CN105555044A - 一种井型气体电子倍增膜板及其制作方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种井型气体电子倍增膜板及其制作方法和应用，其中井型气体电子倍增膜板从上至下依次包括：上覆铜层、绝缘基板和读出阳极板，上覆铜层和绝缘基板上均形成有孔阵列，并且上覆铜层的孔径比绝缘基板上的孔径稍大，绝缘基板露出上覆铜层的部分形成rim绝缘环，rim绝缘环的宽度为10-100μm，读出阳极板上无孔，整个井型气体电子倍增膜板呈现出盲孔阵列。本发明的有益之处在于：井型气体电子倍增膜板的增益均匀性更好，相同的气体和电压条件下可获得更高的增益；可与THGEM膜构成多级倍增气体探测器，以获得更高的气体增益，满足不同实验的需求。

Description

一种井型气体电子倍增膜板及其制作方法和应用
技术领域
本发明涉及一种气体电子倍增膜板及其制作方法和应用，具体涉及一种井型气体电子倍增膜板及其制作方法和应用，属于电学技术领域。
背景技术
厚型气体电子倍增膜板(ThickGaseousMultiplier，THGEM)是一种双层印制的电路板，该电路板呈三明治结构，中间层是绝缘基材，上下两层是铜，电路板上打有大量的直径为0.1mm或更大的小孔，孔间距为0.15mm或更大，当在该电路板的上下表面加高压时，小孔中会产生足够强的电场，进而实现电子的雪崩放大。为了避免THGEM上下表面放电，需要在每一个小孔周围的铜上制作出一个宽度为0.01-0.1mm的rim绝缘环。
当使用具有上述结构的厚型气体电子倍增膜板制作气体电子倍增探测器时，厚型气体电子倍增膜板的前后需要分别设置与之平行的漂移电极板和读出阳极板，其中，漂移电极板与厚型气体电子倍增膜板之间形成漂移区，读出阳极板与厚型气体电子倍增膜板之间形成感应区，漂移区和感应区的高度都可调，一般漂移区的高度取2-10mm、感应区的高度取2-6mm。
由于气体电子倍增探测器同时具有漂移区和感应区，所以使得该气体电子倍增探测器体积不够紧凑，进而导致其使用受限。
发明内容
为解决现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种井型气体电子倍增膜板及其制作方法和应用，当使用该井型气体电子倍增膜板制作气体电子倍增探测器时，可以使气体电子倍增探测器的结构更加紧凑。
为了实现上述目标，本发明采用如下的技术方案：
一种井型气体电子倍增膜板，其特征在于，从上至下依次包括：上覆铜层(3)、绝缘基板(4)和读出阳极板(5)，前述上覆铜层(3)和绝缘基板(4)上均形成有孔(6)阵列，并且上覆铜层(3)上的孔径比绝缘基板(4)上的孔径稍大，绝缘基板(4)露出上覆铜层(3)的部分形成rim绝缘环(7)，前述rim绝缘环(7)的宽度为10-100μm，前述读出阳极板(5)上无孔，整个井型气体电子倍增膜板呈现出盲孔阵列。
一种制作前述井型气体电子倍增膜板的方法，其特征在于，包括以下步骤：
一、前处理：
取洁净的单面覆铜PCB板，先在PCB板上钻定位孔，然后依次进行贴光致抗蚀干膜、曝光显影、蚀刻、去膜；
二、打孔：
用数控机床在PCB板上打出孔阵列；
三、蚀刻rim绝缘环：
用PCB双面碱性喷淋蚀刻机在PCB板上蚀刻出rim绝缘环；
四、粘接：
将PCB板与读出阳极板粘接。
前述的制作方法，其特征在于，在第二步中，数控机床的转速为110,000转/分钟，进给速度为3.0米/分钟。
前述的制作方法，其特征在于，在第三步中，前述喷淋液的组成为：
CuCl2·2H2O100-150g/L、
NH4Cl100g/L、
NH3·H2O670-700ml/L，
喷淋液的pH为8.2-9.0。
前述的制作方法，其特征在于，在第三步中，前述PCB双面碱性喷淋蚀刻机的喷淋压力为2.5-3.5kg、温度为48-55℃、喷淋时间为0.5-2秒。
前述井型气体电子倍增膜板在气体电子倍增器上的应用。
前述的应用，其特征在于，前述气体电子倍增器包括：密闭腔室(9)、漂移电极板(1)、井型气体电子倍增膜板和前置放大器(8)，
前述密闭腔室(9)内充有工作气体；
前述漂移电极板(1)和井型气体电子倍增膜板均设置于密闭腔室(9)内，二者平行设置，中间形成漂移区(2)，所述漂移区(2)的高度可调；
前述前置放大器(8)设置于密闭腔室(9)内，并直接焊接在井型气体电子倍增膜板的读出阳极板(5)的背面，或者，所述前置放大器(8)设置于密闭腔室(9)外，并通过引线与井型气体电子倍增膜板的读出阳极板(5)连接；
前述井型气体电子倍增膜板的读出阳极板(5)以pad读出方式或者X-Y条读出方式读出电子信号，所述前置放大器(8)将读出的电子信号放大后输出给后端电子学。
前述的应用，其特征在于，前述漂移区(2)的高度为2mm-20mm。
前述的应用，其特征在于，前述井型气体电子倍增膜板与厚型气体电子倍增膜板或气体电子倍增膜联级使用，构成多级气体倍增探测器。
本发明的有益之处在于：
一、井型气体电子倍增膜板：
1、井型气体电子倍增模板采用单面覆铜板制作而成，其厚度、孔径、孔间距和绝缘环的大小均可根据实际需要制作；
2、模板的钻孔和rim绝缘环腐蚀工艺更加简单，孔更加均匀，易于模板的大面积制作；
3、增益均匀性更好，相同的气体和电压条件下，可获得更高的增益；
4、与阳极读出板一体，制作成大面积、紧凑的井型气体电子倍增探测器；
5、可与THGEM膜构成多级倍增气体探测器，以获得更高的气体增益，满足不同实验的需求。
二、井型气体电子倍增膜板的制作方法：
1、井型气体电子倍增模板采用单面覆铜板制作，钻孔成品率高，加工方法简单；
2、单面喷淋腐蚀rim绝缘环，rim大小均匀一致，工艺简单、可控。
三、井型气体电子倍增器：
1、井型气体电子倍增器是一种新型微结构气体探测器，与厚型气体电子倍增器相比，少了感应区，结构更加紧凑，是数字强子量能器的候选探测器之一；
2、具有较高的计数率上限(可以在106mm-2s-1以内稳定工作)、良好的位置分辨率，并且信号上升时间快；
3、易于制造维护；
4、联级使用方便。
附图说明
图1是本发明的井型气体电子倍增膜板的结构示意图；
图2是本发明的气体电子倍增器的结构示意图；
图3是增益均匀性扫描图。
图中附图标记的含义：1-漂移电极板、2-漂移区、3-上覆铜层、4-绝缘基板、5-读出阳极板、6-孔、7-绝缘环、8-前置放大器、9-密闭腔室。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明作具体的介绍。
一、井型气体电子倍增膜板的结构
参照图1，本发明的井型气体电子倍增膜板其从上至下依次包括：上覆铜层3、绝缘基板4和读出阳极板5。其中，上覆铜层3和绝缘基板4上均形成有孔6阵列，并且上覆铜层3上的孔径比绝缘基板4上的孔径稍大，绝缘基板4露出上覆铜层3的部分形成rim绝缘环7，该rim绝缘环7的宽度为10-100μm中的任意一值；读出阳极板5上无孔。这样一来，整个气体电子倍增膜板呈现出一个盲孔阵列。由于每个盲孔看似水井，故称该膜板为“井型”气体电子倍增膜板。
井型气体电子倍增膜板的厚度、孔径、孔间距和rim绝缘环的大小可根据实际需要调整。
本发明的井型气体电子倍增膜板的电场结构呈漏斗形，相比厚型气体电子倍增膜板的电场更加集中，在相同的气体和电压条件下，可获得更高的增益。
此外，本发明的井型气体电子倍增膜板还具有很好的扩展性，可与厚型气体电子倍增膜板(THGEM)或者气体电子倍增膜(GEM)构成多级倍增气体探测器，以获得更高的气体增益，满足不同实验的需求。
二、井型气体电子倍增膜板的制作方法
制作图1所示的井型气体电子倍增膜板时，需要依次进行以下四个主要步骤：
(一)、前处理
1、选用单面覆铜PCB板，将大块的单面覆铜PCB板剪裁成生产板加工尺寸。
与采用双面覆铜PCB板相比，单面覆铜PCB板对钻孔和rim绝缘环腐蚀的工艺要求更加简单并且稳定，制作出的孔更加均匀，利于实现大面积制作。
2、用刷板机刷洗单面覆铜PCB板，得到洁净的单面覆铜PCB板。
3、在洁净的PCB板上钻定位孔。
4、对洁净的PCB板依次做下述常规处理：贴光致抗蚀干膜、曝光显影、蚀刻、去膜，这时铜箔和引出电极都已经制作成型，但在铜箔中间并没有孔结构。
(二)、打孔
用数控机床在上述PCB板上打出孔阵列。数控机床的转速为110,000转/分钟，进给速度为3.0米/分钟。
钻孔后的PCB板，这时孔的边缘会有一些铜毛刺，需要将铜毛刺处理掉，采用常规方法即可，以保证打出的孔的孔壁光滑无铜毛刺。
(三)、蚀刻rim绝缘环
用PCB双面碱性喷淋蚀刻机在PCB板上蚀刻出绝缘环。
在本实施例中，喷淋液的组成为：
CuCl2·2H2O125g/L、
NH4Cl100g/L、
NH3·H2O680ml/L，
pH为8.8。
经验证，在喷淋液中，只要将CuCl2·2H2O的浓度控制在100-150g/L、NH3·H2O的浓度控制在670-700ml/L、pH控制在8.2-9.0范围内，均可较好的实现本发明。
相应的，PCB双面碱性喷淋蚀刻机的喷淋压力为3.0kg(可根据需求在2.5-3.5kg范围内做适当调整)、温度为50℃(可根据需求在48-55℃范围内做适当调整)、喷淋时间为1.0秒(可根据需求在0.5-2秒范围内做适当调整)。
PCB板经PCB双面碱性喷淋蚀刻机喷淋蚀刻后，在铜箔上形成了小而且光滑的rim绝缘环。
(四)、粘接
将形成了rim绝缘环的单面覆铜PCB板与读出阳极板粘接，即制作得到图1所示的井型气体电子倍增膜板。
读出阳极板可根据具体应用，预先制作成pad读出方式，或者X-Y条读出方式。
在制作本发明的井型气体电子倍增模板时，由于采用了单面覆铜板，所以钻孔成品率更高，加工方法更简单。
此外，在制作本发明的井型气体电子倍增模板时，由于采用单面喷淋腐蚀rim绝缘环，所以rim绝缘环的大小均匀一致，工艺简单、可控。
三、气体电子倍增器的结构
图1所示的井型气体电子倍增膜板可以用来制作气体电子倍增器，即井型气体电子倍增器。
参照图2，井型气体电子倍增器包括：密闭腔室9、漂移电极板1、井型气体电子倍增膜板和前置放大器8。
密闭腔室9内充有工作气体，该工作气体以氩气、氖气、氙气等惰性气体为主，并加以少量异丁烷、甲烷、二氧化碳等淬灭性气体。
漂移电极板1和井型气体电子倍增膜板均设置于密闭腔室9内，二者平行设置，中间形成漂移区2，漂移区2的高度可调，一般为2mm-20mm。
前置放大器8设置于密闭腔室9内，并直接焊接在井型气体电子倍增膜板的读出阳极板5的背面。
除此之外，前置放大器8还可以有另外一种设置方式，即：前置放大器8设置于密闭腔室9外，并通过引线与井型气体电子倍增膜板的读出阳极板5连接。
井型气体电子倍增膜板的读出阳极板5以pad读出方式或者X-Y条读出方式读出电子信号，前置放大器8将读出的电子信号放大后输出给后端电子学。
井型气体电子倍增器的工作原理：
工作时，漂移电极板1和井型气体电子倍增膜板的上覆铜层3接入高压，当核电离辐射射线入射到密闭腔室9内时，会在漂移区2电离出电子离子对，电子在电场的作用下向下漂移进入盲孔，由于盲孔内的电场较高，电子在盲孔内产生倍增，倍增电子在读出阳极板5上感应出电子信号，信号经过前置放大器8放大后由后端电子学获取。
可见，井型气体电子倍增器是一种新型微结构气体探测器，与传统的厚型气体电子倍增器相比，少了感应区，因此本发明的井型气体电子倍增器的结构更加紧凑，可以成为数字强子量能器的候选探测器之一。
我们在X光机上对本发明的井型气体电子倍增器进行了增益均匀性扫描，扫描结果见图3，表明：井型气体电子倍增器增益均匀性好于5％。
此外，我们还对本发明的井型气体电子倍增器的计数率上限、位置分辨率、时间分辨率和信号上升时间等进行了检测，检测结果如下：
(1)可以在106mm-2s-1以内稳定工作，具有较高的计数率上限；
(2)位置分辨率小于0.2mm，具有良好的位置分辨率；
(3)时间分辨率小于10ns，具有良好的时间分辨率；
(4)信号上升时间仅几十ns，信号上升时间快。
本实施例给出的井型气体电子倍增器，其电子倍增机构仅为井型气体电子倍增膜板，由于井型气体电子倍增膜板具有很好的扩展性，所以我们还可将井型气体电子倍增膜板与厚型气体电子倍增膜板(THGEM)或者气体电子倍增膜(GEM)联级使用，从而构成多级倍增气体探测器，以获得更高的气体增益，满足不同实验的需求。
需要说明的是，上述实施例不以任何形式限制本发明，凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均落在本发明的保护范围内。

Claims (9)

1.一种井型气体电子倍增膜板，其特征在于，从上至下依次包括：上覆铜层(3)、绝缘基板(4)和读出阳极板(5)，
所述上覆铜层(3)和绝缘基板(4)上均形成有孔(6)阵列，并且上覆铜层(3)上的孔径比绝缘基板(4)上的孔径稍大，绝缘基板(4)露出上覆铜层(3)的部分形成rim绝缘环(7)，所述rim绝缘环(7)的宽度为10-100μm，所述读出阳极板(5)上无孔，整个井型气体电子倍增膜板呈现出盲孔阵列。
2.一种制作权利要求1所述井型气体电子倍增膜板的方法，其特征在于，包括以下步骤：
一、前处理：
取洁净的单面覆铜PCB板，先在PCB板上钻定位孔，然后依次进行贴光致抗蚀干膜、曝光显影、蚀刻、去膜；
二、打孔：
用数控机床在PCB板上打出孔阵列；
三、蚀刻rim绝缘环：
用PCB双面碱性喷淋蚀刻机在PCB板上蚀刻出rim绝缘环；
四、粘接：
将PCB板与读出阳极板粘接。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在第二步中，数控机床的转速为110,000转/分钟，进给速度为3.0米/分钟。
4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在第三步中，所述喷淋液的组成为：
CuCl2·2H2O100-150g/L、
NH4Cl100g/L、
NH3·H2O670-700ml/L，
喷淋液的pH为8.2-9.0。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在第三步中，所述PCB双面碱性喷淋蚀刻机的喷淋压力为2.5-3.5kg、温度为48-55℃、喷淋时间为0.5-2秒。
6.权利要求1所述井型气体电子倍增膜板在气体电子倍增器上的应用。
7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于，所述气体电子倍增器包括：密闭腔室(9)、漂移电极板(1)、井型气体电子倍增膜板和前置放大器(8)，
所述密闭腔室(9)内充有工作气体；
所述漂移电极板(1)和井型气体电子倍增膜板均设置于密闭腔室(9)内，二者平行设置，中间形成漂移区(2)，所述漂移区(2)的高度可调；
所述前置放大器(8)设置于密闭腔室(9)内，并直接焊接在井型气体电子倍增膜板的读出阳极板(5)的背面，或者，所述前置放大器(8)设置于密闭腔室(9)外，并通过引线与井型气体电子倍增膜板的读出阳极板(5)连接；
所述井型气体电子倍增膜板的读出阳极板(5)以pad读出方式或者X-Y条读出方式读出电子信号，所述前置放大器(8)将读出的电子信号放大后输出给后端电子学。
8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述漂移区(2)的高度为2mm-20mm。
9.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述井型气体电子倍增膜板与厚型气体电子倍增膜板或气体电子倍增膜联级使用，构成多级气体倍增探测器。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108415059A (zh) * 2018-02-28 2018-08-17 中国科学院高能物理研究所 具有多层结构单膜的厚型气体电子倍增器
CN109052305A (zh) * 2018-08-01 2018-12-21 中国科学技术大学 多气隙阻性井型探测器、放大单元、基材及制备方法
CN111916331A (zh) * 2020-09-04 2020-11-10 北京航天新立科技有限公司 一种小尺寸gem膜板的工业化制作方法
CN115863121A (zh) * 2023-02-21 2023-03-28 中国科学技术大学 一种微井型探测器及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002206181A (ja) * 2000-12-29 2002-07-26 Shigetaka Ooto 両面銅箔が張られたテープ、フレキシブル材料から２メタルレイヤーｔｂｇａまたはｆｐｃｂ（ｆｐｗｂ）のリールツーリールによる製造方法
CN103280387A (zh) * 2013-05-16 2013-09-04 中国科学院高能物理研究所 一种工业化厚gem制作方法
CN103635026A (zh) * 2013-12-11 2014-03-12 中国科学院大学 厚型气体电子倍增探测器膜板的制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002206181A (ja) * 2000-12-29 2002-07-26 Shigetaka Ooto 両面銅箔が張られたテープ、フレキシブル材料から２メタルレイヤーｔｂｇａまたはｆｐｃｂ（ｆｐｗｂ）のリールツーリールによる製造方法
CN103280387A (zh) * 2013-05-16 2013-09-04 中国科学院高能物理研究所 一种工业化厚gem制作方法
CN103635026A (zh) * 2013-12-11 2014-03-12 中国科学院大学 厚型气体电子倍增探测器膜板的制作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
L. ARAZI, M. PITT, S. BRESSLER, L. MOLERI, A. RUBIN AND A. BRE: "Laboratory studies of THGEM-based WELL structures with resistive anode", 《JOURNAL OF INSTRUMENTATION》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108415059A (zh) * 2018-02-28 2018-08-17 中国科学院高能物理研究所 具有多层结构单膜的厚型气体电子倍增器
CN109052305A (zh) * 2018-08-01 2018-12-21 中国科学技术大学 多气隙阻性井型探测器、放大单元、基材及制备方法
CN109052305B (zh) * 2018-08-01 2020-01-31 中国科学技术大学 多气隙阻性井型探测器、放大单元、基材及制备方法
CN111916331A (zh) * 2020-09-04 2020-11-10 北京航天新立科技有限公司 一种小尺寸gem膜板的工业化制作方法
CN111916331B (zh) * 2020-09-04 2023-04-07 北京航天新立科技有限公司 一种小尺寸gem膜板的工业化制作方法
CN115863121A (zh) * 2023-02-21 2023-03-28 中国科学技术大学 一种微井型探测器及其制备方法

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