CN105472233B - 光场采集控制方法和装置、光场采集设备 - Google Patents

光场采集控制方法和装置、光场采集设备 Download PDF

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Abstract

本申请实施例公开了一种光场采集控制方法和装置以及一种光场采集设备，其中一种光场采集控制方法包括：确定光场相机的子透镜阵列中影响第一区的光场采集的至少一个子透镜，所述第一区为待摄场景的局部；根据所述至少一个子透镜确定所述光场相机的图像传感器的待调整区；调整所述图像传感器的像素密度分布，以使所述待调整区的平均像素密度分布异于所述图像传感器的其他区的平均像素密度分布；经调整后的所述图像传感器进行所述待摄场景的光场采集。本申请实施例提供的技术方案，在充分利用所述图像传感器的整体像素进行光场采集的同时提高光场采集效率，可更好满足用户多样化的实际应用需求。

Description

光场采集控制方法和装置、光场采集设备
技术领域
本申请涉及光场采集技术领域，特别是涉及一种光场采集控制方法和装置以及一种光场采集设备。
背景技术
光场相机是一种利用子透镜阵列来记录和再现三维场景的成像技术，其通常是在主透镜和如CCD等图像传感器之间放置一子透镜阵列，通过子透镜阵列将三维场景不同方向的光场信息在子透镜阵列的焦平面上进行记录。
与传统相机的二维图像采集方式不同，光场相机通过单次曝光可以记录三维场景的空间、视角等四维光场信息，支持“先拍摄后调焦”(即拍摄时不需要对焦)，通过对拍摄后的图像进行处理即可以生成丰富的图像效果，可满足例如数字重对焦、视角变化、深度图像、三维重构等多种成像应用。然而，光场相机虽然增加了单次曝光成像的上述灵活性，但是其是通过损失图像的空间分辨率来记录物体光线的视角方向信息，因此，基于光场相机拍摄三维场景时，拍摄得到的图像的空间分辨率会被大幅度地降低。
发明内容
在下文中给出了关于本申请的简要概述，以便提供关于本申请的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本申请的穷举性概述。它并不是意图确定本申请的关键或重要部分，也不是意图限定本申请的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
本申请提供一种光场采集控制方法和装置以及一种图像采集设备。
一方面，本申请实施例提供了一种光场采集控制方法，包括：
确定光场相机的子透镜阵列中影响第一区的光场采集的至少一个子透镜，所述第一区为待摄场景的局部；
根据所述至少一个子透镜确定所述光场相机的图像传感器的待调整区；
调整所述图像传感器的像素密度分布，以使所述待调整区的平均像素密度分布异于所述图像传感器的其他区的平均像素密度分布；
经调整后的所述图像传感器进行所述待摄场景的光场采集。
另一方面，本申请实施例还提供了一种光场采集控制装置，包括：
一子透镜确定模块，用于确定光场相机的子透镜阵列中影响第一区的光场采集的至少一个子透镜，所述第一区为待摄场景的局部；
一待调整区确定模块，用于根据所述至少一个子透镜确定所述光场相机的图像传感器的待调整区；
一像素密度分布调整模块，用于调整所述图像传感器的像素密度分布，以使所述待调整区的平均像素密度分布异于所述图像传感器的其他区的平均像素密度分布；
一光场采集模块，用于经调整后的所述图像传感器进行所述待摄场景的光场采集。
再一方面，本申请实施例提供了一种光场采集设备，包括一光场相机和一上述的光场采集控制装置，所述光场采集控制装置与所述光场相机连接。
本申请实施例提供的技术方案，根据光场相机的子透镜阵列中影响待摄场景的第一区光场采集的至少一个子透镜确定图像传感器的待调整区，通过调整所述图像传感器的像素密度分布，使得所述待调整区的平均像素密度分布异于所述图像传感器的其他区的平均像素密度分布，即调整后的所述图像传感器的像素密度分布不均匀，经调整后的所述图像传感器进行所述待摄场景的光场采集时，所述图像传感器记录的所述待摄场景不同区域的光场信息并不均匀，由此在充分利用所述图像传感器的整体像素进行光场采集的同时提高光场采集效率，可更好满足用户多样化的实际应用需求。
通过以下结合附图对本申请的可选实施例的详细说明，本申请的这些以及其它的优点将更加明显。
附图说明
本申请可以通过参考下文中结合附图所给出的描述而得到更好的理解，其中在所有附图中使用了相同或相似的附图标记来表示相同或者相似的部件。所述附图连同下面的详细说明一起包含在本说明书中并且形成本说明书的一部分，而且用来进一步举例说明本申请的可选实施例和解释本申请的原理和优点。在附图中：
图1a为本申请实施例提供的一种光场采集控制方法的流程图；
图1b为本申请实施例提供第一种像素密度可调的图像传感器的结构示意图；
图1c为本申请实施例提供第二种像素密度可调的图像传感器的结构示意图；
图1d为本申请实施例提供第三种像素密度可调的图像传感器的结构示意图；
图1e为本申请实施例提供第四种像素密度可调的图像传感器的结构示意图；
图1f为本申请实施例提供图像传感器在不均匀光场激励情形时进行像素密度调整的场景示例；
图1g为本申请实施例提供第五种像素密度可调的图像传感器的结构示意图；
图1h为本申请实施例提供第六种像素密度可调的图像传感器的结构示意图；
图1i为本申请实施例提供第七种像素密度可调的图像传感器的结构示意图；
图1j为本申请实施例提供第八种像素密度可调的图像传感器的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的一种光场相机的可选光路结构示意图；
图3为本申请实施例提供的图像传感器的待调整区的目标像素密度分布的可选示例；
图4为本申请实施例提供的第一种光场采集控制装置的逻辑框图；
图5为本申请实施例提供的第二种光场采集控制装置的逻辑框图；
图6为本申请实施例提供的第三种光场采集控制装置的逻辑框图；
图7为本申请实施例提供的第四种光场采集控制装置的逻辑框图；
图8为本申请实施例提供的一种光场采集设备的逻辑框图。
本领域技术人员应当理解，附图中的元件仅仅是为了简单和清楚起见而示出的，而且不一定是按比例绘制的。例如，附图中某些元件的尺寸可能相对于其他元件放大了，以便有助于提高对本申请实施例的理解。
具体实施方式
在下文中将结合附图对本申请的示范性实施例进行详细描述。为了清楚和简明起见，在说明书中并未描述实际实施方式的所有特征。然而，应该了解，在开发任何这种实际实施例的过程中必须做出很多特定于实施方式的决定，以便实现开发人员的具体目标，例如，符合与系统及业务相关的那些限制条件，并且这些限制条件可能会随着实施方式的不同而有所改变。此外，还应该了解，虽然开发工作有可能是非常复杂和费时的，但对得益于本公开内容的本领域技术人员来说，这种开发工作仅仅是例行的任务。
在此，还需要说明的一点是，为了避免因不必要的细节而模糊了本申请，在附图和说明中仅仅描述了与根据本申请的方案密切相关的装置结构和/或处理步骤，而省略了对与本申请关系不大的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。
下面结合附图(若干附图中相同的标号表示相同的元素)和实施例，对本申请的具体实施方式作进一步详细说明。以下实施例用于说明本申请，但不用来限制本申请的范围。
本领域技术人员可以理解，本申请中的“第一”、“第二”等术语仅用于区别不同步骤、设备或模块等，既不代表任何特定技术含义，也不表示它们之间的必然逻辑顺序。
本申请发明人在实践本申请实施例的过程中发现，通常基于光场相机进行待摄场景的光场采集时，图像传感器的像素均匀分布，基于该图像传感器采集得到的该场景不同区域的光场的图像空间分辨率相同。然而在某些场景下，该场景的不同区域通常对用户而言具有不同的意义和/或重要性，即用户对待摄场景不同区域的成像质量要求不尽相同。例如：在人物拍摄场景下，用户对场景中人脸的感兴趣程度要高于场景中的景物，故对人脸成像的图像空间分辨率等要求较高；等等。为此，本申请实施例提供了一种光场采集控制方法，可充分利用光场相机的图像传感器的整体像素来差异化采集待摄场景不同区域的光场信息，得到图像清晰度差异化分布的多幅视差图像，由此更好满足用户多样化的应用需求。下面结合附图进一步说明技术方案。
