CN105622083A - 一种热敏电阻器的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种热敏电阻器的制备方法，属于电子元件的制备领域。将Mn3O4、Co3O4、NiO、Fe2O3混合成粉料；将锆球、粉料和去离子水进行混料和行星球磨，在1000℃的箱式炉中预烧，经过筛网过筛制得所需粉体；将NTCR粉体直接通过冷等静压机压成坯体；采用Al2O3粉埋烧，在箱式炉中烧结成瓷，通过切割机切割成厚度为0.3mm的薄片，涂覆银电极浆料，在850℃的炉中烧渗、再经过划片机划片，制成芯片；在芯片电极上焊接引脚后制得电阻器。通过采用固相反应法制作NTC热敏电阻器芯片，制出一种新型薄膜封装型NTC热敏电阻器。该方法流程实现了薄膜封装型NTC热敏电阻器的批量化生产。产品性能经可靠性实验，性能稳定可靠，易于推广。
Description
技术领域
本发明属于电子元件的制备领域，尤其涉及一种热敏电阻器的制备方法。
背景技术
随着科技的不断进步，对于电子产品的质量要求也在不断提升，与此同时对于电子元器件的制备工艺也有了更高的要求，各种新的技术、材料的运用频率也在大幅提升。NTC热敏电阻的应用便是如此，NTC热敏电阻器有各种封装形式，薄膜封装是其中的一种。新型薄膜封装型NTC热敏电阻器的研制对推动整机向轻、薄方向发展起到了作用。而利用固相反应法和薄膜封装，制作此类NTC热敏电阻器的整体工艺技术方法还未见具体工法出现。
发明内容
本发明旨在提供一种采用固相反应法指的新型NTC热敏电阻器的制备方法。
一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）将Mn3O4、Co3O4、NiO、Fe2O3，按r（Mn：Co：Ni：Fe)=3.24：1.0：1.16：0.6混合成粉料；（2）将锆球、粉料和去离子水按照4：1：2进行混料和行星球磨，在1000℃的箱式炉中预烧，经过175μm的筛网过筛，制得所需粉体；（3）将NTCR粉体直接通过冷等静压机压成坯体；采用Al2O3粉埋烧，在箱式炉中烧结成瓷，通过内圆切割机切割成厚度为0.3mm的薄片，涂覆银电极浆料，在850℃的马弗炉中烧渗15min、再经过划片机划片，制成芯片；（4）在芯片电极上焊接引脚后制得电阻器。
本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤（2）中的球磨时间为为8h。
本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤（2）中的预烧时间为2h。
本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤（3）中坯体的规格为直径50mm，高度40mm的圆柱体。
本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述坯体的压制密度在2.8-3.5g/cm3。
本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤（3）中烧结温度为1250℃，烧结时间为6h。
本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于步骤（3）中所述芯片的长度为0.85mm、宽度为0.3mm、厚度为0.3mm。
本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于步骤（4）中所述引脚上进行镀镍，之后再进行镀锡。
本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于镀镍层的最小厚度为20μm，镀锡层的最小厚度为100μm。
本发明所述热敏电阻器的制备方法，通过采用固相反应法，冷等静压技术制作NTC热敏电阻器芯片，通过浸锡焊接及薄膜封装等方法技术实现了产品的超薄设计，研制出一种新型薄膜封装型NTC热敏电阻器。该方法流程实现了薄膜封装型NTC热敏电阻器的批量化生产。产品性能经可靠性实验，性能稳定可靠，易于推广。
具体实施方式
一种热敏电阻器的制备方法，包括如下步骤：（1）将Mn3O4、Co3O4、NiO、Fe2O3，按r（Mn：Co：Ni：Fe)=3.24：1.0：1.16：0.6混合成粉料；（2）将锆球、粉料和去离子水按照4：1：2进行混料和行星球磨，在1000℃的箱式炉中预烧，经过175μm的筛网过筛，制得所需粉体；（3）将NTCR粉体直接通过冷等静压机压成坯体；采用Al2O3粉埋烧，在箱式炉中烧结成瓷，通过内圆切割机切割成厚度为0.3mm的薄片，涂覆银电极浆料，在850℃的马弗炉中烧渗15min、再经过划片机划片，制成芯片；（4）在芯片电极上焊接引脚后制得电阻器。
本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，所述步骤（2）中的球磨时间为为8h。所述步骤（2）中的预烧时间为2h。所述步骤（3）中坯体的规格为直径50mm，高度40mm的圆柱体。所述坯体的压制密度在2.8-3.5g/cm3。所述步骤（3）中烧结温度为1250℃，烧结时间为6h。步骤（3）中所述芯片的长度为0.85mm、宽度为0.3mm、厚度为0.3mm。步骤（4）中所述引脚上进行镀镍，之后再进行镀锡。
