CN105679860A - 一种太阳能电池结构 - Google Patents
一种太阳能电池结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105679860A CN105679860A CN201610032308.3A CN201610032308A CN105679860A CN 105679860 A CN105679860 A CN 105679860A CN 201610032308 A CN201610032308 A CN 201610032308A CN 105679860 A CN105679860 A CN 105679860A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- basic unit
- solar battery
- battery structure
- base layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 98
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
- GHBXKGCPYWBGLB-UHFFFAOYSA-H [Al+3].[In+3].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O Chemical compound [Al+3].[In+3].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O GHBXKGCPYWBGLB-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000001142 back Anatomy 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 241001132374 Asta Species 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N copper sulfanylidenetin zinc Chemical compound [Sn]=S.[Zn].[Cu] WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种太阳能电池结构，包括：在衬底上依次形成的背电极、缓冲层、背景层、反射层、基层、发射层、窗口层、减反层、接触层和栅线电极；其中，所述基层包括第一基层和第二基层，所述第二基层位于所述第一基层之上，所述第二基层的形状为多个并排的三角柱形状凸起。通过采用本发明所提供的太阳能电池结构，将基层设置成三角柱形状，这样既降低了基层的厚度，又可以使电池厚度减小、重量减轻，还提高了光吸收长度，增大了光的利用率而增加了外量子效率，同时减少了载流子的复合，增加了太阳能电池的内量子效率，提高了太阳能电池的转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池发电技术领域，特别涉及一种太阳能电池结构。
背景技术
现有的太阳能电池的种类包括：单晶硅、多晶硅、非晶硅、Ⅲ-Ⅴ族化合物、Ⅱ-Ⅵ族化合物、铜铟镓硒、铜锌锡硫、染料敏化、有机等太阳能电池。这些太阳能电池大部分是分层平面堆叠的，从衬底开始，每一层都是平整的生长或者蒸镀到另一层上，除了栅线电极和陷光设计，基本上没有不平整的设计。其中每一层都是长方体组成，电池比较厚同时比较重，并且太阳光在工作区域激发所产生的载流子在运动到背电极和栅线电极的时候会发生复合，电池效率不高。
目前针对太阳能效率的提高主要是两个大方向：光学设计和新概念开发两个方向，光学设计包括：聚光技术，叠层技术，陷光技术、被反射技术、分光技术等等。新概念开发包括：紫光区利用、量子效率大于1、热载流子应用、红外能量的应用、高失配合金、表面等离子极元等。光学设计更加注重的是对光在几何分布的利用，尤其是光的粒子性的应用。很少有通过光学设计加强对载流子的运输和吸收的改进。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是如何提高太阳能电池的转换效率。
为此目的，本发明提出了一种太阳能电池结构，包括：在衬底上依次形成的背电极、缓冲层、背景层、反射层、基层、发射层、窗口层、减反层、接触层和栅线电极；其中，所述基层包括第一基层和第二基层，所述第二基层位于所述第一基层之上，所述第二基层的形状为多个并排的三角柱形状凸起。
其中优选的，所述接触层和所述栅线电极位于所述减反层之上的所述三角柱形状凸起之间的凹陷处。
其中优选的，所述接触层和所述栅线电极位于间隔预设距离的所述凹陷处。
其中优选的，所述背景层由P型砷化镓构成。
其中优选的，所述反射层是分布式布拉格光栅或者单层反射膜。
其中优选的，所述基层是由P型砷化镓构成。
其中优选的，所述发射层是由N型砷化镓构成。
其中优选的，所处窗口层是由磷化铝铟构成。
其中优选的，所述接触层是由N型砷化镓构成。
通过采用本发明所提供的太阳能电池结构，将基层设置成三角柱形状，这样既降低了基层的厚度，又可以使电池厚度减小、重量减轻，还提高了光吸收长度，增大了光的利用率而增加了外量子效率，同时减少了载流子的复合，增加了太阳能电池的内量子效率，提高了太阳能电池的转换效率。
附图说明
通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：
图1示出了本发明太阳能电池结构的截面示意图；
图2-5示出了本发明通过基层结构提高太阳能电池转换效率的原理示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的实施例进行详细描述。
如图1所示，本发明提供了一种太阳能电池结构，包括：在衬底1上依次形成的背电极2、缓冲层3、背景层4、反射层5、基层6、发射层7、窗口层8、减反层9、接触层10和栅线电极11；其中，所述基层6包括第一基层和第二基层，所述第二基层位于所述第一基层之上，所述第二基层的形状为多个并排的三角柱形状凸起。其中较优的，所述接触层10和所述栅线电极11位于所述减反层9之上的所述三角柱形状凸起之间的凹陷处。其中较优的，所述接触层10和所述栅线电极11位于间隔预设距离的所述凹陷处。
具体的，最下层为衬底1，衬底1上有背电极层2，在背电极层2上是缓冲层3，缓冲层3上为背景层4，背景层4上是反射层5，反射层5上是一层薄的第一基层，薄的第一基层上是三角柱形的第二基层，第一基层和第二基层一起构成基层6，基层6外部是发射层7，发射层7外部是窗口层8，窗口层8上有减反层9，每隔一段距离的三角柱的凹陷处上有一层接触层10，接触层10上面是栅线电极11。使用三角柱形状的基层6作为吸收层既可以降低基层6厚度还能保持电池所需要的吸收长度，并且在入射面上被反射的光和出射面上折射出的光可以被周围的吸收体继续吸收，加大了光的利用率而增加了外量子效率，并且大量光线入射的地方更靠近背电极2，减少了载流子被析出所扩散的距离，减少了载流子的复合，并且提高了太阳能电池的内量子效率。
本发明提供的太阳能电池结构，最下面是衬底1，一般由玻璃或者硅晶体组成，在衬底1上方镀上一层材料可以为铝或者鉬等导电材料构成背电极2，在背电极2的上方是由若干层组成的缓冲层3，一般如果是III-Ⅴ族化合物太阳能电池的话可能由不同掺杂浓度的GaAs/AlAs(砷化镓/砷化铝)层或者GaAs(砷化镓)层构成，目的是可以加宽能带隙，这么做可以减少反向饱和电流，从而加大开路电压，同时可以减少载流子的复合，提高短路电流；缓冲层3的上方生长一层背景层4，背景层4可以由高掺杂的P型GaAs构成，目的是可以形成良好的欧姆接触，并且可以吸收部分杂质离子，提高开路电压；在背景层4上是一层很薄的反射层5，可以是分布式布拉格光栅或者是其它单层反射膜组成，主要是可以将入射的太阳光反射回基层6再吸收，可以大大提高外量子效率；在反射膜5上方是一层薄的第一基层，在薄的第一基层上并排生长三角柱形状的第二基层，基层6主要是负责吸收太阳光产生载流子，基层6可以由P型GaAs构成，在基层6上方通过渗透或者光刻等技术形成由N型GaAs构成的发射层7，发射层7除了可以产生载流子之外还可以和基层6产生PN结，PN结可以将载流子中的空穴和电子分隔开，并且可以将基层6产生的少子和发射层7产生的少子漂移到发射层7和基层6，在发射层7上方是很薄的窗口层8，窗口层8的材料可以由InAlP(磷化铝铟)构成，窗口层8的目的是可以给光入射带来良好的条件，从而需选择带宽大，并且和发射层7同一极性，这么做可以避免产生载流子，因为窗口层8的材料容易让载流子复合，所以窗口层8应该尽量做薄；在窗口层8外是一层减反层9，减反层9可以选择MgF2(氟化镁)(单层)或者TIO2/SIO2(二氧化钛/二氧化硅)(双层)等材料制成，在每隔一定长度的三角柱凸起的凹陷处的减反层9上有接触层10，接触层10可由N型GaAs构成，接触层10的主要作用是提高载流子的吸收效率，防止电流逆流；最后在接触层10上有电极栅线11，栅线电极11可由AuGeNi/Au(金锗镍/金)等构成，目的是收集电流。
当一束光入射进太阳能电池中，它能在电池中存在的长度是根据不同材料的吸收系数的不同而改变的，我们希望电池可以做的越薄越好，因为可以省材料，降低成本；可以减少载流子到电极之间的扩散距离，减少复合，增加开路电压。
本发明提供的太阳能电池结构的关键点在基层的形状上，本发明可以提高太阳能电池的转换效率主要原因有三：1、入射光线的吸收利用率提高了，也就是说外量子效率提高了，一束光在入射面的反射光或者离开三角柱结构的折射光有部分可以进入相邻的三角柱结构中再次吸收；2、提高了可见光被吸收的长度，和同等厚度的太阳能电池相比，可以用更薄的太阳能电池达到同样的吸收长度；3、大量光线入射的地方更靠近背电极；2、使得所产生的载流子到电极被吸收的所需要扩散的距离减小了，降低了载流子被复合的可能性，提高了开路电压。
本发明提供的太阳能电池结构可以通过选取不同的三角柱的角度，可以调节光在吸收体中的被吸收的长度，适当选取可以选择光在基层6和发射层7中被吸收长度最大的角度。因为太阳能电池基层6和发射层7材料对太阳光谱波长的折射率较高，所以适当的调节三角柱的角度，可以选取光在三角柱两个侧边尽可能多的被全反射的角度。太阳光激发基层6和发射层7材料出现载流子的比例反比于光在基层6和发射层7中通过的路径，每一点产生的载流子在扩散到背电极2和栅线电极11被吸收的几率不同，选择适当的三角柱角度和厚度使得载流子被析出的可能性最大。太阳光被吸收的长度还与材料的厚度有关，选取时尽量选择最多光线能够被吸收的膜层厚度。
基于以上所述，选定合适的三角柱的角度和电池厚度，以达到电池效率的最优化。以太阳光入射的以下四种入射状态为例，分别是图2、3、4、5。
如图2所示，当一束光大角度入射在面12下部时(主要过程)，在入射表面会有损失极小的反射，大部分光的折射到电池中，然后在基层6底部进行反射，然后传播到面13经行折射，剩余的光的能量将返回到空气中，所以尽量选取尺寸使光在此状态下被吸收完全。
如图3所示，当一束光大角度入射在面12上部时(主要过程)，在入射表面会有损失极小的反射，大部分光的折射到电池中，再被发射层7和基层6吸收部分过后传播到面13，在面13上进行全反射，所有的光在基层6底部再经行反射然后在面13上继续经行全反射，然后反射到面12，出现反射和折射，折射出去的光又有可能进入旁边的吸收体(同图2所示的后半部分)。
如图4所示，当一束光小角度入射在面12上部时，(根据入射角和三角柱角度的不同)，在入射表面会有损失极小的反射，大部分光的折射到电池中，再被发射层7和基层6吸收过后传播到面13，在面13上进行反射和透射，反射的光很小，大部分光透射到空气中，之后传播到面14上，在面14上会形成反射和折射，大部分的光折射到图4右边的三角柱中的发射层7和基层6中，然后在基层6底部反射，在传播到面15经行反射或者全反射，少部分光反射回图4右边的三角柱的面13重再次被吸收，在面12出发生全反射或者反射。
如图5所示，当一束光小角度入射在面12下部时，(根据入射角和三角柱角度的不同)，在面12会有损失极小的反射，大部分光的折射到电池中，然后光传播到基层6底部反射，继而传播到面13，大部分光折射出面13上传播到图5右边的三角柱的面14，在面14上会有损失极小的反射，大部分光的折射到面13中，然后继续在基层6底部反射传播到面15，然后折射出电池。
因为基层外表面镀有减反层9，所以在外表面的反射光会非常小，由于材料折射率很在波长为300nm-2000nm大约等于4，所以只要在材料内射向内表面的光入射角大于14.5度时，在内表面就将发生全反射而无光折射出三角柱结构。
通过采用本发明所提供的太阳能电池结构，将基层设置成三角柱形状，这样既降低了基层的厚度，又可以使电池厚度减小、重量减轻，还提高了光吸收长度，增大了光的利用率而增加了外量子效率，同时减少了载流子的复合，增加了太阳能电池的内量子效率，提高了太阳能电池的转换效率。
虽然结合附图描述了本发明的实施方式，但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下做出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。
Claims (9)
1.一种太阳能电池结构，其特征在于，包括：在衬底上依次形成的背电极、缓冲层、背景层、反射层、基层、发射层、窗口层、减反层、接触层和栅线电极；其中，所述基层包括第一基层和第二基层，所述第二基层位于所述第一基层之上，所述第二基层的形状为多个并排的三角柱形状凸起。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池结构，其特征在于，所述接触层和所述栅线电极位于所述减反层之上的所述三角柱形状凸起之间的凹陷处。
3.根据权利要求2所述的一种太阳能电池结构，其特征在于，所述接触层和所述栅线电极位于间隔预设距离的所述凹陷处。
4.根据权利要求1所述的一种太阳能电池结构，其特征在于，所述背景层由P型砷化镓构成。
5.根据权利要求1所述的一种太阳能电池结构，其特征在于，所述反射层是分布式布拉格光栅或者单层反射膜。
6.根据权利要求1所述的一种太阳能电池结构，其特征在于，所述基层是由P型砷化镓构成。
7.据权利要求1所述的一种太阳能电池结构，其特征在于，所述发射层是由N型砷化镓构成。
8.根据权利要求1所述的一种太阳能电池结构，其特征在于，所处窗口层是由磷化铝铟构成。
9.根据权利要求1所述的一种太阳能电池结构，其特征在于，所述接触层是由N型砷化镓构成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610032308.3A CN105679860A (zh) | 2016-01-18 | 2016-01-18 | 一种太阳能电池结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610032308.3A CN105679860A (zh) | 2016-01-18 | 2016-01-18 | 一种太阳能电池结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105679860A true CN105679860A (zh) | 2016-06-15 |
Family
ID=56301349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610032308.3A Pending CN105679860A (zh) | 2016-01-18 | 2016-01-18 | 一种太阳能电池结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105679860A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108551320A (zh) * | 2018-03-25 | 2018-09-18 | 宜兴锦尚太阳能科技有限公司 | 一种高透光太阳能组件结构 |