图1a为本申请实施例提供的一种光场采集控制方法的流程图。本申请实施例提供的光场采集控制方法的执行主体可为某一光场采集控制装置，所述光场采集控制装置可在但不限于拍照、摄像、摄影、视频监控等应用过程中通过执行该光场采集控制方法进行静态或动态的光场采集控制。所述光场采集控制装置的设备表现形式不受限制，例如所述光场采集控制装置可为某一独立的部件，该部件与光场相机配合通信；或者，所述光场采集控制装置可作为某一功能模块集成在一包括有光场相机的图像采集设备中，本申请实施例对此并不限制。
具体如图1a所示，本申请实施例提供的一种光场采集控制方法包括：
S101：确定光场相机的子透镜阵列中影响第一区的光场采集的至少一个子透镜，所述第一区为待摄场景的局部。
所述光场相机通常包括依次设置的主透镜、子透镜阵列和图像传感器，所述子透镜阵列包括多个阵列分布的子透镜。所述待摄场景为三维场景。来自所述待摄场景不同物点的不同方向光线经主透镜汇聚到所述子透镜阵列的至少一个子透镜上，经所述至少一个子透镜对主透镜汇聚的光线进行分离，分离的光线通过图像传感器进行光线强弱、方向等信息的记录，由此采集得到所述待摄场景多个视角方向的成像信息(即光场信息)，采集到的光场信息可表现为相互穿插排列的多幅视差图像。
在实际应用中，可根据实际需要确定所述待摄场景的局部为所述第一区，确定出所述子透镜阵列中影响所述第一区的光场采集的一个或多个子透镜。
S102：根据所述至少一个子透镜确定所述光场相机的图像传感器的待调整区。
在所述光场相机中，所述子透镜阵列的子透镜分布与图像传感器的成像区域之间可存在某种预先确定的对应关系，根据该对应关系可确定与至少一个子透镜对应的所述图像传感器的成像区域，确定的所述成像区域为所述待调整区。
S103：调整所述图像传感器的像素密度分布，以使所述待调整区的平均像素密度分布异于所述图像传感器的其他区的平均像素密度分布。
本申请实施例中的图像传感器为像素密度可调的图像传感器，可包括但不限于柔性图像传感器，所述柔性图像传感器包括柔性衬底以及在所述柔性衬底上形成的多个图像传感器像素，其中所述柔性衬底在满足一定条件时可以发生伸缩、弯曲等变化来调整其像素密度分布。结合所述图像传感器像素密度分布可调的这一特性，本申请实施例对所述图像传感器的像素密度分布进行调整，使得所述图像传感器的所述待调整区的平均像素密度异于所述图像传感器的其他区的平均像素密度。本申请实施例的所述“异于”即“不同于”，包括“大于”或“小于”，也就是说，调整所述图像传感器的像素密度分布，使得所述图像传感器的所述待调整区的平均像素密度大于所述图像传感器的其他区的平均像素密度，或者，所述图像传感器的所述待调整区的平均像素密度小于所述图像传感器的其他区的平均像素密度。
S104：经调整后的所述图像传感器进行所述待摄场景的光场采集。
本申请实施例提供的技术方案，根据光场相机的子透镜阵列中影响待摄场景的第一区光场采集的至少一个子透镜确定图像传感器的待调整区，通过调整所述图像传感器的像素密度分布，使得所述待调整区的平均像素密度分布异于所述图像传感器的其他区的平均像素密度分布，即调整后的所述图像传感器的像素密度分布不均匀，经调整后的所述图像传感器进行所述待摄场景的光场采集时，所述图像传感器记录的所述待摄场景不同区域的光场信息并不均匀，不妨以所述图像传感器的所述待调整区的平均像素密度大于所述图像传感器的其他区的平均像素密度的情形为例，该情形下所述图像传感器记录的所述待摄场景中的所述第一区的光场信息相对所述待摄场景中的其他区的光场信息较为丰富，对应所述第一区的成像的图像空间分辨率也较高，由此在充分利用所述图像传感器的整体像素进行光场采集的同时提高光场采集效率，可更好满足用户多样化的实际应用需求。
可选的，本申请实施例提供的技术方案中，所述光场采集控制方法还可包括：确定所述第一区。该方案可根据实际需要预先确定当前待摄场景的局部(如图像空间分辨率要求较高的区域，或者，图像空间分辨率要求较低的区域)为所述第一区，可更好满足用户个性化的应用需求。
所述第一区的确定方式非常灵活，本申请实施例对此并不限制。一种可选的实现方式中，可根据所述光场相机获取的所述待摄场景任一视角的预览图像确定所述第一区。所述光场相机通常包括有一取景器来显示当前待摄场景某一视角的预览图像，该方案基于所述预览图像确定所述第一区，可提高用户使用的方便性。
基于所述预览图像确定所述第一区的具体实现方式也非常灵活。
例如，可根据所述预览图像的感兴趣区(Region of Interest，简称ROI)信息确定所述第一区，即：可获取所述预览图像的感兴趣区确定信息；根据所述感兴趣区确定信息确定所述第一区。所述感兴趣区可包括但不限于以下一种或多种：用户选择的所述预览图像的至少一个区域(即所述预览图像的用户选择区)、用户注视的所述预览图像的至少一个区域(即所述预览图像的用户注视区)、光场采集设备对所述预览图像自动检测得到的感兴趣区。该方案根据所述预览图像的感兴趣区确定待摄场景中与之对应的局部为所述第一区，或者，确定所述待摄场景中与之不对应的局部为所述第一区，使得所述第一区的确定与实际用户需求更为吻合，可更好满足用户个性化的应用需求。
又例如，可根据所述预览图像的图像分析结果自动确定所述第一区，即：对所述预览图像进行图像分析；根据所述预览图像的图像分析结果确定所述第一区。一种可选的场景中，可对所述预览图像进行人脸识别，根据识别结果将人脸区确定为该待采集图像的所述第一区。该方案可根据所述预览图像的图像分析结果确定待摄场景中与之对应的区域为所述第一区，使得所述第一区的确定更为智能，提高所述第一区确定的效率和普适性。
接下来结合光场相机的一种可选的结构为例进一步说明。如图2所示，光场相机包括：包括依次设置的主透镜、子透镜阵列和图像传感器；所述子透镜阵列包括多个阵列分布的子透镜，各所述子透镜的焦距相同；所述图像传感器与所述子透镜阵列的距离等于所述子透镜的焦距。基于该光场相机采集待摄场景某一视角的图像(如所述预览图像)的空间分辨率与所述子透镜阵列的子透镜分布对应，每个子透镜对应所述图像传感器的某一成像单元，通过该成像单元记录该子透镜对来自所述待摄场景的某部的不同方向的光线信息。也即，该光场相机中，所述预览图像的像素分布与所述子透镜阵列的子透镜分布之间存在一一对应的关系(以下称为“第一映射关系”)，所述子透镜阵列的子透镜分布与所述图像传感器成像区域分布之间存在一一对应的关系(以下称为“第二映射关系”)。
例如，假设所述子透镜阵列包括M×N个子透镜，所述图像传感器的分辨率为A×B，则所述图像传感器A×B个像素划分为M×N个成像区域(A大于M，B大于N)，每个成像区域与一子透镜对应，用于记录该子透镜分离的光线的光场信息，包括光线的强弱、视角方向等信息。该光场相机对待摄场景的预览图像通常为图像传感器记录的该场景某一视角的成像，所述预览图像的空间分辨率与子透镜阵列的子透镜分布对应，为M×N。
因此，根据所述预览图像、所述第一映射关系和所述第二映射关系，可确定所述第一区、影响所述第一区的光场采集的子透镜、所述图像传感器的待调整区等信息。具体而言，在确定影响所述第一区的光场采集的至少一个子透镜的实现方式中，可根据所述预览图像的像素分布与所述子透镜阵列的子透镜分布之间的所述第一映射关系，确定所述预览图像中与所述第一区对应的子图像包括的像素所对应的所述至少一个子透镜。相应的，在确定所述图像传感器的待调整区的实现方式中，可根据所述子透镜阵列的子透镜分布与所述图像传感器成像区域分布之间的所述第二映射关系，确定与所述图像传感器中与所述至少一个子透镜对应的成像区域为所述待调整区。上述方案简单易实现，提高了用户使用的方便性。
需要说明的是，如图2所示的光场相机结构仅为本申请实施例可基于的一种可选的光场相机结构，不应理解为对本申请实施例技术方案实质的限制。
在确定所述图像传感器的所述待调整区之后，可调整所述图像传感器的像素密度分布。所述图像传感器的像素密度分布的调整方式可根据实际需要确定，本申请实施例对此并不限制。
可选的，至少根据所述待调整区确定所述图像传感器的目标像素密度分布信息，确定的所述目标像素密度分布信息中对应所述待调整区的平均目标像素密度异于对应所述图像传感器的其他区的平均目标像素密度；根据确定的所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布。其中，所述图像传感器的目标像素密度分布信息通常用来表征用户或设备对待摄场景不同区域的图像清晰度的相对预期。例如：对所述待摄场景的图像清晰度预期高的区域(如所述第一区)，所述图像传感器对应影响所述第一区光场采集的至少一个子透镜的成像区域的目标像素密度较大，以实现对该区域的光场的较高分辨率采集；而对所述待摄场景中除了所述第一区之外的其他区域可适当降低图像质量清晰度的要求，所述图像传感器对应影响所述其他区光场采集的至少一个子透镜的成像区域的目标像素密度较小，对所述其他区的光场可采用降采样的方式采集。如此使得所述图像传感器对应所述待摄场景不同区域光场采集的各成像区域的目标像素密度存在差异。该方案根据所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布，使得调整后的所述图像传感器的像素密度分布与所述目标像素密度分布信息对应，或者，使得调整后所述图像传感器的像素密度分布尽可能接近所述目标像素密度分布信息，由此更好满足用户的实际应用需求。这样，经调整后的所述图像传感器对所述待摄场景进行光场采集，可充分利用所述图像传感器的整体像素使得采集的得到光场图像中，对应所述待摄场景的不同区域的子图像的空间分辨率存在差异化分布，对应用户或设备较为感兴趣的区域的子图像的空间分辨率较高，由此提高了光场采集效率和成像效果，改善了用户体验。
