CN105679369B - 闪存寿命预测方法和筛选方法 - Google Patents

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Abstract

一种闪存寿命预测方法和筛选方法，所述闪存寿命预测方法包括检测采样闪存在被擦除后的多个不同的等待时间值后的余量电流；根据所述采样闪存的多个所述等待时间值和所述余量电流，拟合得到所述余量电流与所述等待时间值的自然对数之间的第一映射关系，所述第一映射关系为线性关系；根据所述第一映射关系计算待预测闪存的余量电流下降至预设失效余量电流所需的等待时间值，作为所述待预测闪存的寿命。本发明的闪存寿命预测方法和筛选方法提高了闪存寿命预测以及闪存筛选的准确性和便捷性。

Description

闪存寿命预测方法和筛选方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及闪存寿命预测方法和筛选方法。
背景技术
在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：模拟电路、数字电路和数/模混合电路，其中存储器件是数字电路中的一个重要类型。近年来，在存储器件中，闪速存储器(flash memory，简称闪存的发展尤为迅速。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息；且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。
现有技术中，闪存的标准物理结构称为存储单元(bit)。存储单元的结构与常规MOS晶体管不同。常规的MOS晶体管的栅极(gate)和导电沟道间由栅极绝缘层隔开，一般为氧化层(oxide)；而闪存在控制栅(CG：control gate，相当于常规的MOS晶体管的栅极)与导电沟道间还多了一层物质，称之为浮栅(FG：floating gate)。由于浮栅的存在，使闪存可以完成三种基本操作模式：读、写、擦除。即便在没有电源供给的情况下，浮栅的存在也可以保持存储数据的完整性。在半导体工艺中，通常使用高温氧化(High TemperatureOxidation,HTO)形成浮栅与源线(source line,SL)的氧化层。
但是，闪存在形成氧化层的过程中会残留诸如氯离子的杂质在氧化层中，而过多的氯离子构成氯陷阱(Cl trap)，闪存浮栅中储存的电荷会通过氯陷阱漏失，导致闪存浮栅储存电荷的能力下降，闪存逐渐失效。随着氧化层中氯离子含量的不同，则闪存的失效的时间也不同，进而导致筛选出具有不同使用寿命的闪存的难度增加。
发明内容
本发明解决的技术问题是如何准确预测闪存寿命和准确的筛选闪存。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种闪存寿命预测方法，闪存寿命预测方法包括：
检测采样闪存在被擦除后的多个不同的等待时间值后的余量电流；
根据所述采样闪存的多个所述等待时间值和所述余量电流，拟合得到所述余量电流与所述等待时间值的自然对数之间的第一映射关系，所述第一映射关系为线性关系；
根据所述第一映射关系计算待预测闪存的余量电流下降至预设失效余量电流所需的等待时间值，作为所述待预测闪存的寿命。
可选的，所述余量电流指的是：在所述等待时间值后，闪存的控制栅施加预设控制电压时，所述闪存的漏极和源极之间的电流值。
可选的，所述第一映射关系的公式为：其中，m为所述余量电流；t为所述等待时间值；A、C是根据所述采样闪存的多个所述等待时间值和多个所述余量电流拟合得到的第一常数和第二常数。
可选的，根据所述第一映射关系计算待预测闪存的所述余量电流下降至所述预设失效余量电流所需的所述等待时间值包括：
基于多个所述采样闪存的所述第一映射关系，拟合得到所述第一等待时间值和所述第二等待时间值的第二映射关系，其中，所述第一等待时间值为所述采样闪存的余量电流下降至预设余量电流所需的等待时间，所述第二等待时间为所述采样闪存的余量电流下降至所述预设失效余量电流所需的等待时间；
检测所述待预测闪存的所述第一等待时间值，基于所述第二映射关系得到所述第二等待时间值，所述待预测闪存的寿命为所述第二等待时间值。
可选的，基于多个所述采样闪存的所述第一映射关系，拟合得到所述第一等待时间值和所述第二等待时间值的所述第二映射关系包括：
计算多个所述采样闪存的所述预设余量电流和所述第二常数的差值，记为第一差值；
计算所述预设失效余量电流和所述第二常数之差的差值，记为第二差值；将所述第一差值和所述第二差值的比值进行拟合，得到所述第二映射关系。
可选的，所述第二映射关系的公式为ln t1＝k*ln t2+d，其中t1为所述第一等待时间值，t2为所述第二等待时间值，k、d是根据多个所述采样闪存的所述第一差值和所述第二差值的比值拟合得到的第三常数和第四常数。
为解决上述技术问题，本发明实施例还公开了一种闪存筛选方法，闪存筛选方法包括：
检测采样闪存在被擦除后的多个不同的等待时间值后的余量电流；
根据所述采样闪存的多个所述等待时间值和所述余量电流，拟合得到所述余量电流与所述等待时间值的自然对数之间的第一映射关系，所述第一映射关系为线性关系；
根据所述第一映射关系计算待预测闪存的所述余量电流下降至预设失效余量电流所需的等待时间值，如果所述等待时间值达到预设寿命，将所述待筛选闪存筛选出来。
为解决上述技术问题，本发明实施例还公开了另一种闪存筛选方法，闪存筛选方法包括：
检测采样闪存在被擦除后的多个不同的等待时间值后的余量电流；
根据所述采样闪存的多个所述等待时间值和所述余量电流，拟合得到所述余量电流与所述等待时间值的自然对数之间的第一映射关系，所述第一映射关系为线性关系；
基于多个所述采样闪存的所述第一映射关系，拟合得到所述第一等待时间值和所述第二等待时间值的第二映射关系，其中，所述第一等待时间值为所述采样闪存的余量电流下降至预设余量电流所需的时间，所述第二等待时间为所述采样闪存的余量电流下降至所述预设失效余量电流所需的时间；
将预设寿命作为所述第二等待时间值，根据所述第二映射关系得到所述第一等待时间值；
确定待筛选闪存在擦除后的所述第一等待时间值的所述余量电流，如果所述余量电流达到所述预设余量电流，则将所述待筛选闪存筛选出来。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明实施例通过检测采样闪存在被擦除后的多个不同的等待时间值后的余量电流；根据所述采样闪存的多个所述等待时间值和所述余量电流，拟合得到所述余量电流与所述等待时间值的自然对数之间的第一映射关系，所述第一映射关系为线性关系；根据所述第一映射关系计算待预测闪存的余量电流下降至预设失效余量电流所需的等待时间值，作为所述待预测闪存的寿命，通过采样闪存得到余量电流与等待时间值的第一映射关系，从而可以通过预设的失效余量电流得到闪存的寿命，可以准确预测闪存寿命。
本发明实施例还可以通过所述第一映射关系计算待预测闪存的所述余量电流下降至预设失效余量电流所需的等待时间值，如果所述等待时间值达到预设寿命，将所述待待筛选闪存筛选出来，实现了准确的筛选具有预设寿命的闪存，为闪存的使用和工作提供了便捷性。
附图说明
图1是本发明实施例一种闪存寿命预测方法的流程图；
图2是本发明实施例一种第一映射关系的曲线示意图；
图3是本发明实施例另一种闪存寿命预测方法的流程图；
图4是本发明实施例一种第二映射关系的曲线示意图；
图5是本发明实施例一种闪存筛选方法的流程图；
图6是本发明实施例另一种闪存筛选方法的流程图。
具体实施方式
如背景技术中所述，闪存在形成氧化层的过程中会残留氯离子在氧化层中，而过多的氯离子会构成氯陷阱，闪存浮栅中储存的电荷将通过氯陷阱漏失，导致闪存浮栅储存电荷的能力下降，闪存逐渐失效。氧化层中氯离子含量的不同，则闪存的失效的时间也不同，进而导致筛选出不同使用寿命的闪存难度增加。
本发明实施例中，发明人经过研究发现，结合阿伦尼乌斯(Arrhenius)方程，可以得到闪存浮栅电荷保持时间和闪存源漏极电流之间存在的映射关系，通过确定该映射关系，就可以实现闪存寿命的预测以及闪存筛选。
本发明实施例所称闪存寿命预测方法、筛选方法可以在适当的温度范围内进行，通常可以在室温条件下进行，例如可以是20～30摄氏度。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1是本发明实施例一种闪存寿命预测方法的流程图。
请参照图1，闪存寿命预测方法包括：步骤S101，检测采样闪存在被擦除后的多个不同的等待时间值后的余量电流。
本实施例中，所述余量电流指的是：在所述等待时间值后，闪存的控制栅施加预设控制电压时，所述闪存的漏极和源极之间的电流值。余量电流的检测是在采样闪存擦除后等待一段时间后进行的，因为闪存的电荷储存能力通过擦除状态的余量电流的大小体现。检测采样闪存在被擦除后的多个不同的等待时间值后的余量电流，并记录余量电流和对应的等待时间值。
步骤S102，根据所述采样闪存的多个所述等待时间值和所述余量电流，拟合得到所述余量电流与所述等待时间值的自然对数之间的第一映射关系。
本实施例中，根据记录的多个余量电流和对应的多个等待时间值进行拟合，可以得到余量电流和对应的等待时间值之间存在映射关系，即所述余量电流与所述等待时间值的自然对数之间存在第一映射关系，所述第一映射关系为线性关系。
进一步而言，阿伦尼乌斯方程为：t＝A*exp(Ea/KT)，其中t为闪存被擦除后的等待时间，A为频率因子，Ea为表观活化能，K为摩尔气体常量，T为温度。引入余量电流并经过变形后可以得到：其中α为闪存氧化层的介电常数。上述关系就是等待时间t与余量电流之间的第一映射关系。
具体实施中，所述第一映射关系的公式可以简化表示为：其中，m为所述余量电流；t为所述等待时间值；A、C是根据所述采样闪存的多个所述等待时间值和多个所述余量电流拟合得到的第一常数(实际上就是频率因子)和第二常数。
具体实施中，结合经验公式阿伦尼乌斯方程，第一映射关系的公式也可以表示为：其中，K为摩尔气体常量，T为温度，Ea为表观活化能，A为频率因子，α为闪存氧化层的介电常数。其中，表观活化能Ea和频率因子A的具体数值可以根据采样得到的实验数据进行拟合得到。实际上，上述第一常数和第二常数的拟合过程也就是直接或间接地得到了表观活化能Ea和频率因子A。
具体实施中，可以将多个余量电流和对应的多个等待时间值形成坐标系中的数据点，然后根据数据点拟合成曲线，进而得到第一常数和第二常数。
请参照图2，图2是本发明实施例一种第一映射关系的曲线示意图。
本实施例中，对七种采样闪存进行检测，将多个余量电流和对应的多个等待时间值形成坐标系中的数据点，然后根据数据点拟合成曲线，得到的第一映射关系的曲线分别如曲线1、曲线2、曲线3、曲线4、曲线5、曲线6和曲线7所示。其中，图2所示坐标系的纵坐标为余量电流，单位为微安(μA)，横坐标为等待时间值，单位为小时(h)。由于闪存在生产工艺中的细微差别，例如氧化层厚度、氧化物在晶圆内分布的差别，导致拟合出的第一常数和第二常数略有不同，但基本上在适当误差范围内。其中，曲线1可以用公式表示为m＝-2.85ln t+35.359；曲线2可以用公式表示为m＝-2.323ln t+31.29；曲线3可以用公式表示为m＝-2.158ln t+29.598；曲线4可以用公式表示为m＝-2.564ln t+32.188；曲线5可以用公式表示为m＝-2.67ln t+32.152；曲线6可以用公式表示为m＝-2.373ln t+32.618；曲线7可以用公式表示为m＝-2.688ln t+34.182。
步骤S103，根据所述第一映射关系计算待预测闪存的余量电流下降至预设失效余量电流所需的等待时间值，作为所述待预测闪存的寿命。
本实施例中，根据待预测闪存对应的第一映射关系，将待预测闪存的预设失效余量电流代入所述第一映射关系的公式，得到待预测闪存的余量电流下降至预设失效余量电流所需的等待时间值，则等待时间值为所述待预测闪存的寿命。所述寿命表示闪存可以正常工作的时间，即所述闪存在读写操作保证准确性的前提下工作的时间长度。
本实施例中，由于闪存浮栅储存电荷的能力随着时间的增加而减弱，浮栅中的电荷越少，余量电流越小。当浮栅的电荷数量减少到一定标准时，闪存的读写操作不准确，此时闪存可以认为是失效状态，相应地，此时余量电流减小到一定值，即预设失效余量电流m2。
需要说明的是，由于不同的应用环境对于闪存读写的精准度要求不同，所以所述预设失效余量电流可以由用户根据实际的操作环境进行适应性的配置和调整。另外，为了提高预测的准确度，优选地，待预测闪存与采样闪存具有较高的工艺关联度，例如是采用相同工艺生产的相同规格的闪存产品，如此，可以通过采样闪存拟合得到的第一映射关系来准确预测待预测闪存的寿命。
图3是本发明实施例另一种闪存寿命预测方法的流程图。
请参照图3，闪存寿命预测方法包括：步骤S301，检测采样闪存在被擦除后的多个不同的等待时间值后的余量电流。
步骤S302，根据所述采样闪存的多个所述等待时间值和所述余量电流，拟合得到所述余量电流与所述等待时间值的自然对数之间的第一映射关系。
步骤S303，基于多个所述采样闪存的所述第一映射关系，拟合得到所述第一等待时间值和所述第二等待时间值的第二映射关系。
本实施例中，所述第一等待时间值为所述采样闪存的余量电流下降至预设余量电流m1所需的等待时间，所述第二等待时间为所述采样闪存的余量电流下降至所述预设失效余量电流所需的等待时间。其中，由于闪存浮栅的电荷会越来越少，相应地，余量电流也越来越小。优选地，预设余量电流m1作为选用闪存的良率标准中规定的余量电流，良率标准中规定的余量电流是保证闪存可以正常的读写和工作的余量电流。
可以理解的是，表示良率标准的预设余量电流m1的大小可以由用户进行自定义配置。
本实施例中，基于所述第一映射关系，可以得到任意两个余量电流之间的比值与任意两个等待时间值之间的比值存在对应关系，可以用公式表示为：其中，tm为一等待时间值，tn为另一等待时间值，mm为闪存等待时间值tm后的余量电流，mn为闪存等待时间值tn后的余量电流。
具体实施中，基于多个所述采样闪存的所述第一映射关系，计算多个所述采样闪存的所述预设余量电流m1和所述第二常数C的差值，记为第一差值；计算所述预设失效余量电流m2和所述第二常数之差C的差值，记为第二差值；将多个所述第一差值和多个所述第二差值的比值进行拟合，得到所述第二映射关系。所述第二映射关系的公式可以表示为ln t1＝k*ln t2+d，其中t1为所述第一等待时间值，t2为所述第二等待时间值，k、d是根据多个所述采样闪存的所述第一差值和所述第二差值的比值拟合得到的第三常数和第四常数。
具体实施中，将多个所述第一差值和多个所述第二差值的比值在坐标系中形成数据点，然后将多个数据点进行拟合，得到第二映射关系的曲线。
步骤S304，检测所述待预测闪存的所述第一等待时间值，基于所述第二映射关系得到所述第二等待时间值，所述待预测闪存的寿命为所述第二等待时间值。
本实施中，由第二映射关系可知，当待预测闪存的第一等待时间值确定时，则可以获取待预测闪存的第二等待时间值。而第二等待时间值为闪存的电流降至预设失效电流的时间长度值，故第二等待时间值可以作为待预测闪存的寿命。
具体请参见图4，一并参照图2，图4是本发明实施例一种第二映射关系的曲线示意图。
本实施例中，结合图2所示第一映射关系公式的第二常数C，得到第一差值和第二差值。将多个采样闪存的第一差值和第二差值的比值形成的数据点在坐标系中表示出来，即数据点a、数据点b、数据点c、数据点d、数据点e、数据点f和数据点g。图4所示坐标系中，纵坐标表示第一等待时间值的对数ln t1，横坐标表示第二等待时间值的对数ln t2，第一等待时间值和第二等待时间值的单位为小时(h)。
曲线1表示第二映射关系的曲线，可以用公式表示为ln t1＝0.5729ln t2+1.2468。如曲线1所示，待预测闪存的第一等待时间值为99.5天，即2387.2h时，第一等待时间值的对数为7.8，则对应的第二等待时间值的对数为11.4，第二等待时间值为87600h时，即10年，故待预测闪存的寿命为10年，表示待预测闪存可以正常工作10年。
图5是本发明实施例一种闪存筛选方法的流程图。
请参照图5，一并参照图2，闪存筛选方法包括：步骤S501，检测采样闪存在被擦除后的多个不同的等待时间值后的余量电流。
步骤S502，根据所述采样闪存的多个所述等待时间值和所述余量电流，拟合得到所述余量电流与所述等待时间值的自然对数之间的第一映射关系。
步骤S503，根据所述第一映射关系计算待筛选闪存的所述余量电流下降至预设失效余量电流所需的等待时间值，如果所述等待时间值达到预设寿命，将所述待筛选闪存筛选出来。
本实施例中，根据图2所示的拟合出的第一映射关系的曲线，将待筛选闪存的预设失效余量电流代入公式，得到第一等待时间值，如果所述等待时间值达到预设寿命，将所述待筛选闪存筛选出来。否则，将待筛选闪存进行其他处理流程，例如进行二次筛选或者抛弃。
类似地，待筛选闪存与采样闪存具有较高的工艺关联度，例如是采用相同工艺生产的相同规格的闪存产品。
本发明实施例的具体实施方式可参照前述相应实施例，此处不再赘述。
本发明实施例的闪存筛选方法可以将满足预设寿命的闪存筛选出来，提高了闪存使用的便捷性；同时，所述第一映射关系为经验公式，准确性高，所以通过第一映射关系进行筛选，闪存筛选准确性高。
图6是本发明实施例另一种闪存筛选方法的流程图。
请参照图6，一并参照图2和图4，闪存筛选方法包括：步骤S601，检测采样闪存在被擦除后的多个不同的等待时间值后的余量电流
步骤S602，根据所述采样闪存的多个所述等待时间值和所述余量电流，拟合得到所述余量电流与所述等待时间值的自然对数之间的第一映射关系。
步骤S603，基于多个所述采样闪存的所述第一映射关系，拟合得到所述第一等待时间值和所述第二等待时间值的第二映射关系。
本发明实施例中，直接采用第一映射关系进行筛选的话，要拟合出待筛选闪存对应的第一映射关系公式，在待筛选闪存的差别大，对应的第一映射关系差别大时，筛选操作繁琐。
具体实施中，可以根据图2所示的多个采样闪存的第一映射关系公式，得到多个所述采样闪存的所述预设余量电流m1和所述第二常数C的差值，记为第一差值；计算所述预设失效余量电流m2和所述第二常数之差C的差值，记为第二差值；将多个所述第一差值和多个所述第二差值的比值进行拟合，得到所述第二映射关系。第二映射关系为线性关系，且第二映射关系为第一等待时间值的自然对数和第二等待时间值的自然对数之间的映射关系。
步骤S604，将预设寿命作为所述第二等待时间值，根据所述第二映射关系得到所述第一等待时间值。
步骤S605，确定待筛选闪存在擦除后的所述第一等待时间值的所述余量电流，如果所述余量电流达到所述预设余量电流，则将所述待筛选闪存筛选出来。
本实施例中，根据所述第二映射关系，得到预设寿命对应的第一等待时间值。然后检测待筛选闪存在第一等待时间值的余量电流，当余量电流达到良率标准规定的预设余量电流时，则表示待筛选闪存的寿命达到预设寿命，将所述待筛选闪存筛选出来。
继续参照图4，参照曲线1所示的第二映射关系曲线，将预设寿命设为时间，即第二等待时间值为10年，即87600h时，第一等待时间值的对数为11.4，对应第一等待时间值的对数为7.8，则第一等待时间值为2387.2h，即99.5天。然后检测待筛选闪存在擦除后等待99.5天时的余量电流，当余量电流的大小达到预设余量电流的大小时，则将所述待筛选闪存筛选出来。否则，将待筛选闪存进行其他处理流程。
本发明实施例的具体实施方式可参照前述相应实施例，此处不再赘述。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (7)

1.一种闪存寿命预测方法，其特征在于，包括：
检测采样闪存在被擦除后的多个不同的等待时间值后的余量电流；
根据所述采样闪存的多个所述等待时间值和所述余量电流，拟合得到所述余量电流与所述等待时间值的自然对数之间的第一映射关系，所述第一映射关系为线性关系；
根据所述第一映射关系计算待预测闪存的余量电流下降至预设失效余量电流所需的等待时间值，作为所述待预测闪存的寿命；
根据所述第一映射关系计算待预测闪存的所述余量电流下降至所述预设失效余量电流所需的所述等待时间值包括：
基于多个所述采样闪存的所述第一映射关系，拟合得到第一等待时间值和第二等待时间值的第二映射关系，其中，所述第一等待时间值为所述采样闪存的余量电流下降至预设余量电流所需的等待时间，所述第二等待时间值为所述采样闪存的余量电流下降至所述预设失效余量电流所需的等待时间；
检测所述待预测闪存的所述第一等待时间值，基于所述第二映射关系得到所述第二等待时间值，所述待预测闪存的寿命为所述第二等待时间值。
2.根据权利要求1所述的闪存寿命预测方法，其特征在于，所述余量电流指的是：在所述等待时间值后，闪存的控制栅施加预设控制电压时，所述闪存的漏极和源极之间的电流值。
3.根据权利要求1所述的闪存寿命预测方法，其特征在于，
所述第一映射关系的公式为：其中，m为所述余量电流；t为所述等待时间值；A、C是根据所述采样闪存的多个所述等待时间值和多个所述余量电流拟合得到的第一常数和第二常数。
4.根据权利要求1所述的闪存寿命预测方法，其特征在于，基于多个所述采样闪存的所述第一映射关系，拟合得到所述第一等待时间值和所述第二等待时间值的所述第二映射关系包括：
计算多个所述采样闪存的所述预设余量电流和第二常数的差值，记为第一差值；
计算所述预设失效余量电流和所述第二常数之差的差值，记为第二差值；
将所述第一差值和所述第二差值的比值进行拟合，得到所述第二映射关系。
5.根据权利要求4所述的闪存寿命预测方法，其特征在于，所述第二映射关系的公式为lnt1＝k*lnt2+d，其中t1为所述第一等待时间值，t2为所述第二等待时间值，k、d是根据多个所述采样闪存的所述第一差值和所述第二差值的比值拟合得到的第三常数和第四常数。
6.一种闪存筛选方法，其特征在于，包括：
检测采样闪存在被擦除后的多个不同的等待时间值后的余量电流；
根据所述采样闪存的多个所述等待时间值和所述余量电流，拟合得到所述余量电流与所述等待时间值的自然对数之间的第一映射关系，所述第一映射关系为线性关系；
根据所述第一映射关系计算待筛选闪存的所述余量电流下降至预设失效余量电流所需的等待时间值，如果所述等待时间值达到预设寿命，将所述待筛选闪存筛选出来；
根据所述第一映射关系计算待筛选闪存的所述余量电流下降至预设失效余量电流所需的等待时间值包括：
基于多个所述采样闪存的所述第一映射关系，拟合得到第一等待时间值和第二等待时间值的第二映射关系，其中，所述第一等待时间值为所述采样闪存的余量电流下降至预设余量电流所需的等待时间，所述第二等待时间值为所述采样闪存的余量电流下降至所述预设失效余量电流所需的等待时间；
检测待预测闪存的所述第一等待时间值，基于所述第二映射关系得到所述第二等待时间值，所述待预测闪存的寿命为所述第二等待时间值。
7.一种闪存筛选方法，其特征在于，包括：
检测采样闪存在被擦除后的多个不同的等待时间值后的余量电流；
根据所述采样闪存的多个所述等待时间值和所述余量电流，拟合得到所述余量电流与所述等待时间值的自然对数之间的第一映射关系，所述第一映射关系为线性关系；
基于多个所述采样闪存的所述第一映射关系，拟合得到第一等待时间值和第二等待时间值的第二映射关系，其中，所述第一等待时间值为所述采样闪存的余量电流下降至预设余量电流所需的时间，所述第二等待时间值为所述采样闪存的余量电流下降至预设失效余量电流所需的时间；
将预设寿命作为所述第二等待时间值，根据所述第二映射关系得到所述第一等待时间值；
确定待筛选闪存在擦除后的所述第一等待时间值的所述余量电流，如果所述余量电流达到所述预设余量电流，则将所述待筛选闪存筛选出来。
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