CN105489719B - 一种带应变调和多量子阱结构的红外发光二极管 - Google Patents
一种带应变调和多量子阱结构的红外发光二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105489719B CN105489719B CN201511034721.5A CN201511034721A CN105489719B CN 105489719 B CN105489719 B CN 105489719B CN 201511034721 A CN201511034721 A CN 201511034721A CN 105489719 B CN105489719 B CN 105489719B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- type
- coating
- atoms
- centimetre
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 65
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 64
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 4
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 4
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical class [Sn+4].[O-2].[In+3] GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种带应变调和多量子阱结构的红外发光二极管，其量子阱层包括具有(InXGa1‑X)As或(AlX1Ga1‑X1)Y1In1‑Y1As的阱层、具有(AlX1Ga1‑X1)AsX2P1‑X2或(AlX1Ga1‑X1)Y2In1‑Y2P的势垒层；其中0＜X、X1、X2、Y1、Y2＜1；量子阱对数介于3对到25对之间。本发明利用量子阱应变调和后，晶格与衬底互相匹配，可以有效改善晶格错位的产生，抑制差排缺陷，改善后的结构具有较佳的亮度输出，且电压值也较低。
Description
技术领域
本发明属于发光二极管领域，尤其是涉及一种带应变调和多量子阱结构的红外发光二极管。
背景技术
红外光发光二极管主要应用于红外线通信、红外线遥控装置、传感器用光源及夜间照明。早期使用液相外延法(LPE)成长使用AlGaAs作为活性层的双异质结构发光二极管，难以做出单色性优异且发光波长900nm以上的多量子阱结构。
发明内容
有鉴于此，本发明旨在提出一种带应变调和的多量子阱结构红外发光二极管，以形成高效率以及单色性优异，发光峰波长在900nm以上的红外发光二极管。
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
一种带应变调和多量子阱结构的红外发光二极管，其量子阱层包括具有(InXGa1-X)As或(AlX1Ga1-X1)Y1In1-Y1As的阱层、具有(AlX1Ga1-X1)AsX2P1-X2或(AlX1Ga1-X1)Y2In1-Y2P的势垒层；其中0＜X、X1、X2、Y1、Y2＜1；优选的，量子阱对数介于3对到25对之间。
优选的，以三元材料AlGaAs作为覆盖层。
优选的，所述阱层的厚度为3～80nm，大于80nm会使阱层产生缺陷；所述势垒层的厚度为5～90nm，大于90nm会使势垒层产生缺陷。
优选的，其芯片从上到下依次包括P型奥姆电极、ITO电流扩展层(ITO氧化铟锡电流扩散层)、接触层、P型第一覆盖层、P型第二覆盖层、量子阱层、N型第二覆盖层、N型第一覆盖层、缓冲层、GaAs衬底、N型奥姆电极。
优选的，所述接触层为重掺杂C的P型接触层AlXGa1-XAs，其中X介于5％～35％，浓度为介于5E18～3E20原子/厘米。
优选的，所述P型第一覆盖层为掺杂C的P型第一覆盖层AlXGa1-XAs，其中X介于5％～40％，浓度为8E17～6E18原子/厘米；所述P型第二覆盖层为掺杂C的P型第二覆盖层AlXGa1-XAs，其中X介于10％～45％，浓度为5E17～3E18原子/厘米。
优选的，所述N型第二覆盖层为掺杂Si的N型第二覆盖层AlXGa1-XAs，其中X介于10％～45％，浓度为5E17～2E18原子/厘米；所述N型第一覆盖层为掺杂Si的N型第一覆盖层AlXGa1-XAs，其中X介于5％～40％，浓度为5E17～2E18原子/厘米。
优选的，所述缓冲层为由GaAs构成的缓冲层，浓度介于8E17～5E18原子/厘米。
优选的，所述GaAs衬底为掺杂Si的单晶N型GaAs衬底，浓度为介于8E17～3E18原子/厘米。
本发明同时提供一种制备如上所述的带应变调和多量子阱结构的红外发光二极管的方法，使用有机金属气相外延法(OMVPE)成长。
相对于现有技术，本发明所述的带应变调和多量子阱结构的红外发光二极管，具有以下优势：本发明针对旧有液相外延法(LPE)方式，使用AlGaAs做为活性层的双异质结构红外光发光二极管，难以成长与衬底GaAs相比晶格常数差异较大之材料，并且很难形成发光波长在900nm以上的多量子阱结构，为了解决此一问题，提出使用有机金属气相外延法(OMVPE)成长带有应变调和之成长方式，在此为阱层使用(InXGa1-X)As或(AlX1Ga1-X1)Y1In1- Y1As材料，与衬底相比为压应变，其厚度为d1，再透过势垒层(AlX1Ga1-X1)AsX2P1-X2或(AlX1Ga1-X1)Y2In1-Y2P施以与阱层相反的应变，其厚度为d2，藉由互相堆栈不同应变的两种材料形成量子阱结构，在分别控制d1及d2的情况下，可以使得总应变量互相调和，最终量子阱晶格与衬底GaAs互相匹配，有效改善晶格错位，减少差排缺陷产生，进而提高结构的发光效率。