进一步，可选的，至少根据所述待调整区确定所述目标像素密度分布信息，包括：根据所述至少一个子透镜的视角集确定至少一个视角；根据子透镜的视角与所述图像传感器的成像子区域的第三映射关系，确定所述待调整区中与所述至少一个视角对应的成像子区域为待调整子区；根据所述待调整区和所述待调整子区确定所述目标像素密度分布信息，确定的所述目标像素密度分布信息中对应所述待调整区的平均目标像素密度大于对应所述图像传感器的其他区的平均目标像素密度、且对应所述待调整子区的平均目标像素密度异于所述待调整区的其他子区的平均目标像素密度。
在基于光场相机进行待摄场景的光场采集过程中，待摄场景的某区(或称为某物点)的光场信息是由子透镜阵列中影响该区光场采集的子透镜对应的图像传感器的成像区域记录的，该成像区域不仅记录了该区的光线强弱分布信息，还记录了该区不同视角的光线方向信息，相当于在该成像区域上形成了待摄场景该区不同视角的多幅子图像。例如，对于所述图像传感器的所述待调整区而言，所述待调整区可分为多个子区(以下称为“待调整子区”)，每个待调整子区记录所述待摄场景某区某个视角的光线强弱等信息。所述图像传感器记录的光线方向信息越多，光场采集获得的图像的角度分辨率越大，这样，基于光场采集结果后续进行重对焦处理的粒度也越为精细。例如，每个子透镜对应的所述图像传感器的成像单元记录了待摄场景某区某方向(如水平方向和/或垂直方向)±5°的光线方向信息，则该成像单元的不同像素分别记录了待摄场景相同区相应方向0°(也称为正视角)、±1°、±2°、±3°、±4°、±5°等多幅不同视角的视差子图像。在光场采集数据的后续处理中，根据相应视角的子图像可生成该视角的清晰对焦图像，以在拍摄后获取不同视角的重对焦图像。
本申请发明人在实践本申请实施例过程中发现，通常基于光场相机进行待摄场景的光场采集时，图像传感器对应各子透镜的成像区域的像素均匀分布，基于该图像传感器的不同成像单元采集得到的该场景某区的视差图像的角度分辨率也相同。然而在某些场景下，该场景的相同区域的不同视角通常对用户而言具有不同的意义和/或重要性，即用户对待摄场景相同区域的不同视角的成像质量要求不尽相同。例如：在停车场拍摄场景下，用户或设备对车牌区的感兴趣程度高于其他区，即便对于车牌区，对车牌区的正视角(0°)成像质量要求相对视角的成像质量要求较高；等等。为此，该方案确定所述待调整区中与影响待摄场景某区光场采集的至少一个子透镜的视角集中确定的至少一个视角所对应的成像子区域为待调整子区；根据所述待调整区和所述待调整子区确定所述目标像素密度分布信息，据此进行所述图像传感器的像素密度分布调整，使得调整后所述图像传感器的所述待调整区的平均像素密度异于(如大于)所述图像传感器的其他区的平均像素密度、且所述待调整子区的平均像素密度异于(如大于)所述待调整区的其他子区的平均像素密度，调整后所述待调整区的像素密度的可选分布如图3所示。这样，经调整后的所述图像传感器对所述待摄场景进行光场采集，在可实现上述技术方案技术效果的基础上，还可使得光场采集图像对应所述待摄场景的相同区域的不同视角的空间分辨率存在差异化分布，对于待摄场景中用户或设备感兴趣的区域的一个或多个视角的成像区域，分配更多的像素来记录相应视角更为丰富的光场信息，由此提高这些视角对应的子图像的角度分辨率，，由此提高光场采集效率和成像效果，更好满足用户的实际应用需求，改善用户体验。
本申请实施例在获取所述图像目标像素密度分布信息之后，可根据所述目标像素密度分布信息调整图像传感器的像素密度分布，调整后所述图像传感器局部成像区域的像素密度大而局部成像区域的像素密度小，和/或，对于所述图像传感器的同一成像区域而言，该成像区域对应部分视角的局部子区的像素密度大而对应其他视角的局部子区的像素密度小(在容许调节范围下，甚至可将局部子区的像素密度调整为0，即不记录这些视角的光场信息等)。实际应用中，对所述图像传感器的像素密度分布的调整方式可根据实际需要选择，本申请实施例对此并不限制。一种可选的实现方式，根据所述目标像素密度分布信息确定可控变形材料部的形变控制信息；根据所述形变控制信息控制所述可控变形材料部发生形变，以通过所述可控变形材料部的形变相应调整所述图像传感器的像素密度分布。该方案通过控制可控变形材料部的形变来调整所述图像传感器的像素分布，方案简单易实现。
所述可控变形材料部即为通过改变作用其上的某外部作用因素(如外场)可使其发生形变，在作用其上的外场撤销或改变时，该可控变形材料部的形变可以恢复。
图1b为本申请实施例提供一种像素密度可调的图像传感器的结构示意图。如图1b所示，本申请实施例提供的像素密度可调的图像传感器包括：多个图像传感器像素11和一可控变形材料部12，其中，图像传感器通过图像传感器像素11进行图像采集，多个图像传感器像素11呈阵列分布，可控变形材料部12分别与多个图像传感器像素11连接；可控变形材料部12在外场作用下可发生形变、并通过可控变形材料部12的形变相应调整多个图像传感器像素11的密度分布。
本申请实施例提供的技术方案中，所述可控变形材料部为通过改变该可控变形材料部上的某外场作用因素可使其发生形变，在某外场作用因素撤销或改变时，该可控变形材料部的形变可以恢复，所述外场可针对所述可控变形材料部的形变特性选择作用于其上的相应控制外场，例如所述外场包括但不限于外部电场、磁场、光场等等。图像传感器像素可包括但不限于至少一光电转换单元。各图像传感器像素与可控变形材料部之间可采用但不限于粘接等方式进行紧密连接，这样，当所述可控变形材料部发生形变，就会相应调整各图像传感器像素之间的间距，由此改变图像传感器像素的密度分布，达到可根据实际需要赋予图像传感器不同区域以差异化像素密度分布的效果。
实际应用中，可将不均匀分布的外场作用在所述可控变形材料部的不同区域，使得所述可控变形材料部不同部分区域发生不同程度的变形，由此调整图像传感器像素的整体密度分布。可选的，可将所述外场作用在所述可控变形材料部与多个所述图像传感器像素不重叠的区域，这样可使得所述可控变形材料部与所述图像传感器像素重叠的区域不发生形变，而是通过所述可控变形材料部的其他部分的形变来改变图像传感器像素的密度分布，该方案有利于避免因可控变形材料部的形变对所述图像传感器像素造成的损坏。
实际应用中，可根据需要选择合适的至少一种可控变形材料来制备所述可控变形材料部，以使所述可控变形材料部具有可变形且变形可恢复的特性。可选的，所述可控变形材料部至少由以下一种或多种可控变形材料制备而成：压电材料、电活性聚合物、光致形变材料、磁致伸缩材料。
所述压电材料可以因电场作用产生机械变形。采用所述压电材料制备的可控变形材料部以下称为压电材料部。利用所述压电材料的这一物理特性，本申请实施例可根据但不限于所述目标像素密度分布信息确定用于使压电材料部发生相应机械形变所需的电场控制信息，根据所述电场控制信息控制作用在压电材料部的电场，使得所述压电材料部发生相应的机械形变，通过所述压电材料部的机械形变相应调整图像传感器的像素密度分布，由此达到根据所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布的目的。所述压电材料可包括但不限于以下至少之一：压电陶瓷、压电晶体。该方案可充分利用压电材料的物理特性来调整图像传感器的像素密度分布。
所述电活性聚合物(Electroactive Polymers，简称EAP)是一类能够在电场作用下改变其形状或大小的聚合物材料。采用所述电活性聚合物制备的可控变形材料部以下称为电活性聚合物部。利用所述电活性聚合物的这一物理特性，本申请实施例可根据但不限于所述目标像素密度分布信息确定用于使电活性聚合物部发生相应形变所需的电场控制信息，根据所述电场控制信息控制作用在电活性聚合物层的电场，使得所述电活性聚合物层发生相应的形变，通过所述电活性聚合物层的形变相应调整图像传感器的像素密度分布，由此达到根据所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布的目的。所述电活性聚合物可包括但不限于以下至少之一：电子型电活性聚合物、离子型电活性聚合物；所述电子型电活性聚合物包括以下至少之一：铁电体聚合物(如聚偏氟乙烯等)、电致伸缩接枝弹性体、液晶弹性体；所述离子型电活性聚合物包括以下至少之一：电流变液、离子聚合物-金属复合材料等。该方案可充分利用电活性聚合物的物理特性来调整图像传感器的像素密度分布。
所述光致形变材料是一类能够在光场作用下改变其形状或大小的高分子材料。采用所述光致形变材料制备的可控变形材料部以下称为光致形变材料部。利用所述光致形变材料的这一物理特性，本申请实施例可根据但不限于所述目标像素密度分布信息确定光致形变材料部发生相应形变所需的光场控制信息，根据所述光场控制信息控制作用在所述光致形变材料部的光场，使得所述光致形变材料部发生相应的形变。通过所述光致形变材料部的形变相应调整图像传感器的像素密度分布，由此达到根据所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布的目的。所述光致形变材料可包括但不限于以下至少之一：光致伸缩铁电陶瓷、光致形变聚合物；所述光致伸缩铁电陶瓷包括但不限于锆钛酸铅镧(PLZT)陶瓷，光致形变聚合物包括但不限于光致形变液晶弹性体)。该方案可充分利用光致形变材料的物理特性来调整图像传感器的像素密度分布。
所述磁致伸缩材料是一类能够在磁场作用下改变其磁化状态，进而使其尺寸发生变化的磁性材料。采用所述磁致形变材料制备的可控变形材料部以下称为磁致形变材料部。利用所述磁致伸缩材料的这一物理特性，本申请实施例可根据但不限于所述目标像素密度分布信息确定磁致伸缩材料发生相应形变所需的磁场控制信息，根据所述磁场控制信息控制作用在所述磁致形变材料部的磁场，使得所述磁致形变材料部发生相应的形变。通过所述磁致形变材料部的形变相应调整图像传感器的像素密度分布，由此达到根据所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布的目的。所述磁致形变材料可包括但不限于稀土超磁致伸缩材料，如以(Tb,Dy)Fe2化合物为基体的合金Tbo0.3Dy0.7Fe1.95材料等。该方案可充分利用磁致形变材料的物理特性来调整图像传感器的像素密度分布。
本申请实施例提供的技术方案中，各图像传感器像素和可控变形材料部的具体结构和连接方式可根据实际需要确定，实际方式非常灵活。
一种可选的实现方式，如图1b所示，所述可控变形材料部12包括：一可控变形材料层121，多个所述图像传感器像素11阵列分布且连接在所述可控变形材料层121的一面。可选的，可根据实际工艺条件选择将多个所述图像传感器像素直接形成于所述可控变形材料层12上，或者，多个所述图像传感器像素与所述可控变形材料层12可分别制备且二者可采用但不限于粘接的方式紧密连接。该方案结构简单、易实现。
另一种可选的实现方式，如图1c所示，所述可控变形材料部12包括多个可控变形材料连接子部122，多个所述可控变形材料连接子部122阵列分布，以对应连接阵列分布的多个所述图像传感器像素11，即阵列分布的多个所述图像传感器像素通过阵列分布的多个所述可控变形材料连接子部连接为一体。可选的，可根据实际工艺在图像传感器像素阵列的像素的间隔区域形成多个所述可控变形材料连接子部，多个所述可控变形材料连接子部与相应图像传感器像素可以采用但不限于抵接、粘接等方式连接。通过控制多个所述可控变形材料连接子部的形变即可调整图像传感器像素的密度分布，结构简单，易实现。
进一步，如图1d和图1e所示，所述图像传感器还可包括：形变控制部13，形变控制部13用于调节作用到所述可控变形材料部12的所述外场的分布，以控制所述可控变形材料部12发生相应的形变，这样，当所述可控变形材料部12发生形变，就会相应调整各图像传感器像素11之间的间距，由此改变图像传感器像素11的密度分布，达到可根据实际需要赋予图像传感器不同区域以差异化像素密度分布的效果。
可选的，如图1d所示，所述形变控制部可包括光场控制部131，光场控制部131用于调节作用到所述可控变形材料部12的外部光场分布，以控制所述可控变形材料部12发生相应的形变。该情形下，所述可控变形材料部12可包括至少由光致形变材料制备而成的光致形变材料部，如所述光致形变材料部可包括至少由所述光致形变材料制备而得的光致形变材料层，或者，所述可控变形材料部可包括至少由所述光致形变材料制备而得的多个光致形变材料连接子部。光场控制部131通过改变作用在所述光致形变材料部的光场分布(图1d中通过箭头疏密表示作用在所述可控变形材料部12不同强度分布的光场)，来激励所述可控变形材料部12的不同区域发生不同程度的形变，并通过所述可控变形材料部12的形变相应各图像传感器像素11之间的间距，由此改变图像传感器像素11的密度分布，达到可根据实际需要赋予图像传感器不同区域以差异化像素密度分布的效果。
可选的，如图1e所示，所述形变控制部可包括电场控制部132，电场控制部132用于调节作用到所述可控变形材料部的外部电场分布，以控制所述可控变形材料部发生相应的形变。该情形下，所述可控变形材料部12可包括至少由压电材料制备而成的压电材料部(如压电材料层或者压电材料连接子部，等等)，或者，所述可控变形材料部12可包括至少由电活性聚合物制备而成的电活性聚合物部(如电活性聚合物层或者电活性聚合物连接子部，等等)。如图1e所示，可通过控制线连接电场控制部和可控变形材料，电场控制部132通过改变作用在所述可控变形材料部的电场分布，来激励所述可控变形材料部12的不同区域发生不同程度的形变。如果作用在所述可控变形材料部12电场为零电场，则所述可控变形材料部不发生形变(不妨称为零电场激励)；如果改变作用在所述可控变形材料部12的电场强弱分布(如图中所示的“+”正电场激励和“-”负电场激励)，使得作用在所述可控变形材料部12不同区域的电场强度有所差异，如图1f所示，这样，所述可控变形材料部的不同区域可发生不同程度的形变，并通过所述可控变形材料部12的形变相应调整各图像传感器像素11之间的间距，由此改变图像传感器的整体像素密度分布，达到可根据实际需要赋予图像传感器不同区域以差异化像素密度分布的效果。
本申请实施例中所述可控变形部与形变控制部可直接连接，也可间接连接。所述形变控制部可作为所述图像传感器的一部分，或者，所述形变控制部也可不作为所述图像传感器的一部分，所述图像传感器也可预留管脚、接口等方式与所述形变控制部连接。作用在所述可控变形材料部上的外场可包括但不限于电场、磁场、光场等。用于产生电场的硬件、软件结构，用于产生磁场的硬件、软件结构、以及用于产生光场的硬件、软件结构等，可根据实际需要采用相应的现有技术实现，本申请实施例在此不再赘述。
可选的，所述图像传感器还可包括柔性衬底，所述柔性衬底可包括但不限于柔性塑料衬底，其具有一定的柔性，可根据需要改变柔性衬底的形状。图像传感器像素、可控变形材料部可设柔性衬底的同侧或不同侧。例如：如图1g所示，多个所述图像传感器像素11连接于柔性衬底14的一面，可控变形材料部(如可控变形材料层121)连接于柔性衬底14的另一面。又例如：如图1h所示，多个所述图像传感器像素11连接于柔性衬底14的一面，可控变形材料部(如可控变形材料连接子部122)连接相应的图像传感器像素且与所述图形传感器像素11位于所述柔性衬底14的同一面。该方案不仅可以通过作用在可控变形材料部的外场控制其发生形变来间接调整图像传感器的整体像素密度分布，实现图像传感器的像度密度可调，还可因其采用了柔性衬底灵活改变图像传感器的形状，如将平面的图像传感器弯曲一定角度以得到曲面的图像传感器，由此满足多样化图像采集、装饰等应用需求。
图1i为本申请实施例提供第七种像素密度可调的图像传感器的结构示意图。如图1i所示的图像传感器中，所述可控变形材料部12包括：柔性衬底123和多个导磁材料部124；多个图像传感器像素11分别与柔性衬底123连接，至少部分图像传感器像素11上连接有多个导磁材料部124，通过改变作用在导磁材料部124的磁场使柔性衬底123发生相应形变、并通过所述形变相应调整多个所述图像传感器像素11的密度分布。例如：可在每个图像传感器像素的侧面设置一导磁材料部124，可选的，图像传感器像素11分别与柔性衬底123和导磁材料部124粘接。所述导磁材料部可包括导磁材料制备的磁极，所述导磁材料可以但不限于使用软磁性材料、硅钢片，坡莫合金，铁氧体，非晶态软磁合金、超微晶软磁合金等中的一种或多种。采用软磁性材料作制备的所述导磁材料部导磁性能较好，磁场撤销后剩磁很小便于下一次调整。
进一步，可选的，本申请实施例所述的形变控制部13还可包括：磁场控制部133，磁场控制部133用于调节作用到所述可控变形材料部的外部磁场分布，以控制所述可控变形材料部发生相应的形变。例如，当磁场控制部133控制作用在导磁材料部124上的磁场(即激励磁场)发生变化时，如图1i所示的相邻图像传感器像素之间施加一定磁场强弱分布的同磁极(NN或SS)排斥磁场或异磁极(NS或SN)吸引磁场，磁极之间会相应产生排斥力或吸引力，该磁力作用传递到柔性衬底123使柔性衬底123发生伸缩等变形，进而导致相应图像传感器像素之间的间距发生改变，实现调整图像传感器像素密度分布的目的。该方案结合柔性衬底的可伸缩等形变特性以及磁场控制原理，实现图像传感器上的像素密度分布可调。
图1j为本申请实施例提供第八种像素密度可调的图像传感器的结构示意图。如图1j所示的图像传感器中，所述可控变形材料部12包括：柔性衬底123和多个导磁材料部124；多个导磁材料部124的一面分别与所述柔性衬底123连接，多个所述导磁材料部124的相对面分别对应连接多个所述图像传感器像素11，通过改变作用在所述导磁材料部124的磁场使所述柔性衬底11发生相应形变、并通过所述形变相应调整多个所述图像传感器像素11的密度分布。可选的，导磁材料部124与柔性衬底123粘接、图像传感器像素11与导磁材料部124粘接，当柔性衬底123发生当作用在导磁材料部124上的磁场发生变化时，磁力作用传递到柔性衬底123使柔性衬底123发生伸缩等变形，进而实现调整图像传感器像素密度分布的目的。该方案结合柔性衬底的可伸缩等形变特性以及磁场控制原理，实现图像传感器上的像素密度分布可调。
对所述图像传感器根据所述目标像素密度分布信息进行像素密度分布调整后，进行所述待摄场景的图像采集，在图像采集过程中，所述图像传感器的各图像传感器像素均参与了图像采集。由于所述图像传感器的像素密度分布已经根据所述图像目标像素密度分布信息进行了调整，且所述图像目标像素密度分布信息是根据所述待摄场景的目标景深信息确定，因此，根据调整后的所述图像传感器获取所述待摄场景的图像，获取的图像的不同区域的清晰度呈现出与目标像素密度分布信息相应的差异分布，相对所述目标景深信息需要清晰呈现的部分会有更多的像素参与图像采集，这部分的图像清晰度更高，细节更为丰富，提高了图像采集效率，而所述目标景深信息无需清晰呈现的部分则用相对较少的像素参与图像采集，该部分的图像较为模糊，由此整体上充分利用图像传感器的像素实现浅景深的图像效果，可更好满足用户多样化的应用需求。
本申请实施例根据像素密度分布调整后的所述图像传感器进行图像采集之后，可扫描输出采集得到的图像，例如：可获取所述图像传感器的像素索引信息；根据所述像素索引信息扫描输出获取的所述图像。其中，所述图像传感器的像素索引信息包括：所述图像传感器进行像素密度分布调整之前的各图像传感器像素的原始位置信息。采用某种扫描方式(逐行扫描、逐列扫描、隔行扫描，等等)按所述像素索引信息进行图像扫描输出，由于所述图像传感器在进行图像采集的过程中像素的实际位置信息和相应像素的索引信息存在一定偏差，因此，按所述像素索引信息进行图像扫描输出的图像相对于原始采集得到的图像而言是一显示比例异常的变形图像。该变形图像相对于原始采集得到的图像而言，对应像素密度大的区域在所述变形的图像中的尺寸相对于其在原始采集得到的图像中尺寸大，例如：基于所述图像传感器像素密度较大的区域采集头像部分，该情形下，经扫描输出得到的变形图像中所述头像部分大于原始采集得到的图像中所述头像部分，这样，用户就可以更方便看到其需要重点关注的部分，提高了图像展示的效率，改善用户的视觉体验。
如果需要得到相对预览图像显示比例不变的非变形图像，根据调整后所述图像传感器的像素位置信息扫描输出获取的所述图像，得到一与预览图像对应的正常显示比例的恢复图像。
本领域技术人员可以理解，在本申请具体实施方式的上述任一方法中，各步骤的序号大小并不意味着执行顺序的先后，各步骤的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请具体实施方式的实施过程构成任何限定。
图4为本申请实施例提供的第一种光场采集控制装置的逻辑框图。如图4所示，本申请实施例提供的一种光场采集控制装置包括：一子透镜确定模块41、一待调整区确定模块42、一像素密度分布调整模块43和一光场采集模块44。
子透镜确定模块41用于确定光场相机的子透镜阵列中影响第一区的光场采集的至少一个子透镜，所述第一区为待摄场景的局部。
待调整区确定模块42用于根据所述至少一个子透镜确定所述光场相机的图像传感器的待调整区。
像素密度分布调整模块43用于调整所述图像传感器的像素密度分布，以使所述待调整区的平均像素密度分布异于所述图像传感器的其他区的平均像素密度分布。所述“异于”即“不同于”，包括“大于”或“小于”，也就是说，调整所述图像传感器的像素密度分布，使得所述图像传感器的所述待调整区的平均像素密度大于所述图像传感器的其他区的平均像素密度，或者，所述图像传感器的所述待调整区的平均像素密度小于所述图像传感器的其他区的平均像素密度。
光场采集模块44用于经调整后的所述图像传感器进行所述待摄场景的光场采集。
本申请实施例提供的技术方案，根据光场相机的子透镜阵列中影响待摄场景的第一区光场采集的至少一个子透镜确定图像传感器的待调整区，通过调整所述图像传感器的像素密度分布，使得所述待调整区的平均像素密度分布异于所述图像传感器的其他区的平均像素密度分布，即调整后的所述图像传感器的像素密度分布不均匀，经调整后的所述图像传感器进行所述待摄场景的光场采集时，所述图像传感器记录的所述待摄场景不同区域的光场信息并不均匀，由此在充分利用所述图像传感器的整体像素进行光场采集的同时提高光场采集效率，可更好满足用户多样化的实际应用需求。
所述光场采集控制装置的设备表现形式不受限制，例如所述光场采集控制装置可为某一独立的部件，该部件与光场相机配合通信；或者，所述光场采集控制装置可作为某一功能模块集成在一包括有光场相机的图像采集设备中，本申请实施例对此并不限制。
可选的，如图5所示，所述光场采集控制装置还包括：一第一区确定模块45。第一区确定模块45用于确定所述第一区。该方案可根据实际需要确定所述待摄场景的局部为所述第一区，实现方式较为灵活。
可选的，所述第一区确定模块45包括：一第一区确定子模块451。第一区确定子模块451用于根据所述光场相机获取的所述待摄场景任一视角的预览图像确定所述第一区。该方案基于所述预览图像确定所述第一区，可提高用户使用的方便性。
可选的，所述第一区确定子模块451包括：一感兴趣区确定信息获取单元4511和一感兴趣区确定单元4512。感兴趣区确定信息获取单元4511用于获取所述预览图像的感兴趣区确定信息；感兴趣区确定单元4512用于根据所述感兴趣区确定信息确定所述第一区。该方案使得所述第一区的确定与实际用户需求更为吻合，可更好满足用户个性化的应用需求。
可选的，所述第一区确定子模块451包括：一图像分析单元4513和一区域确定单元4514。图像分析单元4513用于对所述预览图像进行图像分析；区域确定单元4514用于根据所述预览图像的图像分析结果确定所述第一区。该方案使得所述第一区的确定更为智能，提高所述第一区确定的效率和普适性。
可选的，如图2所示，所述光场相机包括依次设置的主透镜、子透镜阵列和图像传感器；所述子透镜阵列包括多个阵列分布的子透镜，各所述子透镜的焦距相同；所述图像传感器与所述子透镜阵列的距离等于所述子透镜的焦距。
对应上述光场相机结果，如图5所示，所述子透镜确定模块41包括：一子透镜确定子模块411。子透镜确定子模块411用于根据所述预览图像的像素分布与所述子透镜阵列的子透镜分布之间的第一映射关系，确定所述预览图像中与所述第一区对应的子图像包括的像素所对应的所述至少一个子透镜。所述待调整区确定模块42包括：一待调整区确定子模块421。待调整区确定子模块421用于根据所述子透镜阵列的子透镜分布与所述图像传感器成像区域分布之间的第二映射关系，确定与所述图像传感器中与所述至少一个子透镜对应的成像区域为所述待调整区。上述方案简单易实现，提高了用户使用的方便性。
