背钻检测方法
技术领域
本发明涉及电路板领域,具体涉及一种电路板上的背钻检测方法。
背景技术
随着电子信息技术的飞速发展,印刷电路板(简称PCB)正向着高密度、高集成化、高速率和高频化的方向发展。PCB实现层间互相导通的方式通常有三种:1.盲孔技术,即通过在PCB上需要导通的层间钻盲孔,然后在孔内镀上一层导电的金属,进而实现层间互相导通,由于电镀能力的限制,目前行业内盲孔深径比一般为1∶1,无法满足深径比多样化的要求;2.多次压合技术,对于高厚径比实现高密度层间互连的电路板(例如HDI板)一般采用多次压合技术,但层间互连重叠时,存在无法满足层间对位要求的问题;3.背钻技术,如图1所示,是指对PCB图形区域内先进行一级钻通孔1′,然后对一级钻通孔后的PCB进行电镀铜层2′,使每一层都导通起来,然后再采用钻刀对不需要导通的部分层间进行二级钻孔去金属化,去除没有起到任何连接或者传输作用的通孔段,以得到背钻孔3′实现PCB部分层间互连,此方法相对以上两种方法工艺简单、制作成本低。
但是,在背钻技术中,后续工序需要去掉部分铜层来形成背钻孔,现有技术中一般采用钻头来钻削去除需要形成背钻孔部分的铜层,在钻削过程中,为了避免钻削过多而影响信号层的导通性能,经常会预留一部分铜层,且由于钻头本身是斜的,所以背钻后的信号层上方会存在多余的孔铜残桩(简称stub),易使信号产生串扰、反射、振铃等问题,进而导致传输信号的完整性变差,尤其是对于高频信号的影响更为明显。残桩的Stub值是指背钻断裂层至目标层的金属孔壁长度,通常stub值控制在20mil内就能保证较好的信号完整性,但是对于信号频率在10G以上时就需要控制stub值在10mil内,因而stub值是影响信号完整性的主要因素。
传统的检测Stub值是否符合要求的方法为:对印刷电路板的背钻孔进行切片来获得印刷电路板的stub值,根据实际切片检测的stub值的大小来判断stub值是否符合要求,因直接对背钻孔进行切片检测是一个不可逆的破坏性过程,因此,在实际检测中,无法对整批印刷电路板产品的stub值都进行在线检测,为了获得整批印刷电路板产品的stub值,生产者在生产印刷电路板时,先利用一定的工艺条件生产出同批产品中的首件印刷电路板,通过对首件印刷电路板进行切片获得首件的stub值,根据首件的stub值是否符合要求来推断即将利用与首件相同的工艺制备出的其它印刷电路板的stub值是否能够符合要求,也即,采用推测的方式来确定与首件同批的其它印刷电路板的stub值是否符合要求,这种方式的可靠性较差。
发明内容
因此,本发明要解决的技术问题在于克服现有技术的背钻方法可靠性差的技术缺陷。
为了实现上述目的,本发明实施例提供一种背钻检测方法,包括:
在印刷电路板首件的图形区域内制作首件背钻孔,并在图形区域外的辅助工艺区域采用与制作首件背钻孔同样的参数制作首件试样孔;
检测所述首件背钻孔与所述首件试样孔的stub值分别为S1和SC1,计算两者的差值△S=S1-SC1;
在其它每一个印刷电路板的图形区域内制作背钻孔,并在每一个图形区域外的辅助工艺区域采用与制作背钻孔同样的参数制作生产试样孔;
检测所述生产试样孔的stub值;
根据所述生产试样孔的stub值和△S,计算出相应所述图形区域内的所述背钻孔的stub值。
优选地,所述辅助工艺区域为板边或者板内空白区域。
优选地,所述首件试样孔与所述首件背钻孔内各层的铜层分布一致。
优选地,所述生产试样孔与所述背钻孔内各层的铜层分布一致。
优选地,每一种所述首件背钻孔对应制作至少2个所述首件试样孔。
优选地,每一种所述首件背钻孔对应制作4个所述首件试样孔。
优选地,差值△S为所述首件背钻孔与对应的每一所述首件试样孔的差值的平均值。
本发明实施例提供的背钻检测方法具有如下优点:
1.本发明提供的背钻检测方法,首先确认印刷电路板首件上的背钻孔与首件试样孔的stub值的差值△S,接着在生产的过程中,在每一印刷电路板上都制作背钻孔以及生产试样孔,然后对生产试样孔切片以确认其stub值,最后通过生产试样孔的stub值与差值△S得到每一印刷电路板上相应的背钻孔的stub值,进而在生产过程中无需对每一个印刷电路板的背钻孔进行切片,就可以对每个印刷电路板的背钻孔的stub值都进行及时有效的监控,不必采用推测的方式,大大提高了可靠性;同时,首件试样孔与首件背钻孔采用同样的参数钻孔得到,印刷电路板上的所述生产试样孔与所述背钻孔采用同样的参数钻孔得到,进而保证了首件背钻孔与首件试样孔的一致性,生产试样孔与背钻孔的一致性,进一步提高了检测的可靠性高,并提高了效率。
2.本发明提供的背钻检测方法,所述首件试样孔与所述首件背钻孔内各层的铜层分布一致,所述生产试样孔与所述背钻孔内各层的铜层分布一致,进而保证了首件背钻孔与首件试样孔的一致性,生产试样孔与背钻孔的一致性,从而保证了检测结果的可靠性。
3.本发明提供的背钻检测方法,通过在辅助工艺区域,即板边或者板内空白区域制作生产试样孔,进而在检测的同时使印刷电路板上多余的辅助工艺区域得到充分有效的利用。
4.本发明提供的背钻检测方法,在每一种所述首件背钻孔对应制作至少2个所述首件试样孔,以所述首件背钻孔与对应的每一所述首件试样孔的差值的平均值作为△S,通过取多组差值△S的平均值,有效的降低了检测误差,提高了检测的精准度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式的技术方案,下面根据本发明的具体实施例并结合附图,对发明作进一步详细说明。
图1为现有技术背钻技术形成的背钻孔的示意图。
图2为本发明背钻检测方法的一种实施方式的流程图。
图3为本发明背钻检测方法的一种实施方式中在印刷电路板首件上制作首件试样孔的示意图。
图4为图3所示背钻检测方法的首件背钻孔与首件试样孔的纵剖视图。
图中各附图标记说明如下:
1′-通孔;2′-铜层;3′-背钻孔;1-印刷电路板首件;2-图形区域;
3-首件背钻孔;4-辅助工艺区域;5-首件试样孔;6-铜层。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“上”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
实施例1
如图2至图4所示,本实施例提供的一种背钻检测方法,主要包括如下步骤:
S1:在印刷电路板首件1的图形区域2内制作首件背钻孔3,并在图形区域2外的辅助工艺区域4采用与制作首件背钻孔3同样的参数制作首件试样孔5;
S2:检测所述首件背钻孔3与所述首件试样孔5的stub值分别为S1和SC1,计算两者的差值△S=S1-SC1;
S3:在其它每一个印刷电路板的图形区域2内制作所述背钻孔,并在每一个图形区域2外的辅助工艺区域4采用与制作背钻孔同样的参数制作生产试样孔;
S4:检测所述生产试样孔的stub值;
S5:根据所述生产试样孔的stub值和△S,计算出相应所述图形区域2内的所述背钻孔的stub值。
需要说明的是,检测首件背钻孔3、首件试样孔5以及生产试样孔的stub值的方法均采用切片确认的方式。
上述背钻检测方法,首先确认印刷电路板首件1上的背钻孔与首件试样孔5的stub值的差值△S,接着在生产的过程中,在每一印刷电路板上都制作背钻孔以及生产试样孔,然后对生产试样孔切片以确认其stub值,最后通过生产试样孔的stub值与差值△S得到每一印刷电路板上相应的背钻孔的stub值,进而在生产过程中无需对每一个印刷电路板的背钻孔进行切片,就可以对每个印刷电路板的背钻孔的stub值都进行及时有效的监控,不必采用推测的方式,大大提高了可靠性;同时,首件试样孔与首件背钻孔采用同样的参数钻孔得到,印刷电路板上的所述生产试样孔与所述背钻孔采用同样的参数钻孔得到,进而保证了首件背钻孔与首件试样孔的一致性,生产试样孔与背钻孔的一致性,进一步提高了检测的可靠性高,并提高了效率。
需要说明的是,所述辅助工艺区域4为板边或者板内空白区域,进而在检测的同时使印刷电路板上多余的辅助工艺区域4得到充分有效的利用。
作为优选的实施方式,S1步骤中,所述首件试样孔5与所述首件背钻孔3内各层的铜层6分布一致,进而保证了首件背钻孔3与首件试样孔5的一致性,从而保证了检测结果的可靠性。
作为优选的实施方式,S3步骤中,所述生产试样孔与所述背钻孔内各层的铜层6分布一致,进而保证了生产试样孔与背钻孔的一致性,从而保证了检测结果的可靠性。
作为优选的实施方式,S1步骤中,每一种所述首件背钻孔3对应制作N个所述首件试样孔5,其中,N大于或等于2,即得到首件试样孔5的stub值为SC11、SC12…SC1N。则差值△S为所述首件背钻孔3与对应的每一所述首件试样孔5的差值的平均值,即△S=【(S1-SC11)+(S1-SC12)+…+(S1-SC1N)】/N。通过取多组差值△S的平均值,有效的降低了检测的误差,提高了检测的精准度。
作为优选的实施方式,每一种所述首件背钻孔3可以对应制作4个所述首件试样孔5,也可以对应制作5个、8个或者10个所述首件试样孔5。
作为优选的实施方式,S3步骤中,其它的印刷电路板上的每一种背钻孔都相应的制作有生产试样孔,每一种生产试样孔的stub值为SC2、SC3、SC4…SCN,即得到对应的每一种背钻孔的Stub值为S2=SC2+△S,S3=SC3+△S,S4=SC4+△S…SM=SCM+△S。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所述技术领域的普通人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或者替换,都应当视为属于本发明的保护范围。