CN105565679A - 一种可钢化的三银低辐射镀膜玻璃及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于玻璃技术领域,具体涉及一种可钢化的三银低辐射镀膜玻璃及其制备方法,其结构为:玻璃基片/第一复合介质层/第一银层/第一保护层/第二复合介质层/第二银层/第二保护层/第三复合介质层/第三银层/第三保护层/第四复合介质层/氧化锆膜;本发明的膜层能够经受700℃的高温钢化,钢化后颜色稳定,膜层钢化后无外观缺陷。
Description
技术领域
本发明属于玻璃技术领域,具体涉及一种可钢化的三银低辐射镀膜玻璃及其制备方法。
背景技术
低辐射镀膜玻璃被证明是当今最好的建筑节能玻璃。通过在普通玻璃表面镀低辐射膜而改善其性能,有效限制红外光透过,充分降低玻璃两侧的热交换,使其与普通玻璃和传统镀膜玻璃相比,具有优良的节能性能、光学性能和环保性能。低辐射镀膜玻璃己被广泛应用于世界各地的建筑中,特别是经济和科学技术比较发达的国家和地区。低辐射镀膜本身随着研发的深入也在进行着更新换代,不仅满足建筑设计潮流审美的需要,而且节能性也得到进一步提高。其中,三银低辐射镀膜玻璃因为其具有更低的红外线透过率、辐射率和传热系数,使其更节能,从而被广泛应用。
但是,三银低辐射镀膜玻璃因膜层结构复杂,在钢化过程中容易产生钢化后颜色不稳定、有色道、膜层擦拭实验不合格等问题。
发明内容
为了解决上述问题,本发明的目的在于提供一种可钢化的三银低辐射镀膜玻璃,该玻璃膜层能够经受700℃的高温钢化,钢化后颜色稳定,膜层钢化后无外观缺陷。
本发明的目的之二在于提供所述可钢化的三银低辐射镀膜玻璃的制备方法。
一种可钢化的三银低辐射镀膜玻璃,所述可钢化的三银低辐射镀膜玻璃的结构为:玻璃基片/第一复合介质层/第一银层/第一保护层/第二复合介质层/第二银层/第二保护层/第三复合介质层/第三银层/第三保护层/第四复合介质层/氧化锆膜。
较佳地,所述第一复合介质层的厚度为20~50nm、第一银层的厚度为5~15nm、第一保护层的厚度为1~1-10nm、第二复合介质层的厚度为55~110nm、第二银层的厚度为5~15nm、第二保护层的厚度为1~10nm、第三复合介质层的厚度为55~110nm、第三银层的厚度为5~15nm、第三保护层的厚度为1~10nm、第四复合介质层的厚度为35~70nm、氧化锆膜的厚度为3~10nm。厚度在一定的范围内,可起到减少摩擦,提升抗划伤性能。太厚的话,表面就过于粗糙,反而起到相反的效果。此膜层能够有效增加膜系的抗划伤性能,提高产品的可处理加工特性,减少膜面划伤等缺陷。
较佳地,所述第一复合介质层包括氮化硅、氧化锌和AZO;所述氮化硅的厚度为10~25nm、所述氧化锌的厚度为5~15nm、所述AZO的厚度为5~10nm。较佳地,所述第一保护层、第二保护层和第三保护层为镍铬层。
较佳地,所述第二复合介质层包括氮化硅、氧化锌锡、氧化锌和AZO,所述氮化硅的厚度为20~40nm、所述氧化锌锡的厚度为20~40nm、所述氧化锌的厚度为10~20nm、所述AZO的厚度为5~10nm。
较佳地,所述第三复合介质层包括氮化硅、氧化锌锡、氧化锌、AZO,所述氮化硅的厚度为20~40nm、所述氧化锌锡的厚度为20~40nm、所述氧化锌的厚度为10~20nm、所述AZO的厚度为5~10nm。
较佳地,第四复合介质层包括AZO、氧化锌和氮化硅,所述AZO的厚度为5~10nm、所述氧化锌的厚度为10~20nm、所述氮化硅的厚度为20~40nm。制备所述可钢化的三银低辐射镀膜玻璃,具体为:玻璃基片清洗—磁控溅射镀膜—切割—磨边—钢化;
其中,
1)、底部SiN的N2量要较少;例如,氮化硅的基础配比为,氩气:氮气=1000:900(单位:SCCM),底部氮化硅气氛配比则为,氩气:氮气=1000:700,以形成致密的结构,能够增加跟玻璃基片的结合力。
2)、中间层SiN与上下的氧化物介质层接触的介面处通入少量的O2,形成SiOxNy结构,与上下两层的氧化物介质层之间的结合力更好。例如,第二复合介质层中,氮化硅的下一层是氧化锌锡,则在靠近氧化锌锡的那层氮化硅将气氛配比改为,氩气:氮气:氧气=1000:900:50(单位:SCCM),这里指的是两层之间的介面处,形成SiOxNy的厚度一般为1~5nm。
3)、顶部SiN的N2量要多,形成应力小的稍疏松结构。例如,氮化硅的基础配比为,氩气:氮气=1000:900(单位:SCCM),底部氮化硅气氛配比则为,氩气:氮气=800:1100。
4)、ZnSnO、ZnAlO膜应按化学计量比或者过氧工艺溅射以减少应力。
5)、顶部保护层ZrO2高功率富O2溅射,以形成纳米微晶粗糙的表面,表面粗糙则接触面小,摩擦系数小,抗划伤性能强。Zr靶功率为60~100千瓦,富O2溅射,例如Ar:O2=500:1200,氧气较多。
