CN105563299B - 金属的化学机械研磨方法 - Google Patents

Abstract

一种金属的化学机械研磨方法，包括：在当前晶圆上的介质层中形成用于填充金属的沟槽；获取所述沟槽的深度和平均宽度；采用金属填充所述沟槽，所述金属包括位于所述介质层表面的多余部分；去除所述金属位于所述介质层上的所述多余部分；获取去除所述多余部分后所述金属的实时厚度；根据所述金属的目标横截面积和所述沟槽的平均宽度计算所述金属的目标厚度；根据所述金属的实时厚度、所述金属的目标厚度以及前一晶圆的定时研磨速率，计算当前晶圆所需的定时研磨时间；根据所述定时研磨时间对当前晶圆进行定时化学机械研磨。所述方法能够提高不同晶圆间金属互连线中，金属的电阻均一性。

Description

金属的化学机械研磨方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种金属的化学机械研磨方法。

背景技术

半导体器件的制造过程包括很多道工序，如必须在一片晶圆上进行数百个制程，以完成集成电路的制作。这些制程包括在晶圆上沉积电介质和导体材料，通过光刻、蚀刻和显影等形成电路图案，而且通常还包括经过研磨操作使表面变得平坦。常用的研磨操作如化学机械研磨(CMP)工艺。当前的半导体制造工艺中，很多情况下会用到CMP工艺，比如浅沟槽隔离(STI)中氧化硅抛光、局部互联(LI)中氧化硅抛光、层间介质(ILD)中氧化硅抛光以及金属互连工艺中的金属互连线抛光等。

随着半导体各结构尺寸的减小，不同晶圆之间(wafer to wafer，WTW)金属互连线的电阻均一性变得越来越重要。然而，在化学机械研磨过程后，同一晶圆表面的金属厚度均一(thickness uniformity)性较佳，但是，不同晶圆之间金属电阻均一性(Rs uniformity)却经常无法达到相应的工艺要求。

为了提高不同晶圆之间金属电阻均一性，必须严格控制化学机械研磨后不同晶圆之间金属的特征尺寸和金属的厚度。然而，在实际生产过程中，严格控制化学机械研磨后不同晶圆之间金属的特征尺寸和金属的厚度是业界一项艰巨的挑战。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种金属的化学机械研磨方法，以提高不同晶圆之间金属互连线中金属的电阻均一性。