利用量子阱应变调和后，晶格与衬底互相匹配，可以有效改善晶格错位的产生，抑制差排缺陷，改善后的结构具有较佳的亮度输出，且电压值也较低。
附图说明
构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例所述的红外发光二极管的芯片的简单结构示意图；
图2为本发明实施例所述的量子阱层的简单结构示意图。
附图标记说明：
1-GaAs衬底，2-缓冲层，3-N型第一覆盖层，4-N型第二覆盖层，5-量子阱层，6-P型第二覆盖层，7-P型第一覆盖层，8-接触层，9-ITO电流扩展层，10-N型欧姆电极，11-P型欧姆电极，5a-阱层，5b-势垒层。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
一种带应变调和多量子阱结构的红外发光二极管，其芯片从上到下依次包括P型欧姆电极11、ITO电流扩展层(ITO氧化铟锡电流扩散层)9、接触层8、P型第一覆盖层7、P型第二覆盖层6、量子阱层5、N型第二覆盖层4、N型第一覆盖层3、缓冲层2、GaAs衬底1、N型欧姆电极10；所述量子阱包括阱层5a以及势垒层5b。
实施例一
所述接触层为重掺杂C的P型接触层AlXGa1-XAs，其中X为35％，浓度为8E18原子/厘米。
所述P型第一覆盖层为掺杂C的P型第一覆盖层AlXGa1-XAs，其中X为15％，浓度为8E17原子/厘米；所述P型第二覆盖层为掺杂C的P型第二覆盖层AlXGa1-XAs，其中X为35％，浓度为1E18原子/厘米。
所述N型第二覆盖层为掺杂Si的N型第二覆盖层AlXGa1-XAs，其中X为35％，浓度为1E18原子/厘米；所述N型第一覆盖层为掺杂Si的N型第一覆盖层AlXGa1-XAs，其中X为15％，浓度为6E17原子/厘米。
所述缓冲层为由GaAs构成的缓冲层，浓度为1.5E18原子/厘米。
所述GaAs衬底为掺杂Si的单晶N型GaAs衬底，浓度为1.2E18原子/厘米。
所述量子阱层包括阱层和势垒层，量子阱对数为12对；阱层使用(In0.15Ga0.85)As，厚度d1为8nm，其材料对衬底GaAs施以压应变。
势垒层使用(Al0.1Ga0.9)As0.85P0.15，厚度d2为24nm，其材料对衬底GaAs施以张应变
在此厚度时总应变调和与衬底符合，晶格得以互相匹配通入正向电流20mA情况下，正向电压为1.28V，发光峰波长为956nm，发光输出功率为4.9mW。
实施例二
所述接触层为重掺杂C的P型接触层AlXGa1-XAs，其中X为35％，浓度为8E18原子/厘米。
所述P型第一覆盖层为掺杂C的P型第一覆盖层AlXGa1-XAs，其中X为15％，浓度为8E17原子/厘米；所述P型第二覆盖层为掺杂C的P型第二覆盖层AlXGa1-XAs，其中X为35％，浓度为1E18原子/厘米。
所述N型第二覆盖层为掺杂Si的N型第二覆盖层AlXGa1-XAs，其中X为35％，浓度为1E18原子/厘米；所述N型第一覆盖层为掺杂Si的N型第一覆盖层AlXGa1-XAs，其中X为15％，浓度为6E17原子/厘米。
所述缓冲层为由GaAs构成的缓冲层，浓度为1.5E18原子/厘米。
所述GaAs衬底为掺杂Si的单晶N型GaAs衬底，浓度为1.2E18原子/厘米。
所述量子阱层包括阱层和势垒层，量子阱对数为12对；阱层使用(In0.15Ga0.85)As，厚度d1为8nm，其材料对衬底GaAs施以压应变；势垒层使用(Al0.05Ga0.95)0.65In0.35P，厚度d2为20nm，其材料对衬底GaAs施以张应变，在此厚度时总应变调和与衬底符合，晶格得以互相匹配。
在此厚度时总应变调和与衬底符合，晶格得以互相匹配通入正向电流20mA情况下，正向电压为1.32V，发光峰波长为950nm，发光输出功率为4.8mW。
实施例三
所述接触层为重掺杂C的P型接触层AlXGa1-XAs，其中X为35％，浓度为8E18原子/厘米。
所述P型第一覆盖层为掺杂C的P型第一覆盖层AlXGa1-XAs，其中X为15％，浓度为8E17原子/厘米；所述P型第二覆盖层为掺杂C的P型第二覆盖层AlXGa1-XAs，其中X为35％，浓度为1E18原子/厘米。
所述N型第二覆盖层为掺杂Si的N型第二覆盖层AlXGa1-XAs，其中X为35％，浓度为1E18原子/厘米；所述N型第一覆盖层为掺杂Si的N型第一覆盖层AlXGa1-XAs，其中X为15％，浓度为6E17原子/厘米。
所述缓冲层为由GaAs构成的缓冲层，浓度为1.5E18原子/厘米。
所述GaAs衬底为掺杂Si的单晶N型GaAs衬底，浓度为1.2E18原子/厘米。
所述量子阱层包括阱层和势垒层，量子阱对数为12对；阱层5a使用(Al0.05Ga0.95)0.85In0.15As，厚度d1为12nm，其材料对衬底GaAs施以压应变，势垒层使用(Al0.1Ga0.9)As0.85P0.15，厚度d2为20nm，其材料对衬底GaAs施以张应变。此厚度时总应变调和与衬底符合，晶格得以互相匹配。
