CN105653201A - 读取平均化方法及使用读取平均化方法的存储器装置 - Google Patents

读取平均化方法及使用读取平均化方法的存储器装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105653201A
CN105653201A CN201510788091.4A CN201510788091A CN105653201A CN 105653201 A CN105653201 A CN 105653201A CN 201510788091 A CN201510788091 A CN 201510788091A CN 105653201 A CN105653201 A CN 105653201A
Authority
CN
China
Prior art keywords
block
page
memory block
counting
reading
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510788091.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105653201B (zh
Inventor
张育铭
郭泰均
黄伟杰
林秉贤
苏资翔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Macronix International Co Ltd
Original Assignee
Macronix International Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Macronix International Co Ltd filed Critical Macronix International Co Ltd
Publication of CN105653201A publication Critical patent/CN105653201A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105653201B publication Critical patent/CN105653201B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023Free address space management
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/349Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/10Providing a specific technical effect
    • G06F2212/1032Reliability improvement, data loss prevention, degraded operation etc

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

本发明公开了一种读取平均化方法及使用读取平均化方法的存储器装置。存储器装置包含第一存储器区块及至少一第二存储器区块。此方法包含以下步骤。判断第一存储器区块的区块读取计数是否大于或等于第一阈值。当第一存储器区块的区块读取计数大于或等于第一阈值时,侦测第一存储器区块的页的读取计数。判断第一存储器区块的区块读取计数是否大于或等于第二阈值。当第一存储器区块的区块读取计数大于或等于第二阈值时,将第一存储器区块的其中一页的数据移动到第二存储器区块的一页。

Description

读取平均化方法及使用读取平均化方法的存储器装置
技术领域
本发明是有关于一种读取平均化方法及使用读取平均化方法的存储器装置。
背景技术
存储器装置的读取操作是读取存储器装置的存储器区块的一页。如果在存储器区块的一页上执行密集的读取操作,即使存储器装置的其他页从未被读取过,其他页可能会受到密集读取操作的读取干扰。并且,存储器装置的尺寸在近年来愈来愈小。随着存储器装置的尺寸不断缩小,存储器装置的可靠度同时也愈来愈差,并且较小的存储器装置只能支持小量的读取干扰。因此,存储器装置中的数据需要藉由频繁地移动有效数据来更新被干扰的数据,但却造成大量的擦除和写入操作而严重的降低系统效能。因此,有必要提供一种方法处理读取干扰。
发明内容
根据本发明的一实施例,提供一种读取平均化方法及使用读取平均化方法的存储器装置。
依据本发明,提供一种用于存储器装置的读取平均化方法。存储器装置包含第一存储器区块及至少一第二存储器区块。此方法包含以下步骤。判断第一存储器区块的区块读取计数是否大于或等于第一阈值。当第一存储器区块的区块读取计数大于或等于第一阈值时,侦测第一存储器区块的页的读取计数。判断第一存储器区块的区块读取计数是否大于或等于第二阈值。当第一存储器区块的区块读取计数大于或等于第二阈值时,将第一存储器区块的其中一页的数据移动到第二存储器区块的一页。
依据本发明,提供一种使用读取平均化方法的存储器装置,包含第一存储器区块及至少一第二存储器区块。第一存储器区块包含多个页面以储存数据。第二存储器区块包含多个页面以储存数据。存储器装置用以判断第一存储器区块的区块读取计数是否大于或等于第一阈值。存储器装置用以在第一存储器区块的区块读取计数大于或等于第一阈值时,侦测第一存储器区块的页的读取计数。存储器装置用以判断第一存储器区块的区块读取计数是否大于或等于第二阈值。存储器装置更用以在第一存储器区块的区块读取计数大于或等于第二阈值时,将第一存储器区块的其中一页的数据移动到第二存储器区块的一页。
依据本发明,提供另一种用于存储器装置的读取平均化方法。存储器装置包含第一存储器区块及至少一第二存储器区块。此方法包含以下步骤。判断第一存储器区块的区块读取计数是否大于或等于第一阈值。当第一存储器区块的区块读取计数大于或等于第一阈值时,使用一细粒的计数器辨识第一存储器区块中具有最高页读取计数的一页。将第一存储器区块中具有最高页读取计数的该页的数据移动到第二存储器区块。
附图说明
图1绘示依据本发明第一实施例的用于存储器装置的读取平均化方法的流程图。
图2绘示依据本发明第二实施例的用于存储器装置的读取平均化方法的流程图。
图3绘示依据本发明第二实施例的存储器装置及读取平均化方法的示意图。
图4绘示依据本发明第三实施例的存储器装置及读取平均化方法的示意图。
图5绘示依据本发明第四实施例的用于存储器装置的读取平均化方法的流程图。
图6绘示依据本发明第五实施例的用于存储器装置的读取平均化方法的流程图。
【符号说明】
100、200、500、600:读取平均化方法
110:判断第一存储器区块的一区块读取计数是否大于或等于一第一阈值
120:侦测第一存储器区块的一页的一页读取计数
130:判断第一存储器区块的区块读取计数是否大于或等于一第二阈值
140:将第一存储器区块的其中一页的数据移动到第二存储器区块的一页
212:将第一存储器区块的数据移动到监视区块
214:侦测监视区块的一页的页读取计数
220:判断监视区块的区块读取计数是否大于或等于第二阈值
232:判断监视区块的页读取计数是否大于或等于一第三阈值
234:将监视区块中页读取计数大于或等于第三阈值的页辨识为读取热数据
236:将每一读取热数据分配到不同的庇护区块
222:判断是否所有存储器区块的区块读取计数都小于第一阈值
224:辨识具有最高区块读取计数的存储器区块
226:将具有最高区块读取计数的存储器区块的有效页的数据移动到监视区块
242:将监视区块中页读取计数小于第三阈值的页辨识为读取冷数据
244:将这些读取冷数据移动到其他存储器区块的一页
300、400:存储器装置
310:多个存储器区块
320:多个监视区块
330:多个庇护区块
B1、B2、B3、Bn:存储器区块
MB1、MB2、MBm:监视区块
SB1、SB2、SB1:庇护区块
510:使用者读取一页
520:判断此页是否位于监视区块
540:判断此页是否位于庇护区块
542:增加页读取计数
544:判断庇护区块页读取计数是否大于或等于区块读取阈值
546:更新此庇护区块中所有有效页或将这些有效页分配到其他庇护区块
530:增加页读取计数
532:判断监视读取计数是否大于或等于区块读取阈值
534:根据页读取计数是否大于或等于页读取阈值辨识读取热数据及读取冷数据
536:将读取热数据分配到庇护区块并将读取冷数据分配到其他存储器区块
550:增加区块读取计数
552:判断此区块的区块读取计数是否大于或等于区块读取阈值
554:将此区块的所有有效页移动到监视区块
610:判断一存储器区块的一区块读取计数是否大于或等于一第一阈值
620:判断所有存储器区块的区块读取计数是否都小于第一阈值
622:辨识具有最高区块读取计数的存储器区块
624:使用一细粒的计数器辨识具有最高区块读取计数的存储器区块中具有最高页读取计数的一页
626:将具有最高区块读取计数的存储器区块中具有最高页读取计数的该页的数据移动到第二存储器区块
612:使用一细粒的计数器将此存储器区块中具有最高页读取计数的一页辨识为读取热数据
614:将读取热数据移动到第二存储器区块
具体实施方式
在本发明中,提供一种存储器装置及读取平均化方法以避免在同一存储器区块上的密集读取操作造成的读取干扰。在本文中,参照图式描述本发明的多个实施例的相关设置及流程。然而,本发明不限于此,图式中相同的参考符号用来表示相同或相似的元件。
图1绘示依据本发明第一实施例的用于存储器装置的读取平均化方法的流程图。存储器装置包含第一存储器区块及第二存储器区块。
请参照图1,读取平均化方法100包含以下步骤。首先,执行步骤110,判断第一存储器区块的一区块读取计数是否大于或等于一第一阈值。如果第一存储器区块的区块读取计数大于或等于第一阈值时,则执行步骤120,侦测第一存储器区块的一页的页读取计数。接着,执行步骤130,判断第一存储器区块的区块读取计数是否大于或等于一第二阈值。如果第一存储器区块的区块读取计数大于或等于一第二阈值,则执行步骤140,将第一存储器区块的其中一页的数据移动到第二存储器区块的一页。之后结束此读取平均化方法。各步骤的详细描述说明如下。
