CN105552211A - 一种声控挤压式发电薄膜及其制备方法 - Google Patents

一种声控挤压式发电薄膜及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105552211A
CN105552211A CN201610031786.2A CN201610031786A CN105552211A CN 105552211 A CN105552211 A CN 105552211A CN 201610031786 A CN201610031786 A CN 201610031786A CN 105552211 A CN105552211 A CN 105552211A
Authority
CN
China
Prior art keywords
reaction source
hydrogen
preparation
gas reaction
minutes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610031786.2A
Other languages
English (en)
Inventor
高凯征
宋吉鑫
于健
张东
林数全
王存旭
杜世鹏
刘春忠
李娜
何毅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Liaoning Advertising Vocational College
Shenyang Institute of Engineering
Original Assignee
Liaoning Advertising Vocational College
Shenyang Institute of Engineering
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Liaoning Advertising Vocational College, Shenyang Institute of Engineering filed Critical Liaoning Advertising Vocational College
Priority to CN201610031786.2A priority Critical patent/CN105552211A/zh
Publication of CN105552211A publication Critical patent/CN105552211A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
    • H10N30/098—Forming organic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
    • H10N30/308—Membrane type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials

Abstract

本发明属于压电薄膜发电技术领域，具体地来讲为一种声控挤压式发电薄膜及其制备方法。该方法包括：在金属不锈钢板衬底依次制备第一金属银电极、第一石墨烯导电薄膜、第一ZnO纳米线、偏聚氟乙烯压电薄膜、第二ZnO纳米线、第二石墨烯导电薄膜以及第二金属铝银电极。本发明把压电材料发电技术与声控材料发电技术使之与超级导体石墨烯相结合实现发电，由于石墨烯超导体的特征，极大程度的导出了所有的电荷，解决了压电材料与声控材料发电率低，不易导出等难题。