在此厚度时总应变调和与衬底符合，晶格得以互相匹配通入正向电流20mA情况下，正向电压为1.24V，发光峰波长为916nm，发光输出功率为4.6mW。
实施例四
所述接触层为重掺杂C的P型接触层AlXGa1-XAs，其中X为35％，浓度为8E18原子/厘米。
所述P型第一覆盖层为掺杂C的P型第一覆盖层AlXGa1-XAs，其中X为15％，浓度为8E17原子/厘米；所述P型第二覆盖层为掺杂C的P型第二覆盖层AlXGa1-XAs，其中X为35％，浓度为1E18原子/厘米。
所述N型第二覆盖层为掺杂Si的N型第二覆盖层AlXGa1-XAs，其中X为35％，浓度为1E18原子/厘米；所述N型第一覆盖层为掺杂Si的N型第一覆盖层AlXGa1-XAs，其中X为15％，浓度为6E17原子/厘米。
所述缓冲层为由GaAs构成的缓冲层，浓度为1.5E18原子/厘米。
所述GaAs衬底为掺杂Si的单晶N型GaAs衬底，浓度为1.2E18原子/厘米。
所述量子阱层包括阱层和势垒层，量子阱对数为12对；阱层使用(Al0.05Ga0.95)0.85In0.15As，厚度d1为12nm，其材料对衬底GaAs施以压应变势垒层5b使用(Al0.05Ga0.95)0.65In0.35P，厚度d2为17nm，其材料对衬底GaAs施以张应变。在此厚度时总应变调和与衬底符合，晶格得以互相匹配。
在此厚度时总应变调和与衬底符合，晶格得以互相匹配通入正向电流20mA情况下，正向电压为1.27V，发光峰波长为910nm，发光输出功率为4.4mW。
以上所述仅为本发明创造的较佳实施例而已，并不用以限制本发明创造，凡在本发明创造的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明创造的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种带应变调和多量子阱结构的红外发光二极管，其特征在于：其量子阱层包括具有(InXGa1-X)As或(AlX1Ga1-X1)Y1In1-Y1As的阱层、具有(AlX1Ga1-X1)AsX2P1-X2的势垒层；其中0＜X、X1、X2、Y1＜1；量子阱对数介于3对到25对之间；以三元材料AlGaAs作为覆盖层；所述阱层的厚度为3～80nm；所述势垒层的厚度为5～90nm；接触层为重掺杂C的P型接触层AlXGa1- XAs，其中X介于5％～35％；缓冲层为由GaAs构成的缓冲层；使用有机金属气相外延法成长；
其芯片从上到下依次包括P型欧姆电极、ITO电流扩展层、接触层、P型第一覆盖层、P型第二覆盖层、量子阱层、N型第二覆盖层、N型第一覆盖层、缓冲层、GaAs衬底、N型欧姆电极；
所述接触层的P型接触层AlXGa1-XAs，浓度为介于5E18～3E20原子/厘米；
所述P型第一覆盖层为掺杂C的P型第一覆盖层AlXGa1-XAs，其中X介于5％～40％，浓度为8E17～6E18原子/厘米；所述P型第二覆盖层为掺杂C的P型第二覆盖层AlXGa1-XAs，其中X介于10％～45％，浓度为5E17～3E18原子/厘米；
所述N型第二覆盖层为掺杂Si的N型第二覆盖层AlXGa1-XAs，其中X介于10％～45％，浓度为5E17～2E18原子/厘米；所述N型第一覆盖层为掺杂Si的N型第一覆盖层AlXGa1-XAs，其中X介于5％～40％，浓度为5E17～2E18原子/厘米；
所述缓冲层的GaAs，浓度介于8E17～5E18原子/厘米；
所述GaAs衬底为掺杂Si的单晶N型GaAs衬底，浓度为介于8E17～3E18原子/厘米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201511034721.5A CN105489719B (zh) | 2015-12-31 | 2015-12-31 | 一种带应变调和多量子阱结构的红外发光二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201511034721.5A CN105489719B (zh) | 2015-12-31 | 2015-12-31 | 一种带应变调和多量子阱结构的红外发光二极管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105489719A CN105489719A (zh) | 2016-04-13 |
| CN105489719B true CN105489719B (zh) | 2018-09-11 |
Family
ID=55676578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201511034721.5A Active CN105489719B (zh) | 2015-12-31 | 2015-12-31 | 一种带应变调和多量子阱结构的红外发光二极管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105489719B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105870227B (zh) | 2016-06-12 | 2017-07-14 | 天津三安光电有限公司 | 红外发光二极管 |
| CN110190513A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-30 | 度亘激光技术（苏州）有限公司 | 制备分布布拉格反射镜的方法及垂直腔面发射激光器 |
| CN112838150B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-05-13 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 发光二极管及其形成方法 |
| CN114038958B (zh) * | 2021-08-05 | 2023-03-24 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 发光芯片外延片及其制作方法、发光芯片 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102222742A (zh) * | 2011-06-08 | 2011-10-19 | 浙江东晶光电科技有限公司 | 一种量子阱发光管外延片及其生长方法 |
| CN103238222A (zh) * | 2010-12-02 | 2013-08-07 | 昭和电工株式会社 | 发光二极管、发光二极管灯和照明装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4332407B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2009-09-16 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
-
2015
- 2015-12-31 CN CN201511034721.5A patent/CN105489719B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103238222A (zh) * | 2010-12-02 | 2013-08-07 | 昭和电工株式会社 | 发光二极管、发光二极管灯和照明装置 |
| CN102222742A (zh) * | 2011-06-08 | 2011-10-19 | 浙江东晶光电科技有限公司 | 一种量子阱发光管外延片及其生长方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105489719A (zh) | 2016-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101488548B (zh) | 一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED | |
| KR101342664B1 (ko) | 자외선 발광소자 | |
| CN105489719B (zh) | 一种带应变调和多量子阱结构的红外发光二极管 | |
| CN101488550B (zh) | 高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法 | |
| CN103296165B (zh) | 一种可调控能带的led量子阱结构 | |
| CN107230738B (zh) | 具有超晶格隧穿结的发光二极管外延结构及其制备方法 | |
| KR20130106690A (ko) | 백색 발광 다이오드 | |
| KR20110046017A (ko) | 발광 소자 | |
| CN105206726A (zh) | 一种led结构及其生长方法 | |
| KR100380536B1 (ko) | 터널접합 구조를 가지는 질화물반도체 발광소자 | |
| CN209183567U (zh) | 具有双层布拉格反射层的深紫外led外延结构及器件 | |
| CN104300058B (zh) | 一种含掺杂宽势垒结构的黄绿光led | |
| CN105514232A (zh) | 一种发光二极管外延片、发光二极管及外延片的制作方法 | |
| CN105633226A (zh) | 一种具有双结的红外光发光二极管 | |
| CN104465910A (zh) | 一种与ZnO薄膜高效匹配的LED芯片结构及其制作方法 | |
| CN105355736B (zh) | 一种具有量子点p区结构的紫外发光二极管 | |
| CN106098880A (zh) | 一种新型p区结构的紫外发光二极管 | |
| KR100330228B1 (ko) | 2차원 전자가스층을 갖는 양자구조의 질화물 반도체 발광소자의제작방법 | |
| CN112219286A (zh) | 一种用于多结led的隧穿结、多结led及其制备方法 | |
| CN105702829B (zh) | 具有p-型欧姆接触层的发光二极管外延结构 | |
| CN106486573A (zh) | 一种高空穴注入效率的led外延结构 | |
| CN204966527U (zh) | 高空穴注入效率的led外延结构 | |
| CN105870227B (zh) | 红外发光二极管 | |
| CN102931302B (zh) | 一种蓝绿光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN105405947B (zh) | 新型发光二极管外延片及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |