CN105655327A - 一种倒装led芯片的cob光源模组结构基板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种倒装LED芯片的COB光源模组结构基板，所述基板上设置有若干个COB光源模组，所述COB光源模组上封装有多颗倒装LED芯片,相邻LED芯片之间的间距大于LED芯片的厚度。本发明由于相邻LED芯片之间的间距大于LED芯片的厚度，从而避免了COB光源过于集中排布的缺陷，有利于热量的发散，同时也在一定程度上优化了LED芯片彼此之间的协同工作效应，尽可能使得每个LED芯片侧边发出全部的光，进而提高了COB光源的效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种COB光源结构，具体涉及一种倒装LED芯片的COB光源模组结构基板。
背景技术
COB光源可以简单理解为高功率集成面光源，就是LED芯片直接贴在高反光率的镜面金属基板上的高光效集成面光源技术，COB光源的产品特点为：电性稳定，电路设计、光学设计、散热设计科学合理；采用热沉工艺技术，保证LED具有业界领先的热流明维持率(95％以上)；便于产品的二次光学配套，提高照明质量；高显色、发光均匀、无光斑、健康环保；安装简单，使用方便，降低灯具设计难度，节约灯具加工及后续维护成本。
COB板上芯片(ChipOnBoard,COB)工艺过程首先是在基底表面用导热环氧树脂(一般用掺银颗粒的环氧树脂)覆盖硅片安放点，然后将硅片直接安放在基底表面，热处理至硅片牢固地固定在基底为止，随后再用丝焊的方法在硅片和基底之间直接建立电气连接。裸芯片技术主要有两种形式:一种cob技术，另一种是倒装片技术(FlipChip)。板上芯片封装(COB)，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。
对于功率普遍在50W～250W之间的大功率光源，比如大功率LED路灯、LED隧道灯、LED投光灯、LED防爆灯、LED工矿灯等，往往将多个小功率COB光源组合在一起从而达到指定功率的要求，但是现有技术的COB光源往往太过集中，不仅会产生大量的热量聚集，并且COB光源之间互相遮挡，使得COB光源的效率不高，即利用率不高。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供一种倒装芯片的COB光源模组结构，以避免COB光源过于集中排布的缺陷，优化COB芯片彼此之间的协同工作效应，尽可能使得每个COB芯片侧边发出全部的光，进而提高COB光源的效率。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种倒装LED芯片的COB光源模组结构基板，所述基板上设置有若干个COB光源模组，所述COB光源模组上封装有多颗倒装LED芯片,相邻LED芯片之间的间距大于LED芯片的厚度。
优选的，相邻LED芯片之间的间距大于LED芯片厚度的1.5倍。
优选的，相邻LED芯片之间的间距大于LED芯片厚度的3倍。
优选的，所述COB光源模组上设置有倒圆柱状的芯片固晶槽，所述芯片固晶槽底部设置有倒装LED芯片所对应的电极结构，所述多颗倒装LED芯片封装在所述芯片固晶槽中，所述芯片固晶槽的深度大于LED芯片的厚度。
优选的，所述芯片固晶槽的深度大于LED芯片的厚度的2倍。
优选的，所述芯片固晶槽的深度大于LED芯片的厚度的4倍。
优选的，所述COB光源模组上设置有反光凸纹。
优选的，所述反光凸纹设置在相邻LED芯片之间，其高度为相邻LED芯片之间间距的1/6～2/3。
优选的，所述反光凸纹上设置有高反光膜，且为朝上呈拱起的弧形结构。
优选的，所述反光凸纹上设置有高反光膜，且为横截面呈梯形的隆起结构。
本发明的有益效果是：由于相邻LED芯片之间的间距大于LED芯片的厚度，从而避免了COB光源过于集中排布的缺陷，有利于热量的发散，同时也在一定程度上优化了LED芯片彼此之间的协同工作效应，尽可能使得每个LED芯片侧边发出全部的光，进而提高了COB光源的效率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明具体实施例的结构示意图；
图2是图1的侧视图。
具体实施方式
图1是本发明具体实施例的结构示意图；图2是图1的侧视图。参照图1和图2，本发明提供了一种倒装LED芯片的COB光源模组结构基板，所述基板上设置有若干个COB光源模组1，所述COB光源模组1上封装有多颗倒装LED芯片2,相邻LED芯片2之间的间距大于LED芯片2的厚度。
上述实施例中，由于相邻LED芯片2之间的间距大于LED芯片2的厚度，从而避免了COB光源过于集中排布的缺陷，有利于热量的发散，同时也在一定程度上优化了LED芯片2彼此之间的协同工作效应，尽可能使得每个LED芯片2侧边发出全部的光，进而提高了COB光源的效率。
具体地，所述相邻LED芯片2之间的间距大于LED芯片2的厚度的1.5倍。更为具体地，所述相邻LED芯片2之间的间距大于LED芯片2的厚度的3倍。需要说明的是，经过反复的试验和验证，在此比例条件下，LED芯片2彼此之间的协同工作效应较好，即COB光源的效率较高。
作为上述实施例的进一步优选方案，所述COB光源模组1上设置有倒圆柱状的芯片固晶槽3，所述芯片固晶槽3底部设置有倒装LED芯片2所对应的电极结构，所述多颗倒装LED芯片2封装在所述芯片固晶槽3中，所述芯片固晶槽3的深度大于LED芯片2的厚度。该实施例中，芯片固晶槽3的设计，可以将LED芯片2发出的光集中起来，并向上散发出去，以提高LED芯片2的发光效率。
作为芯片固晶槽3的深度的优选方案，所述芯片固晶槽3的深度大于LED芯片2的厚度的2倍。更为优选的，所述芯片固晶槽3的深度大于LED芯片2的厚度的4倍。经过反复的试验和验证，在此比例条件下，芯片固晶槽3的聚光作用更好，可以将LED芯片2发出的光充分集中起来，并向上散发出去，显著提高了LED芯片2的发光效率。
可选的，所述基板1上设置有5个且呈十字型排布的LED芯片2。在此排布条件下，较好地避免了COB光源过于集中排布的缺陷，有利于热量的发散，同时也在一定程度上优化了LED芯片2彼此之间的协同工作效应，尽可能使得每个LED芯片2侧边发出全部的光，进而提高了COB光源的效率。
此外，所述COB光源模组1上设置有反光凸纹(即一种光学结构)，该反光凸纹冲压成型(图中未示出)，反光凸纹的设置可以优化LED芯片2彼此之间的协同工作效应，尽可能使得每个LED中芯片的侧边具有充分光抽取的光学设计，每颗芯片周围设计有光学结构，并组成阵列结构，进而提高COB光源的效率；优选的，所述反光凸纹设置在相邻LED芯片2之间，其高度为相邻LED芯片2之间的间距的1/6～2/3。此实施例中，通过反光凸纹将LED芯片2隔开，降低了热量聚集，同时反光凸纹增大了散热面积，有利于快速散热，从而可以达到提高光效的目的；反光凸纹增加了光的反射，使得LED芯片2发出的光线可以更多的反射出来，同样提高了光效，改善了光线的均匀性，减少了光暗区；采用一体成型，加工方便，不会增加额外成本；LED芯片2安装简便，方便大规模生产加工。
优选的，所述反光凸纹高度为LED芯片2之间的间距的1/3。即相邻LED芯片2之间的间距假设为L，反光凸纹的高度为H，当H＝1/3L时，在此比例条件下，可以达到更好的反射效果。
所述的COB光源模组1为具有反光作用的一体化成型的光源模组，比如表面光滑的金属板，加工时一次性冲压成型，加工、生产更加简单。或者所述的COB光源模组1没有反光作用，而是在其反光凸纹上设置有高反光膜。这些设置的作用是将LED芯片2发出的一些光线反射出来，达到提高光效，减少暗区的目的，可以根据实际的生产状况、生产成本、加工难度来选择工艺方案。
优选的，所述的反光凸纹为朝上呈拱起的弧形结构，此时反光面为其弧形面；所述的反光凸纹为横截面呈梯形的隆起结构，梯形成上窄下宽结构，其面朝LED芯片2的斜面可以起到反光的作用，该梯形斜面的斜率可以根据LED芯片2光线照射角的不同进行选择。
另外，在某些情况下LED芯片2可能为圆形或者其他不规则结构，导致相邻LED芯片2之间距离有些地方宽，有些地方窄，此时，优选的，将反光凸纹设置为宽度随相邻LED芯片2之间距离变化的结构，并且其高度既可以固定为某一满足条件的具体值，也同样可以随相邻LED芯片2之间距离变化而高低变化，但是加工起来可能工艺难度更高，可以根据具体情况酌情选择。
如图1所示，采用8个上述任一实施例所述的COB光源模组1，将它们组合到一起使用，每个COB光源模组1都具有正电极和负电极。具体地，基板上设置有8个方便分离或切割的COB光源模组1，每一个COB光源模组1都是一个独立的光源模组，具有独立的正负极焊接点。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，但本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围内。
Claims (10)
1.一种倒装LED芯片的COB光源模组结构基板，所述基板上设置有若干个COB光源模组，所述COB光源模组上封装有多颗倒装LED芯片,其特征在于：相邻LED芯片之间的间距大于LED芯片的厚度。
2.根据权利要求1所述的一种倒装LED芯片的COB光源模组结构基板，其特征在于：相邻LED芯片之间的间距大于LED芯片厚度的1.5倍。
3.根据权利要求2所述的一种倒装LED芯片的COB光源模组结构基板，其特征在于：相邻LED芯片之间的间距大于LED芯片厚度的3倍。
4.根据权利要求1所述的一种倒装LED芯片的COB光源模组结构基板，其特征在于：所述COB光源模组上设置有倒圆柱状的芯片固晶槽，所述芯片固晶槽底部设置有倒装LED芯片所对应的电极结构，所述多颗倒装LED芯片封装在所述芯片固晶槽中，所述芯片固晶槽的深度大于LED芯片的厚度。
5.根据权利要求4所述的一种倒装LED芯片的COB光源模组结构基板，其特征在于：所述芯片固晶槽的深度大于LED芯片的厚度的2倍。
6.根据权利要求5所述的一种倒装LED芯片的COB光源模组结构基板，其特征在于：所述芯片固晶槽的深度大于LED芯片的厚度的4倍。
7.根据权利要求1-6任一权利要求所述的一种倒装LED芯片的COB光源模组结构基板，其特征在于：所述COB光源模组上设置有反光凸纹。
8.根据权利要求7所述的一种倒装LED芯片的COB光源模组结构基板，其特征在于：所述反光凸纹设置在相邻LED芯片之间，其高度为相邻LED芯片之间间距的1/6～2/3。
9.根据权利要求7所述的一种倒装芯片的COB光源模组结构基板，其特征在于：所述反光凸纹上设置有高反光膜，且为朝上呈拱起的弧形结构。
10.根据权利要求7所述的一种倒装芯片的COB光源模组结构基板，其特征在于：所述反光凸纹上设置有高反光膜，且为横截面呈梯形的隆起结构。
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