CN104301605B - 数码变焦图像的成像控制方法和装置、成像设备 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开了一种数码变焦图像的成像控制方法和装置以及一种成像设备，其中一种图像采集控制方法包括：获取数码变焦参数；根据获取的所述数码变焦参数确定图像传感器的实际成像区；调整所述图像传感器的像素密度分布，以使调整后所述实际成像区的平均像素密度大于所述图像传感器的其他区；经调整后的所述实际成像区获取待摄场景的图像。本申请实施例提供的技术方案使得所述图像传感器尽可能多的像素集中到与数码变焦参数对应的实际成像区来参与图像采集，由此提高了图像采集效率以及采集到的图像的清晰度。

Description

数码变焦图像的成像控制方法和装置、成像设备
技术领域
本申请涉及成像技术领域，特别是涉及一种数码变焦图像的成像控制方法和装置、成像设备。
背景技术
变焦是如相机、摄像机等成像设备镜头的重要能力之一。
所谓的变焦主要包括光学变焦(Optical Zoom)与数码变焦(Digital Zoom)两种。光学变焦和数码变焦都有助于望远拍摄时放大远方物体。但是，光学变焦可以支持图像主体成像后，增加更多的像素，让图像主体不但成像变大，同时成像也相对更清晰；而数码变焦通常是将原先的采集图像尺寸裁小，并让采集到的图像在显示幕上变得比较大，变焦后成像的细节不会更清晰。
发明内容
在下文中给出了关于本申请的简要概述，以便提供关于本申请的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本申请的穷举性概述。它并不是意图确定本申请的关键或重要部分，也不是意图限定本申请的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
本申请提供一种数码变焦图像的成像控制方法和装置以及一种成像设备。
一方面，本申请实施例提供了一种数码变焦图像的成像控制方法，包括：
获取数码变焦参数；
根据获取的所述数码变焦参数确定图像传感器的实际成像区；
调整所述图像传感器的像素密度分布，以使调整后所述实际成像区的平均像素密度大于所述图像传感器的其他区；
经调整后的所述实际成像区获取待摄场景的图像。
另一方面，本申请实施例还提供了一种成像控制装置，包括：
一数码变焦参数获取模块，用于获取数码变焦参数；
一实际成像区确定模块，用于根据获取的所述数码变焦参数确定图像传感器的实际成像区；
一像素密度分布调整模块，用于调整所述图像传感器的像素密度分布，以使调整后所述实际成像区的平均像素密度大于所述图像传感器的其他区；
一图像获取模块，用于经调整后的所述实际成像区获取待摄场景的图像。
再一方面，本申请实施例提供了一种成像设备，包括一图像传感器和一上述成像控制装置，所述成像控制装置与所述图像传感器连接。
本申请实施例提供的技术方案，根据与数码变焦参数对应的实际成像区对所述图像传感器的像素密度分布进行调整，使得所述图像传感器的所述实际成像区的平均像素密度大于所述图像传感器的其他区的平均像素密度，即调整后的所述图像传感器的所述实际成像区的像素总数要大于调整前的所述图像传感器与所述实际成像区对应区域的像素总数，也就是说，使得在基于数码变焦技术进行成像控制的过程中，本申请实施例使得所述图像传感器尽可能多的像素集中到所述实际成像区来参与图像采集，由此提高了图像采集效率以及采集到的图像的清晰度。
通过以下结合附图对本申请的可选实施例的详细说明，本申请的这些以及其它的优点将更加明显。
附图说明
本申请可以通过参考下文中结合附图所给出的描述而得到更好的理解，其中在所有附图中使用了相同或相似的附图标记来表示相同或者相似的部件。所述附图连同下面的详细说明一起包含在本说明书中并且形成本说明书的一部分，而且用来进一步举例说明本申请的可选实施例和解释本申请的原理和优点。在附图中：
图1a为本申请实施例提供的一种数码变焦图像的成像控制方法的流程图；
图1b为本申请实施例提供第一种像素密度可调的图像传感器的结构示意图；
图1c为本申请实施例提供第二种像素密度可调的图像传感器的结构示意图；