可选的，所述像素密度分布调整模块43包括：一目标像素密度分布信息确定子模块431和一像素密度分布调整子模块432。目标像素密度分布信息确定子模块431用于至少根据所述待调整区确定所述图像传感器的目标像素密度分布信息，确定的所述目标像素密度分布信息中对应所述待调整区的平均目标像素密度异于对应所述图像传感器的其他区的平均目标像素密度。像素密度分布调整子模块432用于根据确定的所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布。该方案根据所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布，使得调整后的所述图像传感器的像素密度分布与所述目标像素密度分布信息对应，或者，使得调整后所述图像传感器的像素密度分布尽可能接近所述目标像素密度分布信息，由此更好满足用户的实际应用需求。
可选的，所述目标像素密度分布信息确定子模块431包括：一视角确定单元4311、一待调整子区确定单元4312和一目标像素密度分布信息确定单元4313。视角确定单元4311用于根据所述至少一个子透镜的视角集确定至少一个视角；待调整子区确定单元4312用于根据子透镜的视角与所述图像传感器的成像子区域的第三映射关系，确定所述待调整区中与所述至少一个视角对应的成像子区域为待调整子区；目标像素密度分布信息确定单元4313用于根据所述待调整区和所述待调整子区确定所述目标像素密度分布信息，确定的所述目标像素密度分布信息中对应所述待调整区的平均目标像素密度异于对应所述图像传感器的其他区的平均目标像素密度、且对应所述待调整子区的平均目标像素密度异于所述待调整区的其他子区的平均目标像素密度。这样，经调整后的所述图像传感器对所述待摄场景进行光场采集，在可实现上述技术方案技术效果的基础上，还可使得光场采集图像对应所述待摄场景的相同区域的不同视角的空间分辨率存在差异化分布，对于待摄场景中用户或设备感兴趣的区域的一个或多个视角的成像区域，分配更多的像素来记录相应视角更为丰富的光场信息，由此提高这些视角对应的子图像的角度分辨率，由此提高光场采集效率和成像效果，更好满足用户的实际应用需求，改善用户体验。
可选的，所述像素密度分布调整子模块432包括：一形变控制信息确定单元4321和一形变控制单元4322。形变控制信息确定单元4321用于根据所述目标像素密度分布信息确定可控变形材料部的形变控制信息；形变控制单元4322用于根据所述形变控制信息控制所述可控变形材料部发生形变，以通过所述可控变形材料部的形变相应调整所述图像传感器的像素密度分布。所述可控变形材料部即为通过改变作用其上的某外部作用因素(如外场)可使其发生形变，在作用其上的外场撤销或改变时，该可控变形材料部的形变可以恢复。可选的所述可控变形材料部至少由以下一种或多种可控变形材料制备而成：压电材料、电活性聚合物、光致形变材料、磁致伸缩材料。该方案通过控制可控变形材料部的形变来调整所述图像传感器的像素分布，方案简单易实现。
图7为本申请实施例提供的第四种光场采集控制装置的结构框图，本申请具体实施例并不对光场采集控制装置700的具体实现方式做限定。如图7所示，光场采集控制装置700可以包括：
处理器(Processor)710、通信接口(Communications Interface)720、存储器(Memory)730、以及通信总线740。其中：
处理器710、通信接口720、以及存储器730通过通信总线740完成相互间的通信。
通信接口720，用于与比如具有通信功能的设备、外部光源等通信。
处理器710，用于执行程序732，具体可以执行上述任一光场采集控制方法实施例中的相关步骤。
例如，程序732可以包括程序代码，所述程序代码包括计算机操作指令。
处理器710可能是一个中央处理器(Central Processing Unit，简称CPU)，或者是特定集成电路(Application Specific Integrated Circuit，简称ASIC)，或者是被配置成实施本申请实施例的一个或多个集成电路。
存储器730，用于存放程序732。存储器730可能包含随机存取存储器(RandomAccess Memory，简称RAM)，也可能还包括非易失性存储器(Non-volatile memory)，例如至少一个磁盘存储器。
例如，在一种可选的实现方式中，处理器710通过执行程序732可执行以下步骤：确定光场相机的子透镜阵列中影响第一区的光场采集的至少一个子透镜，所述第一区为待摄场景的局部；根据所述至少一个子透镜确定所述光场相机的图像传感器的待调整区；调整所述图像传感器的像素密度分布，以使所述待调整区的平均像素密度分布异于所述图像传感器的其他区的平均像素密度分布；经调整后的所述图像传感器进行所述待摄场景的光场采集。
在其他可选的实现方式中，处理器710通过执行程序732还可执行上述其他任一实施例提及的步骤，在此不再赘述。
程序732中各步骤的具体实现可以参见上述实施例中的相应步骤、模块、子模块、单元中对应的描述，在此不再赘述。所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的设备和模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程描述，在此不再赘述。
图8为本申请实施例提供的一种光场采集设备的逻辑框图。如图8所示，本申请实施例提供的一种光场采集设备80包括一光场相机81和一光场采集控制装置82，所述光场采集控制装置82与所述光场采集设备80连接。所述光场采集控制装置82的结构、工作原理描述可参见上文的相应实施例的记载，在此不再赘述。所述光场相机可包括但不限于具有拍照、摄影、摄像、视频监控等光场采集功能的设备，例如可为但不限于以下设备类型：照相机、手机、摄像头、摄影机、录像机，等等。
本申请实施例提供的技术方案，根据光场相机的子透镜阵列中影响待摄场景的第一区光场采集的至少一个子透镜确定图像传感器的待调整区，通过调整所述图像传感器的像素密度分布，使得所述待调整区的平均像素密度分布异于所述图像传感器的其他区的平均像素密度分布，即调整后的所述图像传感器的像素密度分布不均匀，经调整后的所述图像传感器进行所述待摄场景的光场采集时，所述图像传感器记录的所述待摄场景不同区域的光场信息并不均匀，由此在充分利用所述图像传感器的整体像素进行光场采集的同时提高光场采集效率，可更好满足用户多样化的实际应用需求。
可选的，所述图像传感器可采用上文所述的柔性图像传感器。或者，所述图像传感器还可包括：阵列分布的多个图像传感器像素；一可控变形材料部，分别与多个所述图像传感器像素连接；所述可控变形材料部在外场作用下可发生形变、并通过所述形变相应调整多个所述图像传感器像素的密度分布；所述外场由所述成像控制装置控制。
有关所述图像传感器的结构可参见图1b-图1j的相应记载，所述成像控制装置可直接控制所述外场来控制所述可控变形材料部的形变，进而调整所述图像传感器的像素密度分布；或者，所述成像控制装置可通过控制所述形变控制部来间接控制外场，使得所述可控变形材料部发生相应形变以相应调整所述图像传感器的像素密度分布；等等。所述图像传感器像素和所述变形材料部的物理连接方式，可根据实际需要确定，只要满足在所述变形材料部发生形变时可调整所述图像传感器的像素密度分布即可，本申请实施例对此并不限制，具体实现方式可参见上文的相应记载；所述光场相机的光路结构可参见图2及上文的相应记载，在此不再赘述。
在本申请上述各实施例中，实施例的序号和/或先后顺序仅仅便于描述，不代表实施例的优劣。对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。有关装置、设备或系统实施例的实施原理或过程的相关描述，可参见相应方法实施例的记载，在此不再赘述。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及方法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，简称ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，简称RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
在本申请的装置、方法、系统等实施例中，显然，各部件(系统、子系统、模块、子模块、单元、子单元等)或各步骤是可以分解、组合和/或分解后重新组合的。这些分解和/或重新组合应视为本申请的等效方案。同时，在上面对本申请具体实施例的描述中，针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。