为解决上述问题，本发明提供一种金属的化学机械研磨方法，包括：

在当前晶圆上的介质层中形成用于填充金属的沟槽；

获取所述沟槽的深度和平均宽度；

采用金属填充所述沟槽，所述金属包括位于所述介质层表面的多余部分；

去除所述金属位于所述介质层上的所述多余部分；

获取去除所述多余部分后所述金属的实时厚度；

根据所述金属的目标横截面积和所述沟槽的平均宽度计算所述金属的目标厚度；

根据所述金属的实时厚度、所述金属的目标厚度以及前一晶圆的定时研磨速率，计算当前晶圆所需的定时研磨时间；

根据所述定时研磨时间对当前晶圆进行定时化学机械研磨。

可选的，采用第一研磨平台和第二研磨平台研磨去除所述金属位于所述介质层上的所述多余部分，采用第三研磨平台进行所述定时化学机械研磨。

可选的，对当前晶圆进行化学机械研磨后，还包括以下步骤：

测量所述定时化学机械研磨后所述金属的最终厚度和最终平均宽度；

根据所述最终厚度和最终平均宽度计算所述金属的最终横截面积。

可选的，根据所述目标横截面积与所述最终横截面积的差值判断所述定时化学机械研磨是否进行返工。

可选的，获取所述沟槽的所述平均宽度包括：测量每个所述沟槽中位于不同深度位置的多个初始宽度，计算所述初始宽度的平均值作为所述沟槽的所述平均宽度。

可选的，一次测量同一深度位置中多个所述沟槽的总宽度，根据所述总宽度计算同一深度位置中每个所述沟槽的所述初始宽度。

可选的，测量每个所述沟槽中位于不同深度位置的40～70个所述初始宽度。

可选的，获取所述金属的所述实时厚度包括：在去除所述金属位于所述介质层上的所述多余部分后，直接测量所述金属的所述实时厚度。

可选的，获取所述金属的所述实时厚度包括：根据所述沟槽的深度计算所述金属的所述实时厚度。

可选的，根据所述定时研磨时间、所述最终厚度和所述实时厚度计算当前晶圆的定时研磨速率，并将当前晶圆的所述定时研磨速率运用于后一晶圆的定时化学机械研磨。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明的技术方案中，获取所述沟槽的深度和平均宽度，并获取金属的实时厚度，然后根据所述金属的目标横截面积和所述沟槽的平均宽度计算所述金属的目标厚度，之后根据所述金属的实时厚度、所述金属的目标厚度以及前一晶圆的定时研磨速率，计算当前晶圆所需的定时研磨时间，最后根据所述定时研磨时间对当前晶圆进行定时化学机械研磨。由于计算当前晶圆所需的定时研磨时间时，根据的是金属的目标横截面积，因此，无论当前晶圆上介质层中，沟槽的平均宽度是否发生变化，都能够对金属进行准确的定时化学机械研磨，即定时化学机械研磨后金属的最终厚度并不是固定不变的，而是根据实际需要研磨至相应的所需值，保证研磨后不同晶圆间金属的最终横截面积基本相等，即保证研磨后不同晶圆间金属的电阻均一性较高。

附图说明

图1是现有金属的化学机械研磨方法流程图

图2是本发明实施例所提供的金属的化学机械研磨方法流程图；

图3是本发明实施例所提供的金属的化学机械研磨方法中，形成有沟槽的介质层的结构示意图；

图4是图3所示沟槽填充金属后的结构示意图。

具体实施方式

经分析，现有金属的化学机械研磨方法中，研磨装置反馈的通常是金属互连线中金属的厚度。然而，不同晶圆之间，有时虽然金属的厚度可以达到较高的均一性，但是金属的电阻却达不到相应的均一性要求。如果想通过控制金属的厚度达到进一步提高不同晶圆间金属电阻均一性的要求，则金属的厚度和宽度都必须严格控制在极小的波动范围内，而这在大批量的实际生产过程中很难实现。

请参考图1，示出了现有金属的化学机械研磨方法流程图，现有金属的化学机械研磨方法包括步骤S10至步骤S16。

首先，执行步骤S10，在当前晶圆上的介质层中形成用于填充金属的沟槽。然后执行步骤S11，获取所述沟槽的深度和宽度。之后执行步骤S12，采用金属填充所述沟槽。

此后，执行步骤S13，采用第一研磨平台(Platen)对所述金属进行第一次研磨。第一次研磨采用较大的定时研磨速率(Remove Rate)对所述金属进行研磨，去除所述介质层上绝大部分的所述金属，第一次研磨也称为主研磨。第一次研磨的执行时间由实时工艺控制(RTPC，Real Time Process Control)功能来控制，第一次研磨之后要求所述介质层上方的所述金属的厚度具有一定的残留值，即所述介质层上方保留一定厚度(此厚度通常较小)的所述金属。

尔后，执行步骤S14，采用第二研磨平台对所述金属进行第二次研磨。第二次研磨采用较小的定时研磨速率去除所述介质层上剩余的所述金属，并通过实时探测研磨终点的方法来实时探测研磨终点。当探测到完全去除所述介质层上剩余的所述金属后，结束第二次研磨。

接着，执行步骤S15，根据前一晶圆的定时研磨速率和金属所设定的最终厚度计算定时研磨时间。

最后，执行步骤S16，根据所述定时研磨时间采用第三研磨平台对所述金属进行第三次研磨。即第三次研磨根据前一晶圆的定时研磨速率和金属的最终厚度计算定时研磨时间，并根据所述定时研磨时间进行研磨，使所述金属在第三次研磨后达到相应的要求(即达到与金属的最终厚度基本相等)。

由上述可知，现有金属的化学机械研磨方法中，将金属的宽度当成一个定值，则相应地，金属的厚度也认为是一个定值。因此，步骤S15依据的是一个固定不变的厚度——金属的最终厚度，此处表示为H_d。由此可知，现有金属的化学机械研磨方法最终期望达到的研磨结果是使得第三次研磨后，所述金属的厚度与H_d基本相等。

众所周知，电阻公式为：

R＝ρL/S

对于相同材料的相同长度的金属互连线而言，电阻只与横截面积S成反比。此横截面积S又等于金属的最终厚度与金属的平均宽度和乘积。

然而现有方法中，仅仅根据金属的厚度去定义化学机械研磨工艺的时间，而未考虑金属的宽度也有一定的偏差。

事实上，不同晶圆间，由于所形成的凹槽的宽度不容易保持一致，因此，即使保证所述金属在第三次研磨后的厚度与H_d基本相等，不同晶圆间所述金属的横截面积也不一定相等。因此，即使保证所述金属在第三次研磨后的厚度与H_d基本相等，不同晶圆间的金属的电阻均一性仍然无法达到所需要求。

综上分析可知，在化学机械研磨的定时研磨阶段过程中，不应当以固定的厚度值H_d作为定时研磨的参考依据，而应该以金属的横截面积S作为定时研磨的参考依据。即为保证不同晶圆间金属互连线的金属电阻均一性较高，需要保证不同晶圆间的金属互连线中，金属的横截面积基本相等。

为此，为提高不同晶圆间的金属电阻均一性，保证每个晶圆上的金属电阻都达到相应工艺节点的要求，本发明提供一种新的金属的化学机械研磨方法，所述方法根据所述金属的目标横截面积和所述沟槽的平均宽度计算所述金属的目标厚度，并根据所述金属的实时厚度、所述金属的目标厚度以及前一晶圆的定时研磨速率，计算当前晶圆所需的定时研磨时间，最后根据所述定时研磨时间对当前晶圆进行定时化学机械研磨。由于所述方法将所述金属的目标横截面积当成定值，因此，就能够综合考虑到所述沟槽平均宽度的变化和所述金属厚度的变化，从而保证计算得到的金属的目标厚度符合相应的电阻均一性要求，进而保证定时研磨后得到的金属最终厚度满足金属的电阻均一性要求。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

本发明实施例提供一种金属的化学机械研磨方法。

请参考图2，示出了本实施例所提供的金属的化学机械研磨方法流程图，所述金属的化学机械研磨方法包括步骤S20至步骤S29。

请结合参考图2和图3，执行步骤S20，在当前晶圆上的介质层201中形成用于填充金属的沟槽202。

本实施例中，介质层201可以是单层结构，也可以是多层结构。当介质层201为多层结构时，各层之间的制作材料可以相同，也可以不同。介质层201的材料可以是氮化硅、氧化硅或者是氮氧化硅等。介质层201的介电常数可以在3.0以上，也可以在2.0至3.0之间。

本实施例中，形成沟槽202的方法可以为干法刻蚀。

图3中显示的是沟槽202的横截面，理想沟槽的横截面为梯形，但是实际生产中，沟槽202的横截面通常为不规则形状，即沟槽202不同深度位置的宽度不同，，整个沟槽202横截面并不完全与梯形相符，因此沟槽202的平均宽度不能通过梯形平均宽度来计算，否则计算结果会与实际情况存在较大偏差。

请结合参考图2和图3，执行步骤S21，获取沟槽202的深度和平均宽度。

本实施例中，可以采用散射计量工具测量沟槽202的深度和平均宽度。所述散射计量工具可以为例如Nova公司的型号为3090的散射计量工具。

本实施例中，沟槽202的深度标注为H_t，如图3中所示。深度H_t可以由上述散射计量工具直接测量得到。

本实施例中，平均宽度以CD_a表示，获取所述沟槽202的平均宽度CD_a可以包括以下过程：测量每个所述沟槽202中位于不同深度位置的多个初始宽度(初始宽度标注为CD_m)，计算所述初始宽度的平均值作为所述沟槽202的所述平均宽度CD_a。

具体的，为了测量所述沟槽202某一深度位置中的所述初始宽度，可以采用以下过程：一次测量同一深度位置中多个所述沟槽202的总宽度，根据所述总宽度计算同一深度位置中每个所述沟槽202的所述初始宽度。所述沟槽202的总宽度除以所述沟槽202的个数得到即得到其中一个所述初始宽度。

具体的，当所述沟槽202的宽度约为0.045μm且相邻所述沟槽202的宽度也约为0.045μm时，可以采用直径为30μm的光斑同时照射约333个所述沟槽202，从而测得333个所述沟槽202的总宽度。然后此总宽度除以333，从而得到此深度位置下，所述沟槽202的初始宽度，例如图3中的初始宽度CD₁。然后，继续采用上述过程测量所述沟槽202中其它深度位置的初始宽度，最终得到初始宽度CD₂至初始宽度CD_m，则有：

CD_a＝(CD₁+CD₂+…+CD_m)/m

其中，m的值可以为40～70，即可以测量每个所述沟槽202中位于不同深度位置的40～70个所述初始宽度，亦即测量40～70个位于不同深度位置的所述初始宽度。m的值选择在40以上，以保证得到的平均宽度值CD_a较为接近真实的平均宽度，而。m的值选择在70以下，以防止计算过程太长，影响其它工序和整个工艺时间。具体的，以m值等以50为例，则有：

CD_a＝(CD₁+CD₂+…+CD₅₀)/50

需要说明的是，在选择沟槽的不同深度位置时，最好均匀地对整个深度进行选择，从而保证计算得到的平均宽度更加接近直实平均宽度。

请结合参考图2和图4，执行步骤S22，采用金属203填充所述沟槽202，金属203包括位于介质层201表面的多余部分(未示出)，并去除金属203位于介质层201上的所述多余部分。

本实施例中，虽然未示出所述多余部分，但是所述多余部分在金属203刚填充图3所示沟槽202时，会覆盖在介质层201表面，此多余部分需要研磨去除。

本实施例中，金属203具体可以为铜、铝、钨或者它们的合金等。

请继续参考图2，执行步骤S23，采用第一研磨平台和第二研磨平台研磨去除金属203位于所述介质层201上的所述多余部分。

具体的，第一研磨平台采用较大的定时研磨速率(Remove Rate)对金属203进行研磨，去除介质层201上绝大部分的金属203。第一研磨平台的执行时间由实时工艺控制(RTPC，Real Time Process Control)功能来控制，第一研磨平台研磨之后要求介质层201上方的金属203的厚度具有一定的残留值，即介质层201上方保留一定厚度(此厚度通常较小)的金属203。第二研磨平台采用较小的定时研磨速率去除介质层201上剩余的金属203，并通过实时探测研磨终点的方法来实时探测研磨终点。实时探测研磨终点的方法可以为：在研磨机台的下方安装激光发生器和传感器，激光发生器实时发出激光束，并将激光束投向晶圆(机台对晶圆上的金属同时进行研磨)，同时，传感器实时接收来自晶圆的反射强度数据，并根据不同材质对激光的不同反射强度，通过分析反射率的变化和反射强度数据确定研磨终点。当探测到完全去除所述介质层201上剩余的所述金属后，第二研磨平台结束研磨。

需要说明的是，在本发明的其它实施例中，也可以采用其它方式去除覆盖在所述介质层表面的所述多余部分，例如仅采用一个研磨平台研磨所述介质层表面的所述多余部分。

请结合参考图2和图4，执行步骤S24，获取去除所述多余部分后金属203的实时厚度。

本实施例中，金属203的实时厚度标注为H_r，如图4所示。获取金属203的实时厚度H_r可以采用下述方式进行：在去除金属203位于所述介质层201上的所述多余部分后，直接测量金属203的所述实时厚度H_r。直接测量金属203的实时厚度H_r可以采用上述散射计量工具进行测量。

需要说明的是，事实上，去除所述金属位于所述介质层上的所述多余部分后，量所述金属的所述实时厚度与所述沟槽的深度基本相等。因此，获取所述金属的所述实时厚度也可以采用下述方式进行，即：根据所述沟槽的深度计算所述金属的所述实时厚度(亦即将所述沟槽的深度当作所述金属的所述实时厚度)。

请继续参考图2，执行步骤S25，根据所述金属的目标横截面积和所述沟槽202的平均宽度(CD_a)计算所述金属的目标厚度。

本实施例中，所述金属的目标厚度以H_c表示，所述金属的目标横截面积以S_c表示，前面已经获取了沟槽202的平均宽度CD_a，而S_c等于H_c和CD_a的乘积，即：

S_c＝H_c×CD_a

因此，

H_c＝S_c/CD_a

请继续参考图2，执行步骤S26，根据所述金属的实时厚度H_r、所述金属的目标厚度H_c以及前一晶圆的定时研磨速率，计算当前晶圆所需的定时研磨时间。

本实施例中，在步骤S25中已经获得H_c＝S_c/CD_a，而步骤S24中获得了金属203的实时厚度H_r和H_c之差即后续定时化学机械研磨去除的厚度，去除的厚度以ΔH表示，即：

ΔH＝H_r-H_c

当前晶圆所需的定时研磨时间以T_x表示，前一晶圆的定时研磨速率以RRx-1表示，则有：

T_x＝ΔH/RR_x-1

代入ΔH＝H_r-H_c，可以得到：

T_x＝(H_r-H_c)/RR_x-1

再代入H_c＝S_c/CD_a，可以得到：

T_x＝(H_r-S_c/CD_a)/RR_x-1

上式中，H_r和CD_a均经过本实施例相应步骤测量和计算得到，S_c为本实施例所设置的参考定值，而RR_x-1可以由前一晶圆的工艺过程中获得，即RR_x-1也为已经数据，因此可以直接根据此公式而获得T_x，即获得所述定时研磨时间。

请继续参考图2，执行步骤S27，根据所述定时研磨时间对当前晶圆进行定时化学机械研磨。

本实施例中，可以具体采用第三研磨平台，并根据所述定时研磨时间T_x，对当前晶圆进行定时化学机械研磨。

经过上述步骤S20至步骤S27，本实施例实现了对当前晶圆的完整化学机械研磨过程。在此过程中，与现有方法不同的，本实施例设定金属的目标横截面积为定值，而非设定金属的目标厚度为定值。因此，无论当前晶圆上介质层201中，沟槽202的平均宽度是否发生变化，都能够对金属进行准确的定时化学机械研磨，即定时化学机械研磨后金属的最终厚度并不是固定不变的，而是根据实际需要研磨至相应的所需值，从而保证研磨后不同晶圆间金属的最终横截面积基本相等，即保证研磨后不同晶圆间金属的电阻均一性较高。

请继续参考图2，本实施例在完成化学机械研磨过程之后，还可以继续执行后续的步骤S28和步骤S29。

具体的，执行步骤S28，测量所述定时化学机械研磨后金属203的最终厚度和最终平均宽度。

图4中，金属203的最终厚度的标注为H_f(其中点划线表示在第三研磨平台上进行定时化学机械研磨后，最终金属203的上表面所在位置)。

本实施例中，金属203的最终平均宽度以CD_fa表示。最终平均宽度的值CD_fa可以采用上述平均宽度CD_a的获取方法得到。

具体的，为了测量金属203某一深度位置中的所述最终宽度，可以采用以下过程：一次测量同一深度位置中多个金属203的总宽度，根据所述总宽度计算同一深度位置中每个金属203的所述最终宽度。则最终宽度由总宽度除以金属203的个数得到。

具体的，当金属203的宽度约为0.045μm且相邻金属203的宽度也约为0.045μm时，可以采用直径为30μm的光斑同时照射约333个金属203，从而测得333个金属203的总宽度。然后此总宽度除以333，从而得到此深度位置下，金属203的最终宽度，例如图4中的最终宽度CD_f1。然后，继续采用上述过程测量金属203中其它深度位置的最终宽度，最终得到最终宽度CD_f2至最终宽度CD_fn，则有：

CD_fa＝(CD_f1+CD_f2+…+CD_fn)/n

其中，n的值同样可以为40～70，即可以测量每个金属203中位于不同深度位置的40～70个所述最终宽度，亦即测量40～70个位于不同深度位置的所述最终宽度。n的值选择在40以上，以保证得到的平均宽度值CD_fa较为接近真实的最终平均宽度，而。n的值选择在70以下，以防止计算过程太长，影响其它工序和整个工艺时间。具体的，以n值等以50为例，则有：

CD_fa＝(CDf₁+CD_f2+…+CD_f50)/50

执行步骤S29，根据所述最终厚度H_f和最终平均宽度CD_fa计算所述金属的最终横截面积。

本实施例中，最终横截面积以S_f表示。最终横截面积以S_f等于最终厚度和最终平均宽度CD_fa的乘积，即：

S_f＝H_f×CD_fa

本实施例中，在得到最终横截面积S_f之后，可以根据所述目标横截面积S_c与所述最终横截面积S_f的差值判断所述定时化学机械研磨是否进行返工。通常，当最终横截面积S_f与目标横截面积S_c的差值大于目标横截面积的10％时，需要返工，而当最终横截面积S_f与目标横截面积S_c的差值小于目标横截面积的10％时，无需返工。

事实上，现有方法中，最终横截面积S_f与目标横截面积S_c的差值通常在15％以上，而采用本实施例步骤S20至步骤S27后得到的最终金属中，最终横截面积S_f与目标横截面积S_c的差值通常小于目标横截面积的10％，因此，采用本实施例所提供的金属的化学机械研磨方法通常无需返工。故而，在本发明的其它实施例中，也可以不必执行步骤S28和步骤S29。

需要说明的是，图中虽示显示，但是本实施例还可以根据所述定时研磨时间、所述最终厚度和所述实时厚度计算当前晶圆的定时研磨速率，并将当前晶圆的所述定时研磨速率运用于后一晶圆的定时化学机械研磨。具体的，可以根据金属203中，实时厚度H_r和最终厚度H_f的差值，以及实际所使用的定时研磨时间(实际所使用的定时研磨时间以T_rx表示，可由化学机械研磨机台记录得到)，得到当前晶圆的定时研磨速率RR_x，有：

RR_x＝(H_r-H_f)/T_rx

最终得到的当前晶圆的定时研磨速率RR_x可运用于后一晶圆的定时化学机械研磨过程。

需要说明的是，当需要返工时，研磨时间改变，所述最终厚度改变，此时相应的定时研磨速率发生改变。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种金属的化学机械研磨方法，其特征在于，包括：

在当前晶圆上的介质层中形成用于填充金属的沟槽；

获取所述沟槽的深度和平均宽度；

采用金属填充所述沟槽，所述金属包括位于所述介质层表面的多余部分；

去除所述金属位于所述介质层上的所述多余部分；

获取去除所述多余部分后所述金属的实时厚度；

根据所述金属的目标横截面积和所述沟槽的平均宽度计算所述金属的目标厚度；

根据所述金属的实时厚度、所述金属的目标厚度以及前一晶圆的定时研磨速率，计算当前晶圆所需的定时研磨时间；

根据所述定时研磨时间对当前晶圆进行定时化学机械研磨。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用第一研磨平台和第二研磨平台研磨去除所述金属位于所述介质层上的所述多余部分，采用第三研磨平台进行所述定时化学机械研磨。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，对当前晶圆进行化学机械研磨后，还包括以下步骤：

测量所述定时化学机械研磨后所述金属的最终厚度和最终平均宽度；

根据所述最终厚度和最终平均宽度计算所述金属的最终横截面积。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述目标横截面积与所述最终横截面积的差值判断所述定时化学机械研磨是否进行返工。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，获取所述沟槽的所述平均宽度包括：测量每个所述沟槽中位于不同深度位置的多个初始宽度，计算所述初始宽度的平均值作为所述沟槽的所述平均宽度。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，一次测量同一深度位置中多个所述沟槽的总宽度，根据所述总宽度计算同一深度位置中每个所述沟槽的所述初始宽度。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，测量每个所述沟槽中位于不同深度位置的40～70个所述初始宽度。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，获取所述金属的所述实时厚度包括：在去除所述金属位于所述介质层上的所述多余部分后，直接测量所述金属的所述实时厚度。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，获取所述金属的所述实时厚度包括：根据所述沟槽的深度计算所述金属的所述实时厚度。

10.如权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述定时研磨时间、所述最终厚度和所述实时厚度计算当前晶圆的定时研磨速率，并将当前晶圆的所述定时研磨速率运用于后一晶圆的定时化学机械研磨。