在步骤110中,第一存储器区块有一粗粒计数器(coarse-grainedcounter)以计算第一存储器区块的区块读取计数,第一存储器区块的区块读取计数代表第一存储器区块的读取次数。举例来说,当第一存储器区块的区块读取计数大于或等于区块读取阈值时,例如1000次,第一存储器区块的一页的数据可能会受到第一存储器区块的其他页造成的读取干扰而需要被更新。因此,在步骤110中,辨识大于或等于第一阈值(例如500次)的第一存储器区块作为读取热存储器区块(readhotmemoryblock)。
在步骤120中,第一存储器区块可包含至少一细粒计数器(fine-grainedcounter)以计算第一存储器区块的至少一页的页读取计数,且第一存储器区块的至少一页的页读取计数代表第一存储器区块的至少一页的读取次数。第二阈值为区块读取阈值(BlockReadThreshold,BRT)。而在步骤130中,判断第一存储器区块是否具有大于或等于区块读取阈值,例如大于1000次的区块读取计数。如果结果为是,则第一存储器区块的数据可能会受到读取干扰而需要被更新。
而最后在步骤140中,第一存储器区块的其中一页的数据被移动到第二存储器区块的一页。举例来说,将第一存储器区块中具有大于或等于第三阈值的页读取计数的该页辨识为读取热数据(readhotdata)。第三阈值为一页读取阈值(PageReadThreshold,PRT),例如500次。在其他实施例中,第一存储器区块中具有一最高页读取计数的该页的数据可被辨识为读取热数据。因此,从第一存储器区块中取出读取热数据并移动到第二存储器区块以避免在读取热数据造成的读取干扰。应当注意的是,区块读取阈值及页读取阈值可视实际应用而设定。
请参照图2,提供本发明第二实施例的用于存储器装置的读取平均化方法200。在第二实施例中,存储器装置包含更多存储器区块、至少一监视区块及至少一庇护区块。
首先,执行步骤110,判断第一存储器区块的区块读取计数是否大于或等于第一阈值,即区块读取阈值。如果第一存储器区块的区块读取计数大于或等于第一阈值(BRT)时,则执行步骤212,将第一存储器区块的数据移动到监视区块。监视区块包含至少一细粒计数器以计算监视区块的每一页的页读取计数。接着执行步骤214,侦测监视区块的一页的页读取计数。接下来执行步骤220,判断监视区块的区块读取计数是否大于或等于第二阈值。第二阈值例如是区块读取阈值或视实际应用而设定。如果监视区块的区块读取计数大于或等于第二阈值,则执行步骤230以将监视区块的其中一页的资料移动到庇护区块的一页。在一些实施例中,监视区块的一些页的数据被移动到一或多个庇护区块,且监视区块的其他页的数据被移动到其他存储器区块。在另一些实施例中,第一存储器区块包含至少一细粒计数器以侦测存储器区块的一页的页读取计数而不需要将第一存储器区块的数据移动到监视区块。
在一些实施例中,步骤230可包含以下步骤。举例来说,如果监视区块的区块读取计数大于或等于第二阈值,则执行步骤232,判断监视区块的页读取计数是否大于或等于一第三阈值。接着执行步骤234,将监视区块中页读取计数大于或等于第三阈值的页辨识为读取热数据。第三阈值可为页读取阈值(PRT),例如500次。而此读取平均化方法可重复在更多存储器区块上执行以获得更多读取热数据。最后,执行步骤236,将每一读取热数据分配到不同的庇护区块。因此,从多个存储器区块中取出多个读取热数据并移动到不同的庇护区块。而在每一庇护区块中有愈少的读取热数据,则每一读取热数据在需要被更新前可被读取更多次。在一些实施例中,如果当庇护区块的区块读取计数大于或等于区块读取阈值,则庇护区块中的所有页都需要被更新,或者将庇护区块中的所有有效页分配到其他庇护区块。
具体来说,假设庇护区块包含8页,且庇护区块只包含一读取热数据A储存在庇护区块的第1页,当区块读取计数达到区块阈值时,读取热数据A可被复制到同一区块的下一空白页。而如果在这区块中只存有一读取热数据且其他7页是空白页,则此复制流程可重复8次。换句话说,只有一读取热数据的庇护区块可支持8倍区块读取阈值的读取次数,也就是此例中的8000次。
另一方面,假设庇护区块包含8页,且庇护区块包含两个读取热数据A即B分别储存在庇护区块的第1页及第2页。而每次复制流程会复制这两个读取热数据A及B到同一区块的下两个空白页。因此,有两个读取热数据的庇护区块只可支持4倍区块读取阈值的读取次数,也就是4000次。据此,即使在此庇护区块执行的读取操作的总次数是一样的,例如8000次,在只有一个热读取数据的第一个例子中,只需要一次擦除操作,而在有两个热读取数据的第二个例子中,需要两次擦除操作。因此,有较少的读取热数据的庇护区块可承受较多的读取次数,而有较多的读取热数据的庇护区块可承受较少的读取次数而具有较低的忍受密集读取操作的能力。
在其他实施例中,如果当监视区块的一页的页读取计数小于第三阈值,则执行步骤242,将监视区块中页读取计数小于第三阈值的页辨识为读取冷数据(readcolddata)。最后,执行步骤244,将这些读取冷数据移动到其他存储器区块的一页。
在一些实施例中,在执行步骤110之后,执行步骤222,判断是否所有存储器区块的区块读取计数都小于第一阈值。如果所有存储器区块的区块读取计数都小于第一阈值,也就是说,没有存储器区块达到区块读取阈值,则执行步骤224,辨识具有最高区块读取计数的存储器区块。接着执行步骤226,将具有最高区块读取计数的存储器区块的有效页的数据移动到监视区块。在将具有最高区块读取计数的存储器区块的有效页的数据移动到监视区块之后,执行步骤214,侦测监视区块的一页的页读取计数。接着执行上面描述过的辨识热读取数据及移动热读取数据到庇护区块的其余步骤。