本发明所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于镀镍层的最小厚度为20μm，镀锡层的最小厚度为100μm。引脚采用合金材质，表层镀镍以增加弹性，在镀镍层表面再镀一层锡，表面着锡可焊性须大于95％，以增加其良好的焊接效果。各个引脚均匀一致，无变形、变色、水纹、气泡等不良外观。芯片与引线的焊接，采用模具整条上片及浸焊，将用引线夹好的小方片浸于助焊剂槽，浸满芯片即可，
然后放于锡炉上方进行预热，预热时间为(60±5)s，采用质量比为Sn96.5Ag3Cu0.5的焊料，于(265±5)℃条件下焊接，时间为1-3s，实现产品的引线焊接。
Claims (9)
1.一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）将Mn3O4、Co3O4、NiO、Fe2O3，按r（Mn：Co：Ni：Fe)=3.24：1.0：1.16：0.6混合成粉料；（2）将锆球、粉料和去离子水按照4：1：2进行混料和行星球磨，在1000℃的箱式炉中预烧，经过175μm的筛网过筛，制得所需粉体；（3）将NTCR粉体直接通过冷等静压机压成坯体；采用Al2O3粉埋烧，在箱式炉中烧结成瓷，通过内圆切割机切割成厚度为0.3mm的薄片，涂覆银电极浆料，在850℃的马弗炉中烧渗15min、再经过划片机划片，制成芯片；（4）在芯片电极上焊接引脚后制得电阻器。
2.如权利要求1所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤（2）中的球磨时间为为8h。
3.如权利要求1所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤（2）中的预烧时间为2h。
4.如权利要求1所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤（3）中坯体的规格为直径50mm，高度40mm的圆柱体。
5.如权利要求1或4所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述坯体的压制密度在2.8-3.5g/cm3。
6.如权利要求1所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于所述步骤（3）中烧结温度为1250℃，烧结时间为6h。
7.如权利要求1所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于步骤（3）中所述芯片的长度为0.85mm、宽度为0.3mm、厚度为0.3mm。
8.如权利要求1所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于步骤（4）中所述引脚上进行镀镍，之后再进行镀锡。
9.如权利要求8所述的一种热敏电阻器的制备方法，其特征在于镀镍层的最小厚度为20μm，镀锡层的最小厚度为100μm。
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|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106278226A (zh) * | 2016-08-17 | 2017-01-04 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种三元系负温度系数热敏电阻材料的制备方法 |
| CN106384635A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-02-08 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种片式ntcr及其制备方法 |
| CN111499355A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-08-07 | 南京先正电子股份有限公司 | 一种ntc热敏电阻 |
| CN112489906A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-03-12 | 青岛三元传感技术有限公司 | 一种ntc热敏电阻芯片及其制备方法 |
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2014
- 2014-10-31 CN CN201410598275.XA patent/CN105622083A/zh active Pending
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| CN112489906A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-03-12 | 青岛三元传感技术有限公司 | 一种ntc热敏电阻芯片及其制备方法 |
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