Organiclight-emittingdiodes,OLED）显示器是采用有机化合物作为发光材料而能够发出光线的平面显示器，有机发光二极管显示器具有体积小、重量轻、可视范围广、高对比度度以及高反应速度等优点。

主动矩阵式发光二极管显示器（ActiveMatrixOLED,AMOLED）为新一代平面显示器，相较于被动式有机发光二极管（PMOLED）显示器或者主动矩阵式液晶显示器相比较，主动矩阵式有机发光二极管显示器具有许多优点。

AMOLED显示器是通过一开关晶体管与驱动晶体管搭配电容来储存数据信号，通过驱动晶体管供给有机发光二极管电流发光，并通过电容储存的数据信号控制有机发光二极管的亮度灰阶。该开关晶体管与驱动晶体管通常为薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)。

驱动薄膜晶体管的驱动电流用于驱动像素中该OLED发光。然而，驱动薄膜晶体管由于制程、以及使用环境的温度、湿度等因素的影响下，驱动薄膜晶体管的临界电压无法如理想的保持一致，同时，驱动薄膜晶体管的驱动电压亦由于连接导线长度不同，而使得加载至驱动薄膜晶体管的驱动电压所产生的电压降不同，故在不同像素在输入相同的数据信号时，驱动OLED的驱动电流亦会不同，从而造成有机发光二极管显示器不同像素的OLED的亮度无法达成一致，造成有机发光二极管显示器图像的均一性(ImageUniformity)较差。

发明内容

鉴于以上内容，有必要提供一种具有较佳显示质量的像素单元。

进一步，提供一种驱动前述像素单元的驱动方法。

一种像素单元，包括：扫描线，用于提供扫描信号；数据线，用于提供数据信号，该数据线与该扫描线相互绝缘；开关晶体管，电性连接该扫描线与该数据线，并在第一时间段内且在该扫描信号的控制下传输该数据信号；存储电容，具有第一连接端与第二连接端，该第一连接端电性连接该开关晶体管，用于在第一时间段接收该数据信号；驱动晶体管，电性连接该第二连接端以及一有机发光二极管，用于在第一时间段且在该数据信号与一参考电压控制下启动，并在第二时间段在一驱动电压驱动下提供一驱动电流；第一控制电路，电性连接该第二连接端与该驱动晶体管，用于在该第一时间段内并在该扫描信号控制下使得该驱动晶体管在该数据信号驱动下临界导通，于第二时间段在一第一控制信号的控制下将该驱动电流传输至该有机发光二极管，以驱动该有机发光二极管发光；及第二控制电路，电性连接该第一连接端，用于在该第一时间段以及该第二时间段提供一参考电压至该第一连接端。其中，该第一时间段在第二时间的前且在时间上无交叠。

一种像素单元的驱动方法，该像素单元包括扫描线、数据线、开关晶体管、存储电容、驱动晶体管、第一控制电路以及第二控制电路以及一有机发光二极管，该开关晶体管电性连接该扫描线与该数据线，该存储电容具有第一连接端与第二连接端，该第一连接端电性连接该开关晶体管，该驱动电极体电性连接该第二连接端及该有机发光二极管，该第一控制电路电性连接该扫描线、第二连接端与该驱动晶体管，该第二控制电路电性连接该第一连接端，其中，该驱动方法包括：

在第一时间段，加载扫描信号至该扫描线，该扫描信号控制该开关晶体管导通，并加载数据信号至该数据线，该开关晶体管将该数据信号传输至该存触电容对应的第一连接端；加载驱动电压至该驱动晶体管，该驱动晶体管在该数据信号与驱动电压控制下输出一驱动电流；

在第二时间段，通过该第一控制电路将一参考电压加载至该第一连接端；同时，加载第一控制信号至该第一控制电路，该第一控制电路将该驱动电流传输至该有机发光二极管，该有机发光二极管在该驱动电流的驱动下发光，该第一时间段在第二时间的前且在时间上无交叠。

