CN105512572B - 信息处理方法及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种信息处理方法及电子设备，所述电子设备设置有中央处理单元，所述方法包括：获取所述中央处理单元的累积运行时间；基于所述中央处理单元的累积运行时间，确定与所述中央处理单元的累积运行时间对应的电压调整策略；基于所确定的电压调整策略对所述第二电压进行调整，得到第三电压，以替代所述第二电压；在所述中央处理单元的核心施加所述第一电压、以及所述第三电压，以使，所述中央处理单元运行于超频模式时的硬失效率低于预设阈值。通过本发明，既能保证中央处理单元的超频性能，又能延长中央处理单元的使用寿命。

Description

信息处理方法及电子设备

技术领域

本发明涉及信息处理技术，尤其涉及一种信息处理方法及电子设备。

背景技术

目前，为降低电子设备中的中央处理单元软失效(Software Failure)的发生概率即软失效率，并使中央处理单元超频运行以获得更大的运算性能，会在中央处理单元核心施加额外的电压，但是，这会增大中央处理单元内部的硅元素发生类似于电子漂移等物理上不可逆的损坏即硬失效(Hardware Failure)的发生概率即硬失效率，影响中央处理单元的使用寿命。

相关技术采用蒙特·卡罗方法(Monte Carlo method)模拟实验，模拟出在中央处理单元的使用周期中的以下数据：中央处理单元的软失效率与中央处理单元核心电压的关系曲线、中央处理单元的硬失效率与中央处理单元核心电压的关系曲线、以及累积失效(硬失效与软失效的叠加)率与中央处理单元核心电压的关系曲线；以计算出在需要超频时在中央处理单元核心额外施加的电压；但是，由于中央处理单元个体的差异性，实际应用中，通过上述方式并不能对中央处理单元的超频运行进行最佳优化处理，在中央处理单元超频运行时间过长可能会导致中央处理单元发生硬失效较多而损坏。

发明内容

本发明实施例提供一种信息处理方法及电子设备，则既能保证中央处理单元的超频性能，又能延长中央处理单元的使用寿命。

本发明实施例的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供一种信息处理方法，应用于电子设备中，所述电子设备设置有中央处理单元，当所述中央处理单元的核心施加有第一电压时所述中央处理单元运行于非超频模式，所述中央处理单元的核心在施加所述第一电压的基础上额外施加有第二电压时，所述中央处理单元运行于超频模式；所述方法包括：

获取所述中央处理单元的累积运行时间；

基于所述中央处理单元的累积运行时间，确定与所述中央处理单元的累积运行时间对应的电压调整策略；

基于所确定的电压调整策略对所述第二电压进行调整，得到第三电压，以替代所述第二电压；其中，所述第三电压小于等于所述第二电压；

在所述中央处理单元的核心施加所述第一电压、以及所述第三电压，以使，

所述中央处理单元运行于超频模式时的硬失效率低于预设阈值。

优选地，所述获取所述中央处理单元的累积运行时间，包括：

以系统管理中断的方式触发所述中央处理单元进入系统管理模式，以从所述中央处理单元的寄存器获取第一运行时间，所述第一运行时间为所述中央处理单元从最后一次上电启动至当前所运行的时间；

基于所述第一运行时间、以及所述中央处理单元的历史运行时间，得到所述中央处理单元的累积运行时间。

优选地，所述电压调整策略的数量为N个，所述N个电压调整策略与所述中央处理单元所处的N个使用周期一一对应；其中，

N个电压调整策略中第i电压调整策略对所述第二电压调整的幅度，小于第i-1电压调整策略对所述第二电压调整的幅度，i为大于等于1且小于等于N的整数。

优选地，所述基于所确定的电压调整策略对所述第二电压进行调整，得到第三电压，包括：

根据至少两个不同取值的第四电压与所述中央处理单元的软失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，确定第一电压集合，所述第一电压集合包括所述不同取值的第四电压中使所述中央处理单元的软失效率低于软失效率阈值的电压，所述第四电压为所述中央处理单元运行于超频模式时在所述中央处理单元核心额外施加的电压；

根据所述第一电压集合中的第四电压与所述中央处理单元的硬失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，在所述第一电压集合中选定一个第四电压，其中，所选定的第四电压为所述第一电压集合中使所述中央处理单元的硬失效率低于硬失效率阈值的电压；

调整所述第二电压的值为所选定的第四电压的值，得到所述第三电压。

优选地，所述基于所确定的电压调整策略对所述第二电压进行调整，得到第三电压，包括：

根据至少两个不同取值的第五电压与所述中央处理单元的硬失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，确定第二电压集合，所述第二电压集合包括所述不同取值的第五电压中使所述中央处理单元的硬失效率低于硬失效率阈值的电压，所述第五电压为所述中央处理单元运行于超频模式时在所述中央处理单元核心额外施加的电压；

根据所述第二电压集合中的第五电压与所述中央处理单元的软失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，在所述第二电压集合中选定一个第五电压，其中，所选定的第五电压为所述第二电压集合中使所述中央处理单元的软失效率低于软失效率阈值的电压；

调整所述第二电压值为所选定的第五电压的值，得到所述第三电压。

本发明实施例还提供一种电子设备，所述电子设备设置有中央处理单元，当所述中央处理单元的核心施加有第一电压时所述中央处理单元运行于非超频模式，所述中央处理单元的核心在施加有所述第一电压的基础上额外施加有第二电压时，所述中央处理单元运行于超频模式；所述电子设备包括：

固件单元，所述固件单元中存储有可执行指令，所述可执行指令用于触发所述中央处理单元获取所述中央处理单元的累积运行时间；

所述固件单元，还用于触发所述中央处理单元基于所述中央处理单元的累积运行时间，确定与所述中央处理单元的累积运行时间对应的电压调整策略；

所述电压调节单元，还用于基于所述确定的电压调整策略对所述第二电压进行调整，得到第三电压，以替代所述第二电压；其中，所述第三电压小于等于所述第二电压；

所述电压调节单元，还用于在所述中央处理单元的核心施加所述第一电压、以及所述第三电压，以使，所述中央处理单元运行于超频模式时的硬失效率低于预设阈值。

优选地，所述固件单元，还用于以系统管理中断的方式触发所述中央处理单元进入系统管理模式，以从所述中央处理单元的寄存器获取第一运行时间，所述第一运行时间为所述中央处理单元从最后一次上电启动至当前所运行的时间；

基于所述第一运行时间、以及所述中央处理单元的历史运行时间，得到所述中央处理单元的累积运行时间。

优选地，所述电压调整策略的数量为N个，所述N个电压调整策略与所述中央处理单元所处的N个使用周期一一对应；其中，

N个电压调整策略中第i电压调整策略对所述第二电压调整的幅度，小于第i-1电压调整策略对所述第二电压调整的幅度，i为大于等于1且小于等于N的整数。

优选地，所述固件单元，还用于触发所述中央处理单元根据至少两个不同取值的第四电压与所述中央处理单元的软失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，确定第一电压集合，所述第一电压集合包括所述不同取值的第四电压中使所述中央处理单元的软失效率低于软失效率阈值的电压，所述第四电压为所述中央处理单元运行于超频模式时在所述中央处理单元核心额外施加的电压；

所述固件单元，还用于触发所述中央处理单元根据所述第一电压集合中的第四电压与所述中央处理单元的硬失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，在所述第一电压集合中选定一个第四电压，其中，所选择的第四电压为所述第一电压集合中使所述中央处理单元的硬失效率低于硬失效率阈值的电压；

所述电压调节单元，还用于调整所述第二电压的值为所述选定的第四电压的值，得到所述第三电压。

优选地，所述固件单元，还用于触发所述中央处理单元根据至少两个不同取值的第五电压与所述中央处理单元的硬失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，确定第二电压集合，所述第二电压集合包括所述不同取值的第五电压中使所述中央处理单元的硬失效率低于硬失效率阈值的电压，所述第五电压为所述中央处理单元运行于超频模式时在所述中央处理单元核心额外施加的电压；

所述固件单元，还用于触发所述中央处理单元根据所述第二电压集合中的第五电压与所述中央处理单元的软失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，在所述第二电压集合中选定一个第五电压，其中，所选定的第五电压为所述第二电压集合中使所述中央处理单元的软失效率低于软失效率阈值的电压；

所述电压调节单元，还用于调整所述第二电压值为所选定的第五电压的值，得到所述第三电压。

本发明实施例中，基于中央处理单元的累积运行时间，调整中央处理单元运行于超频模式时中央处理单元核心所施加的额外电压，避免了相关技术采用统一施加额外电压使中央处理单元工作于超频模式的方式，从而能够根据中央处理单元的个体差异性进行优化，既保证能够使中央处理单元实现更大的性能，又能延长中央处理单元的使用寿命。

附图说明

图1为本发明实施例一中信息处理方法的实现流程示意图；

图2为本发明实施例二中信息处理方法的实现流程示意图；

图3为本发明实施例三中信息处理方法的实现流程示意图；

图4为本发明实施例四中信息处理方法的实现流程示意图；

图5a为本发明实施例五中电子设备的结构示意图；

图5b为本发明实施例五中电子设备的软硬件架构示意图；

图5c为本发明实施例五中信息处理方法的实现流程示意图。

具体实施方式

发明人在实施本发明的过程中发现，在中央处理单元(CPU)超频运行时，中央处理单元的软失效率与中央处理单元核心额外电压负相关，这里，所述的核心额外电压是指在中央处理单元核心电压(即中央处理单元为超频运行时所施加的电压)基础上额外施加的电压，也即中央处理单元核心电压越高，则软失效率概率越低；而中央处理单元的硬失效率与中央处理单元的核心额外电压正相关(即中央处理单元核心额外电压越高，中央处理单元的硬失效率相对也越高)；并且，在施加相同额外电压给中央处理单元核心时，随着中央处理单元累积运行时间的增长，中央处理单元的软失效率、以及中央处理单元的硬失效率呈上升趋势；

所述软失效是指，在中央处理单元运行过程中，中央处理单元的硅材料中的放射性元素产生载流子电荷导致中央处理单元中数据失效的现象，这种破坏作用是暂时性的，因此称为软失效；所谓硬失效是指中央处理单元内部的硅元素发生类似于电子漂移等物理上的损坏现象，这种损坏使不可修复的，因此称为硬失效；

发明人还发现，中央处理单元的超频性能在个体上存在差异，如果能够基于中央处理单元的累积运行时间确定在超频模式时在中央处理单元核心额外施加的电压，以降低相关技术中在中央处理单元核心额外的施加的电压，则既能保证中央处理单元的超频性能，又能延长中央处理单元的使用寿命。

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。

实施例一

本实施例记载一种信息处理方法，可以应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑等电子设备中，所述电子设备设置有中央处理单元，当所述中央处理单元的核心施加有第一电压时所述中央处理单元运行于非超频模式，所述中央处理单元的核心在施加所述第一电压的基础上额外施加有第二电压时，所述中央处理单元运行于超频模式，也即中央处理单元工作的频率高于额定的频率，以使中央处理单元发挥更大的性能；

如图1所示，本实施例记载的信息处理方法包括以下步骤：

步骤101，获取所述中央处理单元的累积运行时间。

步骤102，基于所述中央处理单元的累积运行时间，确定与所述中央处理单元的累积运行时间对应的电压调整策略。

步骤103，基于所确定的电压调整策略对所述第二电压进行调整，得到第三电压，以替代所述第二电压；其中，所述第三电压小于等于所述第二电压。

电压调整策略用于基于中央处理单元的累积运行时间，对第二电压进行调整，通常，随着中央处理单元累积运行时间的增长，中央处理单元运行于超频模式时在中央处理单元核心所需施加的额外电压也随之增高；因此，在中央处理单元运行的不同周期(如以年为单位划分为不同的周期)，在每个周期确定不同的电压调整策略，以在每个周期在中央处理单元核心额外施加的电压不同，且均小于等于第二电压。

发明人发现，相关技术中，对于同一型号的中央处理单元，累积运行时间较短的中央处理单元与累积运行时间长的中央处理单元在运行于超频模式时，中央处理单元的核心所施加的电压即第二电压相同，发明人还发现，对于运行时间较短的中央处理单元，在中央处理单元核心施加低于第二电压的额外电压时，中央处理单元同样能够工作于超频模式，以获得更大的性能，并且能够降低发生硬失效的概率，从而延长使用寿命。

步骤104，在所述中央处理单元的核心施加所述第一电压、以及所述第三电压，以使所述中央处理单元运行于超频模式时的硬失效率低于预设阈值。

由于硬失效是指中央处理单元内部的硅元素发生类似于电子漂移等物理上不可逆的损坏现象，因此，本实施例中降低中央处理单元运行于超频模式时中央处理单元核心所施加的额外电压，既保证能够中央处理单元实现更大的性能，又能延长中央处理单元的使用寿命。

实施例二

本实施例记载一种信息处理方法，可以应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑等电子设备中，所述电子设备设置有中央处理单元，当所述中央处理单元的核心施加有第一电压时所述中央处理单元运行于非超频模式，所述中央处理单元的核心在施加所述第一电压的基础上额外施加有第二电压时，所述中央处理单元运行于超频模式，也即中央处理单元工作的频率高于额定的频率，以使中央处理单元发挥更大的性能；

如图2所示，本实施例记载的信息处理方法包括以下步骤：

步骤201，以系统管理中断的方式触发所述中央处理单元进入系统管理模式，以从所述中央处理单元的寄存器获取第一运行时间，所述第一运行时间为所述中央处理单元从最后一次上电启动至当前所运行的时间。

步骤202，基于所述第一运行时间、以及所述中央处理单元的历史运行时间，得到所述中央处理单元的累积运行时间。

以x86架构中央处理单元为例，在电子设备中运行系统固件如基本输入输出系统(BIOS，Basic Input and Output System)，在中央处理单元的引脚SMI#Pin上产生高电平，即产生系统管理中断(SMI，System Management Interrupt)信号，以触发中央处理单元执行系统固件中的程序，以进入系统管理模式(SMM，System Management Mode)，系统管理模式是x86体系结构中央处理单元的执行模式，系统管理模式只能通过系统管理中断进入，并只能通过执行RSM指令退出(SMM模式对电子设备中的操作系统透明)，在SMM中，中央处理单元运行系统固件中的SMM指令，获取特殊模块寄存器(MSR，Model Specific Registers)的时间错计数器IA32_TIME_STAMP_COUNTER中的数据，该数据表征中央处理单元最后一次上电至今的时间，与之前从该计数器读取的数据累加，即可得到中央处理单元的累积运行时间，例如中央处理单元常规最大工作频率Frequence为3.5Ghz，计数器IA32_TIME_STAMP_COUNTER的计数为0xFFFFFFFFFFFFFFFF，则中央处理单元最后一次上电至当前的运行时长为IA32_TIME_STAMP_COUNTER/Frequence＝0xffffffffffffffff/(3.5x10⁹)＝5270498306秒＝1464027小时。

步骤203，基于所述中央处理单元的累积运行时间，确定与所述中央处理单元的累积运行时间对应的电压调整策略。

作为一个示例，可以将一年作为中央处理单元的一个使用周期，从而对应每个使用周期确定N个电压调整策略(例如3个)所述电压调整策略的数量为N个，所述N个电压调整策略与所述中央处理单元所处的N个使用周期一一对应；其中，第i电压调整策略对所述第二电压调整的幅度小于第i-1电压调整策略对所述第二电压调整的幅度；也就是说，随着中央处理单元累积使用时间的增长，使中央处理单元核心额外施加的电压逐步接近相关技术所施加的第二电压。

步骤204，基于所确定的电压调整策略对所述第二电压进行调整，得到第三电压，以替代所述第二电压；其中，所述第三电压小于等于所述第二电压。

发明人发现，相关技术中，对于同一型号的中央处理单元，累积运行时间较短的中央处理单元与累积运行时间长的中央处理单元在运行于超频模式时，中央处理单元的核心所施加的电压即第二电压相同，发明人还发现，对于运行时间较短的中央处理单元，在中央处理单元核心施加低于第二电压的额外电压时，中央处理单元同样能够工作于超频模式，以获得更大的性能，并且能够降低发生硬失效的概率，从而延长使用寿命。

步骤205，在所述中央处理单元的核心施加所述第一电压、以及所述第三电压，以使所述中央处理单元运行于超频模式时的硬失效率低于预设阈值。

由于硬失效是指中央处理单元内部的硅元素发生类似于电子漂移等物理上不可逆的损坏现象，因此，本实施例中降低中央处理单元运行于超频模式时中央处理单元核心所施加的额外电压，既保证能够使中央处理单元的性能最大化，又能延长中央处理单元的使用寿命。

实施例三

本实施例记载一种信息处理方法，可以应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑等电子设备中，所述电子设备设置有中央处理单元，当所述中央处理单元的核心施加有第一电压时所述中央处理单元运行于非超频模式，所述中央处理单元的核心在施加所述第一电压的基础上额外施加有第二电压时，所述中央处理单元运行于超频模式，也即中央处理单元工作的频率高于额定的频率，以使中央处理单元发挥更大的性能；

如图3所示，本实施例记载的信息处理方法包括以下步骤：

步骤301，以系统管理中断的方式触发所述中央处理单元进入系统管理模式，以从所述中央处理单元的寄存器获取第一运行时间，所述第一运行时间为所述中央处理单元从最后一次上电启动至当前所运行的时间。

步骤302，基于所述第一运行时间、以及所述中央处理单元的历史运行时间，得到所述中央处理单元的累积运行时间。

以x86架构中央处理单元为例，在电子设备中运行系统固件如基本输入输出系统，在中央处理单元的引脚SMI#Pin上产生高电平，即产生系统管理中断信号，以触发中央处理单元执行系统固件中的SMM程序，进入系统管理模式(SMM，System Management Mode)，系统管理模式是x86体系结构中央处理单元的执行模式，系统管理模式只能通过系统管理中断(SMI，System Management Interrupt)进入，并只能通过执行RSM指令退出(SMM模式对电子设备中的操作系统透明)，在SMM中，中央处理单元运行系统固件中的SMM程序，获取特殊模块寄存器(MSR，Model Specific Registers)的时间错计数器IA32_TIME_STAMP_COUNTER中的数据，该数据表征中央处理单元最后一次一次上电运行至今的时间，与之前从该计数器读取的数据累加，即可得到中央处理单元的累积运行时间，例如中央处理单元常规(非超频模式)最大工作频率Frequence为3.5Ghz，计数器IA32_TIME_STAMP_COUNTER的计数为0xFFFFFFFFFFFFFFFF，则中央处理单元最后一次上电至当前的运行时长为IA32_TIME_STAMP_COUNTER/Frequence＝0xffffffffffffffff/(3.5x10⁹)＝5270498306秒＝1464027小时。

步骤303，基于所述中央处理单元的累积运行时间，确定与所述中央处理单元的累积运行时间对应的电压调整策略。

作为一个示例，可以将一年作为中央处理单元的一个使用周期，从而对应每个使用周期确定N个电压调整策略(例如3个)所述电压调整策略的数量为N个，所述N个电压调整策略与所述中央处理单元所处的N个使用周期一一对应；其中，第i电压调整策略对所述第二电压调整的幅度小于第i-1电压调整策略对所述第二电压调整的幅度；也就是说，随着中央处理单元累积使用时间的增长，使中央处理单元核心额外施加的电压逐步接近相关技术所施加的第二电压。

步骤304，根据至少两个不同取值的第四电压与所述中央处理单元的软失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，确定第一电压集合。

所述第一电压集合包括所述不同取值的第四电压中使所述中央处理单元的软失效率低于软失效率阈值的电压，所述第四电压为所述中央处理单元运行于超频模式时在所述中央处理单元核心额外施加的电压；所述对应关系可以根据蒙特·卡罗方法(MonteCarlo method)模拟实验获得。

步骤305，根据所述第一电压集合中的第四电压与所述中央处理单元的硬失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，在所述第一电压集合中选定一个第四电压。

其中，所选择的第四电压为所述第一电压集合中使所述中央处理单元的硬失效率低于硬失效率阈值的电压。

步骤306，调整所述第二电压的值为所选定的第四电压的值，得到第三电压。

步骤303至步骤306为基于电压调整策略进行的处理。

步骤307，在所述中央处理单元的核心施加所述第一电压、以及所述第三电压，以使所述中央处理单元运行于超频模式时的硬失效率低于预设阈值。

由于硬失效是指中央处理单元内部的硅元素发生类似于电子漂移等物理上不可逆的损坏现象，因此，本实施例中降低中央处理单元运行于超频模式时中央处理单元核心所施加的额外电压，既保证能够使中央处理单元的性能最大化，又能延长中央处理单元的使用寿命。

实施例四

本实施例记载一种信息处理方法，可以应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑等电子设备中，所述电子设备设置有中央处理单元，当所述中央处理单元的核心施加有第一电压时所述中央处理单元运行于非超频模式，所述中央处理单元的核心在施加所述第一电压的基础上额外施加有第二电压时，所述中央处理单元运行于超频模式，也即中央处理单元工作的频率高于额定的频率，以使中央处理单元发挥更大的性能；

如图4所示，本实施例记载的信息处理方法包括以下步骤：

步骤401，以系统管理中断的方式触发所述中央处理单元进入系统管理模式，以从所述中央处理单元的寄存器获取第一运行时间，所述第一运行时间为所述中央处理单元从最后一次上电启动至当前所运行的时间；

步骤402，基于所述第一运行时间、以及所述中央处理单元的历史运行时间，得到所述中央处理单元的累积运行时间。

以x86架构中央处理单元为例，在电子设备中运行系统固件如基本输入输出系统(BIOS，Basic Input and Output System)，在中央处理单元的引脚SMI#Pin上产生高电平，即产生系统管理中断信号，以触发中央处理单元执行系统固件中的SMM程序，进入系统管理模式(SMM，System Management Mode)，系统管理模式是x86体系结构中央处理单元的执行模式，系统管理模式只能通过系统管理中断(SMI，System Management Interrupt)进入，并只能通过执行RSM指令退出(SMM模式对电子设备中的操作系统透明)，在SMM中，中央处理单元运行系统固件中的SMM程序，获取特殊模块寄存器(MSR，Model Specific Registers)的时间错计数器IA32_TIME_STAMP_COUNTER中的数据，该数据表征中央处理单元最后一次一次上电运行至今的时间，与之前从该计数器读取的数据累加，即可得到中央处理单元的累积运行时间，例如中央处理单元常规最大工作频率Frequence为3.5Ghz，计数器IA32_TIME_STAMP_COUN TER的计数为0xFFFFFFFFFFFFFFFF，则中央处理单元最后一次上电至当前的运行时长为IA32_TIME_STAMP_COUNTER/Frequence＝0xffffffffffffffff/(3.5x10⁹)＝5270498306秒＝1464027小时。

步骤403，基于所述中央处理单元的累积运行时间，确定与所述中央处理单元的累积运行时间对应的电压调整策略。

作为一个示例，可以将一年作为中央处理单元的一个使用周期，从而对应每个使用周期确定N个电压调整策略(例如3个)所述电压调整策略的数量为N个，所述N个电压调整策略与所述中央处理单元所处的N个使用周期一一对应；其中，第i电压调整策略对所述第二电压调整的幅度小于第i-1电压调整策略对所述第二电压调整的幅度；也就是说，随着中央处理单元累积使用时间的增长，使中央处理单元核心额外施加的电压逐步接近相关技术所施加的第二电压。

步骤404，根据至少两个不同取值的第五电压与所述中央处理单元的硬失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，确定第二电压集合。

所述第二电压集合包括所述不同取值的第五电压中使所述中央处理单元的硬失效率低于硬失效率阈值的电压，所述第五电压为所述中央处理单元运行于超频模式时在所述中央处理单元核心额外施加的电压。

步骤405，根据所述第二电压集合中的第五电压与所述中央处理单元的软失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，在所述第二电压集合中选定一个第五电压。

其中，所选定的第五电压为所述第二电压集合中使所述中央处理单元的软失效率低于软失效率阈值的电压。

其中，所选择的第四电压为所述第一电压集合中使所述中央处理单元的硬失效率低于硬失效率阈值的电压.

步骤406，调整所述第二电压的值为所选定的第五电压的值，得到所述第三电压。

步骤403至步骤406为根据电压调整策略进行的处理。

步骤407，在所述中央处理单元的核心施加所述第一电压、以及所述第三电压，以使所述中央处理单元运行于超频模式时的硬失效率低于预设阈值。

由于硬失效是指中央处理单元内部的硅元素发生类似于电子漂移等物理上不可逆的损坏现象，因此，本实施例中降低中央处理单元运行于超频模式时中央处理单元核心所施加的额外电压，既保证能够使中央处理单元的性能最大化，又能延长中央处理单元的使用寿命。

实施例五

本实施例记载一种电子设备，如图5a所示，设置有中央处理单元51，当所述中央处理单元51的核心施加有第一电压时所述中央处理单元51运行于非超频模式，所述中央处理单元51的核心在施加所述第一电压的基础上额外施加有第二电压时，所述中央处理单元51运行于超频模式；所述电子设备还包括：

固件单元52，所述固件单元52中存储有可执行指令，所述可执行指令用于触发所述中央处理单元51获取所述中央处理单元51的累积运行时间；

所述固件单元52，还用于触发所述中央处理单元51基于所述中央处理单元51的累积运行时间，确定与所述中央处理单元51的累积运行时间对应的电压调整策略；

所述电压调节单元53，还用于基于所述确定的电压调整策略对所述第二电压进行调整，得到第三电压，以替代所述第二电压；其中，所述第三电压小于等于所述第二电压；所述电压调节单元53，还用于在所述中央处理单元51的核心施加所述第一电压、以及所述第三电压，以使，所述中央处理单元51运行于超频模式时的硬失效率低于预设阈值。

作为一个实施方式，所述固件单元52，还用于以系统管理中断的方式触发所述中央处理单元51进入系统管理模式，以从所述中央处理单元51的寄存器获取第一运行时间，所述第一运行时间为所述中央处理单元51从最后一次上电启动至当前所运行的时间；基于所述第一运行时间、以及所述中央处理单元51的历史运行时间，得到所述中央处理单元51的累积运行时间。

作为一个实施方式，所述电压调整策略的数量为N个，所述N个电压调整策略与所述中央处理单元51所处的N个使用周期一一对应；其中，第i电压调整策略对所述第二电压调整的幅度小于第i-1电压调整策略对所述第二电压调整的幅度，i为大于等于1且小于等于N的整数。

作为一个实施方式，所述固件单元52，还用于触发所述中央处理单元51根据至少两个不同取值的第四电压与所述中央处理单元51的软失效率在所述中央处理单元51的当前使用周期内的对应关系，确定第一电压集合，所述第一电压集合包括所述不同取值的第四电压中使所述中央处理单元51的软失效率低于软失效率阈值的电压，所述第四电压为所述中央处理单元51运行于超频模式时在所述中央处理单元51核心额外施加的电压；

所述固件单元52，还用于触发所述中央处理单元51根据所述第一电压集合中的第四电压与所述中央处理单元51的硬失效率在所述中央处理单元51的当前使用周期内的对应关系，在所述第一电压集合中选定一个第四电压，其中，所选择的第四电压为所述第一电压集合中使所述中央处理单元51的硬失效率低于硬失效率阈值的电压；

所述电压调节单元53，还用于调整所述第二电压的值为所述选定的第四电压的值，得到所述第三电压。

作为一个实施方式，所述固件单元52，还用于触发所述中央处理单元51根据至少两个不同取值的第五电压与所述中央处理单元51的硬失效率在所述中央处理单元51的当前使用周期内的对应关系，确定第二电压集合，所述第二电压集合包括所述不同取值的第五电压中使所述中央处理单元51的硬失效率低于硬失效率阈值的电压，所述第五电压为所述中央处理单元51运行于超频模式时在所述中央处理单元51核心额外施加的电压；

所述固件单元52，还用于触发所述中央处理单元51根据所述第二电压集合中的第五电压与所述中央处理单元51的软失效率在所述中央处理单元51的当前使用周期内的对应关系，在所述第二电压集合中选定一个第五电压，其中，所选定的第五电压为所述第二电压集合中使所述中央处理单元51的软失效率低于软失效率阈值的电压；

所述电压调节单元53，还用于调整所述第二电压值为所选定的第五电压的值，得到所述第三电压。

实际应用中，固件单元52中可以采用BIOS或UEFI的形式，电压调节单元53可以通过FPGA实现。

下面就中央处理单元为x86架构为例，结合图5b和图5c进行说明。

如图5b所示，电子设备主板上设置有处理器(对应中央处理单元)、电压调节模块以及统一可扩展固件接口(UEFI，Unified Extensible Firmware Interface)固件；电子设备可以运行Windows、Linux或Mac操作系统，操作系统支持运行一超频控制软件，并向用户提供超频控制1/2/3，以及关闭超频的功能，其中超频1/2/3表示使处理器超频的不同幅度，超频控制软件通过串口在电子设备面板上提供处理器寿命控制开关(用于按照本发明的技术方案进行超频)以及超频软件控制开关(用于按照相关技术的方式进行超频)；处理器通过运行UEFI固件中的程序，还支持在通过通用输入/输出(GPIO，General Purpose Input/Output)接口在电子设备的控制面板中显示超频状态，例如利用红、蓝、紫颜色的发光二极管(LED)对应指示不同的超频幅度；

如图5c所示，在步骤501中，首先判断处理器寿命控制开关是否开启，如果未开启，则结束此次处理，按照相关技术的超频方式进行处理，即对处理器的核心额外施加恒定电压(对应第二电压)，使处理器工作于超频状态；

如果开启，则转入步骤502，获取处理器的累积运行时间；如图5b所示，处理器通过运行UEFI固件中的终端管理模式程序，产生SMI中断信号进入SMM模式，读取处理器最后一次加电运行到当期时刻的时间，结合处理器之前的累积运行时间(可以存储于设置于主板上的非易失性存储介质中)，得到当前时刻的累积运行时间；本实施例中，以年为单位划分处理器的使用周期，并在每个使用周期使用不同的电压调整策略；

例如，当处理器累积运行时间小于1年时，转入步骤503，将第二电压-30mv作为第三电压，也就是说，在处理器的累积使用时间较短时，通过在处理器核心施加较小的额外电压即可使处理器工作于超频模式；

当处理器累积运行时间大于1年且小于两年时，转入步骤504，将第二电压-20mv作为第三电压，此时，对第二电压调整的幅度小于步骤503中调整的幅度，也就是说，随着处理器的累积使用时间的增长，可以减小对第二电压调整的幅度；

当处理器累积运行时间大于两年且小于三年时，转入步骤505，将第二电压-10mv作为第三电压，此时，对第二电压调整的幅度小于步骤504中调整的幅度，也就是说，随着处理器的累积使用时间的增长，可以进一步减小对第二电压调整的幅度；

当处理器累积运行时间大于三年时，可以不对第二电压进行调整。

综上所述，本发明实施例中，基于中央处理单元的累积运行时间，调整中央处理单元运行于超频模式时中央处理单元核心所施加的额外电压，避免了相关技术采用统一施加额外电压使中央处理单元工作于超频模式的方式，从而能够根据中央处理单元的个体差异性进行优化，既保证能够使中央处理单元实现更大的性能，又能延长中央处理单元的使用寿命。

在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。

上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个处理单元中，也可以是各单元分别单独作为一个单元，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中；上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：移动存储设备、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

或者，本发明上述集成的单元如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明实施例的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机、服务器、或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分。而前述的存储介质包括：移动存储设备、ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种信息处理方法，应用于电子设备中，所述电子设备设置有中央处理单元，当所述中央处理单元的核心施加有第一电压时所述中央处理单元运行于非超频模式，所述中央处理单元的核心在施加所述第一电压的基础上额外施加有第二电压时，所述中央处理单元运行于超频模式；其特征在于，所述方法包括：

获取所述中央处理单元的累积运行时间；

基于所述中央处理单元的累积运行时间，确定与所述中央处理单元的累积运行时间对应的电压调整策略；

基于所确定的电压调整策略对所述第二电压进行调整，得到第三电压，以替代所述第二电压；其中，所述第三电压小于等于所述第二电压；

在所述中央处理单元的核心施加所述第一电压、以及所述第三电压，以使，

所述中央处理单元运行于超频模式时的硬失效率低于预设阈值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述中央处理单元的累积运行时间，包括：

以系统管理中断的方式触发所述中央处理单元进入系统管理模式，以从所述中央处理单元的寄存器获取第一运行时间，所述第一运行时间为所述中央处理单元从最后一次上电启动至当前所运行的时间；

基于所述第一运行时间、以及所述中央处理单元的历史运行时间，得到所述中央处理单元的累积运行时间。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述电压调整策略的数量为N个，所述N个电压调整策略与所述中央处理单元所处的N个使用周期一一对应；其中，

N个电压调整策略中第i电压调整策略对所述第二电压调整的幅度，小于第i-1电压调整策略对所述第二电压调整的幅度，i为大于等于1且小于等于N的整数。

4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述基于所确定的电压调整策略对所述第二电压进行调整，得到第三电压，包括：

根据至少两个不同取值的第四电压与所述中央处理单元的软失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，确定第一电压集合，所述第一电压集合包括所述不同取值的第四电压中使所述中央处理单元的软失效率低于软失效率阈值的电压，所述第四电压为所述中央处理单元运行于超频模式时在所述中央处理单元核心额外施加的电压；

根据所述第一电压集合中的第四电压与所述中央处理单元的硬失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，在所述第一电压集合中选定一个第四电压，其中，所选定的第四电压为所述第一电压集合中使所述中央处理单元的硬失效率低于硬失效率阈值的电压；

调整所述第二电压的值为所选定的第四电压的值，得到所述第三电压。

5.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述基于所确定的电压调整策略对所述第二电压进行调整，得到第三电压，包括：

根据至少两个不同取值的第五电压与所述中央处理单元的硬失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，确定第二电压集合，所述第二电压集合包括所述不同取值的第五电压中使所述中央处理单元的硬失效率低于硬失效率阈值的电压，所述第五电压为所述中央处理单元运行于超频模式时在所述中央处理单元核心额外施加的电压；

根据所述第二电压集合中的第五电压与所述中央处理单元的软失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，在所述第二电压集合中选定一个第五电压，其中，所选定的第五电压为所述第二电压集合中使所述中央处理单元的软失效率低于软失效率阈值的电压；

调整所述第二电压值为所选定的第五电压的值，得到所述第三电压。

6.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备设置有中央处理单元，当所述中央处理单元的核心施加有第一电压时所述中央处理单元运行于非超频模式，所述中央处理单元的核心在施加有所述第一电压的基础上额外施加有第二电压时，所述中央处理单元运行于超频模式；所述电子设备包括：

固件单元，所述固件单元中存储有可执行指令，所述可执行指令用于触发所述中央处理单元获取所述中央处理单元的累积运行时间；

所述固件单元，还用于触发所述中央处理单元基于所述中央处理单元的累积运行时间，确定与所述中央处理单元的累积运行时间对应的电压调整策略；

电压调节单元，还用于基于所述确定的电压调整策略对所述第二电压进行调整，得到第三电压，以替代所述第二电压；其中，所述第三电压小于等于所述第二电压；

所述电压调节单元，还用于在所述中央处理单元的核心施加所述第一电压、以及所述第三电压，以使，所述中央处理单元运行于超频模式时的硬失效率低于预设阈值。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其特征在于，

所述固件单元，还用于以系统管理中断的方式触发所述中央处理单元进入系统管理模式，以从所述中央处理单元的寄存器获取第一运行时间，所述第一运行时间为所述中央处理单元从最后一次上电启动至当前所运行的时间；

基于所述第一运行时间、以及所述中央处理单元的历史运行时间，得到所述中央处理单元的累积运行时间。

8.根据权利要求6所述的电子设备，其特征在于，

所述电压调整策略的数量为N个，所述N个电压调整策略与所述中央处理单元所处的N个使用周期一一对应；其中，

N个电压调整策略中第i电压调整策略对所述第二电压调整的幅度，小于第i-1电压调整策略对所述第二电压调整的幅度，i为大于等于1且小于等于N的整数。

9.根据权利要求6至8任一项所述的电子设备，其特征在于，

所述固件单元，还用于触发所述中央处理单元根据至少两个不同取值的第四电压与所述中央处理单元的软失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，确定第一电压集合，所述第一电压集合包括所述不同取值的第四电压中使所述中央处理单元的软失效率低于软失效率阈值的电压，所述第四电压为所述中央处理单元运行于超频模式时在所述中央处理单元核心额外施加的电压；

所述固件单元，还用于触发所述中央处理单元根据所述第一电压集合中的第四电压与所述中央处理单元的硬失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，在所述第一电压集合中选定一个第四电压，其中，所选择的第四电压为所述第一电压集合中使所述中央处理单元的硬失效率低于硬失效率阈值的电压；

所述电压调节单元，还用于调整所述第二电压的值为所述选定的第四电压的值，得到所述第三电压。

10.根据权利要求6至8任一项所述的电子设备，其特征在于，

所述固件单元，还用于触发所述中央处理单元根据至少两个不同取值的第五电压与所述中央处理单元的硬失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，确定第二电压集合，所述第二电压集合包括所述不同取值的第五电压中使所述中央处理单元的硬失效率低于硬失效率阈值的电压，所述第五电压为所述中央处理单元运行于超频模式时在所述中央处理单元核心额外施加的电压；

所述固件单元，还用于触发所述中央处理单元根据所述第二电压集合中的第五电压与所述中央处理单元的软失效率在所述中央处理单元的当前使用周期内的对应关系，在所述第二电压集合中选定一个第五电压，其中，所选定的第五电压为所述第二电压集合中使所述中央处理单元的软失效率低于软失效率阈值的电压；

所述电压调节单元，还用于调整所述第二电压值为所选定的第五电压的值，得到所述第三电压。