CN105547464B - 具有串联结构的mems压电矢量水听器及其制备方法 - Google Patents

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    • G01H11/08Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means using piezoelectric devices

Abstract

本发明涉及一种具有串联结构的MEMS压电矢量水听器,包括:1‑3个传感单元和灌封结构,1‑3个传感单元被相互垂直放置在灌封结构;其中,每个传感单元包括至少两个压电传感芯片、绝缘板和后置放大电路,至少两个压电传感芯片串联焊接并粘贴在绝缘板,绝缘板被粘贴并电连接在后置放大电路。压电传感芯片包括:质量块、压电单元和复合弹性梁,当有惯性力作用时,复合弹性梁产生形变,使与复合弹性梁相连的压电单元产生电荷。本发明采用压电传感芯片串联结构制备MEMS压电矢量水听器,明显提高了灵敏度,且制备工艺简单。

Description

具有串联结构的MEMS压电矢量水听器及其制备方法
技术领域
本发明涉及传感技术领域,尤其涉及一种具有串联结构的MEMS压电矢量水听器及其制备方法。
背景技术
微矢量水听器相对于传统矢量水听器体积小,能减少对原辐射声场的影响,使检测结果更加准确,并且制造成本低,易实现低频检测。目前的微矢量水听器有电容式和压阻式。压阻式虽然制备工艺较为成熟,但灵敏度较低,而且因有焦耳热,所以热噪声大和温度稳定性差。电容式虽然灵敏度较高,但由于存在微小气隙,在制备和使用过程中易发生粘连而使器件失效,且使用过程中需要偏置电压。压电式微矢量水听器是无源器件,因此其稳定度高、噪音低,系统结构简单。其制备工艺较为简单,灵敏度介于电容式和压阻式之间,还有待于进一步提高,以达到实用化水平。
发明内容
本发明的目的是提供一种能克服现有技术的不足之处,制备工艺简单,且灵敏度高的MEMS压电矢量水听器。
为实现上述目的,一方面,本发明提供了一种具有串联结构的MEMS压电矢量水听器,包括:1-3个传感单元和灌封结构,1-3个传感单元被相互垂直放置在灌封结构;其中,每个传感单元包括至少两个压电传感芯片、绝缘板和后置放大电路,至少两个压电传感芯片串联焊接并粘贴在绝缘板,绝缘板被粘贴并电连接在后置放大电路。
优选地,压电传感芯片包括:质量块、压电单元和复合弹性梁;其中,当有惯性力作用时,复合弹性梁产生形变,使与复合弹性梁相连的压电单元产生电荷。
优选地,压电传感芯片包括:复合层,该复合层包括绝缘氧化层、SOI硅层和SOI氧化层,复合层设有U形狭缝,被U形狭缝所包围的复合层部分为复合弹性梁。
优选地,压电传感芯片包括:设有回形孔的SOI基底层,回形孔包围的SOI基底层部分为质量块;回形孔外围的SOI基底层支撑与复合弹性梁相连接的复合层部分;质量块在复合弹性梁的下方,压电单元在复合弹性梁的上方;当有惯性力作用时,回形孔外围的SOI基底层与质量块相对运动,导致复合弹性梁产生形变,使与复合弹性梁相连的压电单元产生电荷。
优选地,U形狭缝的开口方向为压电单元所在位置;U形狭缝的宽度为0.1~50μm;压电单元包括:下电极、压电层和上电极。
优选地,压电层为氧化锌压电膜、氮化铝薄膜、锆钛酸铅压电膜、钙钛矿型压电膜或有机压电膜;压电层的厚度为0.01~60μm。
优选地,SOI基底层厚度为100~500μm;SOI氧化层厚度为0.05~5μm;SOI硅层厚度为0.5~50μm;绝缘氧化层厚度为0.01~50μm。
优选地,下电极或上电极为铝、金/铬复合层或者铂/钛复合层,铝厚度为0.01~1μm,铬层或钛层厚度为0.01~0.1μm,金层或铂层厚度为0.05~0.5μm。
优选地,压电传感芯片在绝缘板上的间距为500-2000μm。
优选地,矢量水听器的工作频率范围为10KHZ以下。
另一方面,本发明提供了一种具有串联结构的MEMS压电矢量水听器的制备方法,该方法包括如下步骤:
制备传感单元;将1-3个传感单元相互垂直放置在灌封结构;其中,每个传感单元包括至少两个压电传感芯片、绝缘板和后置放大电路,所述至少两个压电传感芯片串联焊接并粘贴在所述绝缘板,所述绝缘板被粘贴并电连接在所述后置放大电路。
优选地,压电传感芯片通过以下步骤得到:在基片上沉积绝缘氧化层,基片包括SOI硅层、SOI氧化层和SOI基底层;在绝缘氧化层上制备下电极、压电层和上电极构成压电单元;对SOI基底层释放,得到回形孔,被回形孔包围的SOI基底层部分为质量块;对压电层和质量块对应区域外的复合层进行刻蚀,形成U形狭缝,该复合层包括绝缘氧化层、SOI硅层以及SOI氧化层,被U形狭缝包围的复合层部分为复合弹性梁。
优选地,回形孔通过以下步骤得到:在SOI基底层背面沉积体刻蚀掩膜,对体刻蚀掩膜双面曝光图形化,以使得所述回形孔与压电单元位置正对;对SOI基底层进行干法或湿法释放,形成回形孔结构,回形孔所包围的SOI基底层为质量块。
优选地,U形狭缝通过以下步骤得到:得到回形孔后,在基片背面镀一层狭缝刻蚀的支撑膜;在基片正面涂光刻胶,曝光形成图形作为狭缝刻蚀的掩膜,利用高密度电感耦合等离子体ICP刻蚀基片正面的绝缘氧化层、SOI硅层以及SOI氧化层,形成U形狭缝,U形狭缝宽度为0.1~50μm;U形狭缝位置与回形孔位置正对。U形狭缝开口方向为压电单元所在位置。
优选地,支撑膜为Al膜,厚度为0.1~5μm;在U形狭缝刻蚀完成后,在基片正面涂光刻胶,腐蚀基片背面剩余的支撑膜、体刻蚀掩膜以及压电单元正下方的部分SOI氧化层。
优选地,体刻蚀掩膜对于湿法刻蚀为氮化硅与金/铬复合膜,对于干法刻蚀为氧化硅薄膜,氮化硅或者氧化硅薄膜厚度为0.01~10μm,金层厚度为0.05~0.5μm,所述铬层厚度为0.01~0.1μm。
本发明的优点在于:本发明采用同一绝缘板上在电学上顺序串联的多个MEMS压电传感器芯片作为微矢量水听器的传感单元。相对于只有单个MEMS压电传感器芯片的MEMS压电矢量水听器,理论上讲,电压灵敏度会增加,且增加倍数与传感芯片个数相等。这种具有串联结构的MEMS压电矢量水听器,灵敏度会得到明显提高,且制备工艺简单。
附图说明
为了更清楚说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的具有串联结构的MEMS压电矢量水听器的结构示意图;
图2为压电传感芯片的SOI基片剖面图;
图3为正面沉积绝缘氧化层后芯片的剖面示意图;
图4为背面沉积体刻蚀掩膜氮化硅(氧化硅)后的芯片剖面示意图;
图5为正面沉积下电极、压电层和上电极后的芯片剖面示意图;
图6为背面体刻蚀掩膜图形化后的芯片剖面示意图;
图7为体刻蚀后的芯片剖面示意图(以湿法体刻蚀为例);
图8为狭缝刻蚀后的芯片剖面示意图;
图9为制备完成后压电传感器芯片的剖面示意图;
图10为本发明实施例提供的具有串联结构的MEMS压电矢量水听器的传感单元的俯视结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
为便于对本发明实施例的理解,下面将结合附图以具体实施例做进一步的解释说明。
图1为本发明实施例提供的具有串联结构的MEMS压电矢量水听器的结构示意图,如图1所示,该MEMS压电矢量水听器包括:1-3个传感单元和灌封结构d,1-3个传感单元被相互垂直放置在灌封结构d。
其中,每个传感单元包括至少两个压电传感芯片a、绝缘板b和后置放大电路c,至少两个压电传感芯片a串联焊接并粘贴在绝缘板b,绝缘板b被粘贴并电连接在后置放大电路c。
压电传感芯片a包括:质量块3a、压电单元和复合弹性梁;其中,当有惯性力作用时,所述复合弹性梁产生形变,使与复合弹性梁相连的压电单元产生电荷。经后置放大电路c后获得电压信号,至少两个串联的压电传感芯片可以使MEMS压电矢量水听器的灵敏度大大提高。
以下结合具体实施例,介绍本发明提供的具有串联结构的MEMS压电矢量水听器及其制备方法。
实施例1
1)清洗基片
用标准清洗方法对SOI硅片进行清洗,首先分别利用酸性清洗液和碱性清洗液进行煮沸清洗,然后用去离子水进行清洗,最后用氮气吹干。图2为芯片的基片SOI硅片剖面图,如图2所示,SOI硅片包括:SOI基底层3、SOI氧化层2和SOI硅层1。SOI基底层3厚度为500μm,SOI氧化层2厚度为0.05μm,SOI硅层1厚度为10μm。
2)沉积绝缘氧化层4
利用热氧化炉在基片表面氧化形成绝缘氧化层4,正面沉积绝缘氧化层后芯片的剖面如图3所示,其中,沉积厚度为1μm的绝缘氧化层4后,正面立刻甩光刻胶保护,用缓释氢氟酸(BHF)溶液腐蚀背面二氧化硅,去除光刻胶。
3)背面淀积体刻蚀掩膜
利用等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在硅片背面淀积7μm氧化硅薄膜5,背面沉积体刻蚀掩膜氧化硅后的芯片剖面如图4所示。
4)制备下电极6
在绝缘氧化层4表面,利用真空蒸镀设备制备下电极6,并图形化,所述下电极6为利用真空蒸镀设备制备的0.01μm厚度的铝电极。
5)制备压电膜7
在下电极6的表面上制备60μm氧化锌为压电膜7,在压电膜7的表面上涂正性光刻胶,光刻曝光,形成压电膜光刻图形,用稀磷酸腐蚀液腐蚀压电膜,形成所需图形的压电膜,去除残余光刻胶,完成图形化的压电膜7制备。
6)在压电膜7上制备上电极8
在硅基片正面上涂光刻胶,光刻曝光,形成上电极反图形,再用真空蒸镀设备沉积厚度为0.01μm的Al,用丙酮去光刻胶,完成上电极8的制备。下电极6、压电层7和上电极8构成一个压电单元。
其中,正面沉积下电极、压电层和上电极后的芯片剖面示意图如图5所示。
7)SOI基底层3的释放
在背面氧化硅膜上涂正性光刻胶,利用Karl Suss双面曝光机进行双面曝光,形成体刻蚀掩膜光刻图形。利用高密度电感耦合等离子体(ICP)刻蚀氧化硅薄膜5,完成体刻蚀掩膜层的图形化。背面体刻蚀掩膜图形化后的芯片剖面如图6所示。
利用深度离子反应刻蚀技术,进行SOI基底层3的干法释放。
需要说明的是,对SOI基底层3的释放是为了形成SOI基底层的回形孔,回形孔11中间的SOI基底层3为质量块3a。体刻蚀后的芯片剖面如图7所示。
8)支撑层铝膜10的沉积
利用电子束蒸发设备在硅片背面镀厚度为1μm的Al膜,作为狭缝刻蚀的支撑层铝膜10。背面支撑铝后的芯片剖面如图8所示。
9)狭缝1a的刻蚀
在正面涂正性光刻胶,利用标准光刻技术光刻曝光,形成狭缝光刻图形,作为狭缝刻蚀的掩膜,利用ICP刻蚀正面SiO2/Si,刻蚀气体SF6,完成狭缝1a的刻蚀,狭缝宽度为30μm,去除光刻胶。其中狭缝呈U形,U形狭缝1a位置与回形孔11位置正对。U形狭缝1a开口方向为压电单元所在位置;压电单元以及U形狭缝1a在回形孔11正上方。
绝缘氧化层4、SOI硅层1和SOI氧化层2为复合弹性梁。质量块3a在复合弹性梁的下方,压电单元在复合弹性梁的上方。在硅片正面涂正性光刻胶,利用磷酸腐蚀背面Al膜、氧化硅薄膜5以及压电单元正下方的部分SOI氧化层2。把硅片清洗烘干,完成传感器芯片的制备。
当有惯性力作用时,回形孔外围的SOI基底层3与质量块3a的相对运动导致复合弹性梁产生形变,使与复合弹性梁相连的压电单元产生电荷。
需要说明的是,U形狭缝的刻蚀是为了将传感芯片三面垂直面悬空,使其成为复合弹性梁。使得正常振动,传感工作。当有惯性力作用时,回形孔11外围的SOI基底层3与质量块3a的相对运动导致复合弹性梁产生形变,使与复合弹性梁相连的压电单元产生电荷。
压电传感芯片(a)结构如图9所示,其中,传感芯片三面U形狭缝刻蚀,可参见图10中1a位置所示。
10)MEMS压电矢量水听器的封装
把传感器芯片划片后,形成单个芯片a。图10为本发明实施例提供的MEMS压电矢量水听器的压电传感单元的俯视结构示意图。如图10所示,把传感器芯片划片后,形成单个MEMS压电传感器芯片a。把多个MEMS压电传感器芯片a分别粘接到绝缘板b上,并通过压焊金属丝在电学上顺序串联,MEMS压电传感器芯片a间距500-2000μm。最后把粘有MEMS压电传感器芯片a的绝缘板b粘接到后置放大电路c上,并做好电连接,构成一个传感单元。
把1-3个传感单元垂直放置在灌封材料灌注的壳体中,完成MEMS矢量水听器的制备。该MEMS压电矢量水听器的工作频率范围为10KHz以下。而且,该矢量水听器在500HZ以下,还可以保持较高的灵敏度,即在低频范围内,该矢量水听器还可以很好的应用。
需要说明的是,本实例中各步骤对应的图1-图10示意图,同样适用于以下实施例2-10。不再赘述。
实施例2
1)清洗基片
用标准清洗方法对SOI硅片进行清洗,首先分别利用酸性清洗液和碱性清洗液进行煮沸清洗,然后用去离子水进行清洗,最后用氮气吹干。SOI硅片包括:SOI基底层3厚度为300μm,SOI氧化层2厚度为0.5μm,SOI硅层1厚度为1μm,如图2所示。
2)沉积绝缘氧化层4
利用热氧化炉在基片表面氧化形成绝缘氧化层4,如图3所示,厚度为20μm,正面立刻甩光刻胶保护,用缓释氢氟酸(BHF)溶液腐蚀背面二氧化硅,去除光刻胶。
3)背面淀积体刻蚀掩膜
利用等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在硅片背面淀积0.01μm氮化硅薄膜5,如图4所示,并利用真空蒸镀设备在氮化硅薄膜上制备0.1μmCr层和0.5μmAu层构成的Au/Cr复合膜9。
4)制备下电极6
在绝缘氧化层4表面,利用真空蒸镀设备制备下电极6,并图形化,所述下电极6为利用真空蒸镀设备制备的0.5μm厚度的铝电极。
5)制备压电膜7
在所述下电极6的表面上制备45μm氧化锌;在压电膜的表面上涂正性光刻胶,光刻曝光,形成压电膜光刻图形。用稀磷酸腐蚀液腐蚀压电膜,形成所需图形的压电膜,去除残余光刻胶,完成图形化的压电膜7制备。
6)在压电膜7上制备上电极8
在硅基片正面上涂光刻胶,光刻曝光,形成上电极反图形,再用真空蒸镀设备沉积厚度为0.5μm的Al,用丙酮去光刻胶,完成上电极8的制备。如图5所示。
7)SOI基底层3的释放
在背面金膜上涂正性光刻胶,利用Karl Suss双面曝光机进行双面曝光,形成体刻蚀掩膜光刻图形。分别利用Au和Cr腐蚀液对Au/Cr复合膜9进行腐蚀。腐蚀完成后,再利用缓释HF腐蚀氮化硅薄膜5,去除光刻胶,完成体刻蚀掩膜层的图形化。如图6所示。
用体刻蚀夹具将硅片密封固定,放入一定浓度的KOH溶液进行体刻蚀,溶液温度85℃进行SOI基底层3的湿法释放。如图7所示。
8)支撑层铝膜10的沉积
利用电子束蒸发设备在硅片背面镀厚度为0.1μm的Al膜,作为狭缝刻蚀的支撑层铝膜10,如图8所示。
9)狭缝1a的刻蚀
在正面涂正性光刻胶,利用标准光刻技术光刻曝光,形成狭缝光刻图形,作为狭缝刻蚀的掩膜,利用ICP刻蚀正面SiO2/Si,刻蚀气体SF6,完成U形狭缝1a的刻蚀,狭缝宽度为15μm,去除光刻胶。在硅片正面涂正性光刻胶,利用磷酸腐蚀背面Al膜、氧化硅薄膜5、Au/Cr复合膜9以及压电单元正下方的部分SOI氧化层2。
把硅片清洗烘干,完成压电传感器芯片的制备。压电传感芯片(a)结构如图9所示。
10)MEMS压电矢量水听器的封装
如图10所示,把传感器芯片划片后,形成单个MEMS压电传感器芯片a。把多个MEMS压电传感器芯片a分别粘接到绝缘板b上,并通过压焊金属丝在电学上顺序串联,MEMS压电传感器芯片a间距500-2000μm。最后把粘有MEMS压电传感器芯片a的绝缘板b粘接到后置放大电路c上,并做好电连接,构成一个传感单元。把1-3个传感单元垂直放置在灌封材料灌注的壳体中,完成MEMS矢量水听器的制备。该MEMS压电矢量水听器的工作频率范围为10KHz以下。
实施例3
1)清洗基片
用标准清洗方法对SOI硅片进行清洗,首先分别利用酸性清洗液和碱性清洗液进行煮沸清洗,然后用去离子水进行清洗,最后用氮气吹干。SOI硅片包括:SOI基底层3厚度为400μm,SOI氧化层2厚度为1μm,SOI硅层1厚度为0.5μm,如图2所示。
2)沉积绝缘氧化层4
利用热氧化炉在基片表面氧化形成绝缘氧化层4,如图3所示,厚度为10μm,正面立刻甩光刻胶保护,用缓释氢氟酸(BHF)溶液腐蚀背面二氧化硅,去除光刻胶。
3)背面淀积体刻蚀掩膜
利用等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在硅片背面淀积1μm氧化硅薄膜5。如图4所示。
4)制备下电极6
在绝缘氧化层4表面,利用真空蒸镀设备制备下电极6,并图形化,所述下电极6为利用真空蒸镀设备制备的1μm厚度的铝电极。
5)制备压电膜7
在所述下电极6的表面上利用磁控溅射设备制备30μm氮化铝薄膜,在压电膜的表面上涂正性光刻胶,光刻曝光,形成压电膜光刻图形。用氮化铝腐蚀液腐蚀压电膜,形成所需图形的压电膜,去除残余光刻胶,完成图形化的压电膜7制备。
6)在压电膜7上制备上电极8
在硅基片正面上涂光刻胶,光刻曝光,形成上电极反图形,再用真空蒸镀设备沉积厚度为1μm的Al。用丙酮去光刻胶,完成上电极8的制备。如图5所示。
7)SOI基底层3的释放
在背面氧化硅膜上涂正性光刻胶,利用Karl Suss双面曝光机进行双面曝光,形成体刻蚀掩膜光刻图形。利用高密度电感耦合等离子体(ICP)刻蚀氧化硅薄膜5,完成体刻蚀掩膜层的图形化。如图6所示。
利用深度离子反应刻蚀技术,进行SOI基底层3的干法释放。如图7所示。
8)支撑层铝膜10的沉积
利用电子束蒸发设备在硅片背面镀厚度为0.5μm的Al膜,作为狭缝刻蚀的支撑层铝膜10。如图8所示。
9)狭缝1a的刻蚀
在正面涂正性光刻胶,利用标准光刻技术光刻曝光,形成狭缝光刻图形,作为狭缝刻蚀的掩膜,利用ICP刻蚀正面SiO2/Si,刻蚀气体为SF6,完成U形狭缝1a的刻蚀,狭缝宽度为10μm,去除光刻胶。在硅片正面涂正性光刻胶,利用磷酸腐蚀背面Al膜、氧化硅薄膜5以及压电单元正下方的部分SOI氧化层2。
把硅片清洗烘干,完成传感器芯片的制备。压电传感芯片(a)结构如图9所示。
10)MEMS压电矢量水听器的封装
如图10所示,把传感器芯片划片后,形成单个MEMS压电传感器芯片a。把多个MEMS压电传感器芯片a分别粘接到绝缘板b上,并通过压焊金属丝在电学上顺序串联,MEMS压电传感器芯片a间距500-2000μm。最后把粘有MEMS压电传感器芯片a的绝缘板b粘接到后置放大电路c上,并做好电连接,构成一个传感单元。把1-3个传感单元垂直放置在灌封材料灌注的壳体中,完成MEMS矢量水听器的制备。该MEMS压电矢量水听器的工作频率范围为10KHz以下。
实施例4
1)清洗基片
用标准清洗方法对SOI硅片进行清洗,首先分别利用酸性清洗液和碱性清洗液进行煮沸清洗,然后用去离子水进行清洗,最后用氮气吹干。SOI硅片包括:SOI基底层3厚度为300μm,SOI氧化层2厚度为4μm,SOI硅层1厚度为50μm,如图2所示。
2)沉积绝缘氧化层4
利用热氧化炉在基片表面氧化形成绝缘氧化层4,如图3所示,厚度为0.01μm,正面立刻甩光刻胶保护,用缓释氢氟酸(BHF)溶液腐蚀背面二氧化硅,去除光刻胶。
3)背面淀积体刻蚀掩膜
利用等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在硅片背面淀积5μm氮化硅薄膜5,如图4所示,并利用真空蒸镀设备在氮化硅薄膜上制备0.01μmCr层和0.1μmAu层构成的Au/Cr复合膜9。
4)制备下电极6
在绝缘氧化层4表面,利用真空蒸镀设备制备下电极6,并图形化。所述下电极6为利用真空蒸镀设备沉积厚度为0.08μm钛和厚度为0.4μm铂的复合金属膜。
5)制备压电膜7
在所述下电极6的表面上利用0-3法制备15μm锆钛酸铅(PZT)薄膜,在压电膜的表面上涂正性光刻胶,光刻曝光,形成压电膜光刻图形。用PZT腐蚀液腐蚀压电膜,形成所需图形的压电膜,去除残余光刻胶,完成图形化的压电膜7制备。
需要说明的是,“0-3法”为一种改进的溶胶-凝胶法,使用0-3法可以制备厚度相对较高的薄膜。
6)在压电膜7上制备上电极8。
在硅基片正面上涂光刻胶,光刻曝光,形成上电极反图形,再用真空蒸镀设备沉积厚度为0.01μmCr层和0.05μmAu层构成的Au/Cr复合膜,用丙酮去光刻胶,完成上电极8的制备。如图5所示。
7)SOI基底层3的释放
在背面金膜上涂正性光刻胶,利用Karl Suss双面曝光机进行双面曝光,形成体刻蚀掩膜光刻图形。分别利用Au和Cr腐蚀液对Au/Cr复合膜9进行腐蚀。腐蚀完成后,再利用缓释HF腐蚀氮化硅薄膜5,去除光刻胶,完成体刻蚀掩膜层的图形化。如图6所示。
用体刻蚀夹具将硅片密封固定,放入一定浓度的KOH溶液进行体刻蚀,溶液温度85℃进行SOI基底层3的湿法释放。如图7所示。
8)支撑层铝膜10的沉积
利用电子束蒸发设备在硅片背面镀厚度为2μm的Al膜,作为狭缝刻蚀的支撑层铝膜10。如图8所示。
9)狭缝1a的刻蚀
在正面涂正性光刻胶,利用标准光刻技术光刻曝光,形成狭缝光刻图形,作为狭缝刻蚀的掩膜,利用ICP刻蚀正面SiO2/Si,刻蚀气体SF6,完成U形狭缝1a的刻蚀,狭缝宽度为20μm,去除光刻胶。在硅片正面涂正性光刻胶,利用磷酸腐蚀背面Al膜、氧化硅薄膜5、Au/Cr复合膜9以及压电单元正下方的部分SOI氧化层2。
把硅片清洗烘干,完成传感器芯片的制备。压电传感芯片(a)结构如图9所示。
10)MEMS压电矢量水听器的封装
如图10所示,把传感器芯片划片后,形成单个MEMS压电传感器芯片a。把多个MEMS压电传感器芯片a分别粘接到绝缘板b上,并通过压焊金属丝在电学上顺序串联,MEMS压电传感器芯片a间距500-2000μm。最后把粘有MEMS压电传感器芯片a的绝缘板b粘接到后置放大电路c上,并做好电连接,构成一个传感单元。把1-3个传感单元垂直放置在灌封材料灌注的壳体中,完成MEMS矢量水听器的制备。该MEMS压电矢量水听器的工作频率范围为10KHz以下。
实施例5
1)清洗基片
用标准清洗方法对SOI硅片进行清洗,首先分别利用酸性清洗液和碱性清洗液进行煮沸清洗,然后用去离子水进行清洗,最后用氮气吹干。SOI硅片包括:SOI基底层3厚度为300μm,SOI氧化层2厚度为0.5μm,SOI硅层1厚度为20μm。如图2所示。
2)沉积绝缘氧化层4
利用热氧化炉在基片表面氧化形成绝缘氧化层4,如图3所示。厚度为0.5μm,正面立刻甩光刻胶保护,用缓释氢氟酸(BHF)溶液腐蚀背面二氧化硅,去除光刻胶。
3)背面淀积体刻蚀掩膜
利用等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在硅片背面淀积10μm氧化硅薄膜5。如图4所示。
4)制备下电极6
在绝缘氧化层4表面,利用真空蒸镀设备制备下电极6,并图形化。所述下电极6为利用真空蒸镀设备制备的0.2μm厚度的铝电极。
5)制备压电膜7
在所述下电极6的表面上利用磁控溅射设备制备10μm氮化铝薄膜,在压电膜的表面上涂正性光刻胶,光刻曝光,形成压电膜光刻图形。用氮化铝腐蚀液腐蚀压电膜,形成所需图形的压电膜,去除残余光刻胶,完成图形化的压电膜7制备。
6)在压电膜7上制备上电极8
在硅基片正面上涂光刻胶,光刻曝光,形成上电极反图形,再用真空蒸镀设备沉积厚度为0.2μm的Al,用丙酮去光刻胶,完成上电极8的制备。如图5所示。
7)SOI基底层3的释放
在背面氧化硅膜上涂正性光刻胶,利用Karl Suss双面曝光机进行双面曝光,形成体刻蚀掩膜光刻图形。利用高密度电感耦合等离子体(ICP)刻蚀氧化硅薄膜5,完成体刻蚀掩膜层的图形化。如图6所示。
利用深度离子反应刻蚀技术,进行SOI基底层3的干法释放。如图7所示。
8)支撑层铝膜10的沉积
利用电子束蒸发设备在硅片背面镀厚度为5μm的Al膜,作为狭缝刻蚀的支撑层铝膜10。如图8所示。
9)狭缝1a的刻蚀
在正面涂正性光刻胶,利用标准光刻技术光刻曝光,形成狭缝光刻图形,作为狭缝刻蚀的掩膜,利用ICP刻蚀正面SiO2/Si,刻蚀气体SF6,完成U形狭缝1a的刻蚀,狭缝宽度为50μm,去除光刻胶。在硅片正面涂正性光刻胶,利用磷酸腐蚀背面Al膜、氧化硅薄膜5以及压电单元正下方的部分SOI氧化层2。
把硅片清洗烘干,完成传感器芯片的制备。压电传感芯片(a)结构如图9所示。
10)MEMS压电矢量水听器的封装
如图10所示,把传感器芯片划片后,形成单个MEMS压电传感器芯片a。把多个MEMS压电传感器芯片a分别粘接到绝缘板b上,并通过压焊金属丝在电学上顺序串联,MEMS压电传感器芯片a间距500-2000μm。最后把粘有MEMS压电传感器芯片a的绝缘板b粘接到后置放大电路c上,并做好电连接,构成一个传感单元。把1-3个传感单元垂直放置在灌封材料灌注的壳体中,完成MEMS矢量水听器的制备。该MEMS压电矢量水听器的工作频率范围为10KHz以下。
实施例6
1)清洗基片
用标准清洗方法对SOI硅片进行清洗,首先分别利用酸性清洗液和碱性清洗液进行煮沸清洗,然后用去离子水进行清洗,最后用氮气吹干。SOI硅片包括:SOI基底层3厚度为300μm,SOI氧化层2厚度为2μm,SOI硅层1厚度为5μm。如图2所示。
2)沉积绝缘氧化层4
利用热氧化炉在基片表面氧化形成绝缘氧化层4,厚度为0.3μm,正面立刻甩光刻胶保护,用缓释氢氟酸(BHF)溶液腐蚀背面二氧化硅,去除光刻胶。如图3所示。
3)背面淀积体刻蚀掩膜
利用等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在硅片背面淀积4μm氮化硅薄膜5,如图4所示,并利用真空蒸镀设备在氮化硅薄膜上制备0.01μmCr层和0.05μmAu层构成的Au/Cr复合膜9。
4)制备下电极6
在绝缘氧化层4表面,利用真空蒸镀设备制备下电极6,并图形化;所述下电极6为利用真空蒸镀设备沉积厚度为0.05μm钛和厚度为0.2μm的铂复合金属膜。
5)制备压电膜7
在所述下电极6的表面上利用溶胶-凝胶法制备5μm锆钛酸铅(PZT)薄膜,在压电膜的表面上涂正性光刻胶,光刻曝光,形成压电膜光刻图形。用PZT腐蚀液腐蚀压电膜,形成所需图形的压电膜,去除残余光刻胶,完成图形化的压电膜7制备。
6)在压电膜7上制备上电极8;
在硅基片正面上涂光刻胶,光刻曝光,形成上电极反图形,再用真空蒸镀设备沉积厚度为0.04μmCr层和0.1μmAu层构成的Au/Cr复合膜,用丙酮去光刻胶,完成上电极8的制备。如图5所示。
7)SOI基底层3的释放
在背面金膜上涂正性光刻胶,利用Karl Suss双面曝光机进行双面曝光,形成体刻蚀掩膜光刻图形。分别利用Au和Cr腐蚀液对Au/Cr复合膜9进行腐蚀。腐蚀完成后,再利用缓释HF腐蚀氮化硅薄膜5,去除光刻胶,完成体刻蚀掩膜层的图形化。如图6所示。
用体刻蚀夹具将硅片密封固定,放入一定浓度的KOH溶液进行体刻蚀,溶液温度85℃进行SOI基底层3的湿法释放。如图7所示。
8)支撑层铝膜10的沉积
利用电子束蒸发设备在硅片背面镀厚度为0.5μm的Al膜,作为狭缝刻蚀的支撑层铝膜10。如图8所示。
9)狭缝1a的刻蚀
在正面涂正性光刻胶,利用标准光刻技术光刻曝光,形成狭缝光刻图形,作为狭缝刻蚀的掩膜,利用ICP刻蚀正面SiO2/Si,刻蚀气体SF6,完成U形狭缝1a的刻蚀,狭缝宽度为1μm,去除光刻胶。在硅片正面涂正性光刻胶,利用磷酸腐蚀背面Al膜、氧化硅薄膜5、Au/Cr复合膜9以及压电单元正下方的部分SOI氧化层2。
把硅片清洗烘干,完成传感器芯片的制备。压电传感芯片(a)结构如图9所示。
10)MEMS压电矢量水听器的封装
如图10所示,把传感器芯片划片后,形成单个MEMS压电传感器芯片a。把多个MEMS压电传感器芯片a分别粘接到绝缘板b上,并通过压焊金属丝在电学上顺序串联,MEMS压电传感器芯片a间距500-2000μm。最后把粘有MEMS压电传感器芯片a的绝缘板b粘接到后置放大电路c上,并做好电连接,构成一个传感单元。把1-3个传感单元垂直放置在灌封材料灌注的壳体中,完成MEMS矢量水听器的制备。该MEMS压电矢量水听器的工作频率范围为10KHz以下。
实施例7
1)清洗基片
用标准清洗方法对SOI硅片进行清洗,首先分别利用酸性清洗液和碱性清洗液进行煮沸清洗,然后用去离子水进行清洗,最后用氮气吹干。SOI硅片包括:SOI基底层3厚度为300μm,SOI氧化层2厚度为1μm,SOI硅层1厚度为15μm,如图2所示。
2)沉积绝缘氧化层4
利用热氧化炉在基片表面氧化形成绝缘氧化层4,厚度为30μm,正面立刻甩光刻胶保护,用缓释氢氟酸(BHF)溶液腐蚀背面二氧化硅,去除光刻胶。如图3所示。
3)背面淀积体刻蚀掩膜
利用等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在硅片背面淀积2μm氧化硅薄膜5。如图4所示。
4)制备下电极6
在绝缘氧化层4表面,利用真空蒸镀设备制备下电极6,并图形化,所述下电极6为利用真空蒸镀设备沉积的0.03μm Cr层和0.3μmAu层构成的Au/Cr复合膜。
5)制备压电膜7
在所述下电极6的表面上制备0.01μm氧化锌,在压电膜的表面上涂正性光刻胶,光刻曝光,形成压电膜光刻图形。用稀磷酸腐蚀液腐蚀压电膜,形成所需图形的压电膜,去除残余光刻胶,完成图形化的压电膜7制备。
6)在压电膜7上制备上电极8
在硅基片正面上涂光刻胶,光刻曝光,形成上电极反图形,再用真空蒸镀设备沉积的0.03μmCr层和0.3μmAu层构成的Au/Cr复合膜,用丙酮去光刻胶,完成上电极8的制备。如图5所示。
7)SOI基底层3的释放
在背面氧化硅膜上涂正性光刻胶,利用Karl Suss双面曝光机进行双面曝光,形成体刻蚀掩膜光刻图形。利用高密度电感耦合等离子体(ICP)刻蚀氧化硅薄膜5,完成体刻蚀掩膜层的图形化。如图6所示。
利用深度离子反应刻蚀技术,进行SOI基底层3的干法释放。如图7所示。
8)支撑层铝膜10的沉积
利用电子束蒸发设备在硅片背面镀厚度为4μm的Al膜,作为狭缝刻蚀的支撑层铝膜10。如图8所示。
9)狭缝1a的刻蚀
在正面涂正性光刻胶,利用标准光刻技术光刻曝光,形成狭缝光刻图形,作为狭缝刻蚀的掩膜,利用ICP刻蚀正面SiO2/Si,刻蚀气体SF6,完成U形狭缝1a的刻蚀,狭缝宽度为30μm,去除光刻胶。在硅片正面涂正性光刻胶,利用磷酸腐蚀背面Al膜、氧化硅薄膜5以及压电单元正下方的部分SOI氧化层2。
把硅片清洗烘干,完成传感器芯片的制备。压电传感芯片(a)结构如图9所示。
10)MEMS压电矢量水听器的封装
如图10所示,把传感器芯片划片后,形成单个MEMS压电传感器芯片a。把多个MEMS压电传感器芯片a分别粘接到绝缘板b上,并通过压焊金属丝在电学上顺序串联,MEMS压电传感器芯片a间距500-2000μm。最后把粘有MEMS压电传感器芯片a的绝缘板b粘接到后置放大电路c上,并做好电连接,构成一个传感单元。把1-3个传感单元垂直放置在灌封材料灌注的壳体中,完成MEMS矢量水听器的制备。该MEMS压电矢量水听器的工作频率范围为10KHz以下。
实施例8
1)清洗基片
用标准清洗方法对SOI硅片进行清洗,首先分别利用酸性清洗液和碱性清洗液进行煮沸清洗,然后用去离子水进行清洗,最后用氮气吹干。SOI硅片包括:SOI基底层3厚度为200μm,SOI氧化层2厚度为0.3μm,SOI硅层1厚度为30μm。如图2所示。
2)沉积绝缘氧化层4
利用热氧化炉在基片表面氧化形成绝缘氧化层4,厚度为0.5μm,正面立刻甩光刻胶保护,用缓释氢氟酸(BHF)溶液腐蚀背面二氧化硅,去除光刻胶。如图3所示。
3)背面淀积体刻蚀掩膜
利用等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在硅片背面淀积6μm氮化硅薄膜5,如图4所示,并利用真空蒸镀设备在氮化硅薄膜上制备0.06μmCr层和0.3μmAu层构成的Au/Cr复合膜9。
4)制备下电极6
在绝缘氧化层4表面,利用真空蒸镀设备制备下电极6,并图形化,所述下电极6为利用真空蒸镀设备沉积的0.1μm Cr层和0.5μmAu层构成的Au/Cr复合膜。
5)制备压电膜7
在所述下电极6的表面上制备35μm钙钛矿型压电膜,在压电膜的表面上涂正性光刻胶,光刻曝光,形成压电膜光刻图形,用稀磷酸腐蚀液腐蚀压电膜,形成所需图形的压电膜,去除残余光刻胶,完成图形化的压电膜7制备。
6)在压电膜7上制备上电极8
在硅基片正面上涂光刻胶,光刻曝光,形成上电极反图形,再用真空蒸镀设备沉积0.1μmCr层和0.5μmAu层构成的Au/Cr复合膜,用丙酮去光刻胶,完成上电极8的制备。如图5所示。
7)SOI基底层3的释放
在背面金膜上涂正性光刻胶,利用Karl Suss双面曝光机进行双面曝光,形成体刻蚀掩膜光刻图形。分别利用Au和Cr腐蚀液对Au/Cr复合膜9进行腐蚀。腐蚀完成后,再利用缓释HF腐蚀氮化硅薄膜5,去除光刻胶,完成体刻蚀掩膜层的图形化。如图6所示。
用体刻蚀夹具将硅片密封固定,放入一定浓度的KOH溶液进行体刻蚀,溶液温度85℃进行SOI基底层3的湿法释放。如图7所示。
8)支撑层铝膜10的沉积
利用电子束蒸发设备在硅片背面镀厚度为1μm的Al膜,作为狭缝刻蚀的支撑层铝膜10。如图8所示。
9)狭缝1a的刻蚀
在正面涂正性光刻胶,利用标准光刻技术光刻曝光,形成狭缝光刻图形,作为狭缝刻蚀的掩膜,利用ICP刻蚀正面SiO2/Si,刻蚀气体SF6,完成U形狭缝1a的刻蚀,狭缝宽度为0.1μm,去除光刻胶。在硅片正面涂正性光刻胶,利用磷酸腐蚀背面Al膜、氧化硅薄膜5、Au/Cr复合膜9以及压电单元正下方的部分SOI氧化层2。
把硅片清洗烘干,完成传感器芯片的制备。压电传感芯片(a)结构如图9所示。
10)MEMS压电矢量水听器的封装
如图10所示,把传感器芯片划片后,形成单个MEMS压电传感器芯片a。把多个MEMS压电传感器芯片a分别粘接到绝缘板b上,并通过压焊金属丝在电学上顺序串联,MEMS压电传感器芯片a间距500-2000μm。最后把粘有MEMS压电传感器芯片a的绝缘板b粘接到后置放大电路c上,并做好电连接,构成一个传感单元。把1-3个传感单元垂直放置在灌封材料灌注的壳体中,完成MEMS矢量水听器的制备。该MEMS压电矢量水听器的工作频率范围为10KHz以下。
实施例9
1)清洗基片
用标准清洗方法对SOI硅片进行清洗,首先分别利用酸性清洗液和碱性清洗液进行煮沸清洗,然后用去离子水进行清洗,最后用氮气吹干。SOI硅片包括:SOI基底层3厚度为300μm,SOI氧化层2厚度为3μm,SOI硅层1厚度为40μm。如图2所示。
2)沉积绝缘氧化层4
利用热氧化炉在基片表面氧化形成绝缘氧化层4,厚度为40μm,正面立刻甩光刻胶保护,用缓释氢氟酸(BHF)溶液腐蚀背面二氧化硅,去除光刻胶。如图3所示。
3)背面淀积体刻蚀掩膜
利用等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在硅片背面淀积1μm氧化硅薄膜5。如图4所示。
4)制备下电极6
在绝缘氧化层4表面,利用真空蒸镀设备制备下电极6,并图形化,所述下电极6为利用真空蒸镀设备制备的0.2μm厚度的铝电极。
5)制备压电膜7
在所述下电极6的表面上制备50μm氧化锌,在压电膜的表面上涂正性光刻胶,光刻曝光,形成压电膜光刻图形。用稀磷酸腐蚀液腐蚀压电膜,形成所需图形的压电膜,去除残余光刻胶,完成图形化的压电膜7制备。
6)在压电膜7上制备上电极8
在硅基片正面上涂光刻胶,光刻曝光,形成上电极反图形,再用真空蒸镀设备沉积厚度为0.2μm的Al,用丙酮去光刻胶,完成上电极8的制备。如图5所示。
7)SOI基底层3的释放
在背面氧化硅膜上涂正性光刻胶,利用Karl Suss双面曝光机进行双面曝光,形成体刻蚀掩膜光刻图形。利用高密度电感耦合等离子体(ICP)刻蚀氧化硅薄膜5,完成体刻蚀掩膜层的图形化。如图6所示。
利用深度离子反应刻蚀技术,进行SOI基底层3的干法释放。如图7所示。
8)支撑层铝膜10的沉积
利用电子束蒸发设备在硅片背面镀厚度为3μm的Al膜,作为狭缝刻蚀的支撑层铝膜10。如图7所示。
9)狭缝1a的刻蚀
在正面涂正性光刻胶,利用标准光刻技术光刻曝光,形成狭缝光刻图形,作为狭缝刻蚀的掩膜,利用ICP刻蚀正面SiO2/Si,刻蚀气体SF6,完成U形狭缝1a的刻蚀,狭缝宽度为40μm,去除光刻胶。在硅片正面涂正性光刻胶,利用磷酸腐蚀背面Al膜、氧化硅薄膜5以及压电单元正下方的部分SOI氧化层2。
把硅片清洗烘干,完成传感器芯片的制备。压电传感芯片(a)结构如图9所示。
10)MEMS压电矢量水听器的封装
如图10所示,把传感器芯片划片后,形成单个MEMS压电传感器芯片a。把多个MEMS压电传感器芯片a分别粘接到绝缘板b上,并通过压焊金属丝在电学上顺序串联,MEMS压电传感器芯片a间距500-2000μm。最后把粘有MEMS压电传感器芯片a的绝缘板b粘接到后置放大电路c上,并做好电连接,构成一个传感单元。把1-3个传感单元垂直放置在灌封材料灌注的壳体中,完成MEMS矢量水听器的制备。该MEMS压电矢量水听器的工作频率范围为10KHz以下。
实施例10
1)清洗基片
用标准清洗方法对SOI硅片进行清洗,首先分别利用酸性清洗液和碱性清洗液进行煮沸清洗,然后用去离子水进行清洗,最后用氮气吹干。SOI硅片包括:SOI基底层3厚度为100μm,SOI氧化层2厚度为5μm,SOI硅层1厚度为50μm。如图2所示。
2)沉积绝缘氧化层4
利用热氧化炉在基片表面氧化形成绝缘氧化层4,如图3所示。厚度为50μm,正面立刻甩光刻胶保护,用缓释氢氟酸(BHF)溶液腐蚀背面二氧化硅,去除光刻胶。
3)背面淀积体刻蚀掩膜
利用等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在硅片背面淀积0.5μm氮化硅薄膜5,如图4所示,并利用真空蒸镀设备在氮化硅薄膜上制备0.04μmCr层和0.1μmAu层构成的Au/Cr复合膜9。
4)制备下电极6
在绝缘氧化层4表面,利用真空蒸镀设备制备下电极6,并图形化,所述下电极6为利用真空蒸镀设备制备0.2μm厚度的铝电极。
5)制备压电膜7
在所述下电极6的表面上制备25μm有机压电膜,在压电膜的表面上涂正性光刻胶,光刻曝光,形成压电膜光刻图形,用稀磷酸腐蚀液腐蚀压电膜,形成所需图形的压电膜,去除残余光刻胶,完成图形化的压电膜7制备。
6)在压电膜7上制备上电极8
在硅基片正面上涂光刻胶,光刻曝光,形成上电极反图形,再用真空蒸镀设备沉积厚度为0.2μm的Al,用丙酮去光刻胶,完成上电极8的制备。如图5所示。
7)SOI基底层3的释放
在背面金膜上涂正性光刻胶,利用Karl Suss双面曝光机进行双面曝光,形成体刻蚀掩膜光刻图形。分别利用Au和Cr腐蚀液对Au/Cr复合膜9进行腐蚀。腐蚀完成后,再利用缓释HF腐蚀氮化硅薄膜5,去除光刻胶,完成体刻蚀掩膜层的图形化。如图6所示。
用体刻蚀夹具将硅片密封固定,放入一定浓度的KOH溶液进行体刻蚀,溶液温度85℃进行SOI基底层3的湿法释放。如图7所示。
8)支撑层铝膜10的沉积
利用电子束蒸发设备在硅片背面镀厚度为0.5μm的Al膜,作为狭缝刻蚀的支撑层铝膜10。如图8所示。
9)狭缝1a的刻蚀
在正面涂正性光刻胶,利用标准光刻技术光刻曝光,形成狭缝光刻图形,作为狭缝刻蚀的掩膜,利用ICP刻蚀正面SiO2/Si,刻蚀气体SF6,完成U形狭缝1a的刻蚀,狭缝宽度为20μm,去除光刻胶。在硅片正面涂正性光刻胶,利用磷酸腐蚀背面Al膜、氧化硅薄膜5、Au/Cr复合膜9以及压电单元正下方的部分SOI氧化层2。
把硅片清洗烘干,完成传感器芯片的制备。压电传感芯片(a)结构如图9所示。
10)MEMS压电矢量水听器的封装
如图10所示,把传感器芯片划片后,形成单个MEMS压电传感器芯片a。把多个MEMS压电传感器芯片a分别粘接到绝缘板b上,并通过压焊金属丝在电学上顺序串联,MEMS压电传感器芯片a间距500-2000μm。最后把粘有MEMS压电传感器芯片a的绝缘板b粘接到后置放大电路c上,并做好电连接,构成一个传感单元。把1-3个传感单元垂直放置在灌封材料灌注的壳体中,完成MEMS矢量水听器的制备。该MEMS压电矢量水听器的工作频率范围为10KHz以下。
需要说明的是,本发明实施例所用的压电层材料氧化锌压电膜、氮化铝薄膜、锆钛酸铅压电膜、钙钛矿型压电膜或有机压电膜在各实施例中,是可以互换的。
本发明实施例提供的具有串联结构的MEMS压电矢量水听器,首先,在SOI基片正面沉积氧化硅绝缘层,然后在其上先后淀积金属下电极、压电层以及上电极。在基片的反面沉积氮化硅和Au/Cr复合金属膜来构成湿法体硅刻蚀的掩膜(对于干法体刻蚀,沉积氧化硅为掩膜),并光刻、刻蚀,形成体刻蚀所需的掩膜图形;体刻蚀,释放出复合振动膜,并在硅基片的背面沉积Al层,作为正面狭缝刻蚀时,对振动膜的支撑层;通过干法刻蚀技术在复合振动膜的上刻蚀出U形狭缝,形成若干个独立的悬臂梁振动膜;腐蚀背面的Al层支撑层,完成传感芯片的制备。把多个MEMS压电传感器芯片分别粘接到绝缘板上,并通过压焊金属丝在电学上顺序串联。最后把粘有MEMS压电传感器芯片的绝缘板粘接到后置放大电路上,并做好电连接,构成一个传感单元。把1-3个传感单元垂直放置在灌封材料灌注的壳体中,完成MEMS矢量水听器的制备。
采用本发明实施例的方法制备具有串联结构的MEMS压电矢量水听器结构,由于多个传感芯片在电学上串联,所以理论上,相对于只有单个传感芯片的矢量水听器,电压灵敏度会增加,且增加倍数与传感芯片个数相等。
本发明实施例将制备好的多个MEMS压电传感器芯片分别粘接到绝缘板上,并通过压焊金属丝在电学上顺序串联。最后把粘有MEMS压电传感器芯片的绝缘板粘接到后置放大电路上,并做好电连接,构成一个传感单元。把以上焊接好的1-3个MEMS压电传感单元垂直放置在灌封材料灌注的壳体中,完成MEMS矢量水听器的制备。每个传感器芯片是由质量块和由压电层和硅基底层形成的复合弹性梁构成。当有惯性力作用时,质量块的相对运动使压电复合弹性梁产生形变,使其压电薄膜表面产生电荷,经后置放大电路,获取电压信号,可以实现水中矢量信息的电气测量。
本发明实施例中相互垂直的1-3个MEMS传感单元被灌封在由聚氨酯灌注而成的壳体结构,传感单元由若干个电学上串联的MEMS压电传感器芯片组成。MEMS压电传感器芯片包括质量块和由压电层和硅基底层形成的复合弹性悬臂梁。当有惯性力作用时,压电复合弹性梁产生形变,使其压电薄膜表面产生电荷,经后置放大电路后获得电压信号,N个串联的传感芯片可以使MEMS压电矢量水听器的灵敏度提高N倍。
以上所述的具体实施方式,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施方式而已,并不用于限定本发明的保护范围,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.具有串联结构的MEMS压电矢量水听器,其特征在于,包括:3个传感单元和灌封结构(d),所述3个传感单元被相互垂直放置在所述灌封结构(d);
其中,每个传感单元包括至少两个MEMS压电传感芯片(a)、绝缘板(b)和后置放大电路(c),所述至少两个MEMS压电传感芯片(a)串联焊接并粘贴在所述绝缘板(b),所述绝缘板(b)被粘贴并电连接在所述后置放大电路(c);
MEMS压电传感芯片(a)包括:质量块(3a)、压电单元和复合弹性梁;其中,当有惯性力作用时,所述复合弹性梁产生形变,使与复合弹性梁相连的压电单元产生电荷;
所述压电单元包括:下电极(6)、压电层(7)和上电极(8);其中,所述压电层(7)为氧化锌压电膜、氮化铝薄膜或有机压电膜,所述压电层(7)的厚度为0.01~60μm;所述下电极(6)或上电极(8)为铝、金/铬复合层或者铂/钛复合层,铝厚度为0.01~1μm,铬层或钛层厚度为0.01~0.1μm,金层或铂层厚度为0.05~0.5μm;
所述MEMS压电传感芯片(a)包括:复合层,该复合层包括绝缘氧化层(4)、SOI硅层(1)和SOI氧化层(2),所述复合层设有U形狭缝(1a),被所述U形狭缝(1a)所包围的复合层部分为复合弹性梁;其中,所述SOI硅层(1)厚度为0.5~50μm;所述SOI氧化层(2)厚度为0.05~5μm;所述绝缘氧化层(4)厚度为0.01~50μm。
2.根据权利要求1所述的矢量水听器,其特征在于,所述MEMS压电传感芯片(a)包括:设有回形孔(11)的SOI基底层(3),所述回形孔(11)包围的SOI基底层(3)部分为质量块(3a);所述回形孔(11)外围的SOI基底层(3)支撑与所述复合弹性梁相连接的复合层部分;其中,所述SOI基底层(3)厚度为100~500μm;
所述质量块(3a)在复合弹性梁的下方,所述压电单元在复合弹性梁的上方;当有惯性力作用时,所述回形孔(11)外围的SOI基底层(3)与质量块(3a)相对运动,导致复合弹性梁产生形变,使与复合弹性梁相连的压电单元产生电荷。
3.根据权利要求1所述的矢量水听器,其特征在于,所述U形狭缝(1a)的开口方向为所述压电单元所在位置;所述U形狭缝(1a)宽度为0.1~50μm。
4.根据权利要求1所述的矢量水听器,其特征在于,所述MEMS压电传感芯片(a)在绝缘板(b)上的间距为500-2000μm。
5.根据权利要求1所述的矢量水听器,其特征在于,所述矢量水听器的工作频率范围为10KHZ以下。
6.一种具有串联结构的MEMS压电矢量水听器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
制备传感单元;将3个传感单元相互垂直放置在灌封结构(d);
其中,每个传感单元包括至少两个MEMS压电传感芯片(a)、绝缘板(b)和后置放大电路(c),所述至少两个MEMS压电传感芯片(a)串联焊接并粘贴在所述绝缘板(b),所述绝缘板(b)被粘贴并电连接在所述后置放大电路(c);
所述MEMS压电传感芯片(a)通过以下步骤得到:
在基片上沉积绝缘氧化层(4),所述基片包括SOI硅层(1)、SOI氧化层(2)和SOI基底层(3);其中,所述SOI硅层(1)厚度为0.5~50μm;所述SOI氧化层(2)厚度为0.05~5μm;所述SOI基底层(3)厚度为100~500μm;所述绝缘氧化层(4)厚度为0.01~50μm;
在所述绝缘氧化层(4)上制备下电极(6)、压电层(7)和上电极(8)构成压电单元;其中,所述压电层(7)为氧化锌压电膜、氮化铝薄膜或有机压电膜,所述压电层(7)的厚度为0.01~60μm;所述下电极(6)或上电极(8)为铝、金/铬复合层或者铂/钛复合层,铝厚度为0.01~1μm,铬层或钛层厚度为0.01~0.1μm,金层或铂层厚度为0.05~0.5μm;
对所述SOI基底层(3)进行干法或湿法释放,形成回形孔(11)结构;在所述SOI基底层(3)背面沉积体刻蚀掩膜,对所述体刻蚀掩膜双面曝光图形化,以使得所述回形孔(11)与压电单元位置正对;所述体刻蚀掩膜对于湿法刻蚀为氮化硅(5)与金/铬复合膜(9),对于干法刻蚀为氧化硅薄膜,所述氮化硅(5)或者氧化硅薄膜厚度为0.01~10μm,金层厚度为0.05~0.5μm,铬层厚度为0.01~0.1μm;所述氮化硅(5)通过等离子体增强化学气相沉积设备PECVD进行沉积;
得到所述回形孔(11)后,在所述基片背面镀一层狭缝刻蚀的支撑膜(10),所述支撑膜(10)为Al膜,厚度为0.1~5μm;被所述回形孔(11)包围的SOI基底层(3)部分为质量块(3a);
对压电层(7)和质量块(3a)对应区域外的复合层进行刻蚀,形成U形狭缝(1a),该复合层包括绝缘氧化层(4)、SOI硅层(1)以及SOI氧化层(2),被所述U形狭缝(1a)包围的复合层部分为复合弹性梁。
7.根据权利要求6所述的MEMS压电矢量水听器的制备方法,其特征在于,所述U形狭缝(1a)通过以下步骤得到:
在所述基片正面涂光刻胶,曝光形成图形作为狭缝刻蚀的掩膜,利用高密度电感耦合等离子体ICP刻蚀所述基片正面的复合层,形成U形狭缝(1a)所述U形狭缝(1a)的宽度为0.1~50μm;所述U形狭缝(1a)位置与所述回形孔(11)位置正对;
所述U形狭缝(1a)开口方向为所述压电单元所在位置。
8.根据权利要求6所述的MEMS压电矢量水听器的制备方法,其特征在于,所述支撑膜(10)为Al膜,厚度为0.1~5μm;
在所述U形狭缝(1a)刻蚀完成后,在所述基片正面涂光刻胶,腐蚀所述基片背面剩余的支撑膜(10)、体刻蚀掩膜以及压电单元正下方的部分SOI氧化层(2)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107369756A (zh) * 2017-07-24 2017-11-21 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种全集成压电驱动装置及其制备方法
CN109596208B (zh) * 2017-09-30 2020-04-03 中国科学院声学研究所 一种u形槽悬臂梁结构的mems压电矢量水听器及其制备方法
CN110615402B (zh) * 2018-06-19 2022-12-06 中国科学院声学研究所 一种简支悬臂梁结构mems压电矢量水听器及制备方法
CN111189527B (zh) * 2020-01-09 2021-10-19 哈尔滨工程大学 一种基于电涡流厚度测量的低频矢量水听器
CN112304414A (zh) * 2020-10-23 2021-02-02 中国电子科技集团公司第三研究所 一种三轴集成mems矢量水听器及系统
CN113075726B (zh) * 2021-05-10 2022-10-11 联合微电子中心有限责任公司 水听器及其制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1737511A (zh) * 2005-09-05 2006-02-22 中国电子科技集团公司第四十九研究所 多片式组合集成型三维矢量水听器装置
CN101257266A (zh) * 2008-01-14 2008-09-03 大连理工大学 硅基压电悬臂梁式微型发电装置
CN102183293A (zh) * 2011-03-01 2011-09-14 中国船舶重工集团公司第七一五研究所 一种大面积薄板型矢量水听器
CN103715350A (zh) * 2013-12-30 2014-04-09 上海集成电路研发中心有限公司 基于soi衬底的压电薄膜悬臂梁传感器结构和制造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2615786B2 (ja) * 1988-03-28 1997-06-04 日産自動車株式会社 加速度センサの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1737511A (zh) * 2005-09-05 2006-02-22 中国电子科技集团公司第四十九研究所 多片式组合集成型三维矢量水听器装置
CN101257266A (zh) * 2008-01-14 2008-09-03 大连理工大学 硅基压电悬臂梁式微型发电装置
CN102183293A (zh) * 2011-03-01 2011-09-14 中国船舶重工集团公司第七一五研究所 一种大面积薄板型矢量水听器
CN103715350A (zh) * 2013-12-30 2014-04-09 上海集成电路研发中心有限公司 基于soi衬底的压电薄膜悬臂梁传感器结构和制造方法

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