CN105676100B - 一种潮湿环境下可控硅电子设备加压试验方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种潮湿环境下可控硅电子设备加压试验方法，包括提供为TE板加压的高压交流电源、搭建TE板取能回路、搭建TE板的加压回路、搭建可控硅触发回路、利用示波器监测TE板信号等步骤，且TE板放置在温湿度控制箱内，其它设备通过控制箱引出的连接线设置在箱体外，从而在高湿度环境下利用高压电源在TE板上施加电压，监视TE板关键信号以及TE板送可控硅的触发信号，检验TE板在高污高湿情况下的工作性能，有效避免了误触发事故，保障电网设备安全。

Description

一种潮湿环境下可控硅电子设备加压试验方法
技术领域
本发明涉及电力系统控制运行保护技术领域，特别是涉及潮湿环境下高压直流输电系统可控硅电子设备的加压试验方法。
背景技术
高压直流工程的可控硅电子设备(简称TE板)位于换流阀塔上，每块TE板对应一个可控硅级。TE板承担阀内串联可控硅级的直流均压，同时又要检测每个可控硅级以下几种状态：可控硅级是否正常；可控硅是否建立正向门槛电压(正电压建立)；可控硅电流是否过零(负电压建立)；可控硅是否由于承受的电压变化率du/dt过高，或过电压保护(BOD)回路动作触发。
然而目前的TE板未采用封闭式设计，若TE板表面污秽严重且环境湿度较大，就可能造成TE板误发触发信号，导致直流备用转闭锁操作过程中发生换流阀误导通故障，在直流系统产生过电压与过电流，直接威胁直流主设备安全，严重情况下可造成换流阀元件损坏。
发明内容
为了解决现有技术的问题，本发明提出一种潮湿环境下可控硅电子设备加压试验方法，以在高湿度环境下利用高压电源在TE板上施加电压，监视TE板关键信号以及TE板送可控硅的触发信号，检验TE板在高污高湿情况下的工作性能。
本发明的技术方案如下：
一种潮湿环境下可控硅电子设备加压试验方法，包括以下步骤：
(a)将待试验的TE板放置在温湿度控制箱内，并在温湿度控制箱外调制好TE板加压试验的高压交流电源；
(b)将阻尼电阻和阻尼电容串联后，一端连接至高压交流电源，另一端连接至TE板的X1端口的管脚5，搭建TE板的取能回路，用于获取TE板TE板电子回路的工作电源；
(c)分别将TE板X2端口接入交流电源高压端、X1端口的管脚3接入低压端，搭建TE板的加压回路，用于获取TE板两端的电压；
(d)分别将可控硅的阳极经限流电阻与高压交流电源的高压端和TE板的X2端口相连，阴极与高压交流电源的低压端和TE板X1端口的管脚1相连，门极与TE板X1端口的管脚2相连，搭建可控硅的触发回路，用于发送脉冲信号至可控硅门极触发可控硅；
(e)在可控硅两端并联设置在温湿度控制箱外的交流分压器，并分别将该交流分压器、TE板过电压保护回路中的保护电容的低压端连入设置在温湿度控制箱外的示波器，监测可控硅两端电压和保护电容低压端电压。
所述高压交流电源包括220V交流电源，该220V交流电源依次连接容量为10kVA、调节范围为0～250V的调压变压器及变比为150V/10kV的升压变压器，且所述220V电源的一端接地。
从所述温湿度控制箱引出的连接线上包裹有绝缘套管。
本发明的优点是：能够对TE板在高湿度环境下承受高电压时的响应情况进行测试，得到TE板在不同电压水平下TE板承受电压、保护电容电压、触发脉冲信号等关键电气量的变化情况，反映出TE板经过长时间运行后，表面积污严重和高湿环境下TE板性能是否下降，由此及时展开必要的检修维护工作，避免误发触发信号，避免换流阀误导通。
附图说明
图1为TE板试验回路示意图；
图2为信号监测示意图；
附图标记说明：1、TE板；2、温湿度控制箱；3、220V交流电源；4、调压变压器；5、升压变压器；6、示波器。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图1、2和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例
如图1、图2所示，
一种潮湿环境下可控硅电子设备加压试验方法，包括：
步骤1、将待试验的TE板1放置在温湿度控制箱2内，并在温湿度控制箱2外调制好TE板1加压试验的高压交流电源；
在本实施例中，为TE板1加压的高压交流电源，利用220V交流电源3，连接容量为10kVA、调节范围为0～250V的调压变压器4，再经过变比为150V/10kV升压变压器5，并将电源一端接地，通过调节调压变压器4可以改变施加在TE板1的电压；
步骤2、将阻尼电阻和阻尼电容串联后，一端连接至高压交流电源，另一端连接至TE板1的X1端口的管脚5，搭建TE板1的取能回路，用于获取TE板TE板电子回路的工作电源；
步骤3、分别将TE板1X2端口接入交流电源高压端、X1端口的管脚3接入低压端，搭建TE板1的加压回路，用于获取TE板两端的电压；
步骤4、分别将可控硅的阳极经限流电阻与高压交流电源的高压端和TE板1的X2端口相连，阴极与高压交流电源的低压端和TE板1X1端口的管脚1相连，门极与TE板1X1端口的管脚2相连，搭建可控硅的触发回路，用于发送脉冲信号至可控硅门极触发可控硅；
步骤5、在可控硅两端并联设置在温湿度控制箱2外的交流分压器，并分别将该交流分压器、TE板1过电压保护回路中的保护电容的低压端连入设置在温湿度控制箱2外的示波器6，监测可控硅两端电压和保护电容低压端电压；
利用示波器6监测TE板1信号，一方面用于监视施加在可控硅两端的实际电压，另一方面通过电压跌落判断可控硅是否导通；TE板1的C57电容位于过电压保护回路中，即为所述的保护电容，该C57电容高压端与X2端口相连，当低压端电位大于7V时，过电压保护动作，可导致TE板1误发触发信号，因此需要监视C57电容低压端电压；监视TE板1X1端口管脚2的电压信号，则用于判断TE板1是否发出触发信号。
此外，TE板1放置在温湿度控制箱2内，升压变压器5、调压变压器4、交流分压器、示波器6放置在温湿度控制箱2外，从控制箱引出的连接线要用绝缘套管包裹，增加与控制箱外壳的绝缘距离。其中，TE板1的X1端口管脚1与管脚4并连，与可控硅阴极相连；X1端口的管脚2输出TE板1的触发脉冲；X1端口的管脚3与外部接地点相连；X1端口管脚5与交流电压相连。
总得来说，本发明提供了一种潮湿环境下可控硅电子设备加压试验方法，包括提供为TE板加压的高压交流电源、搭建TE板取能回路、搭建TE板的加压回路、搭建可控硅触发回路、利用示波器监测TE板信号等步骤，且TE板放置在温湿度控制箱内，其它设备通过控制箱引出的连接线设置在箱体外，从而在高湿度环境下利用高压电源在TE板上施加电压，监视TE板关键信号以及TE板送可控硅的触发信号，检验TE板在高污高湿情况下的工作性能，有效避免了误触发事故，保障电网设备安全。
上列详细说明是针对本发明可行实施例的具体说明，该实施例并非用以限制本发明的专利范围，凡未脱离本发明所为的等效实施或变更，均应包含于本案的专利范围中。

Claims (3)

1.一种潮湿环境下可控硅电子设备加压试验方法，其特征在于，包括以下步骤：
(a)将待试验的TE板放置在温湿度控制箱内，并在温湿度控制箱外调制好TE板加压试验的高压交流电源；
(b)将阻尼电阻和阻尼电容串联后，一端连接至高压交流电源，另一端连接至TE板的X1端口的管脚5，搭建TE板的取能回路，用于获取TE板TE板电子回路的工作电源；
(c)分别将TE板X2端口接入交流电源高压端、X1端口的管脚3接入低压端，搭建TE板的加压回路，用于获取TE板两端的电压；
(d)分别将可控硅的阳极经限流电阻与高压交流电源的高压端和TE板的X2端口相连，阴极与高压交流电源的低压端和TE板X1端口的管脚1相连，门极与TE板X1端口的管脚2相连，搭建可控硅的触发回路，用于发送脉冲信号至可控硅门极触发可控硅；
(e)在可控硅两端并联设置在温湿度控制箱外的交流分压器，并分别将该交流分压器、TE板过电压保护回路中的保护电容的低压端连入设置在温湿度控制箱外的示波器，监测可控硅两端电压和保护电容低压端电压。
2.根据权利要求1所述的潮湿环境下可控硅电子设备加压试验方法，其特征在于，所述高压交流电源包括220V交流电源，该220V交流电源依次连接容量为10kVA、调节范围为0～250V的调压变压器及变比为150V/10kV的升压变压器，且所述220V电源的一端接地。
3.根据权利要求1或2所述的潮湿环境下可控硅电子设备加压试验方法，其特征在于，从所述温湿度控制箱引出的连接线上包裹有绝缘套管。
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