图3绘示依据本发明第二实施例的存储器装置300及读取平均化方法的示意图。请参照图3,存储器装置300包含多个存储器区块310、多个监视区块320及多个庇护区块330。每一存储器区块B1、B2、...、Bn各有一粗粒计数器以计算每一存储器区块的区块读取计数。如图3所示,存储器区块B1的区块读取计数为980,存储器区块B2的区块读取计数为930,存储器区块B3的区块读取计数为1000,以此类推。具有大于或等于区块读取阈值的存储器区块的数据被移动到监视区块。举例来说,假设我们设定区块读取阈值为1000,而存储器区块B3的区块读取计数等于区块读取阈值。则存储器区块B3的数据被移动到监视区块MB1。
每一监视区块MB1、MB2、...、MBm都有细粒计数器以计算监视区块的每一页的页读取计数。如图3所示,每一监视区块MB1、MB2、...、MBm包含8页,且监视区块MB1的第一页的页读取计数是50,监视区块MB1的第二页的页读取计数是40,监视区块MB1的第三页的页读取计数是60,以此类推。监视区块中具有大于或等于页读取阈值的页读取计数的该页的数据被辨识为读取热数据且需要被移动到庇护区块。举例来说,假设我们设定页读取阈值为500,而监视区块MB1的第六页的页读取计数为900大于页读取阈值500。因此,当监视区块MB1区块中的页读取计数大于第二阈值时,监视区块MB1的第六页的数据被移动到庇护区块SB1。另一方面,监视区块中具有小于页读取阈值的页读取计数的其他页的数据被辨识为读取冷数据且读取冷数据被移动到另一存储器区块。藉由将读取热数据及读取冷数据分开,可完成读取平均化方法。
上述流程可重复执行以找到所有读取热数据。如图3所示,监视区块MB2的第四页的页读取计数为700,也大于读取阈值500,也因此被辨识为读取热数据。则监视区块MB2的第四页的数据被移动到庇护区块SB2。在此实施例中,每一读取热数据被分配到不同的庇护区块SB1、SB2、...、SB1以使每一庇护区块不要包含太多读取热数据而因此每一读取热数据可在更新前被读取更多次。
图4绘示依据本发明第三实施例的存储器装置400及读取平均化方法的示意图。在此实施例中,存储器区块B3有一相等于区块读取阈值BRT的区块读取计数。如图4所示,存储器区块B3有四个有效页(标示为V)及四个无效页(标示为I)。相较于移动整个区块的数据,只将存储器区块B3的有效页的数据移动到监视区块MB3。之后,找到具有大于或等于第一阈值的另一个存储器区块,并将另一个存储器区块的有效页的数据移动到监视区块MB3的剩余页。
在此实施例中,只有存储器区块B3具有大于或等于区块阈值BRT的区块读取计数。因此替代方式是在除了存储器区块B3之外的所有存储器区块的区块读取计数都小于第一阈值时,辨识除了存储器区块B3之外的其他存储器区块中有最高区块读取计数的存储器区块。举例来说,除了存储器区块B3之外存储器区块B1具有最高读取计数980。如图4所示,存储器区块B1有四个有效页(标示为V)、一个无效页(标示为I)及三个空白页(标示为F)。则将存储器区块B1的有效页的数据移动到监视区块MB3的剩余页。之后,判断监视区块MB3的页读取计数是否大于或等于页读取阈值以辨识读取热数据,并将读取热数据移动到庇护区块,在一些实施例中,将监视区块MB3中具有最高页读取计数的该页辨识为读取热数据。如图4所示,监视区块MB3的第6页的页读取计数为700,大于页读取阈值(例如500),因此被辨识为读取热数据而被移动到庇护区块SB1,而监视区块MB3的其他页的页读取计数小于读取阈值。因此,监视区块MB3的其他页被辨识为读取冷数据而被移动到其他存储器区块。
图5绘示依据本发明第四实施例的用于存储器装置的读取平均化方法500的流程图。读取平均化方法500可应用在如图3或图4所示的存储器装置。读取平均化方法500由步骤510开始,在步骤510中,使用者读取一页。之后,在步骤520中,判断此页是否位于监视区块。如果此页位于监视区块,则在步骤530中,增加页读取计数。之后在步骤532中,判断监视读取计数是否大于或等于区块读取阈值。如果结果为是,则执行步骤534,根据页读取计数是否大于或等于页读取阈值辨识读取热数据及读取冷数据。接着执行步骤536,将读取热数据分配到庇护区块并将读取冷数据分配到其他存储器区块。
如果此页并不是位于监视区块,则执行步骤540,判断此页是否位于庇护区块。如果结果为是,则在步骤542中增加页读取计数。接着在步骤544中,判断庇护区块页读取计数是否大于或等于区块读取阈值。如果结果为是,则执行步骤546,更新此庇护区块中所有有效页或将这些有效页分配到其他庇护区块。
另一方面,如果此页也不是位于庇护区块,也就是说,此页是位于一般存储器区块。则在步骤550中,由于一般存储器区块并未包含细粒计数器以计算一般存储器区块的每一页的页读取计数,增加此一般存储器区块的区块读取计数。接着执行步骤552,判断此一般存储器区块的区块读取计数是否大于或等于区块读取阈值。如果结果为是,则执行步骤554,将此区块的所有有效页移动到监视区块。上述流程可在每一页被使用者读取时重复执行。
图6绘示依据本发明第五实施例的用于存储器装置的读取平均化方法600的流程图。读取平均化方法600可应用在如图3或图4所示的存储器装置。读取平均化方法600由步骤610开始,在步骤610中,判断一存储器区块的一区块读取计数是否大于或等于一第一阈值。如果结果为是,则执行步骤612,使用一细粒计数器将此存储器区块中具有最高页读取计数的一页辨识为读取热数据。接着执行步骤614,将读取热数据移动到第二存储器区块。
在一些实施例中,在执行步骤610之后执行步骤620,判断所有存储器区块的区块读取计数是否都小于第一阈值。如果结果为是,则执行步骤622,辨识具有最高区块读取计数的存储器区块。接着执行步骤624,使用一细粒计数器辨识具有最高区块读取计数的存储器区块中具有最高页读取计数的一页。之后执行步骤626,将具有最高区块读取计数的存储器区块中具有最高页读取计数的该页的数据移动到第二存储器区块。上述流程可重复执行直到所有读取热数据都被移动到第二存储器区块为止。
依据上述实施例,提供多个读取平均化方法以辨识读取热数据并移动读取热数据到其他存储器区块以使一区块有较少的读取热数据,且此区块可支持较多读取操作以使同一区块的其他页的读取干扰减到最小。并且,使用上述的读取平均化方法可减少擦除操作的次数而也会减少更新次数。在一些实施例中,读取热数据尽可能地被平均分配到不同的区块,而因此使同一区块上的读取热数据和其他有效数据之间的干扰减到最小。
综上所述,虽然本发明已以多个实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作各种的更动与润饰。因此,本发明的保护范围当视随附的权利要求范围所界定的为准。

Claims (14)

1.一种读取平均化方法,用于一存储器装置,该存储器装置包含一第一存储器区块及至少一第二存储器区块,该方法包含:
判断该第一存储器区块的一区块读取计数是否大于或等于一第一阈值;
当该第一存储器区块的该区块读取计数大于或等于该第一阈值时,侦测该第一存储器区块至少一页的一页读取计数;
判断该第一存储器区块的该区块读取计数是否大于或等于一第二阈值;以及
当该第一存储器区块的该区块读取计数大于或等于该第二阈值时,将该第一存储器区块的其中一页的数据移动到该第二存储器区块的一页。
2.根据权利要求1所述的方法,更包含:
使用一粗粒计数器计算该第一存储器区块的该区块读取计数;以及
使用一细粒计数器计算该第一存储器区块的该页的该页读取计数;
其中当该第一存储器区块的该区块读取计数大于或等于该第二阈值时,将该第一存储器区块的其中一页的数据移动到该第二存储器区块的该页的步骤更包含将该第一存储器区块具有大于或等于一第三阈值的该页读取计数的该页的数据移动到该第二存储器区块的该页。
3.根据权利要求1所述的方法,其中当该第一存储器区块的该区块读取计数大于或等于该第二阈值时,将该第一存储器区块的该其中一页的数据移动到该第二存储器区块的该页的步骤更包含:
将该第一存储器区块中具有一最高页读取计数的该页的数据移动到该第二存储器区块的该页。
4.根据权利要求3所述的方法,其中该存储器装置更包含一第三存储器区块,该方法更包含:
判断该第三存储器区块的该区块读取计数是否大于或等于该第一阈值;以及
当该第三存储器区块的该区块读取计数大于或等于该第一阈值时,将该第三存储器区块中具有该最高页读取计数的该页的数据移动到该第二存储器区块。
5.根据权利要求1所述的方法,其中该存储器装置更包含多个存储器区块,该方法更包含:
判断是否所有这些存储器区块的这些区块读取计数都小于该第一阈值;
当所有这些存储器区块的这些区块读取计数都小于该第一阈值时,辨识具有一最高区块读取计数的该存储器区块;
使用一细粒计数器辨识具有该最高区块读取计数的该存储器区块中具有该最高页读取计数的该页;以及
将具有该最高区块读取计数的该存储器区块中具有该最高页读取计数的该页的数据移动到该第二存储器区块。
6.一种读取平均化方法,用于一存储器装置,该存储器装置包含一第一存储器、至少一第二存储器区块及至少一监视区块,该方法包含:
判断该第一存储器区块的一区块读取计数是否大于或等于一第一阈值;
当该第一存储器区块的该区块读取计数大于或等于该第一阈值时,将该第一存储器区块的数据移动到该监视区块;
侦测该监视区块至少一页的一页读取计数;
判断该监视区块的该区块读取计数是否大于或等于该第二阈值;以及
当该监视区块的该区块读取计数大于或等于该第二阈值时,将该监视区块的其中一页的数据移动到该第二存储器区块的一页。
7.根据权利要求6所述的方法,其中当该第一存储器区块的该区块读取计数大于或等于该第一阈值时,将该第一存储器区块的数据移动到该监视区块的步骤更包含:
当该第一存储器区块的该区块读取计数大于或等于该第一阈值时,将该第一存储器区块一有效页的数据移动到该监视区块。
8.根据权利要求6所述的方法,其中该存储器装置更包含多个存储器区块,该方法更包含:
判断是否所有这些存储器区块的这些区块读取计数都小于该第一阈值;
当所有这些存储器区块的这些区块读取计数都小于该第一阈值时,辨识具有一最高区块读取计数的该存储器区块;以及
将具有该最高区块读取计数的该存储器区块的一有效页的数据移动到该监视区块。
9.一种存储器装置,包含:
一第一存储器区块,包含多个页以储存数据;以及
至少一第二存储器区块,包含多个页以储存数据;
其中该存储器装置用以:
判断该第一存储器区块的一区块读取计数是否大于或等于一第一阈值;
当该第一存储器区块的该区块读取计数大于或等于该第一阈值时,侦测该第一存储器区块每一该页的一页读取计数;
判断该第一存储器区块的该区块读取计数是否大于或等于一第二阈值;以及
当该第一存储器区块的该区块读取计数大于或等于该第二阈值时,将该第一存储器区块的其中一页的数据移动到该第二存储器区块的一页。
10.根据权利要求9所述的存储器装置,更包含:
一细粒计数器,用以计算该第一存储器区块每一该页的该页读取计数;以及
一粗粒计数器,用以计算该第一存储器区块的该区块读取计数;
其中该存储器装置更用以将该第一存储器区块具有大于或等于一第三阈值的该页读取计数的该页的数据移动到该第二存储器区块的该页。
11.根据权利要求7所述的存储器装置,其中该存储器装置更用以:
将该第一存储器区块中具有一最高页读取计数的该页的数据移动到该第二存储器区块的该页。
12.一种存储器装置,包含:
一第一存储器区块,包含多个页以储存数据;
至少一第二存储器区块,包含多个页以储存数据;以及
至少一监视区块,
其中该存储器装置更用以:
判断该第一存储器区块的一区块读取计数是否大于或等于一第一阈值;
当该第一存储器区块的该区块读取计数大于或等于该第一阈值时,将该第一存储器区块的数据移动到该监视区块;
侦测该监视区块至少一页的一页读取计数;
判断该监视区块的该区块读取计数是否大于或等于该第二阈值;以及
当该监视区块的该区块读取计数大于或等于该第二阈值时,将该监视区块的其中一页的数据移动到该第二存储器区块的一页。
13.根据权利要求12所述的存储器装置,其中该存储器装置更用以:
当该第一存储器区块的该区块读取计数大于或等于该第一阈值时,将该第一存储器区块一有效页的数据移动到该监视区块。
14.根据权利要求12所述的存储器装置,更包含:
多个存储器区块;
其中该存储器装置更用以:
判断是否所有这些存储器区块的这些区块读取计数都小于该第一阈值;
当所有这些存储器区块的这些区块读取计数都小于该第一阈值时,辨识具有一最高区块读取计数的该存储器区块;以及
将具有该最高区块读取计数的该存储器区块一有效页的数据移动到该监视区块。
CN201510788091.4A 2014-12-02 2015-11-16 读取平均化方法及使用读取平均化方法的存储器装置 Active CN105653201B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462086207P 2014-12-02 2014-12-02
US62/086,207 2014-12-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105653201A true CN105653201A (zh) 2016-06-08
CN105653201B CN105653201B (zh) 2019-04-02

Family

ID=56079587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510788091.4A Active CN105653201B (zh) 2014-12-02 2015-11-16 读取平均化方法及使用读取平均化方法的存储器装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9760478B2 (zh)
CN (1) CN105653201B (zh)
TW (1) TWI584118B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107678976A (zh) * 2016-08-02 2018-02-09 爱思开海力士有限公司 数据存储装置及其操作方法
CN109147852A (zh) * 2017-06-27 2019-01-04 爱思开海力士有限公司 控制器及其操作方法
CN110058797A (zh) * 2018-01-18 2019-07-26 爱思开海力士有限公司 存储器系统及其操作方法
CN110289036A (zh) * 2018-03-19 2019-09-27 深圳大心电子科技有限公司 读取电压最佳化方法以及存储控制器
CN111724838A (zh) * 2019-03-20 2020-09-29 东芝存储器株式会社 半导体存储装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107203476B (zh) 2016-03-18 2021-08-31 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置、存储器控制器及其数据管理方法
JP2019168937A (ja) * 2018-03-23 2019-10-03 東芝メモリ株式会社 メモリシステム、制御方法及びコントローラ
US10553292B1 (en) * 2018-08-08 2020-02-04 SK Hynix Inc. Memory system with memory region read counts and a memory group read count and operating method thereof
US11169747B2 (en) * 2018-10-30 2021-11-09 Micron Technology, Inc. Relocating data to low latency memory
KR20210043314A (ko) * 2019-10-11 2021-04-21 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템, 메모리 컨트롤러 및 동작 방법
US11372587B2 (en) * 2020-05-22 2022-06-28 Macronix International Co., Ltd. Memory device and method for managing read counts of memory device
KR20220157793A (ko) * 2021-05-21 2022-11-29 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 그 동작 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW509842B (en) * 2000-08-25 2002-11-11 Ibm Reclaim space reserve for a compressed memory system
CN101226504A (zh) * 2008-01-25 2008-07-23 炬力集成电路设计有限公司 一种防止存储器读损的方法及装置
CN101494085A (zh) * 2008-01-22 2009-07-29 群联电子股份有限公司 防止非易失性存储器发生读取干扰的方法及其控制器
CN101561782A (zh) * 2008-04-18 2009-10-21 慧荣科技股份有限公司 非挥发性存储装置以及存取一非挥发性存储装置的方法
CN101615427A (zh) * 2008-06-24 2009-12-30 群联电子股份有限公司 非易失性存储器的存储器管理方法及使用此方法的控制器
US7818525B1 (en) * 2009-08-12 2010-10-19 Texas Memory Systems, Inc. Efficient reduction of read disturb errors in NAND FLASH memory
TW201405309A (zh) * 2012-07-17 2014-02-01 Via Tech Inc 資料儲存裝置與其操作方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9575829B2 (en) * 2013-03-13 2017-02-21 Sandisk Technologies Llc Probability-based remedial action for read disturb effects
US9552171B2 (en) * 2014-10-29 2017-01-24 Sandisk Technologies Llc Read scrub with adaptive counter management

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW509842B (en) * 2000-08-25 2002-11-11 Ibm Reclaim space reserve for a compressed memory system
CN101494085A (zh) * 2008-01-22 2009-07-29 群联电子股份有限公司 防止非易失性存储器发生读取干扰的方法及其控制器
CN101226504A (zh) * 2008-01-25 2008-07-23 炬力集成电路设计有限公司 一种防止存储器读损的方法及装置
CN101561782A (zh) * 2008-04-18 2009-10-21 慧荣科技股份有限公司 非挥发性存储装置以及存取一非挥发性存储装置的方法
US20090265503A1 (en) * 2008-04-18 2009-10-22 Silicon Motion, Inc. Non-Volatile Memory Apparatus and Method for Accessing a Non-Volatile Memory Apparatus
CN101615427A (zh) * 2008-06-24 2009-12-30 群联电子股份有限公司 非易失性存储器的存储器管理方法及使用此方法的控制器
US7818525B1 (en) * 2009-08-12 2010-10-19 Texas Memory Systems, Inc. Efficient reduction of read disturb errors in NAND FLASH memory