6)、对于Ag膜的种子层ZnAlO等,用高功率60~100千瓦、低Ar、富O2的气氛,容易得到柱状的晶体结构,有利于Ag膜的生长。
本发明的结构为:玻璃基片/第一复合介质层/第一银层/第一保护层/第二复合介质层/第二银层/第二保护层/第三复合介质层/第三银层/第三保护层/第四复合介质层/氧化锆膜;本发明不仅能有效提升膜层抗划伤性能,而且膜层能够经受700℃的高温钢化,钢化后颜色稳定,膜层钢化后无外观缺陷,并通过钢化温度敏感性实验、钢化延时实验、不同厚度玻璃基片钢化实验、不同厚度玻璃基片弯钢化实验。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体的实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的详细说明,以助于本领域技术人员理解本发明。
实施例1
见图1,一种可钢化的三银低辐射镀膜玻璃,结构为:玻璃基片1/第一复合介质层21[氮化硅(厚度10nm)、氧化锌(5nm)、AZO(10nm)]/第一银层31(15nm)/镍铬41(1nm)/第二复合介质层22[氮化硅(20nm)、氧化锌锡(40nm)、氧化锌(10nm)、AZO(5nm)]第二银层32(15nm)/镍铬42(1nm)/第三复合介质层23[氮化硅(20nm)、氧化锌锡(20nm)、氧化锌(10nm)、AZO(10nm)]/第三银层33(5nm)/镍铬43(10nm)/第四复合介质层24[AZO(5nm)、氧化锌(20nm)、氮化硅(20nm)]/ZrOx5(10nm)。
实施例2
一种可钢化的三银低辐射镀膜玻璃,结构为:玻璃基片/第一复合介质层[氮化硅(厚度25nm)、氧化锌(15nm)、AZO(5nm)]/第一银层(5nm)/镍铬(10nm)/第二复合介质层[氮化硅(40nm)、氧化锌锡(20nm)、氧化锌(20nm)、AZO(10nm)]第二银层(5nm)/镍铬(10nm)/第三复合介质层[氮化硅(40nm)、氧化锌锡(40nm)、氧化锌(20nm)、AZO(5nm)]/第三银层(15nm)/镍铬(1nm)/第四复合介质层[AZO(10nm)、氧化锌(10nm)、氮化硅(40nm)]/ZrOx(3nm)。
实施例3
一种可钢化的三银低辐射镀膜玻璃,结构为:玻璃基片/第一复合介质层[氮化硅(厚度15nm)、氧化锌(8nm)、AZO(8nm)]/第一银层(8nm)/镍铬(3nm)/第二复合介质层[氮化硅(25nm)、氧化锌锡(30nm)、氧化锌(15nm)、AZO(6nm)]第二银层(10nm)/镍铬(3nm)/第三复合介质层[氮化硅(35nm)、氧化锌锡(30nm)、氧化锌(15nm)、AZO(6nm)]/第三银层(10nm)/镍铬(3nm)/第四复合介质层[AZO(6nm)、氧化锌(15nm)、氮化硅(25nm)]/ZrOx(5nm)。
实施例4
一种可钢化的三银低辐射镀膜玻璃,结构为:玻璃基片/第一复合介质层[氮化硅(厚度20nm)、氧化锌(10nm)、AZO(7nm)]/第一银层(10nm)/镍铬(5nm)/第二复合介质层[氮化硅(30nm)、氧化锌锡(25nm)、氧化锌(12nm)、AZO(7nm)]第二银层(8nm)/镍铬(5nm)/第三复合介质层[氮化硅(30nm)、氧化锌锡(35nm)、氧化锌(13nm)、AZO(7nm)]/第三银层(12nm)/镍铬(5nm)/第四复合介质层[AZO(7nm)、氧化锌(13nm)、氮化硅(30nm)]/ZrOx(4nm)。
实施例5
一种可钢化的三银低辐射镀膜玻璃,结构为:玻璃基片/第一复合介质层[氮化硅(厚度22nm)、氧化锌(12nm)、AZO(6nm)]/第一银层(12nm)/镍铬(7nm)/第二复合介质层[氮化硅(35nm)、氧化锌锡(35nm)、氧化锌(18nm)、AZO(8nm)]第二银层(6nm)/镍铬(8nm)/第三复合介质层[氮化硅(25nm)、氧化锌锡(25nm)、氧化锌(11nm)、AZO(8nm)]/第三银层(13nm)/镍铬(8nm)/第四复合介质层[AZO(8nm)、氧化锌(17nm)、氮化硅(35nm)]/ZrOx(8nm)。
上述实施例,只是本发明的较佳实施例,并非用来限制本发明实施范围,故凡以本发明权利要求所述的特征及原理所做的等效变化或修饰,均应包括在本发明权利要求范围之内。
试验:
1、钢化加工温度敏感性实验(结果见表1):检验膜层在钢化加工温度变化时是否稳定。实验条件如下:在双室钢化炉加工。试样规格:6mm玻璃基片,规格1000mm*1000mm。
表1
结论:试样经过不同的炉温钢化后,无氧化、脱膜等外观缺陷。钢化后玻面最大色差ΔL*g=0.3,Δa*g=0.4,Δb*g=0.5,颜色变化极小,加工温度敏感性实验合格。
2、钢化加热时间延时实验(结果见表2):检验膜层在钢化加工时间变化时膜层是否稳定。在双室钢化炉加工,上部炉温695℃,下部炉温685℃。试样规格:6mm玻璃基片,规格1000mm*1000mm。
表2
结论:试样经过不同的加热时间钢化后,无氧化、脱膜等外观缺陷。钢化后玻面最大色差ΔL*g=0.3,Δa*g=0.2,Δb*g=0.5,颜色变化极小,加热时间延时实验合格。
3、不同厚度玻璃基片钢化实验(结果见表3):采用6、8、10、12mm试样,在双室钢化炉加工,上部炉温695℃,下部炉温685℃,加热时间按相应的玻璃基片厚度作调整。
表3
结论:不同厚度玻璃钢化后无外观缺陷,实验合格。
4、弯钢化实验(结果见表4):检验不同厚度基片的弯钢化实验后,膜层是否完好、稳定。采用6、8、10、12mm试样,在弯钢炉加工,上部炉温690℃,下部炉温685℃。
表4
结论:试样弯钢化无脱膜、边部无裂纹,外观良好,颜色稳定;不同厚度玻璃弯钢化实验合格。
Claims (10)
1.一种可钢化的三银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述可钢化的三银低辐射镀膜玻璃的结构为:玻璃基片/第一复合介质层/第一银层/第一保护层/第二复合介质层/第二银层/第二保护层/第三复合介质层/第三银层/第三保护层/第四复合介质层/氧化锆膜。
2.如权利要求1所述可钢化的三银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一复合介质层的厚度为20~50nm、第一银层的厚度为5~15nm、第一保护层的厚度为1~1-10nm、第二复合介质层的厚度为55~110nm、第二银层的厚度为5~15nm、第二保护层的厚度为1~10nm、第三复合介质层的厚度为55~110nm、第三银层的厚度为5~15nm、第三保护层的厚度为1~10nm、第四复合介质层的厚度为35~70nm、氧化锆膜的厚度为3~10nm。
3.如权利要求2所述可钢化的三银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一复合介质层包括氮化硅、氧化锌和AZO;所述氮化硅的厚度为10~25nm、所述氧化锌的厚度为5~15nm、所述AZO的厚度为5~10nm。
4.如权利要求2所述可钢化的三银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第一保护层、第二保护层和第三保护层为镍铬层。
5.如权利要求2所述可钢化的三银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第二复合介质层包括氮化硅、氧化锌锡、氧化锌和AZO,所述氮化硅的厚度为20~40nm、所述氧化锌锡的厚度为20~40nm、所述氧化锌的厚度为10~20nm、所述AZO的厚度为5~10nm。
6.如权利要求2所述可钢化的三银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,所述第三复合介质层包括氮化硅、氧化锌锡、氧化锌、AZO,所述氮化硅的厚度为20~40nm、所述氧化锌锡的厚度为20~40nm、所述氧化锌的厚度为10~20nm、所述AZO的厚度为5~10nm。
7.如权利要求2所述可钢化的三银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,第四复合介质层包括AZO、氧化锌和氮化硅,所述AZO的厚度为5~10nm、所述氧化锌的厚度为10~20nm、所述氮化硅的厚度为20~40nm。
8.制备如权利要求1-7中任意一项所述可钢化的三银低辐射镀膜玻璃,其特征在于,具体为:玻璃基片清洗—磁控溅射镀膜—切割—磨边—钢化;其中所述磁控溅射镀膜过程中气氛底部SiN的N2量少,顶部SiN的N2量多;中间层SiN与上下的氧化物介质层接触的介面处通入少量的O2。
9.如权利要求8所述可钢化的三银低辐射镀膜玻璃的制备方法,其特征在于,所述镀膜过程中顶部保护层ZrO2高功率富O2溅射。
10.如权利要求8所述可钢化的三银低辐射镀膜玻璃的制备方法,其特征在于,对于所述银膜的种子层用高功率低Ar富O2的气氛。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Yu Huajun Inventor after: Huang Ying Inventor after: Liang Ruiji Inventor after: Ai Fazhi Inventor before: Yu Huajun Inventor before: Huang Ying Inventor before: Liang Ruiji Inventor before: Ye Guangdai |
|
CB03 | Change of inventor or designer information | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |