CN105592603B

CN105592603B - 于发光二极管群组中消除暗区的方法及发光二极管灯

Info

Publication number: CN105592603B
Application number: CN201410566617.XA
Authority: CN
Inventors: 王俊棋
Original assignee: PEIHENG SEMICONDUCTOR CO Ltd
Current assignee: PEIHENG SEMICONDUCTOR CO Ltd
Priority date: 2014-09-15
Filing date: 2014-10-22
Publication date: 2018-03-30
Anticipated expiration: 2034-10-22
Also published as: TWI547205B; US20160081143A1; JP5996601B2; CN105592603A; TW201611658A; JP2016062886A; US9374863B2

Abstract

本发明公开了一种于发光二极管群组中消除暗区的方法及发光二极管灯，发光二极管灯包括复数个发光二极管群组、路径控制器、电源触排模块及触排控制器。复数个发光二极管群组置于整流输入电压端及接地端间。路径控制器用以控制复数个路径开关，每一个路径开关用以将对应的发光二极管群组耦接至接地端。电源触排模块耦接于整流输入电压端及接地端间，包括电容及放电开关，当整流输入电压端的电位大于电容的电压时，电容被充电。放电开关连接于电容及整流输入电压端间。触排控制器依据开启复数个路径开关的一路径开关的控制讯号，决定连接区间并控制放电开关，以使电容能在连接区间内放电至整流输入电压端。

Description

于发光二极管群组中消除暗区的方法及发光二极管灯

技术领域

本发明涉及一种发光二极管灯及其控制方法，特别是涉及一种以交流电驱动的发光二极管灯及其控制方法。

背景技术

发光二极管(LEDs)在近年逐渐被应用于许多发光器材中。举例来说，若发光器材中的发光二极管以交流电驱动，这一类的发光二极管在电路上被称为交流发光二极管(ACLED)。这些交流发光二极管在制造上会有许多考虑，包括价格考虑、发光效率考虑、耗能考虑、闪烁性的考虑、以及工作时间的考虑。

图1描述了现有技术中，交流发光二极管灯10的电路架构。交流发光二极管灯10包括发光二极管模块12以及限流电阻14。发光二极管模块12包括两个反向耦接且平行的发光二极管串。交流发光二极管灯10不需要交流直流转换器或整流器。甚至在使用直流电压时亦可驱动。在图1中，交流电压会在输入接脚8被提供，并直接驱动交流发光二极管灯10。这种交流发光二极管灯10的架构具有电路简单且价格低廉的优点。然而，交流发光二极管灯10仅能在每一个交流电的周期内发光非常短的时间，因此发光二极管将会受到低平均发光度以及高电流应力(High-Current Stress)效应的影响。

图2描述了现有技术中，另一种交流发光二极管灯15的电路架构。而交流发光二极管灯15可如专利USP 7,708,172所揭示。交流发光二极管灯15具有一个全波整流器(Full-Wave Rectifier)18，直流或交流的电压源会被输入接脚16接收。在交流发光二极管灯15中，发光二极管串被分为发光二极管群组20₁、发光二极管群组20₂、发光二极管群组20₃及发光二极管群组20₄。整合电路22具有节点PIN₁、节点PIN₂、节点PIN₃以及节点PIN₄，并分别耦接于发光二极管群组20₁、发光二极管群组20₂、发光二极管群组20₃及发光二极管群组20₄的阴极。整合电路22内有路径开关SG₁、路径开关SG₂、路径开关SG₃及路径开关SG₄，亦包括一个控制器24。当输入接脚16的电压增加时，控制器24能控制路径开关SG₁、路径开关SG₂、路径开关SG₃及路径开关SG₄，以使更多的发光二极管发光。整合电路22的操作实例已详述于专利USP7,708,172中，故于此将不再赘述。