相较于现有技术，流经有机发光二极管的电流与像素单元加载的数据信号的数据电压与参考电压相关，而不受驱动晶体管的临界电压及其加载的驱动电压的影响。对于一给定的OLED显示器而言，由于参考电压供应电路输出的参考电压为一恒定值，从而能够有效防止多个像素单元的驱动晶体管的临界电压不同，以及避免在像素单元接收的驱动电压无法完全相同的情况下，达成提高像素单元发光亮度的均一性，提高图像的显示质量。

附图说明

图1是本发明一较佳实施例中OLED显示器的平面结构示意图。

图2是本发明一实施例中如图1所示像素单元的电路图。

图3是如2所示像素单元的驱动时序图。

图4是本发明一实施例中一变更实施例中OLED显示器的平面结构示意图。

图5是如4所示像素单元的电路图。

主要元件符号说明

OLED显示器	10、20
		扫描线	G1~Gm
数据线	D1~Dn
		像素单元	100、200
扫描驱动器	120、220
		数据驱动器	130、230
第一控制信号产生电路	140、240
		第二控制信号产生电路	150、250
第一参考电压供应电路	160、260
		驱动电压供应电路	170、270
第二参考电压供应电路	280
		开关晶体管	101、201
存储电容	102、202
		驱动晶体管	103、203
第一控制电路	104、204
		第二控制电路	105、205
参考电路	105a、205a
		参考电阻	R1
放电电路	105b、205b
		有机发光二极管	OLED
阳极端	Ea
		阴极端	Ec
接地端	GND
		第一晶体管	M1
第二晶体管	M2
		第三晶体管	M3
第一连接端	A
		第二连接端	B
扫描信号	Gs
		数据信号	Ds
第一控制信号	S1
		第二控制信号	S2
第一参考电压	Vr1
		第二参考电压	Vr2
驱动电压	Vd
		放电模式	Ma
数据加载模式	Mb
		发光模式	Mc
驱动电流	Id
		流经有机发光二极管的电流	Ie

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

以下通过具体实施例配合附图进行详细说明。

请参阅图1，其为本发明一较佳实施例中OLED显示器10的平面结构示意图，该OLDE显示器1包括多个相互平行且绝缘的扫描线G1~Gm、多个相互平行且绝缘的数据线D1~Dn，多个平行于该扫描线且与的绝缘的电源线(未标示)，其中，该多个扫描线G1~Gm、该多个数据线D1~Dn以及电源线垂直绝缘相交，并定义多个像素单元100。该OLED显示器还包括有扫描驱动器120、数据驱动器130、第一控制信号产生电路140、第二控制信号产生电路150、第一参考电压供应电路160以及驱动电压供应电路170。

该扫描驱动器120电性连接该多个扫描线G1~Gm，用于提供扫描信号Gs至该像素单元100并且选择对应的像素单元100。该数据驱动器130电性连接该多个数据线D1~Dn，用于提供待显示的数据信号Ds至被扫描信号Gs选择的像素单元100，其中，m、n均为大于1的正整数。第一控制信号产生电路140电性连接每一像素单元100，用于为像素单元100提供一第一控制信号S1。第二控制信号产生电路150电性连接每一像素单元100，用于为像素单元100提供一第二控制信号S2。第一参考电压供应电路160通过该电源线(图未示)与每一像素单元100电性连接，用于为像素单元100提供第一参考电压Vr1，驱动电压供应电路170亦通过电源线与像素单元100电性连接，用于为像素单元100提供驱动电压Vd。其中，第一参考电压Vr1的电压值小于驱动电压Vd的电压值。

请参阅图2，其为如图1所示像素单元100的电路结构图，像素单元100具有补偿临界电压与补偿驱动电压Vd的电压的功效，即使得像素单元100流过发光元件的电流，例如流过有机发光二极管OLED，与驱动元件的临界电压和驱动电压无关。

具体地，该像素单元100包括开关晶体管101、存储电容102、驱动晶体管103、第一控制电路104、第二控制电路105以及有机发光二极管OLED。

有机发光二极管OLED为采用有机化合物作为发光材料而能够发出光线的可控二极管元件。有机发光二极管OLED包括阳极端Ea与阴极端Ec，阳极端Ea电性连接该驱动晶体管103以及该第一控制电路104，阴极端Ec连接于接地端GND。有机发光二极管OLED在驱动晶体管103与第一控制电路104的控制下发光，从而显示对应的数据信号Ds。

开关晶体管101电性连接该扫描线Gi与该数据线Dj，并在该扫描线Gi提供的扫描信号Gs的控制下导通，从而将自该数据线Dj接收的数据信号Ds传输至该存储电容102。需要说明的是，i、j均为自然数，且1≤i≤m，1≤j≤n。开关晶体管101的作为控制电极的栅极电性连接扫描线Gi，作为传输电极的源极电性连接该数据线Dj，作为传输电极的漏极电性连接该存储电容102。

存储电容102具有第一连接端A与第二连接端B，该第一连接端A电性连接该开关晶体管101的漏极以及第二控制电路105，用于接收该数据信号Ds或者经该第二控制电路105对第一参考电压Vr1转换后的参考电压Vr，该第二连接端B电性连接该驱动晶体管103以及第一控制电路104。存储电容102用于对该数据信号Ds以及参考电压Vr进行存储。

驱动晶体管103电性连接该第二连接端B、驱动电压供应电路170以及第一控制电路104，用于在该数据信号Ds和参考电压Vr控制下，以及驱动电压Vd的驱动下提供一驱动电流Id。具体地，驱动晶体管103的作为控制电极的栅极电性连接第二连接端B，作为传输电极的源极通过电源线电性连接该驱动电压供应电路170，用于自驱动电压供应电路170接收驱动电压Vd，作为传输电极的漏极电性连接第一控制电路104。

第一控制电路104电性连接该扫描线Gi、第一控制信号产生电路140、第二连接端B与该有机发光二极管OLED，于一定时间段内在该扫描信号Gs控制下，使得驱动晶体管103的栅极与漏极电性导通或者断开，并于另一时间段内在第一控制信号S1的控制下将该驱动电流Id传输至有机发光二极管OLED，从而驱动有机发光二极管OLED发光。

更为具体地，第一控制电路104包括第一晶体管M1与第二晶体管M2。第一晶体管M1的作为控制电极的栅极电性连接该扫描线Gi，用于接收该扫描信号Gs。第一晶体管M1的作为传输电极的源极电性连接该第二连接端B；第一晶体管M1的作为传输电极的漏极电性连接该驱动晶体管103的漏极。当该扫描信号Gs使得该第一晶体管M1处于导通状态时，该驱动晶体管103的栅极与漏极电性连接，则驱动晶体管103成为一二极管连接(diode-connected)的晶体管；当该扫描信号Gs使得第一晶体管M1处于截止状态时，驱动晶体管103的栅极与漏极电性断开。

第二晶体管M2的作为控制电极的栅极电性连接该第一控制信号产生电路140，用于接收该第一控制信号S1。第二晶体管M2的作为传输电极的源极电性连接该驱动晶体管103的漏极；第二晶体管M2的作为传输电极的漏极电性连接该有机发光二极管OLED。当该第一控制信号S1使得该第二晶体管M2处于导通状态时，该驱动晶体管103的漏极与有机发光二极管OLED电性连接，从而将驱动电路Is提供给有机发光二极管OLED。

第二控制电路105电性连接该第一连接端A、第二连接端B、第二控制信号产生电路150以及第一参考电压供应电路160，用于对接收的第一参考电压Vr1转换为参考电压Vr(图未示)，并且将该参考电压Vr提供至第一连接端A。另外，第二控制电路105还在第二控制信号S2的控制下，为存储电容102提供一放电通路。

更为具体地，第二控制电路105包括参考电路105a与放电电路150b，参考电路105a用于对该第一参考电压Vr1进行转换，并为第一连接端A提供参考电压Vr，放电电路105b为存储电容102提供一放电通路。

本实施例中，参考电路105a为一参考电阻R1，参考电阻R1一端电性连接该第一参考电压供应电路160，另一端电性连接该第一连接端A。其中，该参考电阻R1的电阻值远大于开关晶体管101的导通电阻(Ron)，其中，开关晶体管101的导通电阻(Ron)约为100kΩ。优选地，该参考电阻R1的电阻值大于100MΩ。另外，参考电阻R1可采用低参杂蚀刻(LDDdoping)工艺制程，以减小设置(layout)空间。