图1d为本申请实施例提供第三种像素密度可调的图像传感器的结构示意图；
图1e为本申请实施例提供第四种像素密度可调的图像传感器的结构示意图；
图1f为本申请实施例提供图像传感器在不均匀光场激励情形时进行像素密度调整的场景示例；
图1g为本申请实施例提供第五种像素密度可调的图像传感器的结构示意图；
图1h为本申请实施例提供第六种像素密度可调的图像传感器的结构示意图；
图1i为本申请实施例提供第七种像素密度可调的图像传感器的结构示意图；
图1j为本申请实施例提供第八种像素密度可调的图像传感器的结构示意图；
图2a为本申请实施例图像传感器的像素密度分布示例；
图2b为本申请实施例调整后的图像传感器的像素密度分布示例；
图3为本申请实施例提供的第一种成像控制装置的结构框图；
图4为本申请实施例提供的第二种成像控制装置的结构框图；
图5为本申请实施例提供的第三种成像控制装置的结构框图；
图6为本申请实施例提供的第四种成像控制装置的结构框图；
图7为本申请实施例提供的一种成像设备的结构框图。
本领域技术人员应当理解，附图中的元件仅仅是为了简单和清楚起见而示出的，而且不一定是按比例绘制的。例如，附图中某些元件的尺寸可能相对于其他元件放大了，以便有助于提高对本申请实施例的理解。
具体实施方式
在下文中将结合附图对本申请的示范性实施例进行详细描述。为了清楚和简明起见，在说明书中并未描述实际实施方式的所有特征。然而，应该了解，在开发任何这种实际实施例的过程中必须做出很多特定于实施方式的决定，以便实现开发人员的具体目标，例如，符合与系统及业务相关的那些限制条件，并且这些限制条件可能会随着实施方式的不同而有所改变。此外，还应该了解，虽然开发工作有可能是非常复杂和费时的，但对得益于本公开内容的本领域技术人员来说，这种开发工作仅仅是例行的任务。
在此，还需要说明的一点是，为了避免因不必要的细节而模糊了本申请，在附图和说明中仅仅描述了与根据本申请的方案密切相关的装置结构和/或处理步骤，而省略了对与本申请关系不大的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。
下面结合附图(若干附图中相同的标号表示相同的元素)和实施例，对本申请的具体实施方式作进一步详细说明。以下实施例用于说明本申请，但不用来限制本申请的范围。
本领域技术人员可以理解，本申请中的“第一”、“第二”等术语仅用于区别不同步骤、设备或模块等，既不代表任何特定技术含义，也不表示它们之间的必然逻辑顺序。
图1a为本申请实施例提供的一种数码变焦图像的成像控制方法的流程图。本申请实施例提供的成像控制方法的执行主体可为某一成像控制装置，所述成像控制装置可在但不限于拍照、摄像、摄影、视频监控等应用过程中通过执行该成像控制方法进行静态或动态图像的成像控制。所述成像控制装置的设备表现形式不受限制，例如所述成像控制装置可为某一独立的部件，该部件与包括有图像传感器的成像设备配合通信；或者，所述成像控制装置可作为某一功能模块集成在一包括有图像传感器的成像设备中，本申请实施例对此并不限制。
具体如图1a所示，本申请实施例提供的一种数码变焦图像的成像控制方法包括：
S101：获取数码变焦参数。
所述数码变焦参数可包括但不限于数据变焦倍数。
S102：根据获取的所述数码变焦参数确定图像传感器的实际成像区。
获取到所述数码变焦参数之后，可根据获取的所述数码变焦倍数确定传感器的实际成像区。例如，所述数据变焦参数包括数码变焦倍数X，则所述图像传感器的实际成像区的中心为所述图像传感器的中心、大小为所述图像传感器原始尺寸的1/X倍。
S103：调整所述图像传感器的像素密度分布，以使调整后所述实际成像区的平均像素密度大于所述图像传感器的其他区。
本申请实施例中的图像传感器为像素密度可调的图像传感器，可包括但不限于柔性图像传感器，所述柔性图像传感器包括柔性衬底以及在所述柔性衬底上形成的多个图像传感器像素，其中所述柔性衬底在满足一定条件时可以发生伸缩、弯曲等变化来调整其像素密度分布。结合所述图像传感器像素密度分布可调的这一特性，本申请实施例对所述图像传感器的像素密度分布进行调整，使得所述图像传感器的实际成像区的平均像素密度大于所述图像传感器的其他区的平均像素密度。
S104：经调整后的所述实际成像区获取待摄场景的图像。
基于数码变焦技术进行成像控制的过程中，所述图像传感器的所述实际成像区的各像素参与图像采集，而所述图像传感器的其他区的各像素没有参与图像采集。
本申请实施例根据与数码变焦参数对应的实际成像区对所述图像传感器的像素密度分布进行调整，使得所述图像传感器的所述实际成像区的平均像素密度大于所述图像传感器的其他区的平均像素密度，即调整后的所述图像传感器的所述实际成像区的像素总数要大于调整前的所述图像传感器与所述实际成像区对应区域的像素总数，也就是说，使得在基于数码变焦技术进行成像控制的过程中，本申请实施例使得所述图像传感器尽可能多的像素集中到所述实际成像区来参与图像采集，由此提高了图像采集效率以及采集到的图像的清晰度。
上述技术方案中，所述图像传感器像素密度分布的调整方法可根据实际需要确定，本申请实施例对此并不限制。
一种可选的实现方式中，调整所述图像传感器的像素密度分布，包括：确定与获取的所述数码变焦参数对应的目标像素密度分布信息，确定的所述目标像素密度分布信息中对应所述实际成像区的平均目标像素密度大于对应所述其他区的平均目标像素密度；根据确定的所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布。其中，与所述数码变焦参数对应的所述目标像素密度分布信息，通常用来表征用户或设备对与所述数码变焦参数对应的实际成像区最终获取的图像呈现效果的相对预期，不同的数码变焦参数对应的图像传感器的实际成像区大小不同，对应的实际成像区的目标像素密度分布信息也不尽相同，因此，该方案根据与获取的所述数码变焦参数对应的目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布，使得所述图像传感器的像素密度分布与所述目标像素密度分布信息相同、或者尽可能逼近所述目标像素密度分布信息，由此可满足不同数码变焦参数下获得相应数码变焦效果的高清晰度图像。所述目标像素密度分布信息中对应所述实际成像区的各像素均匀分布，使得经所述实际成像区获取的图像清晰度均一；或者，所述目标像素密度分布信息中对应所述实际成像区的各像素非均匀分布，如局部像素密度大而局部像素密度小或者像素密度自中心位置开始呈现具有一定规律的梯度分布等等，使得经所述实际成像区获取的图像清晰度呈现差异分布，局部较清晰局部较模糊，以更好满足用户多样化的实际应用需求。
进一步的，本申请实施例与获取的所述数码变焦参数对应的目标像素密度分布信息的确定方式非常灵活。例如，可获取数码变焦参数与目标像素密度分布信息之间的映射关系；根据所述映射关系确定与获取的所述数码变焦参数对应的目标像素密度分布信息。该方案有利于提高图像传感器像素密度分布调整的效率。所述映射关系可采用但不限于表格的方式记录。一种可选的对比实例如表1和表2所示：
表1：数码变焦倍数X＝1(无数码变焦)时的像素密度分布
对于m行×n列的图像传感器，X轴和Y轴表示图像传感器的两个坐标轴，图像传感器包括阵列分布的多个像素，每个像素在图像传感器有两套标记。一套标记是索引编号，即X轴像素索引编号和Y轴像素索引编号，用来表示当前像素具体是哪行哪列的像素。另一套标记是位置坐标，即X轴像素位置坐标和Y轴像素位置坐标，用来表示当前像素在图像传感器的具体物理位置。表1示出了在所述图像传感无数码变焦(X＝1，没有进行像素密度分布的调整的)情形下图像传感器各像素的索引编号和位置坐标之间的对应关系，在数码变焦情形下所述图像传感器的实际成像区就是该图像传感器整体，该图像传感器的所有像素均参与图像采集。
表2：数码变焦倍数X＝2(有数码变焦)时的像素密度分布
表2示出了在有数码变焦(如X＝2，进行了像素密度分布的调整的)情形下图像传感器各像素的索引编号和位置坐标之间的对应关系，其中，X轴像素位置坐标和Y轴像素位置坐标为像素密度调整后的图像传感器各像素的实际位置坐标，即为与所述数码变焦参数(如数码变焦倍数X＝2)对应的目标像素密度分布信息。通过对比表1和表2可见，在有数码变焦(如X＝2)的情形下，图像传感器的中心区域的像素分布较为密集、而周边区域的像素分布较为稀疏，即在有数码变焦的情形下所述图像传感器的实际成像区的平均像素密度较大，在有数码变焦情形下所述图像传感器的实际成像区是以该图像传感器为中心、占该图像传感器1/X的区域，例如，数码变焦倍数为X＝2，则所述实际成像区是以该图像传感器中心为中心、占该图像传感器1/2的区域，所述实际成像区的像素参与图像采集，而该图像传感器除了所述实际成像区之外的其他区域的像素没有参与图像采集。根据上述映射关系确定的目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布，调整效率高，经像素密度分布调整后的图像传感器的实际成像区采集待摄场景的图像清晰度较高。
另一种可选的实现方式中，调整所述图像传感器的像素密度分布，包括：获取所述图像传感器的像素调整约束信息；根据所述像素调整约束信息和所述实际成像区确定目标像素密度分布信息；根据确定的所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布。其中，所述像素调整约束信息用于表示用户或图像传感器选材属性等因素对像素调整的主观约束或客观的极限约束，例如，所述像素调整约束信息可包括但不限于：所述图像传感器的任二个相邻像素之间的容许调整的弹性范围。所述图像传感器的任二个相邻像素之间的间距如果按照所述容许调整的弹性范围进行调整，则当施加到所述图像传感器上用于调整其像素密度分布的外场作用取消后，所述图像传感器的像素密度分布可以恢复到初始未调整的状态，其中，所述容许调整的弹性范围的最小值为所述图像传感器的任二个相邻像素之间容许调整到的最小间距，所述容许调整的弹性范围的最大值为所述图像传感器的任二个相邻像素之间容许调整到的最大间距。该方案根据所述像素调整约束信息和所述实际成像区确定目标像素密度分布信息，并依据确定的所述目标像素密度分布信息进行图像传感器像素密度分布的调整，使得在不破坏图像传感器的前提下，像素之间的间距可在有效的弹性范围内根据实际需要进行灵活调整，更好满足多样化的实际用户需求。
进一步的，所述目标像素密度分布信息中对应所述其他区的任二个相邻像素之间的平均间距为第一值，所述第一值为所述弹性范围中大于所述图像传感器的像素间距平均值中的任一值。例如，在满足所述图像传感器的实际成像区中任二个相邻像素的间距大于或等于所述弹性范围的最小值的情形下，所述第一值可为所述弹性范围的最大值，即将所述图像传感器除了所述实际成像区之外的其他区的任二个相邻像素之间的间距调整为所述弹性范围的最大值，而所述目标像素密度分布信息中对应所述实际成像区的各像素均匀分布或非均匀分布。该方案可提高像素密度分布调整的效率，且使得所述实际成像区可获得最大密度的像素密度分布，进而有利于获得更为清晰的数码变焦图像。
本申请实施例在获取所述图像目标像素密度分布信息之后，可根据所述目标像素密度分布信息调整图像传感器的像素密度分布，所述图像传感器像素密度分布调整前的示意图如图2a所示，调整后的示意图如图2b所示，调整后所述图像传感器局部的像素密度大而局部的像素密度小。实际应用中，对所述图像传感器的像素密度分布的调整方式可根据实际需要选择，本申请实施例对此并不限制。一种可选的实现方式，可根据所述目标像素密度分布信息确定可控变形材料部的形变控制信息；根据所述形变控制信息控制所述可控变形材料部发生形变，以通过所述可控变形材料部的形变相应调整所述图像传感器的像素密度分布。该方案通过控制可控变形材料部的形变来调整所述图像传感器的像素分布，方案简单易实现。
所述可控变形材料部即为通过改变作用其上的某外部作用因素(如外场)可使其发生形变，在作用其上的外场撤销或改变时，该可控变形材料部的形变可以恢复。
图1b为本申请实施例提供一种像素密度可调的图像传感器的结构示意图。如图1b所示，本申请实施例提供的像素密度可调的图像传感器包括：多个图像传感器像素11和一可控变形材料部12，其中，图像传感器通过图像传感器像素11进行图像采集，多个图像传感器像素11呈阵列分布，可控变形材料部12分别与多个图像传感器像素11连接；可控变形材料部12在外场作用下可发生形变、并通过可控变形材料部12的形变相应调整多个图像传感器像素11的密度分布。
本申请实施例提供的技术方案中，所述可控变形材料部为通过改变该可控变形材料部上的某外场作用因素可使其发生形变，在某外场作用因素撤销或改变时，该可控变形材料部的形变可以恢复，所述外场可针对所述可控变形材料部的形变特性选择作用于其上的相应控制外场，例如所述外场包括但不限于外部电场、磁场、光场等等。图像传感器像素可包括但不限于至少一光电转换单元。各图像传感器像素与可控变形材料部之间可采用但不限于粘接等方式进行紧密连接，这样，当所述可控变形材料部发生形变，就会相应调整各图像传感器像素之间的间距，由此改变图像传感器像素的密度分布，达到可根据实际需要赋予图像传感器不同区域以差异化像素密度分布的效果。
实际应用中，可将不均匀分布的外场作用在所述可控变形材料部的不同区域，使得所述可控变形材料部不同部分区域发生不同程度的变形，由此调整图像传感器像素的整体密度分布。可选的，可将所述外场作用在所述可控变形材料部与多个所述图像传感器像素不重叠的区域，这样可使得所述可控变形材料部与所述图像传感器像素重叠的区域不发生形变，而是通过所述可控变形材料部的其他部分的形变来改变图像传感器像素的密度分布，该方案有利于避免因可控变形材料部的形变对所述图像传感器像素造成的损坏。
实际应用中，可根据需要选择合适的至少一种可控变形材料来制备所述可控变形材料部，以使所述可控变形材料部具有可变形且变形可恢复的特性。可选的，所述可控变形材料部至少由以下一种或多种可控变形材料制备而成：压电材料、电活性聚合物、光致形变材料、磁致伸缩材料。
所述压电材料可以因电场作用产生机械变形。采用所述压电材料制备的可控变形材料部以下称为压电材料部。利用所述压电材料的这一物理特性，本申请实施例可根据但不限于所述目标像素密度分布信息确定用于使压电材料部发生相应机械形变所需的电场控制信息，根据所述电场控制信息控制作用在压电材料部的电场，使得所述压电材料部发生相应的机械形变，通过所述压电材料部的机械形变相应调整图像传感器的像素密度分布，由此达到根据所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布的目的。所述压电材料可包括但不限于以下至少之一：压电陶瓷、压电晶体。该方案可充分利用压电材料的物理特性来调整图像传感器的像素密度分布。
所述电活性聚合物(Electroactive Polymers，简称EAP)是一类能够在电场作用下改变其形状或大小的聚合物材料。采用所述电活性聚合物制备的可控变形材料部以下称为电活性聚合物部。利用所述电活性聚合物的这一物理特性，本申请实施例可根据但不限于所述目标像素密度分布信息确定用于使电活性聚合物部发生相应形变所需的电场控制信息，根据所述电场控制信息控制作用在电活性聚合物层的电场，使得所述电活性聚合物层发生相应的形变，通过所述电活性聚合物层的形变相应调整图像传感器的像素密度分布，由此达到根据所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布的目的。所述电活性聚合物可包括但不限于以下至少之一：电子型电活性聚合物、离子型电活性聚合物；所述电子型电活性聚合物包括以下至少之一：铁电体聚合物(如聚偏氟乙烯等)、电致伸缩接枝弹性体、液晶弹性体；所述离子型电活性聚合物包括以下至少之一：电流变液、离子聚合物-金属复合材料等。该方案可充分利用电活性聚合物的物理特性来调整图像传感器的像素密度分布。
所述光致形变材料是一类能够在光场作用下改变其形状或大小的高分子材料。采用所述光致形变材料制备的可控变形材料部以下称为光致形变材料部。利用所述光致形变材料的这一物理特性，本申请实施例可根据但不限于所述目标像素密度分布信息确定光致形变材料部发生相应形变所需的光场控制信息，根据所述光场控制信息控制作用在所述光致形变材料部的光场，使得所述光致形变材料部发生相应的形变。通过所述光致形变材料部的形变相应调整图像传感器的像素密度分布，由此达到根据所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布的目的。所述光致形变材料可包括但不限于以下至少之一：光致伸缩铁电陶瓷、光致形变聚合物；所述光致伸缩铁电陶瓷包括但不限于锆钛酸铅镧(PLZT)陶瓷，光致形变聚合物包括但不限于光致形变液晶弹性体)。该方案可充分利用光致形变材料的物理特性来调整图像传感器的像素密度分布。
所述磁致伸缩材料是一类能够在磁场作用下改变其磁化状态，进而使其尺寸发生变化的磁性材料。采用所述磁致形变材料制备的可控变形材料部以下称为磁致形变材料部。利用所述磁致伸缩材料的这一物理特性，本申请实施例可根据但不限于所述目标像素密度分布信息确定磁致伸缩材料发生相应形变所需的磁场控制信息，根据所述磁场控制信息控制作用在所述磁致形变材料部的磁场，使得所述磁致形变材料部发生相应的形变。通过所述磁致形变材料部的形变相应调整图像传感器的像素密度分布，由此达到根据所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布的目的。所述磁致形变材料可包括但不限于稀土超磁致伸缩材料，如以(Tb,Dy)Fe2化合物为基体的合金Tbo0.3Dy0.7Fe1.95材料等。该方案可充分利用磁致形变材料的物理特性来调整图像传感器的像素密度分布。
本申请实施例提供的技术方案中，各图像传感器像素和可控变形材料部的具体结构和连接方式可根据实际需要确定，实际方式非常灵活。
一种可选的实现方式，如图1b所示，所述可控变形材料部12包括：一可控变形材料层121，多个所述图像传感器像素11阵列分布且连接在所述可控变形材料层121的一面。可选的，可根据实际工艺条件选择将多个所述图像传感器像素直接形成于所述可控变形材料层12上，或者，多个所述图像传感器像素与所述可控变形材料层12可分别制备且二者可采用但不限于粘接的方式紧密连接。该方案结构简单、易实现。
另一种可选的实现方式，如图1c所示，所述可控变形材料部12包括多个可控变形材料连接子部122，多个所述可控变形材料连接子部122阵列分布，以对应连接阵列分布的多个所述图像传感器像素11，即阵列分布的多个所述图像传感器像素通过阵列分布的多个所述可控变形材料连接子部连接为一体。可选的，可根据实际工艺在图像传感器像素阵列的像素的间隔区域形成多个所述可控变形材料连接子部，多个所述可控变形材料连接子部与相应图像传感器像素可以采用但不限于抵接、粘接等方式连接。通过控制多个所述可控变形材料连接子部的形变即可调整图像传感器像素的密度分布，结构简单，易实现。
进一步，如图1d和图1e所示，所述图像传感器还可包括：形变控制部13，形变控制部13用于调节作用到所述可控变形材料部12的所述外场的分布，以控制所述可控变形材料部12发生相应的形变，这样，当所述可控变形材料部12发生形变，就会相应调整各图像传感器像素11之间的间距，由此改变图像传感器像素11的密度分布，达到可根据实际需要赋予图像传感器不同区域以差异化像素密度分布的效果。
可选的，如图1d所示，所述形变控制部可包括光场控制部131，光场控制部131用于调节作用到所述可控变形材料部12的外部光场分布，以控制所述可控变形材料部12发生相应的形变。该情形下，所述可控变形材料部12可包括至少由光致形变材料制备而成的光致形变材料部，如所述光致形变材料部可包括至少由所述光致形变材料制备而得的光致形变材料层，或者，所述可控变形材料部可包括至少由所述光致形变材料制备而得的多个光致形变材料连接子部。光场控制部131通过改变作用在所述光致形变材料部的光场分布(图1d中通过箭头疏密表示作用在所述可控变形材料部12不同强度分布的光场)，来激励所述可控变形材料部12的不同区域发生不同程度的形变，并通过所述可控变形材料部12的形变相应各图像传感器像素11之间的间距，由此改变图像传感器像素11的密度分布，达到可根据实际需要赋予图像传感器不同区域以差异化像素密度分布的效果。