图3描述了图2的架构中，当输入接脚16收到交流正弦输入电压时，讯号的波形变化。最上面的波形表示整流输入电压V_REC，如图2所示，整流输入电压V_REC定义为全波整流器18经整流后的电压，而整流输入电压V_REC亦可视为发光二极管群组20₁的驱动电压。第二个波形表示正在发光的发光二极管的总个数。接下来的四个波形表示电流I_G4、电流I_G3、电流I_G2及电流I_G1。如图2所示，电流I_G4、电流I_G3、电流I_G2及电流I_G1分别表示发光二极管群组20₁、发光二极管群组20₂、发光二极管群组20₃及发光二极管群组20₄的电流。正在发光的发光二极管的总个数会以步阶函数的形式升降，而升降的情况会依据整流输入电压V_REC的增减而变化。当整流输入电压V_REC增加时，发光二极管群组20₁、发光二极管群组20₂、发光二极管群组20₃及发光二极管群组20₄会依据以下的步骤发光。举例来说，当整流输入电压V_REC增加至大于临界电压V_TH1，已达到驱动发光二极管群组20₁的需求，因此发光二极管群组20₁开始发光。当整流输入电压V_REC减少时，发光二极管群组20₁、发光二极管群组20₂、发光二极管群组20₃及发光二极管群组20₄会依序变暗。举例来说，整流输入电压V_REC恰好降低至临界电压V_TH4以下时，之前的发光二极管群组20₁、发光二极管群组20₂、发光二极管群组20₃及发光二极管群组20₄会被电压驱动而发光，随后，路径开关SG₄会被开启以使发光二极管群组20₄停止发光，因此导致仅剩发光二极管群组20₁、发光二极管群组20₂及发光二极管群组20₃发光。因此，交流发光二极管灯15具有简单的电路架构以及高效率的能源使用特性。

然而，当整流输入电压V_REC太低而使发光二极管群组20₁都无法驱动的时候，图3所示的波形中就会存在黑暗区间T_DARK。特别是当整流输入电压V_REC是120赫兹的信号时，整流输入电压V_REC视为落入电压谷(Voltage Valley)。此时，整流输入电压V_REC约为0伏特(出现于120赫兹)，因此造成黑暗区间T_DARK。虽然这个120赫兹的黑暗区间T_DARK未必可被肉眼察觉，但经研究指出，当使用数字相机对着交流发光二极管灯15曝光并拍照时，输出的照片因为黑暗区间T_DARK的存在，而会有不讨喜的黑线出现。

因此，发展一种没有黑暗区间的发光二极管灯是很重要的。

发明内容

本发明实施例提出一种发光二极管灯，包括复数个发光二极管群组、路径控制器、电源触排模块以及触排控制器。复数个发光二极管群组是以串接的方式置于整流输入电压端及接地端之间。路径控制器是用以控制复数个路径开关，其中每一个路径开关是用以将对应的发光二极管群组耦接至接地端。电源触排模块是耦接于整流输入电压端及接地端之间，包括电容及放电开关，当整流输入电压端的电位大于电容的电容电压时，电容会被充电。放电开关是连接于电容及整流输入电压端之间。触排控制器是用以依据开启复数个路径开关的路径开关的控制讯号，决定连接区间并控制放电开关，以使电容得以在连接区间内放电至整流输入电压端。

本发明另一实施例提出一种于发光二极管群组中消除暗区的方法，发光二极管群组以串接的方式置于整流输入电压端及接地端之间，整流输入电压端是由交流输入电压经整流而产生，方法包括提供复数个路径开关，每一个路径开关是用以将对应的发光二极管群组耦接至接地端。当整流输入电压端的电位大于电容的电容电压时，对电容充电。依据开启复数个路径开关的路径开关的控制讯号，决定连接区间。电容在连接区间内放电至整流输入电压端。

附图说明

图1描述了现有技术中，交流发光二极管灯的电路架构图。

图2描述了现有技术中，另一种交流发光二极管灯的电路架构图。

图3描述了图2所述的交流发光二极管灯收到交流正弦输入电压时，讯号的波形变化示意图。

图4描述了本发明一实施例的交流发光二极管灯的电路架构图。

图5描述了图4实施例的交流发光二极管灯的波形变化示意图。

图6描述了本发明另一实施例的交流发光二极管灯的电路架构图。

图7描述了图6实施例的交流发光二极管灯的波形变化示意图。

图8描述本发明实施例所使用的另一种电源触排模块的电路架构图。

其中，附图标记说明如下：

10、15、100、159 交流发光二极管灯

8、16 输入接脚

14 限流电阻

12 发光二极管模块

18 全波整流器

20₁、20₂、20₃、20₄ 发光二极管群组

PIN₁、PIN₂、PIN₃、PIN₄、REC 节点

I_G1、I_G2、I_G3、I_G4 电流

SG₁、SG₂、SG₃、SG₄ 路径开关

V_REC 整流输入电压

22、102、160 整合电路

V_TH1、V_TH2、V_TH3、V_TH4 临界电压

T_DARK 黑暗区间

GND 接地端

104、184 电源触排模块

114、188 二极管

110 双载子接面晶体管

112 电容

I_CTL 控制电流

I_DIS 放电电流

V_CAP 电容电压

102、160 整合电路

S1 讯号

24 路径控制器

108、168 脉波产生器

116 开关

S_CONN 脉波讯号

118 定电流源

106、166 触排控制器

25 电流源

V_AC 正弦输入电压

t₀、t_REV、t_PEAK、t_TGR、t_CRS、t_FULL 时间点

T_DIS 放电区间

T_CHG 充电区间

T_HLD 维持时间

V_REC-OLD 原始的整流输入电压

T_CONN 连接区间

170 SR正反器

Q 输出端

172 频率产生器

S_CLK 频率讯号

174 计数器

176 数字模拟转换器

186 P型金氧半场效晶体管

190、192 电阻

具体实施方式

图4描述了本发明一实施例的交流发光二极管灯100的电路架构图。交流发光二极管灯100具有全波整流器18，用以将由输入接脚16接收到的正弦输入电压V_AC整流，并在节点REC提供整流输入电压V_REC，以及在接地端GND提供接地电压。发光二极管群组20₁、发光二极管群组20₂、发光二极管群组20₃及发光二极管群组20₄会以发光二极管串的形式呈现，且以串接的方式连接于整流输入电压V_REC的端点及接地端GND之间。每一个发光二极管群组中的发光二极管会以并联或串联的方式连接。在图4中，发光二极管群组20₁是最上方(第一个)的发光二极管群组，因此可视为被连接至整流输入电压V_REC中，具有最高电压的发光二极管串。反之，发光二极管群组20₄在图4中是最下方(第四个)的发光二极管群组。

整合电路102具有路径开关SG₁、路径开关SG₂、路径开关SG₃及路径开关SG₄，路径控制器24以及触排控制器106。在路径开关SG₁、路径开关SG₂、路径开关SG₃及路径开关SG₄中，每一个路径开关会将一个发光二极管群组的阴极连接至一个电流源25。而电流源25会限制流经每一个发光二极管群组至接地端的最大驱动电流。举例来说，路径开关SG₁控制发光二极管群组20₁的阴极至电流源25之间的连接。路径控制器24被用来控制路径开关SG₁、路径开关SG₂、路径开关SG₃及路径开关SG₄。举例来说，若整流输入电压V_REC非常低，造成流经发光二极管群组20₄的电流I_G4趋近于0安培，此时，路径控制器24就会打开路径开关SG₃，以使发光二极管群组20₃的阴极直接耦接至电流源25。

交流发光二极管灯100包括耦接于整流输入电压V_REC的端点及接地端GND之间的电源触排模块104。当正弦输入电压V_AC的绝对值很高时，电源触排模块104会储存电能，并当正弦输入电压V_AC的绝对值很低时释放其储存的电能。电源触排模块104具有连接于节点REC及电容112之间的二极管114。当整流输入电压V_REC超过(大于)电容112的电容电压V_CAP时，就会产生通过二极管114的电流，以使电容112被充电，并让电容电压V_CAP增加。在本实施例中，PNP型的双载子接面晶体管(BJT)110可当成连接于整流输入电压V_REC及电容112之间的放电开关。当非零的控制电流I_CTL被双载子接面晶体管110的基极接收，且电容电压V_CAP比整流输入电压V_REC还要高的时候，电容112至节点REC将透过双载子接面晶体管110产生放电电流I_DIS，借以驱动发光二极管串行。换句话说，双载子接面晶体管110会经由控制电流I_CTL而被开启，这时候，储存于电容112中的电能将会被释放以使发光二极管群组20₁、发光二极管群组20₂、发光二极管群组20₃及发光二极管群组20₄其中之一发光。而控制电流I_CTL的启动时机及大小，将会被触排控制器106内的整合电路102所控制。