TW201405309A (zh) * 2012-07-17 2014-02-01 Via Tech Inc 資料儲存裝置與其操作方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107678976A (zh) * 2016-08-02 2018-02-09 爱思开海力士有限公司 数据存储装置及其操作方法
CN109147852A (zh) * 2017-06-27 2019-01-04 爱思开海力士有限公司 控制器及其操作方法
CN109147852B (zh) * 2017-06-27 2022-05-06 爱思开海力士有限公司 控制器及其操作方法
CN110058797A (zh) * 2018-01-18 2019-07-26 爱思开海力士有限公司 存储器系统及其操作方法
CN110058797B (zh) * 2018-01-18 2022-03-15 爱思开海力士有限公司 存储器系统及其操作方法
CN110289036A (zh) * 2018-03-19 2019-09-27 深圳大心电子科技有限公司 读取电压最佳化方法以及存储控制器
CN110289036B (zh) * 2018-03-19 2021-05-18 深圳大心电子科技有限公司 读取电压最佳化方法以及存储控制器
CN111724838A (zh) * 2019-03-20 2020-09-29 东芝存储器株式会社 半导体存储装置
CN111724838B (zh) * 2019-03-20 2023-11-10 铠侠股份有限公司 半导体存储装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201629776A (zh) 2016-08-16
CN105653201B (zh) 2019-04-02
TWI584118B (zh) 2017-05-21
US20160155516A1 (en) 2016-06-02
US9760478B2 (en) 2017-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105653201A (zh) 读取平均化方法及使用读取平均化方法的存储器装置
US9471495B2 (en) Method and apparatus for constructing memory access model
CN109711158A (zh) 基于设备的反恶意软件
CN103049354B (zh) 数据修复方法、数据修复装置以及存储系统
US8250111B2 (en) Automatic detection and correction of hot pages in a database system
CN103984506A (zh) 闪存存储设备数据写的方法和系统
TWI628544B (zh) 揮發性記憶體的資料保存系統及方法
CN105138425A (zh) 一种磁盘健康状态检测方法与系统
TWI682275B (zh) 資料儲存裝置及其操作方法
GB2487314A (en) Selective write protect for disaster recovery testing
CN104077241A (zh) 缓存淘汰算法切换处理方法及装置
CN104932830A (zh) 信息处理方法及电子设备
US9672173B2 (en) Shared PCI interrupt line management
EP2645249A1 (en) Information processing apparatus, and method of controlling information processing apparatus
US20120137107A1 (en) Method of decaying hot data
US20160055211A1 (en) Apparatus and method for memory storage and analytic execution of time series data
US10210103B2 (en) Method and device for checking validity of memory access
CN105335252A (zh) 一种数据保护方法、装置以及系统
US8930661B2 (en) Operation processing device and method of detecting memory leak
US9910788B2 (en) Cache access statistics accumulation for cache line replacement selection
TWI709042B (zh) 用來進行關於容錯式磁碟陣列的映射資訊管理之方法與裝置以及儲存系統
US20160034331A1 (en) Memory system and data protection method thereof
CN102033718B (zh) 一种可扩展的快速流检测方法
CN104252421A (zh) 缓存方法及装置
CN113031851B (zh) 数据快照方法、装置及设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant