CN105514566B - 毫米波瓦式相控阵天线tr组件 - Google Patents

Abstract

本发明提出了一种毫米波瓦式相控阵天线TR组件，旨在为毫米波频段大功率有源相控阵天线提供一种高可靠、低成本、高密度集成的TR组件实现方案。本发明通过下述方案实现：射频信号从TR组件下腔体底部公共端射频垂直互联接口馈入，通过多层电路板表贴功分器等功率分配后，馈入到与每个收发通道的多通道幅相控制芯片，多通道幅相控制芯片对射频信号二次功率分配后，按外部控制码状态对每路射频信号幅度相位信息进行调整，并输出至TR多功能芯片，将信号放大输出至末级功率放大器推至饱和后输出至功率开关，选通发射支路，送至TR组件上腔体两端排列分布的对天线射频垂直互联接口；TR组件接收工作时，射频信号以相反方向通过TR组件。

Description

毫米波瓦式相控阵天线TR组件

技术领域

本发明涉及一种瓦式相控阵天线TR组件，特别是工作在毫米波频段的收发半双工体制有源相控阵天线TR组件和单个通道发射功率可以高达瓦级的大功率毫米波瓦式TR组件实现技术。

背景技术

目前广泛应用的二维有源相控阵天线多采用砖块式结构TR组件，其特点是元器件放置方向垂直于相控阵天线阵面孔径，电路采用纵向集成横向组装（LITA），由于纵向不受限于半波长可根据设计需求扩展。因此，这种结构集成度较低，设计难度相对不大，技术成熟度高，电路设计及组装容易实现；但这种结构使得子阵厚度受限于半波长，粘接芯片的TR组件下腔体厚度有限，对于大功率应用无法根据功率大小进行扩展获得充足的热容，无法实现热容与TR组件一体集成，还须设计独立的热容体，并且热量从TR组件纵向传导到后端热容路径长，模块连接会引入额外的热阻，热均温性也较差。对于超大发射功率的项目应用，难以实现中大型阵列应用规模并保证TR组件长期可靠工作。

瓦片式TR组件的特点是元器件放置方向平行于相控阵天线阵面孔径，面子阵电路采用横向集成纵向组装。这种结构优点在于可实现热沉与TR组件下腔体一体集成，并且热沉厚度方向就是天线纵向，其厚度可根据需求自由扩展。因此大功率器件与热容之间散热路径短、热阻小、均温性好，非常适合于大功率应用。并且在降低TR组件成本、减小体积尺寸、减轻设备重量方面具有优势，易于实现大规模阵列。因此电路面积受限于半波长平方，无法扩展。但采用瓦式技术单元尺寸更小，单元尺寸受限于半波长不可扩展，集成密度要求非常高，电路设计难度大，必须采用高密度集成技术（ＨＤＩ）和小型化、高性能高可靠射频垂直互联。对半双工应用或者大功率应用，由于功能复杂，所需芯片数量多、芯片及电路占用面积大，瓦式集成难度更大。

半双工ＴＲ组件需要实现接收低噪声放大及发射功率放大，并以电子开关实现收发切换。为提高集成度，一般采用双向工作的移相器及衰减器做收发公共支路。目前的瓦式TR组件实现方案，射频接口排布多为“田字形”布局，在每个矩形方格内实现一个独立的通道全功能集成。具体实现一般是以多层电路基板作为芯片载体，电路基板焊接于金属TR组件下腔体后，通过在电路基板上打金属化过孔阵来实现从芯片底部到金属热容的热传导，热通孔的导热系数一般为50w/m.K，只能满足mW量级发射功率的应用，无法满足单通道发射功率上W级的应用。对于X波段及以下频率由于波长长，单元间距大，也可以在多层电路板对应大功率芯片粘接位置开槽，在金属热容对应位置形成凸台，让大功率芯片可直接粘接于金属热容。但毫米波频率高，电路板尺寸和芯片尺寸都很小，对于“田字型”结构的瓦式TR组件，需要在多层电路板上开多个小尺寸通槽，并且要与金属基座进行嵌套。实现的难度很大，精度难以控制。

目前报道的瓦式TR组件一般采用Fuzz Button等弹性连接件作对外接口，这种射频垂直互连使用简便，但是却很难实现组件气密封。有些瓦式TR组件采用波导接口的射频垂直互联，集成度低，模块之间连接不便,现在多不采用此方案。德国IMST给出一种TR组件与天线阵面一体集成的方式，芯片和天线贴片分别位于一块内部集成了液冷微流道的LTCC的两侧，这种方案集成度高，但是散热效能较低，对于发射功率数百mW以上的应用很难长时间可靠工作。而且这种集成方案由于液冷流道必须一体集成，无法采用标准、独立子阵组阵的方式来自由扩展阵面规模，因此难以实现通道数上百单元以上的中大型阵面规模，同时LTCC材料的脆性使得其对于弹、机载工作环境适应性存在一定困难。

总的说来，现有的毫米波瓦式TR组件实现方案难以实现单通道数瓦的大功率应用，难以实现半双工工作的复杂体制应用，难以解决TR组件气密封的困难。因此，如何解决通道发射大功率应用高效散热的问题，如何进一步提高集成度在有限的单元面积内实现收发半双工复杂功能的集成，如何在保证高性能基础上实现气密封，目前还没有确定的技术方案。

发明内容

本发明目的是针对现有瓦式技术解决工作在毫米波频段的、单通道发射功率达瓦级的大功率应用存在的不足之处，提供一种工程实用性高，性能可靠，散热效能高，可收发半双工工作，可实现气密封的瓦式TR组件集成技术。

本发明的上述目的可以通过以下措施来达到, 一种毫米波瓦式相控阵天线TR组件,包括：“肋状”排布的瓦式TR组件、制有2^N个天线射频垂直互联接口5的TR组件上腔体1、底部制有公共端射频垂直互联接口6的TR组件下腔体2，位于上述TR组件上、下腔体之间，并与下腔体焊接为一体的多层电路板3和芯片组4，以及集中分布在TR组件中心区域的多功能芯片组8和功率芯片组7，其特征在于：高功耗器件集中放置于TR组件下腔体2金属表面，低功耗器件集中放置于上述多层电路板3的表面；TR组件下腔体2金属表面平台上组装相互平行，相向对称于上述TR组件中线，两侧分布的收发通道，天线射频垂直互联接口5集中靠边排布，线阵排列于TR组件上腔体1的两侧，所有同型芯片均分布于关于TR组件中线对称的两“条带”内；2^N个收发通道及其芯片组以及功分网络集成在一个TR组件子阵中；功率芯片组7组装于TR组件下腔体2表面，多功能芯片组8组装于多层电路板3表面；多层电路板3正面根据芯片组4各芯片分布位置关系，通过金丝与芯片组4各芯片表面焊盘键合连接，一体集成了对各芯片的加电及状态控制的无源功分网络及若干直流馈电焊盘；发射时，射频信号从TR组件下腔体2底部公共端射频垂直互联接口6馈入TR组件，通过多层电路板3集成功分网络等功率分配后，馈入到与每个收发通道相连的多通道幅相控制芯片13，多通道幅相控制芯片13对射频信号二次功率分配后，按外部控制码状态对每路射频信号幅度相位信息进行调整，并输出至TR多功能芯片12，将驱动放大信号输出至末级功率放大器10推至饱和后输出至功率开关9，选通发射支路，送至TR组件上腔体1两端排列分布的天线射频垂直互联接口5；TR组件接收工作时，射频信号以相反方向通过TR组件。

上述方案中，毫米波瓦式TR组件是按4×4通道规模进行集成设计的，该方案设计具有通道规模的可扩展性，可按4×4通道规模的整倍数进行扩展，如4×8阵列、8×8阵列、16×16等。

上述方案中，所用的多层电路板3材料可以是LTCC基材、PCB基材、PTFE基材，或LCP基材，也可以是几种基材的组合使用。

上述方案中，毫米波瓦式相控阵天线TR组件的单通道输出功率可以是数瓦也可以是数十瓦，并且该实现方案可向下兼容小功率应用。多通道幅相控制芯片13可由2通道、4通道、6通道或8通道集成，幅相控制芯片可基于GaAs工艺或者Si或SiGe工艺实现，移相、衰减位数可以为6位，也可以是4位、5位或其它位数。

本发明的有益效果是：

本发明针对传统砖式TR组件和现有的瓦式TR组件在大功率应用上存在上述困难，提出了一种所有通道分两部分对称于TR组件中线平行排布于TR组件两侧，2^N个对天线垂直互联接口呈两平行直线于TR组件上腔体两侧边靠边分布的“肋状”排布的瓦式TR组件。这种射频垂直互联接口“线型”集中靠边排布的布局方式，使得TR组件中心大面积区域都可用作芯片及其它无源单元电路布局，组件面积利用率非常高。采用这种 “肋状”布局，所有同型芯片均分布于关于TR组件中线对称的两 “条带”内。这种同型元器件、同种类单元电路集中呈条带”平行“分布的特征，还使得电路规则性很好，便于实现同类型、同功能电路的多通道集成，达到了TR组件高密度集成的目的，使得在一个TR组件中实现半双工体制、大功率复杂应用成为可能。

本发明所采取的“肋状”排布，使得功率芯片组7所处“条带”靠近组件腔体侧边，功率芯片组7所有芯片可直接组装于下腔体底部，散热路径短，热阻小，散热效能高；而由其它低功耗芯片构成的多功能芯片组8则集中分布在靠近TR组件中心区域，通过设计制造居中组装于TR组件下腔中心位置、一体集成了电源及控制线网络的多层电路板3，该多层电路板3作为多功能芯片组8承载体，并以金丝键合连接多层电路板3板上焊盘与芯片片上焊盘的方式实现对芯片的加电及对信号的幅相控制。这种芯片组4按功耗高低分组组装于不同的载体上的集成方式既解决了大功率散热问题，又兼顾了瓦式高密度集成要求。解决了一般的“田字型”结构的瓦式TR组件，为实现功率芯片直接贴装于腔体底部散热，会导致多层电路板3开槽形状复杂，不利于成型，也不易实现多通道集成，电路集成及组装都更困难的问题。而且解决了现有技术多层电路板如不能开通槽让芯片直接贴装于下腔体2，则只能利用多层板3板上集成的接地导热通孔阵列散热，这种散热方式热阻大，一般只能满足mW级的应用，长期工作可靠性差的问题。

本发明采取的功率芯片组7，利用GaN工艺功率密度高的特性实现的大功率单刀双掷开关解决了传统大功率应用采用环形器实现收发通道隔离会带来的组件体积尺寸过大的困难，利用幅相控制芯片双通道的小型化集成思路减少了芯片数量，解决了瓦式架构口径面尺寸受限于半波长平方条件下布局实现的困难。

本发明采取的高功耗器件集中放置于TR组件下腔体2金属表面，低功耗器件放置于多层电路板表面的按功耗大小分区域集中排布的方式，即保证了大功耗器件与热容之间传输路径最短、热阻最小，又兼顾了其它如幅相控制器件控制接口数量多、馈电及连接应就近实现的要求。

本发明由组件通道集成规模决定的2^N个天线射频垂直互联接口5分两行平行于TR组件上腔体1长侧边靠边排布，更好的利用了空间。2^N个收发通道所有芯片以及无源功分网络在一个TR组件子阵中高密度集成，以一个TR子阵模块就实现了发射功率放大、接收低噪声放大、收和发信号6位移相衰减、收发通道切换、编码控制等所有功能，减少了模块间连接损耗。

本发明在方案架构上采用的瓦式架构，实现了TR组件下腔体与热容的一体加工制造，热容量可根据应用的具体要求自由扩展。通过图7工作三分钟的热仿真温度变化曲线证明本发明大功率瓦式TR组件不外加任何强制散热措施，发射占空比为20%，接收占空比为80%条件下能可靠工作。附图说明

图1是本发明毫米波收发半双工体制大功率瓦式TR组件的分解示意图。

图2是图1所示毫米波收发半双工体制大功率瓦式TR组件的仰视图。

图3是图1中芯片组4中两个通道的芯片组合示意图，图中编号7矩形框内所有芯片组成功率芯片组7部分，图中编号8矩形框内所有芯片组成多功能芯片组8部分。

图4是位于PCB板背面的焊盘组14的示意图。

图5位于PCB板正面的介质微带片15和功分器芯片16示意图。

图6是图3的多通道幅相控制芯片13原理框图。

图7是本发明无强制散热措施条件下工作三分钟的热仿真温度变化曲线示意图。

图中：1TR组件上腔体，2TR组件TR组件下腔体，3多层电路板，4芯片组，5对天线射频垂直互联接口，6公共端射频垂直互联接口，7功率芯片组，8多功能芯片组，9功率开关，10末级功率放大器，11接收低噪放，12TR多功能芯片，13多通道幅相控制芯片，14多层电路板背面焊盘组，15介质微带片，16功分器。

具体实施方式

参阅图1-图5。在以下描述的实施例中，一种毫米波瓦式相控阵天线TR组件工作频率为毫米波频段，工作模式为收发半双工，单通道发射功率为瓦级，主要包括 “肋状”排布的瓦式TR组件、制有2^N个对天线射频垂直互联接口5的TR组件上腔体1、底部制有公共端射频垂直互联接口6的TR组件下腔体2，位于上述TR组件上、下腔体之间，并与下腔体焊接为一体的多层电路板3和芯片组4，其特征在于：2^N个收发通道所有芯片以及功分网络高密度集成在一个TR组件子阵中；所有通道等分两部分并对称于TR组件中线平行排布于组件两侧，对天线射频垂直互联接口5呈两平行直线集中于TR组件上腔体1两侧靠边排布，芯片组4中所有同型芯片均分布于关于TR组件中线对称的两 “条带”内；所有芯片按直流功耗高低粗略划分为组装于TR组件下腔体2表面、距离天线垂直互联接口5较近的功率芯片组7和组装于多层电路板3表面靠近TR组件中心区域、距离公共端射频垂直互联接口6较近的多功能芯片组8两部分； 多层电路板3正面根据芯片组4各芯片分布位置关系一体集成了无源功分网络及若干直流馈电焊盘，通过金丝与芯片组4）各芯片表面焊盘键合连接，实现对各芯片的加电及状态控制；TR组件发射工作时，射频信号从TR组件下腔体2底部公共端射频垂直互联接口6馈入TR组件，通过多层电路板3）集成功分网络等功率分配后馈入到与每个通道相连的多通道幅相控制芯片13，对射频信号二次功率分配后按外部控制码状态对每路射频信号幅度相位信息进行调整后，输出至TR多功能芯片12，驱动放大信号后输出至末级功率放大器10，将信号推至饱和输出至功率开关9，选通发射支路，送至TR组件上腔体1两端排列分布的对天线射频垂直互联接口5输出TR组件；当TR组件接收工作时，信号以相反方向通过TR组件。

毫米波瓦式相控阵天线TR组件采用了瓦式架构，也即毫米波输入输出接口与TR组件芯片及电路所处平面呈垂直关系。对天线射频垂直互联接口5分两部分平行于TR组件上腔体1两侧边靠边排布，更好的利用了空间。互联接口由组件收发通道集成规模决定，不少于2^N个。2^N个收发通道所有芯片以及功分网络高密度集成在一个TR组件子阵中。

TR组件上腔体1作为TR组件对天线连接器的载体，靠边开两排圆柱形阶梯台阶孔，焊接两排同轴连接器，以实现TR组件到天线阵面的射频垂直互联接口５。

TR组件下腔体２开一个圆柱形阶梯台阶孔，焊接同轴连接器作为TR组件公共端射频垂直互联接口６。芯片组4中的功率芯片组7直接贴装于TR组件下腔体2上。TR组件下腔体2开槽焊接多层电路板3，多层电路板3底部集成多层电路板背面焊盘组14作为外部电源及控制信号进入TR组件的低频接口；多层电路板内部集成电源及控制线网络把电源及控制信号分发到正面的若干直流馈电焊盘；多层电路板3正面贴装功分器16、介质微带片15以及芯片组4中多功能芯片组8部分。金丝键合连接多层电路板3正面焊盘与芯片表面焊盘，实现对芯片组4的加电。介质微带片15实现从对天线射频垂直互联接口5到芯片组4，到功分器16，到公共端射频垂直互联接口6整个射频链路的电连接。

作为功率芯片组7和多层电路板3载体的TR组件下腔体2，同时也是TR组件热沉，为组件提供足够的热容。热容与TR组件下腔体2的一体集成，使得热容的自由扩展成为可能，导热系数大于100的各种金属及金属合金，如铝、铜等均可作下腔热容，也可采取在金属基内挖腔填充相变材料的方法来减重增加热容。

2^N个通道平分为两半对称于组件中线呈“肋状”排布。位于TR组件上腔体1的2^N个对天线射频垂直互联接口5以线型集中在两条靠TR组件上腔体侧边的平行直线上；

位于TR组件上腔体1的对天线射频垂直互联接口5和位于TR组件下腔体2的公共端射频垂直互联接口6轴向与芯片粘接面垂直。

TR组件下腔体2与热沉一体化加工制造，TR组件下腔体2一体实现射频接地、射频屏蔽、导热和热容功能。

在同一个模块的同一水平面层以“多功能集成结合多通道” 单片集成的方式实现了接收信号低噪声放大、发射信号功率瓦级的饱和放大、收发信号6位移相6位衰减、收发通道选通、串并转换等功能；不同的通道集成数、或者不同功能的一体集成以及两者的结合，都属于同一实现方式的具体变形。

芯片组4分两部分，直流功耗较大、产生热量较高的器件直接贴装于下腔体2，其它直流功耗较低的器件贴装于多层电路板3。

TR组件上腔体1以及TR组件下腔体2的射频垂直互联接口5、公共端射频垂直互联接口6均基于毫米波通用、标准型同轴型连接器如SSMP、SMP、SMA等实现。

TR组件下腔体2内，对应功率芯片组7组装位置加工凸台，对应多层电路板3组装位置加工凹槽，凸台高度和凹槽深度差设置成完成多层电路板3组装后其表面与凸台顶面等高。

多通道幅相控制芯片13可由2通道、4通道、6通道或8通道集成，可为GaAs或Si或者SiGe，移相衰减器位数可以为6位，也可以是4位或5位。

所用的多层电路板3材料可以是LTCC基材、FR4基材、PTFE基材，或LCP基材，也可以是几种基材的组合使用。

TR组件的上腔体1和TR组件下腔体2材料可以是铝材、铜材，也可以是其它任何金属或金属复合材料。

参阅图3及图6。芯片组4包括五种相互电连接的芯片：末级功率放大器10、功率开关9、低噪放11、TR多功能芯片12和多通道幅相控制芯片13。根据芯片的特点，芯片组4也可划分为功率芯片组7和多功能芯片组8两部分。功率芯片组7包括功率开关9、末级功率放大器10和低噪放11，这三个芯片直流功耗高，产生的热量大，直接贴装于下腔2。多功能芯片组8以高密度集成设计满足瓦式架构对空间排布的要求，包括ＴＲ多功能芯片12和多通道幅相控制芯片13。TR多功能芯片12实现收、发信号放大及收发通道切换功能；多通道幅相控制芯片13片上集成了把信号等分为多路的功分器，每一路通道集成了一个6位移相器一个6位衰减器，该芯片还集成了可把串行幅相编码转换成数字移相衰减器所需并行编码的串并转换电路。出于技术成熟度、成品率等多因素综合考虑，这里的多通道幅相控制芯片13为双通道集成，对于集成度要求更高的应用，可增加通道集成数。

以工作在Ku频段15~18GHz的大功率毫米波瓦式相控阵天线TR组件为例，阵列规模取为4×4。该毫米波收发半双工体制大功率瓦式TR组件主要包括TR组件上腔体1、TR组件下腔体2、多层电路板3及芯片组4。TR组件上腔体1开16个阶梯台阶孔，用于构成天线射频垂直互联接口5的同轴型通用接插件的焊接；TR组件下腔体2为金属铝腔，开1个阶梯台阶孔后焊接同轴型通用接插件构成公共端射频垂直互连接口6，并同时焊接1块多层电路板3。再在铝腔上粘接功率芯片组7的所有3种芯片，包括16个功率开关9、16个末级功率放大器10，16个接收低噪放11；在多层电路板3上粘接功耗较低的多功能芯片组8，包括16个TR多功能芯片12，8个多通道幅相控制芯片13，再粘接功分器16和介质微带片15实现射频链路连通。

发射时，信号从TR组件底部经底部公共端口6馈入TR组件介质微带片15，经功分器芯片16等功率分配为8路后进入8个多通道幅相控制芯片13，该芯片内集成了1分2功分器，把对信号再次等功分为2路后各自进行6位调幅6位调相，再输出至16个TR多功能芯片12，对信号进行放大后输出到16个末级功率放大器10将信号推至饱和，最后经过16个功率开关9选通发射支路送至16个对天线射频垂直互联接口5，实现了1路馈入信号的功分为16路后每路独立移相、衰减，再放大输出的完整功能。接收链路和发射链路相反，信号从16个对天线射频垂直互联接口5馈入TR组件后，每一路进入独立的功率开关9，此时开关切换到接收支路，信号进入接收低噪放11被放大后，输出至TR多功能芯片12再次放大，经两次放大的信号再输出至多通道幅相控制芯片13对信号进行移相衰减后再每两路合成为8路，再经功分器16)将8路信号合成为1路后经公共端射频垂直互连接口6从TR组件输出到外部。

Claims (11)

1.一种毫米波瓦式相控阵天线TR组件,包括：“肋状”排布的瓦式TR组件、制有2^N个天线射频垂直互联接口（5）的TR组件上腔体（1）、底部制有公共端射频垂直互联接口（6）的TR组件下腔体（2），位于上述TR组件上、下腔体之间，并与下腔体焊接为一体的多层电路板（3），以及集中分布在TR组件中心区域，划分为多功能芯片组（8）和功率芯片组（7）两部分的芯片组（4），其特征在于：高功耗器件集中放置于TR组件下腔体（2）金属表面，低功耗器件集中放置于上述多层电路板（3）的表面，芯片组（4）中的功率芯片组（7）直接贴装于TR组件下腔体（2）上；TR组件下腔体（2）金属表面平台上组装相互平行，相向对称于上述TR组件中线，两侧分布的收发通道，天线射频垂直互联接口（5）集中为线阵靠边排列于TR组件上腔体（1）的两侧，所有同型芯片均分布于关于TR组件中线对称的两“条带”内；2^N个收发通道及其芯片组以及功分网络集成在一个TR组件子阵中；功率芯片组（7）组装于TR组件下腔体（2）表面，多功能芯片组（8）组装于多层电路板（3）表面；多层电路板（3）正面根据芯片组（4）各芯片分布位置关系，一体集成了对各芯片加电及状态控制的馈线网络及若干直流馈电焊盘，并通过金丝将各馈电焊盘与芯片组（4）各芯片表面焊盘键合连接；发射时，射频信号从TR组件下腔体（2）底部公共端射频垂直互联接口（6）馈入TR组件，通过多层电路板（3）表贴功分器（16）等功率分配后，馈入到与每个收发通道相连的多通道幅相控制芯片（13），多通道幅相控制芯片（13）对射频信号二次功率分配后，按外部控制码状态对每路射频信号幅度相位信息进行调整，并输出至TR多功能芯片（12），将驱动放大信号输出至末级功率放大器（10）推至饱和后输出至功率开关（9），选通发射支路，送至TR组件上腔体（1）两端排列分布的天线射频垂直互联接口（5）；TR组件接收工作时，射频信号以相反方向通过TR组件。

2.如权利要求1所述的毫米波瓦式相控阵天线TR组件，其特征在于：2^N个通道平分为两半对称于TR组件中线呈“肋状”排布。

3.如权利要求1所述的毫米波瓦式相控阵天线TR组件，其特征在于：TR组件上腔体（1）作为TR组件对天线连接器的载体，靠边开两排圆柱形阶梯台阶孔，焊接两排同轴连接器，以实现TR组件到天线阵面的射频垂直互联接口（５）。

4.如权利要求3所述的毫米波瓦式相控阵天线TR组件，其特征在于：TR组件下腔体（２）开一个圆柱形阶梯台阶孔，焊接同轴连接器作为TR组件公共端射频垂直互联接口（６）。

5. 如权利要求1所述的毫米波瓦式相控阵天线TR组件，其特征在于： TR组件下腔体（2）开槽焊接多层电路板（3）。

6.如权利要求1所述的毫米波瓦式相控阵天线TR组件，其特征在于：多层电路板（3）底部集成多层电路板背面焊盘组（14）作为外部电源及控制信号进入TR组件的低频接口，其中，多层电路板（3）内部集成电源及控制线网络，把电源及控制信号分发到正面的若干直流馈电焊盘。

7.如权利要求1所述的毫米波瓦式相控阵天线TR组件，其特征在于：多层电路板（3）正面贴装功分器（16）、介质微带片（15）以及芯片组（4）中多功能芯片组（8）。

8.如权利要求7所述的毫米波瓦式相控阵天线TR组件，其特征在于：介质微带片（15）实现从对天线射频垂直互联接口（5）到芯片组（4），到功分器（16），到公共端射频垂直互联接口（6）整个射频链路的电连接。

9.如权利要求1所述的毫米波瓦式相控阵天线TR组件，其特征在于：TR组件下腔体（2）内，对应功率芯片组（7）组装位置加工凸台，对应多层电路板（3）组装位置加工凹槽，凸台高度和凹槽深度差设置成完成多层电路板（3）组装后其表面与凸台顶面等高。

10.如权利要求1所述的毫米波瓦式相控阵天线TR组件，其特征在于：多通道幅相控制芯片（13）片上集成了把信号等分为多路的功分器，每一路通道集成了6位移相器、6位衰减器和把串行幅相编码转换成数字移相衰减器所需并行编码的串并转换电路。

11.如权利要求1所述的毫米波瓦式相控阵天线TR组件，其特征在于：下腔体（2）与热沉一体化加工制造，下腔体（2）一体实现射频接地、射频屏蔽、导热和热容功能。