| CN110970510A (zh) * | 2018-09-30 | 2020-04-07 | 东泰高科装备科技有限公司 | 一种太阳能外延结构、太阳能电池及制备方法 |
| CN113206163A (zh) * | 2021-05-07 | 2021-08-03 | 无锡天奕光电科技有限公司 | 一种核壳光栅上表面太阳能电池 |
-
2016
- 2016-01-18 CN CN201610032308.3A patent/CN105679860A/zh active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108551320A (zh) * | 2018-03-25 | 2018-09-18 | 宜兴锦尚太阳能科技有限公司 | 一种高透光太阳能组件结构 |
| CN110970510A (zh) * | 2018-09-30 | 2020-04-07 | 东泰高科装备科技有限公司 | 一种太阳能外延结构、太阳能电池及制备方法 |
| CN113206163A (zh) * | 2021-05-07 | 2021-08-03 | 无锡天奕光电科技有限公司 | 一种核壳光栅上表面太阳能电池 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8921687B1 (en) | High efficiency quantum well waveguide solar cells and methods for constructing the same | |
| US20190198685A1 (en) | Solar cell | |
| US20150255639A1 (en) | Photovoltaic component with a high conversion efficiency | |
| US20240341107A1 (en) | Laminated solar cell and photovoltaic assembly | |
| CN105679860A (zh) | 一种太阳能电池结构 | |
| JP2020061941A (ja) | 集光型太陽電池 | |
| WO2008046147A1 (en) | Up and down conversion using quantum dot arrays | |
| CN118073433A (zh) | 太阳能电池及光伏组件 | |
| US9614108B1 (en) | Optically-thin chalcogenide solar cells | |
| KR20120003732A (ko) | 태양전지 | |
| US8637763B2 (en) | Solar cells with engineered spectral conversion | |
| US11107940B2 (en) | Multijunction solar cells having a graded-index structure | |
| Liu et al. | Optimal optical designs for planar GaAs single-junction solar cells with textured and reflective surfaces | |
| KR101672404B1 (ko) | 계면 재결합 억제 박막 태양전지 | |
| Luque et al. | Optical aspects in photovoltaic energy conversion | |
| US10559705B1 (en) | Multijunction solar cells having a graded-index reflector structure | |
| JP2737705B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JP2010272651A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| Bittkau et al. | Geometrical light trapping in thin c-Si solar cells beyond lambertian limit | |
| US20150287842A1 (en) | Photovoltaic system including light trapping filtered optical module | |
| JP5930214B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| KR102703559B1 (ko) | 박막형 텐덤 태양 전지 효율 증가를 위한 발광 도파로를 포함하는 태양 전지 모듈 | |
| TW201501344A (zh) | 聚光光伏系統的製造方法 | |
| US11367800B1 (en) | Optically-thin III-V solar cells and methods for constructing the same | |
| CN105027305A (zh) | 包括光捕捉过滤光学模块的光伏系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20160615 |