Description

一种声控挤压式发电薄膜及其制备方法
技术领域
本发明属于压电薄膜发电技术领域，具体地来讲为一种声控挤压式发电薄膜及其制备方法。
背景技术
火车在铁轨行驶时，车轮与铁轨存在相互作用，在此过程中，有相当一部分能力消耗，该部分能量可以进行回收，并加以利用。特别是火车在行进间可以发出呜呜呜的轰鸣声，ZnO纳米线可以在大于100分贝的基础上，靠声音发电。而当前节能减排的重点在于实现技术节能，由于压电材料与声控纳米线材料具有优良的特性，国内外对压电材料与声控纳米线材料的研究较多。因对压电发电技术的研究较少，故压电发电技术必将成为未来的发展趋势，然而压电材料与声控纳米线材料具有产生电量少，且不连续等难题，发的电很难全部导出，由于传统导电电极的缺点，消耗了大量压电材料与声控纳米线材料发出的电。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种声控挤压式发电薄膜，另一方面提供了一种声控挤压式发电薄膜的制备方法，解决压电材料与声控材料具有产生电量少，且不连续等难题，发的电很难全部导出的问题。
本发明是这样实现的，
本发明提供了一种声控挤压式发电薄膜，该薄膜从底层到上层依次包括金属不锈钢板、第一金属银电极、第一石墨烯导电薄膜、第一ZnO纳米线，偏聚氟乙烯压电薄膜、第二ZnO纳米线、第二石墨烯导电薄膜以及第二金属银电极。
本发明还提供了一种声控挤压式发电薄膜的制备方法，该方法包括：在金属不锈钢板衬底依次制备第一金属银电极、第一石墨烯导电薄膜、第一ZnO纳米线、偏聚氟乙烯压电薄膜、第二ZnO纳米线、第二石墨烯导电薄膜以及第二金属铝银电极。
进一步地，在不锈钢板衬底采用磁控溅射沉积第一金属银电极，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为30～50sccm，反应溅射银金属靶材的纯度为99.99％，衬底温度为50℃～150℃，沉积时间为3～10分钟。
进一步地，采用PECVD制备第一石墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷和氢气作为混合气体反应源，按照体积比，混合气体反应源中甲烷和氢气的比例为：3:2～4:1，另外通入氢气作为反应源，甲烷和氢气作为混合气体反应源流量为30～100sccm，氢气作为反应源流量为50sccm，衬底温度为50℃～100℃，沉积时间为3～10分钟。
进一步地，制备第一ZnO纳米线，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，氩气流量为30～50sccm，反应溅射ZnO靶材的纯度为99.99％，衬底温度为50℃～150℃，沉积时间为3～10分钟。
进一步地，偏聚氟乙烯压电薄膜的制备，由偏氟乙烯通过悬浮聚合或乳液聚合而成，薄膜厚度为800nm到1200nm。
进一步地，制备第二ZnO纳米线，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为30～50sccm，反应溅射ZnO靶材的纯度为99.99％，衬底温度为50℃～150℃，沉积时间为3～10分钟。
进一步地，采用PECVD技术制备第二石墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷和氢气作为混合气体反应源，按照体积比，混合气体反应源中甲烷和氢气的比例为：3:1～2:1，另外通入单独氢气作为反应源，其甲烷和氢气作为混合气体反应源流量为10～20sccm，单独氢气作为反应源流量为10sccm，衬底温度为50℃～100℃，沉积时间为3～10分钟。
进一步地，制备第二金属银电极，采用磁控溅射制备，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为30～60sccm，反应溅射银金属靶材的纯度为99.99％，衬底温度为40℃～120℃，沉积时间为3～10分钟。
本发明与现有技术相比，有益效果在于：本发明把压电材料发电技术与声控材料发电技术使之与超级导体石墨烯相结合实现发电，由于石墨烯超导体的特征，极大程度的导出了所有的电荷，解决了压电材料与声控材料发电率低，不易导出等难题。为压电材料与声控材料发电，为节能减排作出重大的贡献。该发电器件具有优异的压电性能与声控发电性能，挤压材料或者声音大约100分贝就能发电，不受天气与环境限制，具有潜在的市场空间。而且制备工艺简单，可实现规模生产。
附图说明
图1为本发明的制备方法流程图；
图2为实施例3中的ZnO纳米线的SEM图谱；
图3为实施例3中的ZnO纳米线的AFM图谱。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明中制备的ZnO纳米线表面形貌采用日本JEOL公司生产的JSM-6360LV型扫描电镜分析样品的表面形貌和晶体形态，其加速电压为0.5～30kV，高真空模式下的二次电子分辨率为3nm，低真空模式下的二次电子分辨率为4nm，放大倍数为8～30万倍。
本发明利用的原子力显微镜(AFM)的型号是Picoscan2500，产于Agilent公司。在正常室温的测试条件下对薄膜样品的形貌进行了测试与分析。
实施例1
参见图1的流程，将金属不锈钢板衬底基片先用用离子水超声波清洗5分钟后，用氮气吹干送入磁控溅射反应室，在8.0×10-4Pa真空的条件下，沉积制备第一金属银电极。其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为50sccm，反应溅射银金属靶材的纯度为99.99％，衬底温度为150℃，沉积时间为10分钟。
采用PECVD技术制备第一石墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷和氢气作为混合气体反应源，按照体积比，混合气体反应源中甲烷和氢气的比例为：3:2，另外通入其单独氢气作为反应源，其甲烷和氢气作为混合气体反应源流量为100sccm，其单独氢气作为反应源流量为50sccm，衬底温度为100℃，沉积时间为10分钟。
制备第一ZnO纳米线薄膜材料，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为50sccm，反应溅射ZnO靶材的纯度为99.99％，衬底温度为150℃，沉积时间为10分钟。
取出反应样品制备偏聚氟乙烯(PVDF)薄膜，由偏氟乙烯通过悬浮聚合或乳液聚合而成，反应方程式如下所示：CH2＝CF2--(CH2CF2)n。薄膜厚度为1200nm。
制备第二ZnO纳米线薄膜材料，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为50sccm，反应溅射ZnO靶材的纯度为99.99％，衬底温度为150℃，沉积时间为10分钟。
采用PECVD技术制备第二石墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷和氢气作为混合气体反应源，按照体积比，混合气体反应源中甲烷和氢气的比例为：3:1，另外通入其单独氢气作为反应源，其甲烷和氢气作为混合气体反应源流量为20sccm，其单独氢气作为反应源流量为10sccm，衬底温度为100℃，沉积时间为10分钟。
制备第二金属银电极，采用磁控溅射制备，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为60sccm，反应溅射银金属靶材的纯度为99.99％，衬底温度为120℃，沉积时间为10分钟。
实施例2
将金属不锈钢板衬底基片先用用离子水超声波清洗5分钟后，用氮气吹干送入磁控溅射反应室，在8.0×10-4Pa真空的条件下，沉积制备第一金属银电极。其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为40sccm，反应溅射银金属靶材的纯度为99.99％，衬底温度为100℃，沉积时间为7分钟。
采用PECVD技术制备第一石墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷和氢气作为混合气体反应源，按照体积比，混合气体反应源中甲烷和氢气的比例为：4:1，另外通入其单独氢气作为反应源，其甲烷和氢气作为混合气体反应源流量为70sccm，其单独氢气作为反应源流量为50sccm，衬底温度为60℃，沉积时间为8分钟。
制备第一ZnO纳米线薄膜材料，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为40sccm，反应溅射ZnO靶材的纯度为99.99％，衬底温度为100℃，沉积时间为8分钟。
取出反应样品制备偏聚氟乙烯(PVDF)薄膜，由偏氟乙烯通过悬浮聚合或乳液聚合而成，反应方程式如下所示：CH2＝CF2--(CH2CF2)n。薄膜厚度为1000nm。
制备第二ZnO纳米线薄膜材料，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为40sccm，反应溅射ZnO靶材的纯度为99.99％，衬底温度为100℃，沉积时间为8分钟。
采用PECVD技术制备第二石墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷和氢气作为混合气体反应源，按照体积比，混合气体反应源中甲烷和氢气的比例为：2：1，另外通入其单独氢气作为反应源，其甲烷和氢气作为混合气体反应源流量为15sccm，其单独氢气作为反应源流量为10sccm，衬底温度为70℃，沉积时间为7分钟。
制备第二金属银电极，采用磁控溅射制备，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为45sccm，反应溅射银金属靶材的纯度为99.99％，衬底温度为80℃，沉积时间为8分钟。
实施例3
将金属不锈钢板衬底基片先用用离子水超声波清洗5分钟后，用氮气吹干送入磁控溅射反应室，在8.0×10-4Pa真空的条件下，沉积制备金属银电极。其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为35sccm，反应溅射银金属靶材的纯度为99.99％，衬底温度为130℃，沉积时间为6分钟。
采用PECVD技术制备第一石墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷和氢气作为混合气体反应源，按照体积比，混合气体反应源中甲烷和氢气的比例为：1:1，另外通入其单独氢气作为反应源，其甲烷和氢气作为混合气体反应源流量为60sccm，其单独氢气作为反应源流量为50sccm，衬底温度为75℃，沉积时间为6分钟。
制备第一ZnO纳米线薄膜材料，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为35sccm，反应溅射ZnO靶材的纯度为99.99％，衬底温度为50℃，沉积时间为5分钟。
取出反应样品制备偏聚氟乙烯(PVDF)薄膜，由偏氟乙烯通过悬浮聚合或乳液聚合而成，反应方程式如下所示：CH2＝CF2--(CH2CF2)n。薄膜厚度为900nm。
制备第二ZnO纳米线薄膜材料，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为40sccm，反应溅射ZnO靶材的纯度为99.99％，衬底温度为120℃，沉积时间为10分钟。
采用PECVD技术制备第二石墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷和氢气作为混合气体反应源，按照体积比，混合气体反应源中甲烷和氢气的比例为：2.5:1，另外通入其单独氢气作为反应源，其甲烷和氢气作为混合气体反应源流量为20sccm，其单独氢气作为反应源流量为10sccm，衬底温度为100℃，沉积时间为10分钟。
制备第二金属银电极，采用磁控溅射制备，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为50sccm，反应溅射银金属靶材的纯度为99.99％，衬底温度为90℃，沉积时间为10分钟。
实施例4
将金属不锈钢板衬底基片先用用离子水超声波清洗5分钟后，用氮气吹干送入磁控溅射反应室，在8.0×10-4Pa真空的条件下，沉积制备第一金属银电极。其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为50sccm，反应溅射银金属靶材的纯度为99.99％，衬底温度为5100℃，沉积时间为10分钟。
采用PECVD技术制备第一石墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷和氢气作为混合气体反应源，按照体积比，混合气体反应源中甲烷和氢气的比例为：5:2，另外通入其单独氢气作为反应源，其甲烷和氢气作为混合气体反应源流量为50sccm，其单独氢气作为反应源流量为50sccm，衬底温度为90℃，沉积时间为10分钟。
制备第一ZnO纳米线薄膜材料，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为40sccm，反应溅射ZnO靶材的纯度为99.99％，衬底温度为150℃，沉积时间为7分钟。
取出反应样品制备偏聚氟乙烯(PVDF)薄膜，由偏氟乙烯通过悬浮聚合或乳液聚合而成，反应方程式如下所示：CH2＝CF2--(CH2CF2)n。薄膜厚度为800nm。
制备第二ZnO纳米线薄膜材料，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为45sccm，反应溅射ZnO靶材的纯度为99.99％，衬底温度为90℃，沉积时间为10分钟。
采用PECVD技术制备第二石墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷和氢气作为混合气体反应源，按照体积比，混合气体反应源中甲烷和氢气的比例为：3:1，另外通入其单独氢气作为反应源，其甲烷和氢气作为混合气体反应源流量为150sccm，其单独氢气作为反应源流量为10sccm，衬底温度为100℃，沉积时间为10分钟。
制备第二金属银电极，采用磁控溅射制备，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为60sccm，反应溅射银金属靶材的纯度为99.99％，衬底温度为120℃，沉积时间为10分钟。
实施例5
将金属不锈钢板衬底基片先用用离子水超声波清洗5分钟后，用氮气吹干送入磁控溅射反应室，在8.0×10-4Pa真空的条件下，沉积制备第一金属银电极。其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为30sccm，反应溅射银金属靶材的纯度为99.99％，衬底温度为50℃，沉积时间为3分钟。
采用PECVD技术制备第一石墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷和氢气作为混合气体反应源，按照体积比，混合气体反应源中甲烷和氢气的比例为：3:1，另外通入其单独氢气作为反应源，其甲烷和氢气作为混合气体反应源流量为30sccm，其单独氢气作为反应源流量为50sccm，衬底温度为50℃，沉积时间为3分钟。
制备第一ZnO纳米线薄膜材料，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为30sccm，反应溅射ZnO靶材的纯度为99.99％，衬底温度为50℃，沉积时间为3分钟。
取出反应样品制备偏聚氟乙烯(PVDF)薄膜，由偏氟乙烯通过悬浮聚合或乳液聚合而成，反应方程式如下所示：CH2＝CF2--(CH2CF2)n。薄膜厚度为800nm。
制备第二ZnO纳米线薄膜材料，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为30sccm，反应溅射ZnO靶材的纯度为99.99％，衬底温度为50℃，沉积时间为3分钟。
采用PECVD技术制备第二石墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷(CH4)和氢气作为混合气体反应源，按照体积比，混合气体反应源中甲烷和氢气的比例为：2:1，另外通入其单独氢气作为反应源，其甲烷(CH4)和氢气作为混合气体反应源流量为10sccm，其单独氢气作为反应源流量为10sccm，衬底温度为50℃，沉积时间为3分钟。
制备第二金属银电极，采用磁控溅射制备，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为30sccm，反应溅射银金属靶材的纯度为99.99％，衬底温度为40℃，沉积时间为3分钟。
将实施例中制备样品在实验结束后为了分析ZnO纳米线薄膜的平整度，对实验所得的ZnO纳米线薄膜进行了SEM测试分析。由图2可以看出制备的ZnO纳米线薄膜形貌很平整，晶粒分布很均匀，六角的形状分布明显。说明该条件下的ZnO纳米线薄膜样品质量较优异，为后续的声控发电打下了良好的基础。然后为了测试其表面粗糙度大小，对其进行了AFM测试分析，参见图3测试结果表明其表面均方根平整度在纳米数量级别，表明薄膜制备的形貌很优异。为后续薄膜的生长起到了极大的作用。
将本实施例中的样品制备成包括机械装置、压电振子(实施例中的样品制备)、声控装置、处理电路四个部分的发电装置。放置于铁轨适当的位置，机械装置能有效吸收铁轨与车轮作用的一部分能量，传递给压电振子，再带动压电振子发电，控制装置在大约100分贝时发电，最后经过处理电路转化为可利用、可存储的电能。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种声控挤压式发电薄膜，其特征在于，该薄膜从底层到上层依次包括金属不锈钢板、第一金属银电极、第一石墨烯导电薄膜、第一ZnO纳米线，偏聚氟乙烯压电薄膜、第二ZnO纳米线、第二石墨烯导电薄膜以及第二金属银电极。
2.一种声控挤压式发电薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括：在金属不锈钢板衬底依次制备第一金属银电极、第一石墨烯导电薄膜、第一ZnO纳米线、偏聚氟乙烯压电薄膜、第二ZnO纳米线、第二石墨烯导电薄膜以及第二金属铝银电极。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在不锈钢板衬底采用磁控溅射沉积第一金属银电极，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为30～50sccm，反应溅射银金属靶材的纯度为99.99％，衬底温度为50℃～150℃，沉积时间为3～10分钟。
4.根据权利求2所述的制备方法，其特征在于，采用PECVD制备第一石墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷和氢气作为混合气体反应源，按照体积比，混合气体反应源中甲烷和氢气的比例为：3:2～4:1，另外通入氢气作为反应源，甲烷和氢气作为混合气体反应源流量为30～100sccm，氢气作为反应源流量为50sccm，衬底温度为50℃～100℃，沉积时间为3～10分钟。
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，制备第一ZnO纳米线，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，氩气流量为30～50sccm，反应溅射ZnO靶材的纯度为99.99％，衬底温度为50℃～150℃，沉积时间为3～10分钟。
6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，偏聚氟乙烯压电薄膜的制备，由偏氟乙烯通过悬浮聚合或乳液聚合而成，薄膜厚度为800nm到1200nm。
7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，制备第二ZnO纳米线，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为30～50sccm，反应溅射ZnO靶材的纯度为99.99％，衬底温度为50℃～150℃，沉积时间为3～10分钟。
8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，采用PECVD技术制备第二石墨烯导电薄膜；其工艺参数条件是：甲烷和氢气作为混合气体反应源，按照体积比，混合气体反应源中甲烷和氢气的比例为：3:1～2:1，另外通入单独氢气作为反应源，其甲烷和氢气作为混合气体反应源流量为10～20sccm，单独氢气作为反应源流量为10sccm，衬底温度为50℃～100℃，沉积时间为3～10分钟。
9.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，制备第二金属银电极，采用磁控溅射制备，其工艺参数条件是：采用氩气作为气体反应源，其氩气流量为30～60sccm，反应溅射银金属靶材的纯度为99.99％，衬底温度为40℃～120℃，沉积时间为3～10分钟。
CN201610031786.2A 2016-01-18 2016-01-18 一种声控挤压式发电薄膜及其制备方法 Pending CN105552211A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610031786.2A CN105552211A (zh) 2016-01-18 2016-01-18 一种声控挤压式发电薄膜及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610031786.2A CN105552211A (zh) 2016-01-18 2016-01-18 一种声控挤压式发电薄膜及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105552211A true CN105552211A (zh) 2016-05-04

Family

ID=55831285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610031786.2A Pending CN105552211A (zh) 2016-01-18 2016-01-18 一种声控挤压式发电薄膜及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105552211A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103296922A (zh) * 2012-02-23 2013-09-11 三星电子株式会社 纳米压电发电机及其制造方法
CN103787259A (zh) * 2014-01-26 2014-05-14 西安电子科技大学 基于石墨烯用于获取微弱能量的柔性微结构及其制造方法
KR20140141084A (ko) * 2013-05-31 2014-12-10 전자부품연구원 산화아연 나노와이어 압전필름 및 그 제조방법
CN104617090A (zh) * 2015-01-16 2015-05-13 浙江大学 一种石墨烯基压力传感器及其制备方法
CN205355087U (zh) * 2016-01-18 2016-06-29 辽宁广告职业学院 一种声控挤压式发电薄膜器件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103296922A (zh) * 2012-02-23 2013-09-11 三星电子株式会社 纳米压电发电机及其制造方法
KR20140141084A (ko) * 2013-05-31 2014-12-10 전자부품연구원 산화아연 나노와이어 압전필름 및 그 제조방법
CN103787259A (zh) * 2014-01-26 2014-05-14 西安电子科技大学 基于石墨烯用于获取微弱能量的柔性微结构及其制造方法
CN104617090A (zh) * 2015-01-16 2015-05-13 浙江大学 一种石墨烯基压力传感器及其制备方法
CN205355087U (zh) * 2016-01-18 2016-06-29 辽宁广告职业学院 一种声控挤压式发电薄膜器件

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YOUNG-TAEK LIM等: "Nanogenerator Device Based on Piezoelectric Active Layer of ZnO-Nanowires/PVDF Composite", 《J. KIEEME》 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106784692B (zh) 石墨烯阵列负载钛酸锂/碳纳米管复合阵列电极材料及其制备方法和应用
JP5906261B2 (ja) リチウム二次電池用負極の製造方法
CN106450154B (zh) 一种锂离子电池铝集流体表面原位生长石墨烯的制备方法
CN103219503B (zh) 一种复合电极材料及其制备方法
CN104269283B (zh) 一种高比电容石墨烯超级电容器电极材料的制备方法
CN106971864A (zh) 一种基于纳米多孔掺硼金刚石电极的超级电容器的制备方法
CN104201332A (zh) 一种衬底上生长有钴纳米线阵列的锂离子电池负极及其制备方法
CN107492658A (zh) 一种二硫化钛纳米片及其制备方法
CN106025242A (zh) 锂离子电池用硅合金纳米线复合负极材料及其制备方法
Chen et al. From graphite-clay composites to graphene electrode materials: In-situ electrochemical oxidation and functionalization
CN106803570B (zh) 一种锂电池用SiCO-碳纳米管复合薄膜电极
CN107059051A (zh) 包括金属相二硫化钼层的析氢催化电极及其制备方法
CN102263243B (zh) 阵列化镍硅纳米线及镍硅-硅核壳纳米线的制备方法
Song et al. Preparation of Cu2O/Cu porous granular films by in situ oxidation for electrochemical energy storage
CN109913850B (zh) 一种表面包覆复合薄膜的基底及其制备方法和应用
CN106207147A (zh) 一种二维纳米薄膜锂离子电池负极材料及其制备方法
CN205355087U (zh) 一种声控挤压式发电薄膜器件
CN105552211A (zh) 一种声控挤压式发电薄膜及其制备方法
Li et al. Surface modification of SiOx film anodes by laser annealing and improvement of cyclability for lithium-ion batteries
CN104465131B (zh) 一种石墨烯纳米带‑铝基超级电容器集电极的制备方法
Zhou et al. Surfactant-assisted potentiodynamically polymerized PEDOT fibers for significantly improved electrochemical capacitive properties
CN106315553A (zh) 一种锂离子电池负极材料及其制备方法
CN205319191U (zh) 一种压式发电薄膜器件
CN104445443A (zh) 一种制备纳米片结构氧化钴电极的方法
Dai et al. Effects of hydrogen etching on MnO2 electrode materials for supercapacitors

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Gao Kaizheng

Inventor after: He Yi

Inventor after: Song Jixin

Inventor after: Yu Jian

Inventor after: Zhang Dong

Inventor after: Lin Shuquan

Inventor after: Wang Cunxu

Inventor after: Du Shipeng

Inventor after: Liu Chunzhong

Inventor after: Li Na

Inventor before: Gao Kaizheng

Inventor before: He Yi

Inventor before: Song Jixin

Inventor before: Yu Jian

Inventor before: Zhang Dong

Inventor before: Lin Shuquan

Inventor before: Wang Cunxu

Inventor before: Du Shipeng

Inventor before: Liu Chunzhong

Inventor before: Li Na

COR Change of bibliographic data
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160504

RJ01 Rejection of invention patent application after publication