应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、要素、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、要素、步骤或组件的存在或附加。
最后应说明的是：以上实施方式仅用于说明本申请，而并非对本申请的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本申请的范畴，本申请的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (26)

1.一种光场采集控制方法，其特征在于，包括：
确定光场相机的子透镜阵列中影响第一区的光场采集的至少一个子透镜，所述第一区为待摄场景的局部；
根据所述至少一个子透镜确定所述光场相机的图像传感器的待调整区；
利用所述图像传感器的伸缩、弯曲变化来调整所述图像传感器的像素密度分布，以使所述待调整区的平均像素密度分布异于所述图像传感器的其他区的平均像素密度分布；
经调整后的所述图像传感器进行所述待摄场景的光场采集。
2.根据权利要求1所述的光场采集控制方法，其特征在于，还包括：确定所述第一区。
3.根据权利要求2所述的光场采集控制方法，其特征在于，确定所述第一区包括：
根据所述光场相机获取的所述待摄场景任一视角的预览图像确定所述第一区。
4.根据权利要求3所述的光场采集控制方法，其特征在于，根据所述预览图像确定所述第一区，包括：
获取所述预览图像的感兴趣区确定信息；
根据所述感兴趣区确定信息确定所述第一区。
5.根据权利要求3所述的光场采集控制方法，其特征在于，根据所述预览图像确定所述第一区，包括：
对所述预览图像进行图像分析；
根据所述预览图像的图像分析结果确定所述第一区。
6.根据权利要求1-5任一所述的光场采集控制方法，其特征在于，所述光场相机包括依次设置的主透镜、子透镜阵列和图像传感器；所述子透镜阵列包括多个阵列分布的子透镜，各所述子透镜的焦距相同；所述图像传感器与所述子透镜阵列的距离等于所述子透镜的焦距。
7.根据权利要求6所述的光场采集控制方法，其特征在于，确定所述子透镜阵列中影响所述第一区的光场采集的所述至少一个子透镜，包括：
根据预览图像的像素分布与所述子透镜阵列的子透镜分布之间的第一映射关系，确定所述预览图像中与所述第一区对应的子图像包括的像素所对应的所述至少一个子透镜。
8.根据权利要求7所述的光场采集控制方法，其特征在于，根据所述至少一个子透镜确定所述图像传感器的待调整区，包括：
根据所述子透镜阵列的子透镜分布与所述图像传感器成像区域分布之间的第二映射关系，确定与所述图像传感器中与所述至少一个子透镜对应的成像区域为所述待调整区。
9.根据权利要求1-5、7-8任一所述的光场采集控制方法，其特征在于，调整所述图像传感器的像素密度分布，包括：
至少根据所述待调整区确定所述图像传感器的目标像素密度分布信息，确定的所述目标像素密度分布信息中对应所述待调整区的平均目标像素密度异于对应所述图像传感器的其他区的平均目标像素密度；
根据确定的所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布。
10.根据权利要求9所述的光场采集控制方法，其特征在于，至少根据所述待调整区确定所述目标像素密度分布信息，包括：
根据所述至少一个子透镜的视角集确定至少一个视角；
根据子透镜的视角与所述图像传感器的成像子区域的第三映射关系，确定所述待调整区中与所述至少一个视角对应的成像子区域为待调整子区；
根据所述待调整区和所述待调整子区确定所述目标像素密度分布信息，确定的所述目标像素密度分布信息中对应所述待调整区的平均目标像素密度异于对应所述图像传感器的其他区的平均目标像素密度、且对应所述待调整子区的平均目标像素密度异于所述待调整区的其他子区的平均目标像素密度。
11.根据权利要求10所述的光场采集控制方法，其特征在于，根据确定的所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布，包括：
根据所述目标像素密度分布信息确定可控变形材料部的形变控制信息；
根据所述形变控制信息控制所述可控变形材料部发生形变；
根据可控变形材料部的形变调整各图像传感器像素之间的间距，其中，所述图像传感器包括多个图像传感器像素和一个可控变形材料部；
根据所述各图像传感器像素之间的间距调整所述图像传感器的像素密度分布。
12.根据权利要求11所述的光场采集控制方法，其特征在于，所述可控变形材料部至少由以下一种或多种可控变形材料制备而成：压电材料、电活性聚合物、光致形变材料、磁致伸缩材料。
13.一种光场采集控制装置，其特征在于，包括：
一子透镜确定模块，用于确定光场相机的子透镜阵列中影响第一区的光场采集的至少一个子透镜，所述第一区为待摄场景的局部；
一待调整区确定模块，用于根据所述至少一个子透镜确定所述光场相机的图像传感器的待调整区；
一像素密度分布调整模块，用于利用所述图像传感器的伸缩、弯曲变化来调整所述图像传感器的像素密度分布，以使所述待调整区的平均像素密度分布异于所述图像传感器的其他区的平均像素密度分布；
一光场采集模块，用于经调整后的所述图像传感器进行所述待摄场景的光场采集。
14.根据权利要求13所述的光场采集控制装置，其特征在于，还包括：
一第一区确定模块，用于确定所述第一区。
15.根据权利要求14所述的光场采集控制装置，其特征在于，所述第一区确定模块包括：
一第一区确定子模块，用于根据所述光场相机获取的所述待摄场景任一视角的预览图像确定所述第一区。
16.根据权利要求15所述的光场采集控制装置，其特征在于，所述第一区确定子模块包括：
一感兴趣区确定信息获取单元，用于获取所述预览图像的感兴趣区确定信息；
一感兴趣区确定单元，用于根据所述感兴趣区确定信息确定所述第一区。
17.根据权利要求15所述的光场采集控制装置，其特征在于，所述第一区确定子模块包括：
一图像分析单元，用于对所述预览图像进行图像分析；
一区域确定单元，用于根据所述预览图像的图像分析结果确定所述第一区。
18.根据权利要求13-17任一所述的光场采集控制装置，其特征在于，所述光场相机包括依次设置的主透镜、子透镜阵列和图像传感器；所述子透镜阵列包括多个阵列分布的子透镜，各所述子透镜的焦距相同；所述图像传感器与所述子透镜阵列的距离等于所述子透镜的焦距。
19.根据权利要求18所述的光场采集控制装置，其特征在于，所述子透镜确定模块包括：
一子透镜确定子模块，用于根据预览图像的像素分布与所述子透镜阵列的子透镜分布之间的第一映射关系，确定所述预览图像中与所述第一区对应的子图像包括的像素所对应的所述至少一个子透镜。
20.根据权利要求19所述的光场采集控制装置，其特征在于，所述待调整区确定模块包括：
一待调整区确定子模块，用于根据所述子透镜阵列的子透镜分布与所述图像传感器成像区域分布之间的第二映射关系，确定与所述图像传感器中与所述至少一个子透镜对应的成像区域为所述待调整区。
21.根据权利要求13-17、19-20任一所述的光场采集控制装置，其特征在于，所述像素密度分布调整模块包括：
一目标像素密度分布信息确定子模块，用于至少根据所述待调整区确定所述图像传感器的目标像素密度分布信息，确定的所述目标像素密度分布信息中对应所述待调整区的平均目标像素密度异于对应所述图像传感器的其他区的平均目标像素密度；
一像素密度分布调整子模块，用于根据确定的所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布。
22.根据权利要求21所述的光场采集控制装置，其特征在于，所述目标像素密度分布信息确定子模块包括：
一视角确定单元，用于根据所述至少一个子透镜的视角集确定至少一个视角；
一待调整子区确定单元，用于根据子透镜的视角与所述图像传感器的成像子区域的第三映射关系，确定所述待调整区中与所述至少一个视角对应的成像子区域为待调整子区；
一目标像素密度分布信息确定单元，用于根据所述待调整区和所述待调整子区确定所述目标像素密度分布信息，确定的所述目标像素密度分布信息中对应所述待调整区的平均目标像素密度异于对应所述图像传感器的其他区的平均目标像素密度、且对应所述待调整子区的平均目标像素密度异于所述待调整区的其他子区的平均目标像素密度。
23.根据权利要求22所述的光场采集控制装置，其特征在于，所述像素密度分布调整子模块包括：
一形变控制信息确定单元，用于根据所述目标像素密度分布信息确定可控变形材料部的形变控制信息；
一形变控制单元，用于根据所述形变控制信息控制所述可控变形材料部发生形变；
一间距调整单元，用于根据可控变形材料部的形变调整各图像传感器像素之间的间距，其中，所述图像传感器包括多个图像传感器像素和一个可控变形材料部；
一像素密度分布调整单元，用于根据所述各图像传感器像素之间的间距调整所述图像传感器的像素密度分布。
24.根据权利要求23所述的光场采集控制装置，其特征在于，所述可控变形材料部至少由以下一种或多种可控变形材料制备而成：压电材料、电活性聚合物、光致形变材料、磁致伸缩材料。
25.一种光场采集设备，其特征在于，包括一光场相机和一如权利要求13-24任一所述的光场采集控制装置，所述光场采集控制装置与所述光场相机连接。
26.根据权利要求25所述的光场采集设备，其特征在于，所述图像传感器包括：
阵列分布的多个图像传感器像素；
一可控变形材料部，分别与多个所述图像传感器像素连接；
所述可控变形材料部在外场作用下可发生形变，根据可控变形材料部的形变调整各图像传感器像素之间的间距，根据所述各图像传感器像素之间的间距调整所述图像传感器的像素密度分布；
所述外场由所述光场采集控制装置控制。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104410784B (zh) * 2014-11-06 2019-08-06 北京智谷技术服务有限公司 光场采集控制方法和装置
KR20160114992A (ko) * 2015-03-25 2016-10-06 한국전자통신연구원 빈피킹 시스템 및 빈피킹 수행 방법
CN107592455B (zh) * 2017-09-12 2020-03-17 北京小米移动软件有限公司 浅景深效果成像方法、装置及电子设备
US10623618B2 (en) * 2017-12-19 2020-04-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Imaging device, display system, and imaging system
US11153482B2 (en) * 2018-04-27 2021-10-19 Cubic Corporation Optimizing the content of a digital omnidirectional image
US11030724B2 (en) 2018-09-13 2021-06-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for restoring image
CN111031231A (zh) * 2018-10-10 2020-04-17 富泰华工业（深圳）有限公司 电子装置及立体物体的判断方法
CN111650754B (zh) * 2020-07-17 2022-08-12 北京耐德佳显示技术有限公司 一种平视显示设备
CN113361430A (zh) * 2021-06-15 2021-09-07 合肥维天运通信息科技股份有限公司 一种车辆状态信息采集监控方法及系统
CN114187724B (zh) * 2021-12-01 2022-07-12 北京拙河科技有限公司 一种基于亿级像素相机的目标区域安防与监控系统

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5076687A (en) * 1990-08-28 1991-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Optical ranging apparatus
CN1726430A (zh) * 2002-12-13 2006-01-25 翰兹-利索兹切科专利管理有限公司及两合公司 用于采集物体三维图像信息的装置及用于再现此信息的装置
CN102099916A (zh) * 2008-07-25 2011-06-15 康奈尔大学 光场图像传感器、方法及应用
CN102332090A (zh) * 2010-06-21 2012-01-25 微软公司 划分在视野内的焦点区域
CN102739945A (zh) * 2012-05-24 2012-10-17 上海理工大学 光场成像装置及方法
CN103019021A (zh) * 2012-12-27 2013-04-03 Tcl集团股份有限公司 一种3d光场相机及其拍摄图像的处理方法
CN103327223A (zh) * 2012-03-21 2013-09-25 卡西欧计算机株式会社 摄像装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7876980B2 (en) * 2004-11-11 2011-01-25 Panasonic Corporation Imaging apparatus and imaging method for outputting a specified number of pixels in a specified area
US8248515B2 (en) * 2006-02-07 2012-08-21 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Variable imaging arrangements and methods therefor
US7742090B2 (en) 2006-12-22 2010-06-22 Palo Alto Research Center Incorporated Flexible segmented image sensor
US8416289B2 (en) * 2009-04-28 2013-04-09 Microsoft Corporation Light-field display
JP5672989B2 (ja) * 2010-11-05 2015-02-18 ソニー株式会社 撮像装置
US20130135515A1 (en) * 2011-11-30 2013-05-30 Sony Corporation Digital imaging system
WO2013169671A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Lytro, Inc. Optimization of optical systems for improved light field capture and manipulation
CN104159025B (zh) 2014-08-06 2018-02-13 北京智谷睿拓技术服务有限公司 图像采集控制方法和装置、图像采集设备
CN104469147B (zh) * 2014-11-20 2018-09-04 北京智谷技术服务有限公司 光场采集控制方法和装置、光场采集设备
CN104506762B (zh) * 2014-12-25 2018-09-04 北京智谷睿拓技术服务有限公司 光场采集控制方法和装置、光场采集设备

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5076687A (en) * 1990-08-28 1991-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Optical ranging apparatus
CN1726430A (zh) * 2002-12-13 2006-01-25 翰兹-利索兹切科专利管理有限公司及两合公司 用于采集物体三维图像信息的装置及用于再现此信息的装置
CN102099916A (zh) * 2008-07-25 2011-06-15 康奈尔大学 光场图像传感器、方法及应用
CN102332090A (zh) * 2010-06-21 2012-01-25 微软公司 划分在视野内的焦点区域
CN103327223A (zh) * 2012-03-21 2013-09-25 卡西欧计算机株式会社 摄像装置
CN102739945A (zh) * 2012-05-24 2012-10-17 上海理工大学 光场成像装置及方法
CN103019021A (zh) * 2012-12-27 2013-04-03 Tcl集团股份有限公司 一种3d光场相机及其拍摄图像的处理方法

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