CN105609313A - 一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法，包括以下步骤：将表面附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于处理液中，浸渍1～20min后以0.01～5.0mm/min的速度取出，在20～30℃的温度下放置5～30min，并在50～260℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层；其中所述处理液包含重量百分比为0.005～2.0％的硅烷偶联剂、0.01～0.1％的气相二氧化硅、3～15％的水和余量的溶剂。通过本发明的制造方法制造的片式导电聚合物钽电容器阴极引导层来进一步制备的片式聚合物钽电容器具有高容量引出率、低损耗、低等效串联电阻和漏电流小的特性。
Description
技术领域
本发明涉及一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法。
背景技术
由于Ta2O5介质氧化膜具有憎油性，且介质膜微孔大小分布不均，对于未制备引导层的大孔径(＞300nm)介质微孔，这类微孔表面着床吸附溶液重量较少或因重力作用而流挂到其它部位，因此聚合形成的导电聚合物层不连续、不致密，降低了聚合物层的导电性能。未进行阴极层载体制造的钽阳极块，即便是被覆了聚合物层，受热冲击后容易发生层间界面分离导致层间接触电阻增大而使产品的等效串联电阻(ESR)变大。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提出一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法，通过本发明的制造方法制造的片式导电聚合物钽电容器阴极引导层来进一步制备的片式聚合物钽电容器具有高容量引出率、低损耗、低等效串联电阻和漏电流小的特性。
为达到上述目的，本发明采用以下技术方案：
本发明公开了一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法，包括以下步骤：将表面附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于处理液中，浸渍1～20min后以0.01～5.0mm/min的速度取出，在20～30℃的温度下放置5～30min，并在50～260℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层；其中所述处理液包含重量百分比为0.005～2.0％的硅烷偶联剂、0.01～0.1％的气相二氧化硅、3～15％的水和余量的溶剂。
优选地，所述溶剂包括醇类、酮类、醚类中的至少一种。
优选地，所述溶剂包括甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、戊醇、十二醇、丙酮、丁酮、异佛尔酮、甲醚、乙醚、丁醚、乙二醇单丁醚、甲基叔丁醚、甲乙醚、苯甲醚中的至少一种。
优选地，所述硅烷偶联剂的通式为RnSiX4-n，其中R为辛烯基、十二烷基、脲基、碳烷氧基、阳离子烃基、乙烯基、氨基、环氧基、巯基或丙烯酰氧丙基，X为烷氧基、芳氧基、酰基、甲氧基或乙氧基。
优选地，所述硅烷偶联剂为氨基硅烷、巯基硅烷、环氧基硅烷、乙烯基硅烷、丙烯酰氧丙基硅烷、十二烷基硅烷中的至少一种。
优选地，所述处理液包含重量百分比为0.1～1.5％的硅烷偶联剂、0.01～0.05％的气相二氧化硅、4～10％的水和余量的溶剂。
优选地，所述处理液包含重量百分比为0.3～1.0％的硅烷偶联剂、0.01～0.05％的气相二氧化硅、5～8％的水和余量的溶剂。
优选地，将表面附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于处理液中取出后，在20～25℃的温度下放置20min，并在170～210℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层。
本发明还公开了一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法，包括以下步骤：将表面附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于处理液中，浸渍1～20min后以0.01～5.0mm/min的速度取出，在20～30℃的温度、50％RH～100％RH的湿度下放置60～360min，并在50～260℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层；其中所述处理液包含重量百分比为0.005～2.0％的硅烷偶联剂、0.01～0.1％的气相二氧化硅和余量的溶剂。
优选地，所述溶剂包括醇类、酮类、醚类中的至少一种。
优选地，所述溶剂包括甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、戊醇、十二醇、丙酮、丁酮、异佛尔酮、甲醚、乙醚、丁醚、乙二醇单丁醚、甲基叔丁醚、甲乙醚、苯甲醚中的至少一种。
优选地，所述硅烷偶联剂的通式为RnSiX4-n，其中R为辛烯基、十二烷基、脲基、碳烷氧基、阳离子烃基、乙烯基、氨基、环氧基、巯基或丙烯酰氧丙基，X为烷氧基、芳氧基、酰基、甲氧基或乙氧基。
优选地，所述硅烷偶联剂为氨基硅烷、巯基硅烷、环氧基硅烷、乙烯基硅烷、丙烯酰氧丙基硅烷、十二烷基硅烷中的至少一种。
优选地，所述处理液包含重量百分比为0.1～1.5％的硅烷偶联剂、0.01～0.05％的气相二氧化硅和余量的溶剂。
优选地，所述处理液包含重量百分比为0.3～1.0％的硅烷偶联剂、0.01～0.05％的气相二氧化硅和余量的溶剂。
优选地，将表面附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于处理液中取出后，在20～25℃、60％RH～90％RH的湿度的温度下放置120～180min，并在170～210℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明的一种方案中通过将附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于包括硅烷偶联剂、气相二氧化硅、溶剂以及低含水量的中性处理液中，其中溶剂在介质层的微孔通道中具有毛细管虹吸效应，使得硅烷在介质层表面充分渗透、吸附；而硅烷偶联剂在低含水量的中性液体中，其水解速率得到缓解，使得硅烷偶联剂能够在被介质层表面充分渗透、吸附后再进行水解，水解后形成的硅羟基，以及硅烷偶联剂中包含的有机官能团促使引导层与导电聚合层具有较强的亲和力；同时还通过反应温度控制硅烷偶联剂的水解速率，并在高温下脱水合成引导层，促进引导层与介质层的界面融合，从而提高导电聚合物膜层被覆的连续性、致密性。本发明的另一种方案中通过将附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于包括硅烷偶联剂、气相二氧化硅、溶剂的中性处理液中，其中溶剂在介质层的微孔通道中具有毛细管虹吸效应，使得硅烷在介质层表面充分渗透、吸附；而硅烷偶联剂在较高环境湿度下与空气中的水分进行水解，其水解速率得到缓解，使得硅烷偶联剂能够在被介质层表面充分渗透、吸附后再进行水解，水解后形成的硅羟基，以及硅烷偶联剂中包含的有机官能团促使引导层与导电聚合层具有较强的亲和力；同时还通过反应温度控制硅烷偶联剂的水解速率，并在高温下脱水合成引导层，促进引导层与介质层的界面融合，从而提高导电聚合物膜层被覆的连续性、致密性。此外，通过在处理液中加入少量的气相二氧化硅，可以使得气相二氧化硅与硅烷偶联剂形成良好的无机界面融合作用，还可以填充介质层中无效的微孔以防止无效的微孔影响电容器的电性指标；通过本发明的制造方法制造的片式导电聚合物钽电容器阴极引导层来进一步制备的片式聚合物钽电容器具有高容量引出率、低损耗、低等效串联电阻和漏电流小的特性。
在进一步的方案中，硅烷偶联剂选用通式为RnSiX4-n的物质，其中R选用与聚合物分子具有较强的亲和力或反应能力的基团，X选用可水解基团，进一步提高引导层与导电聚合层的亲和力，更进一步地提高导电聚合物膜层被覆的连续性、致密性。
具体实施方式
下面并结合优选的实施方式对本发明作进一步说明。
本发明提供一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法，在一种实施方式中，包括：将表面附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于处理液中，浸渍1～20min后以0.01～5.0mm/min的速度取出，在20～30℃的温度下放置5～30min，并在50～260℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层；其中所述处理液包含重量百分比为0.005～2.0％的硅烷偶联剂、0.01～0.1％的气相二氧化硅、3～15％的水和余量的溶剂。
其中溶剂可以是醇类、酮类、醚类中的至少一种，醇类包括甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、戊醇、十二醇等；酮类包括丙酮、丁酮、异佛尔酮等，醚类包括甲醚、乙醚、丁醚、乙二醇单丁醚、甲基叔丁醚、甲乙醚、苯甲醚等。
在一些优选的实施方式中，所述硅烷偶联剂的通式为RnSiX4-n，其中R为非水解的、可与高分子聚合物结合的有机官能团，根据高分子聚合物的不同性质，本发明的R优选采用与聚合物分子有较强的亲和力或反应能力的，可以是辛烯基、十二烷基、脲基、碳烷氧基、阳离子烃基、乙烯基、氨基、环氧基、巯基或丙烯酰氧丙基等；X采用可水解基团，可以是烷氧基、芳氧基、酰基、甲氧基或乙氧基等。在其他实施方式中，硅烷偶联剂是氨基硅烷、巯基硅烷、环氧基硅烷、乙烯基硅烷、丙烯酰氧丙基硅烷、十二烷基硅烷中的至少一种。
在另一些优选的实施方式中，处理液可以是包含重量百分比为0.1～1.5％的硅烷偶联剂、0.01～0.05％的气相二氧化硅、4～10％的水和余量的溶剂，更优选地，处理液包含重量百分比为0.3～1.0％的硅烷偶联剂、0.01～0.05％的气相二氧化硅、5～8％的水和余量的溶剂。
在其他一些实施方式中，本发明的制造方法包括将表面附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于处理液中取出后，在20～25℃的温度下放置20min，并在170～210℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层；更进一步，在25℃的温度下放置20min，并在170～200℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层。
本发明提供的片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法，在另一种实施方式中，包括：将表面附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于处理液中，浸渍1～20min后以0.01～5.0mm/min的速度取出，在20～30℃的温度、50％RH～100％RH的湿度下放置60～360min，并在50～260℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层；其中所述处理液包含重量百分比为0.005～2.0％的硅烷偶联剂、0.01～0.1％的气相二氧化硅和余量的溶剂。
其中溶剂可以是醇类、酮类、醚类中的至少一种，醇类包括甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、戊醇、十二醇等；酮类包括丙酮、丁酮、异佛尔酮等，醚类包括甲醚、乙醚、丁醚、乙二醇单丁醚、甲基叔丁醚、甲乙醚、苯甲醚等。
在一些优选的实施方式中，所述硅烷偶联剂的通式为RnSiX4-n，其中R为非水解的、可与高分子聚合物结合的有机官能团，根据高分子聚合物的不同性质，本发明的R优选采用与聚合物分子有较强的亲和力或反应能力的，可以是辛烯基、十二烷基、脲基、碳烷氧基、阳离子烃基、乙烯基、氨基、环氧基、巯基或丙烯酰氧丙基等；X采用可水解基团，可以是烷氧基、芳氧基、酰基、甲氧基或乙氧基等。在其他实施方式中，硅烷偶联剂是氨基硅烷、巯基硅烷、环氧基硅烷、乙烯基硅烷、丙烯酰氧丙基硅烷、十二烷基硅烷中的至少一种。
在另一些优选的实施方式中，处理液可以是包含重量百分比为0.1～1.5％的硅烷偶联剂、0.01～0.05％的气相二氧化硅和余量的溶剂，更优选地，处理液包含重量百分比为0.3～1.0％的硅烷偶联剂、0.01～0.05％的气相二氧化硅和余量的溶剂。
在其他一些实施方式中，本发明的制造方法包括将表面附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于处理液中取出后，在20～25℃的温度、60％RH～90％RH的湿度下放置120～180min，并在170～210℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层；更进一步，在25℃的温度、85％RH的湿度下放置120min，并在170～200℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层。
下面以制造规格为16V100μF的钽电容器为具体的实施例对本发明作进一步说明。
实施例一：
1)将比容为50000μF·V/g的钽粉按照常规方法压制成钽坯块，然后按常规方法烧结成阳极钽块；
2)按常规方法将所述阳极钽块浸渍于硝酸溶液中制备Ta2O5介质层；
3)将制备好Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于低含水量、溶剂、二氧化硅改性的处理液中，浸渍15min后按1.0mm/min的速度取出；其中预处理液由如下重量百分数的原料配制而成：氨基硅烷偶联剂1.0％、气相二氧化硅0.01％、水5％、甲醇60％、正丁醇33.99％；在25℃下放置20min，并在180℃下干燥成膜；
4)按常规方法在经过预处理的阳极钽块表面合成导电聚合物薄膜作为阴极引导层；
5)按常规方法在聚合物阴极引导层表面浸渍石墨和银浆，干燥成膜，然后用引线框架组装成钽电容器。
实施例二：
与实施例一的区别在于，步骤3)中的浸渍时间为10min，处理液包括：环氧基硅烷偶联剂0.3％、气相二氧化硅0.01％、水5％、乙醇60％、异丙醇34.69％。在25℃下放置20min，并在170℃下干燥成膜。
实施例三：
与实施例一的区别在于，步骤3)中的浸渍时间为10min，处理液包括：氨基硅烷偶联剂0.6％、环氧基硅烷0.2％、气相二氧化硅0.02％、水6％、甲醇56％、丙醇37.18％。在25℃下放置20min，并在190℃下干燥成膜。
实施例四：
与实施例一的区别在于，步骤3)中的浸渍时间为8min，处理液包括：巯基硅烷偶联剂0.8％、气相二氧化硅0.01％、水6％、乙醇56％、丙酮8.19％、异丁醇29％。在25℃下放置20min，并在200℃下干燥成膜。
实施例五：
与实施例一的区别在于，步骤3)中的浸渍时间为8min，处理液包括：环氧基硅烷偶联剂0.8％、气相二氧化硅0.03％、水7％、乙醇50％、异丙醇42.17％。在25℃下放置20min，并在190℃下干燥成膜。
实施例六：
与实施例一的区别在于，步骤3)中的浸渍时间为10min，处理液包括：乙烯基硅烷偶联剂0.7％、气相二氧化硅0.02％、水5％、甲醇58％、乙醚6.28％、异丙醇30％。在25℃下放置20min，并在180℃下干燥成膜。
实施例七：
与实施例一的区别在于，步骤3)中的浸渍时间为15min，处理液包括：氨基硅烷偶联剂1.0％、气相二氧化硅0.01％、甲醇65％、正丁醇33.99％。在25℃温度和80％RH湿度下放置120min，并在180℃下干燥成膜。
实施例八：
与实施例一的区别在于，步骤3)中的浸渍时间为20min，处理液包括：氨基硅烷偶联剂0.3％、气相二氧化硅0.01％、甲醇65％、正丁醇34.69％；在20℃温度和90％RH湿度下放置180min，并在170℃下干燥成膜。
实施例九：
与实施例一的区别在于，步骤3)中的浸渍时间为30min，处理液包括：环氧基硅烷偶联剂0.1％、氨基硅烷偶联剂0.3％、气相二氧化硅0.01％、乙醇63％、异丙醇36.59％。在25℃温度和85％RH湿度下放置180min，并在170℃下干燥成膜。
实施例十：
与实施例一的区别在于，步骤3)中的浸渍时间为20min，处理液包括：乙烯基硅烷偶联剂0.16％、氨基硅烷偶联剂0.3％、气相二氧化硅0.01％、乙醇63％、异丙醇36.53％。在25℃温度和80％RH湿度下放置180min，并在150℃下干燥成膜。
实施例十一：
与实施例一的区别在于，步骤3)中的浸渍时间为25min，处理液包括：乙烯基硅烷偶联剂0.13％、环氧基硅烷偶联剂0.45％、气相二氧化硅0.01％、乙醇62％、异丙醇37.41％。在30℃温度和85％RH湿度下放置120min，并在180℃下干燥成膜。
实施例十二：
与实施例一的区别在于，步骤3)中的浸渍时间为25min，处理液包括：巯基硅烷偶联剂0.8％、气相二氧化硅0.01％、乙醇59％、正丁醇40.19％。在25℃温度和90％RH湿度下放置180min，并在200℃下干燥成膜。
对比例一：
与实施例一的区别在于，步骤3)中的浸渍时间为15min，处理液包括：氨基硅烷偶联剂1.5％、冰乙酸0.02％、水90％、甲醇8.48％。在25℃下放置20min，并在200℃下干燥成膜。
对比例二：
与实施例一的区别在于，步骤3)中的浸渍时间为10min，处理液包括：环氧基硅烷偶联剂1.8％、冰乙酸0.03％、水87％、乙醇11.17％。在25℃下放置20min，并在170℃下干燥成膜。
对比例三：
与实施例一的区别在于，步骤3)中的浸渍时间为15min，处理液包括：氨基硅烷偶联剂1.8wt％、冰乙酸0.03wt％、水98.17wt％。在25℃下放置20min，并在190℃下干燥成膜。
对比例四：
与实施例一的区别在于，步骤3)中的浸渍时间为15min，处理液包括：巯基硅烷偶联剂2.0％、冰乙酸0.05％、水97.95％。在25℃下放置20min，并在200℃下干燥成膜。
对比例五：
与实施例一的区别在于，步骤3)中的浸渍时间为10min，处理液中的氨基硅烷偶联剂1.0％、环氧基硅烷偶联剂0.8％、冰乙酸0.05％、水90％、丙醇8.15％。在25℃下放置20min，并在190℃下干燥成膜。
对比例六：
与实施例一的区别在于，步骤3)中的浸渍时间为20min，处理液中的乙烯基硅烷偶联剂2.0％、冰乙酸0.15％、水97.85％。在25℃下放置20min，并在170℃下干燥成膜。
对上述实施例与对比例制造的钽电容器进行电性测试的对比数据如下表1。
表1实施例与对比例制造的16V100μF钽电容器参数对照表
| 项目 | 容量引出率(％) | 损耗(％) | ESR(mΩ) | 漏电流(μA) |
| 实施例一 | 91.2 | 1.9 | 28 | ≤48 |
| 实施例二 | 90.3 | 2.1 | 35 | ≤53 |
| 实施例三 | 93.7 | 1.4 | 20 | ≤32 |
| 实施例四 | 89.6 | 2.3 | 43 | ≤61 |
| 实施例五 | 91.5 | 1.7 | 26 | ≤31 |
| 实施例六 | 92.2 | 1.5 | 18 | ≤16 |
| 实施例七 | 90.8 | 1.8 | 27 | ≤51 |
| 实施例八 | 91.3 | 1.7 | 31 | ≤56 |
| 实施例九 | 93.4 | 1.5 | 23 | ≤33 |
| 实施例十 | 89.8 | 2.4 | 36 | ≤57 |
| 实施例十一 | 90.5 | 2.2 | 33 | ≤43 |
| 实施例十二 | 91.1 | 1.9 | 29 | ≤38 |
| 对比例一 | 87.5 | 3.5 | 57 | ≤71 |
| 对比例二 | 88.2 | 3.4 | 53 | ≤67 |
| 对比例三 | 85.4 | 4.1 | 67 | ≤74 |
| 对比例四 | 83.9 | 4.3 | 71 | ≤73 |
| 对比例五 | 86.5 | 3.9 | 61 | ≤65 |
| 对比例六 | 84.6 | 4.5 | 77 | ≤63 |
从表1的数据可以看出，采用本发明方法制备的电容器具有高容量引出率、低损耗、低等效串联电阻(ESR)、漏电流小的特性。
对比例中，预处理液中由于含水量较高并且包含冰乙酸(即低PH值)，使得硅烷水解加速，加速水解引发硅羟基自身的缩聚，聚合物链增长生成大粒径分子易于堵住介质层的部分微孔通道，不利于钽电容器的容量引出，最终也会造成电容器的性能下降；而在本发明中由于包含大量溶剂，使得硅烷在介质层表面充分渗透、吸附，并由于处理液是低含水量的中性液体，少量的水与醇羟基形成氢键(其中实施例七至实施例十二中处理液中不包含水，而通过控制高环境湿度为硅烷水解提供水分子)，使得硅烷的水解速率得到缓解，即可以使得硅烷偶联剂能够借助溶剂的虹吸效应在被介质层表面充分渗透、吸附，在一定的温度下进行水解形成硅羟基，以及硅烷偶联剂中包含的有机官能团促使引导层与导电聚合层具有较强的亲和力；同时还通过反应温度控制硅烷偶联剂的水解速率，并在高温下脱水合成引导层，促进引导层与介质层的界面融合，从而提高导电聚合物膜层被覆的连续性、致密性；此外，通过在处理液中加入少量的气相二氧化硅，可以使得气相二氧化硅与硅烷偶联剂形成良好的无机界面融合作用，还可以填充介质层中无效的微孔以防止无效的微孔影响电容器的电性指标。因此，通过本发明的制造方法制造的片式导电聚合物钽电容器阴极引导层来进一步制备的片式聚合物钽电容器具有高容量引出率、低损耗、低等效串联电阻和漏电流小的特性。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干等同替代或明显变型，而且性能或用途相同，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：将表面附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于处理液中，浸渍1～20min后以0.01～5.0mm/min的速度取出，在20～30℃的温度下放置5～30min，并在50～260℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层；其中所述处理液包含重量百分比为0.005～2.0％的硅烷偶联剂、0.01～0.1％的气相二氧化硅、3～15％的水和余量的溶剂。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述溶剂包括醇类、酮类、醚类中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述溶剂包括甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、戊醇、十二醇、丙酮、丁酮、异佛尔酮、甲醚、乙醚、丁醚、乙二醇单丁醚、甲基叔丁醚、甲乙醚、苯甲醚中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂的通式为RnSiX4-n，其中R为辛烯基、十二烷基、脲基、碳烷氧基、阳离子烃基、乙烯基、氨基、环氧基、巯基或丙烯酰氧丙基，X为烷氧基、芳氧基、酰基、甲氧基或乙氧基。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂为氨基硅烷、巯基硅烷、环氧基硅烷、乙烯基硅烷、丙烯酰氧丙基硅烷、十二烷基硅烷中的至少一种。
6.根据权利要求1至5任一项所述的制造方法，其特征在于，所述处理液包含重量百分比为0.1～1.5％的硅烷偶联剂、0.01～0.05％的气相二氧化硅、4～10％的水和余量的溶剂。
7.根据权利要求1至5任一项所述的制造方法，其特征在于，所述处理液包含重量百分比为0.3～1.0％的硅烷偶联剂、0.01～0.05％的气相二氧化硅、5～8％的水和余量的溶剂。
8.根据权利要求1至5任一项所述的制造方法，其特征在于，将表面附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于处理液中取出后，在20～25℃的温度下放置20min，并在170～210℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层。
9.一种片式导电聚合物钽电容器阴极引导层的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：将表面附着Ta2O5介质层的阳极钽块浸渍于处理液中，浸渍1～20min后以0.01～5.0mm/min的速度取出，在20～30℃的温度、50％RH～100％RH的湿度下放置60～360min，并在50～260℃下干燥成膜形成片式导电聚合物钽电容器阴极引导层；其中所述处理液包含重量百分比为0.005～2.0％的硅烷偶联剂、0.01～0.1％的气相二氧化硅和余量的溶剂。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述溶剂包括甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、戊醇、十二醇、丙酮、丁酮、异佛尔酮、甲醚、乙醚、丁醚、乙二醇单丁醚、甲基叔丁醚、甲乙醚、苯甲醚中的至少一种。
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| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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