在图4中，触排控制器106具有脉波产生器108、开关116以及定电流源118。脉波产生器108用于产生讯号S₁，而路径控制器24会将讯号S₁传送至路径开关SG₁，其中路径开关SG₁为全部路径开关中最上(第一个)的路径开关。当讯号S₁被传到被开启的路径开关SG₁时，脉波产生器108会被触发并输出具有预定宽度的脉波讯号S_CONN。脉波讯号S_CONN会打开开关116而使定电流源118产生由双载子接面晶体管110的基极而来的控制电流I_CTL。脉波产生器108会预先决定脉波讯号S_CONN的宽度，而这个宽度在本实施例中会以连接区间T_CONN表示。因此，当脉波讯号S_CONN出现的时候，双载子接面晶体管110用以将电容112连接至节点REC。

图5描述了图4实施例的交流发光二极管灯的波形变化示意图。在图5中，正弦输入电压V_AC在时间点t₀至t_REV的区间内是负值，而在时间点t_REV之后是正值。时间点t₀至t_PEAK的区间称为充电区间T_CHG。在充电区间T_CHG内，整流输入电压V_REC会随时间递增，因此电容112会随着时间透过图4中的二极管114被充电。过了时间点t_PEAK后，整流输入电压V_REC开始下降，二极管114将会受到逆偏压而停止导通。此时，放电开关(双载子接面晶体管)110是关闭的状态，而控制电流I_CTL亦为0安培。因此，电容112会维持储存的电能直到时间点t_TGR。在时间点t_TGR的时候，整流输入电压V_REC比临界电压V_TH2还要低，这边的临界电压V_TH2定义为驱动发光二极管群组20₁以及发光二极管群组20₂发光所需的电压。而在时间点t_PEAK至时间点t_TGR的区间称为维持时间(Holding Time)T_HLD，因为电容112在这段时间内储存并维持其电能。

在时间点t_TGR的时候，整流输入电压V_REC比临界电压V_TH2还要低，讯号S₁开启的路径开关SG₁，并试着将电流I_G1绕过发光二极管群组20₂。在图4中，脉波产生器108提供脉波讯号S_CONN，而脉波讯号S_CONN如同图5，是被定义为具有宽度为连接区间T_CONN的脉波。在连接区间T_CONN内，控制电流I_CTL为大于0安培的常数。此控制电流I_CTL会使得图4中的双载子接面晶体管110流经放电电流I_DIS，因此电容112开始释放其储存的电能以使发光二极管串发光，故整流输入电压V_REC将在时间点T_TRG升压至临界电压V_TH3以上，如图5所示。图5中亦比较了整流输入电压V_REC的变化情况，实线表示依据控制电流I_CTL释放电容112储存的电能而升压后的整流输入电压V_REC，而虚线表示不经由电源触排模块104的辅助的原始的整流输入电压V_REC-OLD。对比于原始的整流输入电压V_REC-OLD与整流输入电压V_REC，可以发现原始的整流输入电压V_REC-OLD在时间点t_TGR后仍会持续压降，而在整流输入电压V_REC中，当整流输入电压V_REC于时间点t_TGR压降后立刻获得电容112释放电能的效果而压升，中间仅有极短的时间差，这也是为何在图5中，讯号S₁于时间点t_TGR后会有极窄的波形出现。

在时间点t_TGR之后，电容112持续地放电，整流输入电压V_REC将会因为电容112中储存电能的消耗而以斜率压降。电容112放电的程序中止于时间点t_CRS，而时间点t_CRS恰好为整流输入电压V_REC与原始的整流输入电压V_REC-OLD经正弦输入电压V_AC压升的绝对值的交合点。在时间点t_TGR与时间点t_CRS的时间区间在本实施例中定义为放电区间T_DIS。在放电区间T_DIS内，当整流输入电压V_REC低于临界电压V_TH3时，正在发光的发光二极管的总个数会减少。而放电区间T_DIS的时间长短会取决于正弦输入电压V_AC的振幅，电容112的电容值以及放电电流I_DIS的强度。举例来说，电容112有越大的电容值，则放电区间T_DIS会越长。放电区间T_DIS最长会等于连接区间T_CONN。而放电区间T_DIS等于连接区间T_CONN的条件为，在连接区间T_CONN内，整流输入电压V_REC在任何时刻均大于交流的正弦输入电压V_AC的绝对值。

在本发明中，有些实施例为考虑连接区间T_CONN比三分之一个正弦输入电压V_AC的周期还要小的情况。举例来说，正弦输入电压V_AC的周期为1/60秒，而连接区间T_CONN却小于1/180秒的情况。理论上，连接区间T_CONN可以考虑至四分之一个正弦输入电压V_AC的周期的情况。

不同于图3中存在着无发光二极管群组发光的黑暗区间T_DRAK，在图5中，至少有一个发光二极管群组维持发光状态，因此并无黑暗区间T_DRAK的存在。尤其是当讯号S₁指出正弦输入电压V_AC的绝对值不足以驱动两个发光二极管群组时(发光二极管群组20₁及发光二极管群组20₂)，触排控制器106会将储存于电容112中的电能开始提供至对应的发光二极管群组，因此至少一个发光二极管群组会持续地发光，进而避免了黑暗区间T_DRAK的发生。

在图5中的放电电流I_DIS在放电区间T_DIS内，其强度为常数，但本发明却不以此为限。在其它实施例中，可以将图4中的整合电路102以及图6中的整合电路160进行置换以使放电电流I_DIS在放电区间T_DIS内随着时间而递增。

图6描述了本发明另一实施例的交流发光二极管灯159的电路架构图。在图6中，整合电路160包括了触排控制器166，触排控制器166包括脉波产生器168以及数字模拟转换器176。脉波产生器168提供具有连接区间T_CONN宽度的脉波讯号S_CONN，用以响应讯号S₁。脉波产生器168另外提供数字计数结果，这个数字计数结果会被数字模拟转换器176转换成控制电流I_CTL的模拟结果。数字计数结果在连接区间T_CONN内会随着时间而递增，因此控制电流I_CTL也会随着时间而递增，而放电电流I_DIS亦会随着时间而递增。

图7描述了图6实施例的交流发光二极管灯159的波形变化示意图。当讯号S₁于时间点t_TGR被输出时，图6的SR正反器(SR-Flip-Flop)170的输出端Q会被设定在逻辑上为「0」，而输出端Q的讯号在本实施例中即为脉波讯号S_CONN。当输出端Q在逻辑上为「1」时，由频率产生器172的频率讯号S_CLK-会被传至计数器174的频率讯号输入端，随后，计数器174将会依据此频率讯号S_CLK进行递增的计数。在图7的时间点t_FULL，当数字计数结果达到预定数值时(例如1000)，计数器174会重置SR正反器170，且SR正反器170的输出端Q在逻辑上会变为「0」。在本实施例中，脉波讯号S_CONN在SR正反器170的输出端Q如图7所示，其波形具有宽度(此宽度可为连接区间T_CONN)，例如1000个频率讯号S_CLK的周期。在图6中，计数器174的数字计数结果会被回授至数字模拟转换器176以产生控制电流I_CTL。而控制电流I_CTL在连接区间T_CONN内，会因为数字计数结果随时间递增，而亦随时间以正斜率的方式递增。放电电流I_DIS，由双载子接面晶体管110借由放大控制电流I_CTL而被提供，亦在连接区间T_CONN内随着时间而递增，但会在整流输入电压V_REC与原始的整流输入电压V_REC-OLD交合的时间点t_CRS掉到0安培。在图6以及图7的实施例中，连接区间T_CONN内，通过双载子接面晶体管110至节点REC的放电电流I_DIS会小于电流源25提供的最大驱动电流。而电流源25提供的最大驱动电流在本实施例中分别以电流I_G1、电流I_G2、电流I_G3以及电流I_G4表示。此外，电容112上亦可定义许多的电容电压V_CAP，准备用来驱动发光二极管串。本实施例中的放电区间T_DIS内，因为放电电流I_DIS随着时间递增，正在发光的发光二极管群组的数量将会随着时间而上升，而双载子接面晶体管110的等效电阻会减缓放电电流I_DIS随着时间递增的斜率。这个现象将和图5的特性有很大的差异，在图5中，正在发光的发光二极管群组的数量将会随着时间而下降。

图6以及图7的实施例并不局限于本发明，电流源25会限制流经发光二极管群组20₁、发光二极管群组20₂、发光二极管群组20₃以及发光二极管群组20₄其中之一的电流，流经双载子接面晶体管110至节点REC的放电电流I_DIS可为常数或是变数，且这个放电电流I_DIS会小于等于电流源25所提供的最大驱动电流。举例来说，若双载子接面晶体管110的电流增益非常大，双载子接面晶体管110可能会在放电区间T_DIS内短路，而放电电流I_DIS将会被电流源25限流。因此，正在发光的发光二极管群组的个数下降的时间将会与电容112持续消耗电能的时间一样长。相反的，若双载子接面晶体管110的电流增益非常小，双载子接面晶体管110将会取代电流源25的角色，并在放电区间T_DIS内限制流经任何发光二极管群组的电流。在这个情况下，若电压因放电电流I_DIS的增加而抵销了经由双载子接面晶体管110的压降，正在发光的发光二极管群组的个数就会上升，即图7的例子。

图8描述本发明实施例所使用的另一种电源触排模块184的电路架构图，这种电源触排模块可替代图4及图6的电源触排模块104。取代了使用双载子接面晶体管当放电开关，本实施例的电源触排模块184使用P型金氧半场效晶体管186。此外，电源触排模块184缺少了图4中的二极管114(这个二极管114提供了电容112的充电路径)。在充电区间T_CHG内，电容112透过在P型金氧半场效晶体管186上的寄生机体二极管(Parasitic Body Diode)188被充电。在放电区间T_DIS内，控制电流I_CTL会使得电阻192上的电压被压降，而这个压降的动作将会导致P型金氧半场效晶体管186的闸极偏压发生变化，而让P型金氧半场效晶体管186被开启。因此，电容112将会释放其储存的电能至节点REC。在本实施例中，电阻190连接于电容112，用以限制电容112被充电或被放电时的最大电流。

综上所述，本发明描述了一种发光二极管灯，此发光二极管灯在任何时间点皆无黑暗区间，其驱动观念为利用控制讯号，将电容内的储存电能当成缓冲，当交流电在特定频率而造成整流输入电压非常低的时候，适时地将电容内的储存电能补充至整流输入电压而使整流输入电压升压，因此将驱动至少一个发光二极管群组维持发光状态。由于本发明的发光二极管灯的黑暗区间不存在，因此当使用数字相继对着发光二极管灯曝光并拍照时，输出的照片并不会有不讨喜的黑线出现。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种发光二极管灯，其特征在于，包括：

复数个发光二极管群组，以串接的方式置于整流输入电压端及接地端之间；

路径控制器，用以控制复数个路径开关，每一路径开关是用以将对应的发光二极管群组耦接至所述接地端；

电源触排模块，耦接于所述整流输入电压端及所述接地端之间，包括：

电容，当所述整流输入电压端的电位大于所述电容的电容电压时，所述电容会被充电；及

放电开关，连接于所述电容及所述整流输入电压端之间；及

触排控制器，用以依据开启所述复数个路径开关的路径开关的控制讯号，

决定连接区间并控制所述放电开关，以使所述电容得以在所述连接区间内放电至所述整流输入电压端，所述触排控制器包括：

脉波产生器，用以产生宽度为所述连接区间的脉波，所述脉波产生器包括：

定时器，具有频率输入端；及

频率产生器，用以提供频率讯号；

其中所述定时器在所述连接区间开始时，依据所述频率讯号开始执行计数，当所述定时器的计数结果达到预定数值时，结束所述连接区间。

2.如权利要求1所述的发光二极管灯，其特征在于：

其中所述触排控制器控制所述放电开关在所述连接区间中的放电区间内，

提供常数放电电流由所述电容放电至所述整流输入电压端。

3.如权利要求1所述的发光二极管灯，其特征在于：

其中所述触排控制器控制所述放电开关，以在所述连接区间中的放电区间内，提供放电电流由所述电容放电至所述整流输入电压端，且所述放电电流随着时间而递增。

4.如权利要求1所述的发光二极管灯，其特征在于：

其中所述触排控制器会响应连接于第一发光二极管群组及所述接地端之间的路径开关的控制讯号，其中所述第一发光二极管群组是连接于所述整流输入电压端。

5.如权利要求1所述的发光二极管灯，其特征在于：

其中所述放电开关是双载子接面晶体管。

6.如权利要求5所述的发光二极管灯，其特征在于：

其中所述触排控制器是在所述连接区间内，接收由所述双载子接面晶体管的基极传来的控制电流。

7.如权利要求6所述的发光二极管灯，其特征在于：

其中所述控制电流在所述连接区间内为常数或随着时间而递增。

8.如权利要求1所述的发光二极管灯，其特征在于：

其中所述放电开关是金氧半场效晶体管。

9.一种于复数个发光二极管群组中消除暗区的方法，其特征在于，所述复数个发光二极管群组以串接的方式置于整流输入电压端及接地端之间，所述整流输入电压端是由交流输入电压经整流而产生，每一发光二极管群组是透过复数个路径开关的对应的路径开关耦接到接地端，所述方法包括：

当所述整流输入电压端的电位大于电容的电容电压时，所述整流输入电压端的电位对所述电容充电；

频率产生器产生频率讯号；

当所述整流输入电压端的电位在下降过程中脉波产生器产生的控制讯号开启所述路径开关时，计数器依据所述频率讯号开始计数；

所述脉波产生器依据所述控制讯号，决定连接区间；

所述电容在所述连接区间内放电至所述整流输入电压端；及

当计数结果达到预定数值时，所述脉波产生器结束所述连接区间。

10.如权利要求9所述的消除暗区的方法，其特征在于，还包括：

提供放电开关，所述放电开关连接于所述电容及所述整流输入电压端之间；

及

在所述连接区间中的放电区间内，透过所述放电开关将所述电容放电至所述整流输入电压端。

11.如权利要求10所述的消除暗区的方法，其特征在于：

所述电容是根据常数放电电流放电至所述整流输入电压端。

12.如权利要求10所述的消除暗区的方法，其特征在于：

所述电容是根据随着时间而递增的放电电流放电至所述整流输入电压端。

13.如权利要求10所述的消除暗区的方法，其特征在于：

所述放电开关是双载子接面晶体管。

14.一种于复数个发光二极管群组中消除暗区的方法，其特征在于，所述复数个发光二极管群组以串接的方式置于整流输入电压端及接地端之间，所述整流输入电压端是由交流输入电压经整流而产生，每一发光二极管群组是透过复数个路径开关的对应的路径开关耦接到接地端，所述方法包括：

依据开启复数个路径开关的路径开关的控制讯号，所述脉波产生器决定连接区间；

在所述连接区间中的放电区间内，所述电容透过所述双载子接面晶体管将储存电能放电至所述整流输入电压端；及

在所述连接区间内，所述双载子接面晶体管的基极接收控制电流；

其中所述控制电流为常数或随着时间而递增，及所述双载子接面晶体管连接于所述电容及所述整流输入电压端之间。

15.如权利要求14所述的消除暗区的方法，其特征在于，还包括：

提供耦接于所述复数个路径开关的电流源，用以限制流经所述发光二极管群组的最大驱动电流；

其中在所述放电区间内，由所述电容经过所述双载子接面晶体管流至所述整流输入电压端的放电电流会小于所述最大驱动电流。

16.如权利要求14所述的消除暗区的方法，其特征在于，还包括：

产生宽度为所述连接区间的脉波。