放电电路105b为一第三晶体管M3，第三晶体管M3的作为控制电极的栅极电性连接该第二控制信号产生电路150，接收该第二控制信号S2。第三晶体管M3的作为传输电极的源极电性连接该第一连接端A，作为传输电极的漏极电性连接第二连接端B。当该第二控制信号S2使得该第三晶体管M3在一时间段内处于导通状态时，该第三晶体管M3在该第一连接端A与该第二连接端之间形成一导电通路，从而使存储电容102内存储的电荷自该导电通路进行释放。

本实施例中，该开关晶体管101、驱动晶体管103、第一晶体管M1、第二晶体管M2以及第三晶体管M3均为P型金属氧化物半导体(P-ChannelMetalOxideSemiconductor,PMOS)，对应地，该P型晶体管在接收到低电位的控制信号时导通。

请参阅图3，其为图2所示像素单元100的驱动时序图。现结合图2与图3，具体说明像素单元100其中一工作周期的工作过程。本实施例以由扫描线Gi与数据线Dj定义的像素单元100为例进行说明。

在t1时刻，像素单元100加载第一控制信号S1、第二控制信号S2以及参考电压Vr，其中，第一控制信号S1维持在高电位，第二控制信号S2自高电位(1)拉至低电位(0)，像素单元100开始处于放电模式Ma。在放电模式Ma中，参考电压Vr提供的第一连接端A。第二控制电路105的第三晶体管M3在低电位的第二控制信号S2控制下处于导通状态，由此第一连接端A与第二连接端B导通，参考电压Vr亦传输至第二连接端B。由此，存储电容102通过第一连接端A、第一晶体管M1以及第二连接端B形成的导电通路进行放电，即存储电容102内存储的电荷则通过该导电通路释放掉，该电荷的释放能够保证数据信号Ds准确地存储在存储电容102中，进而准确控制像素单元100的发光亮度。

在t2时刻，第二控制信号S2自低电位拉至高电位，第三晶体管M3处于截止状态，第一连接端A与第二连接端B电性断开，存储电容102放电结束，像素单元100退出放电模式Ma。可见，像素单元100在t1至t2时间段作为放电时间段内处于放电模式Ma。

接续存储电容102放电结束以后，亦即像素单元100退出放电模式Ma的后，在t3时刻，像素单元100通过扫描线Gi加载扫描信号Gs，以及通过数据线Dj加载数据信号Ds，同时加载高电位的第一控制信号S1以及高电位的第二控制信号S2，像素单元100进入数据加载模式Mb。

此时，扫描信号Gs处于低电位，开关晶体管101导通，数据信号Ds通过该开关晶体管101传输至存储电容102对应的第一连接端A，由于参考电阻R1远大于开关晶体管101的导通电阻，故第一参考电压Vr1通过参考电阻R1加载于第一连接端A的参考电压Vr则远小于数据信号Ds通过开关晶体管101加载于第一连接端的电压Vds，由此，参考电压Vr相较于数据信号Ds的电压值Vds可以忽略不计，则第一连接端A的电压Va等于数据信号Ds的电压值Vds。第一晶体管M1在扫描信号的控制下处于导通状态，由此，第二连接端B的电压Vb为驱动电压Vd与驱动晶体管103的临界电压Vth的差值(Vr-Vth)。可见，存储电容102两端的电压差为(Vds-(Vd-Vth))。

需要说明的是，数据信号Ds的电压值为Vds，驱动晶体管103的临界电压Vth是驱动晶体管103自截止状态变化为导通状态的临界开启电压。另外，本说明书所载明的“远小于”以及“远大于”是指相比较的两个值之间相差10³数量级以上。

在t4时刻，扫描信号Gs自低电位拉至高电位，开关晶体管101由导通状态变为截止状态，数据信号Ds停止加载该开关晶体管101中，数据信号Ds加载结束，像素单元100退出数据加载模式Mb。

在t5时刻，像素单元100加载第一控制信号S1以及第二控制信号S2，其中，第一控制信号S1自高电位拉至低电位，而第二控制信号S2维持在高电位，像素单元100进入发光模式Mc。

在发光模式Mc中，存储电容102对应的第一连接端A加载参考电压Vr，第一连接端A的电压Va等于参考电压Vr。由于存储电容102的二电极的电压无法瞬间改变，则存储电容102对应的第二连接端B的电压Vb为(Vr-(Vds-(Vd-Vth)))，亦即第二连接端B的电压Vb为(Vr-Vds+Vd-Vth)。驱动晶体管103在第二连接端B的电压Vb控制下导通，并在其源极接收的驱动电压Vd驱动下输出驱动电流Id。第一控制电路104的第一晶体管M1在高电位的扫描信号Gs控制下处于截止状态，而第二晶体管M2在低电位的第一控制信号S1控制下处于导通状态，由此，驱动电流Id通过第二晶体管M2传输至有机发光二极管OLED，从而驱动该有机发光二极管OLED。

由于流经有机发光二极管OLED的电流Ie是正比于(Vsg-Vth)²，而Vsg是驱动晶体管103的源极与栅极加载的电压差，亦即驱动晶体管103的源极加载的驱动电压Vd与第二连接端B的电压Vb的差值，则Vsg为(Vd-(Vr-Vds+Vd-Vth))，亦为(Vr-Vds+Vth)，故流经有机发光二极管OLED的电流Ie正比于(Vds-Vr)²，即流经有机发光二极管OLED的电流Ie正比于数据信号的电压Vds与参考电压Vr差值的平方值。

接续该发光模式Mc，像素单元100进入下一个工作周期中的放电模式Ma，以此类推，本实施例不再赘述。其他像素单元100的驱动方式与此相同。

相较于现有技术，流经有机发光二极管OLED的电流Ie与像素单元100加载的数据信号Ds的数据电压Vds与参考电压Vr相关，而不受驱动晶体管103的临界电压Vth及其加载的驱动电压Vd的影响。对于一给定的OLED显示器而言，由于第一参考电压供应电路260输出的参考电压Vr为一恒定值，从而能够有效防止多个像素单元100的驱动晶体管的临界电压不同，以及避免在像素单元100接收的驱动电压Vd无法完全相同的情况下，达成提高像素单元100发光亮度的均一性，提高图像的显示质量。

请参阅图4-5，其中，图4为本发明一变更实施例中OLED显示器20的平面结构示意图，图5为图4所示像素单元200的电路图，OLED显示器20与OLED显示器10结构相类似，包括多个相互平行且绝缘的扫描线G1~Gm、多个相互平行且绝缘的数据线D1~Dn，多个平行于该扫描线且与的绝缘的电源线(未标示)，其中，该多个扫描线G1~Gm、该多个数据线D1~Dn以及电源线垂直绝缘相交，并定义多个像素单元200。该OLED显示器20还包括有扫描驱动器220、数据驱动器230、第一控制信号产生电路240、第二控制信号产生电路250、第一参考电压供应电路260以及驱动电压供应电路270，区别在于OLED显示器20还包括第二参考电压供应电路280，第二参考电压供应电路280电性连接每一像素单元200，用于为像素单元200提供第二参考电压Vr2。

像素单元200与本发明较佳实施例的像素单元100包括的元件相同，区别在于放电电路205b的连接方式。具体地，放电电路205b第三晶体管M3的作为传输电极的源极电性连接一第二参考电压供应电路280，用于接收第二参考电压Vr2，其中，第二参考电压Vr2小于第一参考电压Vr1。由此，在像素单元200工作在放电模式Ma时，该第二控制信号S2使得该第三晶体管M3在一时间段内处于导通状态，该第三晶体管M3为存储电容202提供一导电通路，从而使存储电容202内存储的电荷自该导电通路进行释放。另外，像素单元200的在数据加载模式Mb以及发光模式Mc的驱动方式与像素单元100对应的模式中控制信号的波型以及驱动方式均相同，本实施例不再赘述。

当然，本发明并不局限于上述公开的实施例，本发明还可以是对上述实施例进行各种变更。本技术领域人员可以理解，只要在本发明的实质精神范围的内，对以上实施例所作的适当改变和变化都落在本发明要求保护的范围的内。

Claims (19)

1.一种像素单元，其特征在于，包括：

扫描线，用于提供扫描信号；

数据线，用于提供数据信号，该数据线与该扫描线相互绝缘；

开关晶体管，电性连接该扫描线与该数据线，并在第一时间段内且在该扫描信号的控制下传输该数据信号；

存储电容，具有第一连接端与第二连接端，该第一连接端电性连接该开关晶体管，用于在第一时间段接收该数据信号；

驱动晶体管，电性连接该第二连接端以及一第一控制电路，用于在第一时间段且在该数据信号与一参考电压控制下启动，并在第二时间段在一驱动电压驱动下提供一驱动电流；

第一控制电路，电性连接该第二连接端与该驱动晶体管，用于在该第一时间段内并在该扫描信号控制下使得该驱动晶体管在该数据信号驱动下临界导通，于第二时间段在一第一控制信号的控制下将该驱动电流传输至该有机发光二极管，以驱动该有机发光二极管发光；及

第二控制电路，电性连接该第一连接端，用于在该第一时间段以及该第二时间段提供一参考电压至该第一连接端；

该第一时间段在第二时间的前且在时间上无交叠。

2.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，该参考电压小于该数据信号的电压值103数量级以上。

3.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，该第二控制电路包括一参考电路，该参考电路包括一参考电阻，该参考电阻一端接收第一参考电压，另一端电性连接该第一连接端，该第一参考电压通过该参考电阻将该参考电压加载于该第一连接端，且该参考电阻的电阻值远小于该开关晶体管的导通电阻值。

4.如权利要求3所述的像素单元，其特征在于，该第一控制电路包括第一晶体管，该第一晶体管作为控制电极的栅极接收该扫描信号，做为传输电极的源极电性连接该第二连接端，做为传输电极的漏极电性连接该驱动晶体管，该第一晶体管在第一时间段在该扫描信号控制下处于导通状态，在第二时间段内在该扫描信号控制下处于截止状态。

5.如权利要求4所述的像素单元，其特征在于，该第一控制电路还包括第二晶体管，该第二晶体管作为控制电极的栅极接收该第一控制信号，做为传输电极的源极电性连接该驱动晶体管，做为传输电极的漏极电性连接该有机发光二极管，该第二晶体管于第一时间段内且在该第一控制信号控制下处于截止状态，在第二时间段内在该第一控制信号控制下处于导通状态，以将该驱动电流传输至该有机发光二极管。

6.如权利要求5所述的像素单元，其特征在于，该第二控制电路还包括第三晶体管，该第三晶体管作为控制电极的栅极接收一第二控制信号，做为传输电极的源极电性连接该第一连接端，作为传输电极的漏极电性连接该第二连接端，该第三晶体管于一放电时间段内在该第二控制信号控制下处于导通状态，为该存储电容提供一放电通路，该存储电容的电荷自该放电通路释放，该放电时间段在该第一时间段的前，且该放电时间段与该第一时间段在时间上无交叠，该第三晶体管在其他时间段内均处于截止状态。

7.如权利要求5所述的像素单元，其特征在于，该第二控制电路还包括第三晶体管，该第三晶体管作为控制电极的栅极接收一第二控制信号，做为传输电极的源极接收第二参考电压，作为传输电极的漏极电性连接该第二连接端，该第三晶体管于一放电时间段内在该第二控制信号控制下处于导通状态，为该存储电容提供一放电通路，该存储电容的电荷自该放电通路释放，该放电时间段在该第一时间段的前，且该放电时间段与该第一时间段在时间上无交叠，该第三晶体管在其他时间段内均处于截止状态。

8.如权利要求6或者7所述的像素单元，其特征在于，该开关晶体管、该驱动晶体管、该第一晶体管、该第二晶体管以及该第三晶体管均为P型晶体管。

9.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，该流过该有机发光二极管的电流正比于该数据信号的电压值和该参考电压的差值的平方。

10.一种像素单元的驱动方法，该像素单元包括扫描线、数据线、开关晶体管、存储电容、驱动晶体管、第一控制电路以及第二控制电路以及一有机发光二极管，该开关晶体管电性连接该扫描线与该数据线，该存储电容具有第一连接端与第二连接端，该第一连接端电性连接该开关晶体管，该驱动电极体电性连接该第二连接端及该有机发光二极管，该第一控制电路电性连接该扫描线、第二连接端与该驱动晶体管，该第二控制电路电性连接该第一连接端，其特征在于，该驱动方法包括：

在第一时间段，加载扫描信号至该扫描线，该扫描信号控制该开关晶体管导通，并加载数据信号至该数据线，该开关晶体管将该数据信号传输至该存触电容对应的第一连接端；加载驱动电压至该驱动晶体管，该驱动晶体管在该数据信号与驱动电压控制下输出一驱动电流；

在第二时间段，通过该第一控制电路将一参考电压加载至该第一连接端；同时，加载第一控制信号至该第一控制电路，该第一控制电路将该驱动电流传输至该有机发光二极管，该有机发光二极管在该驱动电流的驱动下发光，该第一时间段在第二时间的前且在时间上无交叠。

11.如权利要求10所述的像素单元的驱动方法，其特征在于，在该第一时间段内与该第二时间段内，该第一控制电路将接收的第一参考电压转换为该参考电压，并将该参考电压加载的该第一连接端。

12.如权利要求11所述的像素单元的驱动方法，其特征在于，该参考电压小于该数据信号的电压值10³数量级以上。

13.如权利要求10所述的像素单元的驱动方法，其特征在于，在一放电时间段，加载第二控制信号至该第二控制电路，该第二控制电路为该存储电容提供一放电通路，该存储电容的电荷自该放电通路释放，该放电时间段在该第一时间段的前，且该放电时间段与该第一时间段在时间上无交叠。

14.如权利要求10所述的像素单元的驱动方法，其特征在于，该第二控制电路包括一参考电路，该参考电路包括一参考电阻，该参考电阻一端接收该第一参考电压，另一端电性连接该第一连接端，该第一参考电压通过该参考电阻将该参考电压加载于该第一连接端，且该参考电阻的电阻值远小于该开关晶体管的导通电阻值。

15.如权利要求10所述的像素单元的驱动方法，其特征在于，该第一控制电路包括第一晶体管与第二晶体管，该第一晶体管作为控制电极的栅极接收该扫描信号，做为传输电极的源极电性连接该第二连接端，做为传输电极的漏极电性连接该驱动晶体管，该第一晶体管在第一时间段在该扫描信号控制下处于导通状态，在第二时间段内在该扫描信号控制下处于截止状态，该第二晶体管作为控制电极的栅极接收该第一控制信号，做为传输电极的源极电性连接该驱动晶体管，做为传输电极的漏极电性连接该有机发光二极管，该第二晶体管于第一时间段内且在该第一控制信号控制下处于截止状态，在第二时间段内在该第一控制信号控制下处于导通状态，以将该驱动电流传输至该有机发光二极管。

16.如权利要求15所述的像素单元的驱动方法，其特征在于，该第二控制电路还包括第三晶体管，该第三晶体管作为控制电极的栅极接收一第二控制信号，做为传输电极的源极电性连接该第一连接端，作为传输电极的漏极电性连接该第二连接端，该第三晶体管于该放电时间段内在该第二控制信号控制下处于导通状态，为该存储电容提供一放电通路，该存储电容的电荷自该放电通路释放，该放电时间段在该第一时间段的前，且该放电时间段与该第一时间段在时间上无交叠，该第三晶体管在其他时间段内均处于截止状态。

17.如权利要求15所述的像素单元的驱动方法，其特征在于，该第二控制电路还包括第三晶体管，该第三晶体管作为控制电极的栅极接收一第二控制信号，做为传输电极的源极接收第二参考电压，作为传输电极的漏极电性连接该第二连接端，该第三晶体管于一放电时间段内在该第二控制信号控制下处于导通状态，为该存储电容提供一放电通路，该存储电容的电荷自该放电通路释放，该放电时间段在该第一时间段的前，且该放电时间段与该第一时间段在时间上无交叠，该第三晶体管在其他时间段内均处于截止状态。

18.如权利要求16或者17所述的像素单元的驱动方法，其特征在于，该开关晶体管、该驱动晶体管、该第一晶体管、该第二晶体管以及该第三晶体管均为P型晶体管。

19.如权利要求10所述的像素单元的驱动方法，其特征在于，该流过该有机发光二极管的电流正比于该数据信号的电压值和该参考电压的差值的平方。