可选的，如图1e所示，所述形变控制部可包括电场控制部132，电场控制部132用于调节作用到所述可控变形材料部的外部电场分布，以控制所述可控变形材料部发生相应的形变。该情形下，所述可控变形材料部12可包括至少由压电材料制备而成的压电材料部(如压电材料层或者压电材料连接子部，等等)，或者，所述可控变形材料部12可包括至少由电活性聚合物制备而成的电活性聚合物部(如电活性聚合物层或者电活性聚合物连接子部，等等)。如图1e所示，可通过控制线连接电场控制部和可控变形材料，电场控制部132通过改变作用在所述可控变形材料部的电场分布，来激励所述可控变形材料部12的不同区域发生不同程度的形变。如果作用在所述可控变形材料部12电场为零电场，则所述可控变形材料部不发生形变(不妨称为零电场激励)；如果改变作用在所述可控变形材料部12的电场强弱分布(如图中所示的“+”正电场激励和“-”负电场激励)，使得作用在所述可控变形材料部12不同区域的电场强度有所差异，如图1f所示，这样，所述可控变形材料部的不同区域可发生不同程度的形变，并通过所述可控变形材料部12的形变相应调整各图像传感器像素11之间的间距，由此改变图像传感器的整体像素密度分布，达到可根据实际需要赋予图像传感器不同区域以差异化像素密度分布的效果。
本申请实施例中所述可控变形部与形变控制部可直接连接，也可间接连接。所述形变控制部可作为所述图像传感器的一部分，或者，所述形变控制部也可不作为所述图像传感器的一部分，所述图像传感器也可预留管脚、接口等方式与所述形变控制部连接。作用在所述可控变形材料部上的外场可包括但不限于电场、磁场、光场等。用于产生电场的硬件、软件结构，用于产生磁场的硬件、软件结构、以及用于产生光场的硬件、软件结构等，可根据实际需要采用相应的现有技术实现，本申请实施例在此不再赘述。
可选的，所述图像传感器还可包括柔性衬底，所述柔性衬底可包括但不限于柔性塑料衬底，其具有一定的柔性，可根据需要改变柔性衬底的形状。图像传感器像素、可控变形材料部可设柔性衬底的同侧或不同侧。例如：如图1g所示，多个所述图像传感器像素11连接于柔性衬底14的一面，可控变形材料部(如可控变形材料层121)连接于柔性衬底14的另一面。又例如：如图1h所示，多个所述图像传感器像素11连接于柔性衬底14的一面，可控变形材料部(如可控变形材料连接子部122)连接相应的图像传感器像素且与所述图形传感器像素11位于所述柔性衬底14的同一面。该方案不仅可以通过作用在可控变形材料部的外场控制其发生形变来间接调整图像传感器的整体像素密度分布，实现图像传感器的像度密度可调，还可因其采用了柔性衬底灵活改变图像传感器的形状，如将平面的图像传感器弯曲一定角度以得到曲面的图像传感器，由此满足多样化图像采集、装饰等应用需求。
图1i为本申请实施例提供第七种像素密度可调的图像传感器的结构示意图。如图1i所示的图像传感器中，所述可控变形材料部12包括：柔性衬底123和多个导磁材料部124；多个图像传感器像素11分别与柔性衬底123连接，至少部分图像传感器像素11上连接有多个导磁材料部124，通过改变作用在导磁材料部124的磁场使柔性衬底123发生相应形变、并通过所述形变相应调整多个所述图像传感器像素11的密度分布。例如：可在每个图像传感器像素的侧面设置一导磁材料部124，可选的，图像传感器像素11分别与柔性衬底123和导磁材料部124粘接。所述导磁材料部可包括导磁材料制备的磁极，所述导磁材料可以但不限于使用软磁性材料、硅钢片，坡莫合金，铁氧体，非晶态软磁合金、超微晶软磁合金等中的一种或多种。采用软磁性材料作制备的所述导磁材料部导磁性能较好，磁场撤销后剩磁很小便于下一次调整。
进一步，可选的，本申请实施例所述的形变控制部13还可包括：磁场控制部133，磁场控制部133用于调节作用到所述可控变形材料部的外部磁场分布，以控制所述可控变形材料部发生相应的形变。例如，当磁场控制部133控制作用在导磁材料部124上的磁场(即激励磁场)发生变化时，如图1i所示的相邻图像传感器像素之间施加一定磁场强弱分布的同磁极(NN或SS)排斥磁场或异磁极(NS或SN)吸引磁场，磁极之间会相应产生排斥力或吸引力，该磁力作用传递到柔性衬底123使柔性衬底123发生伸缩等变形，进而导致相应图像传感器像素之间的间距发生改变，实现调整图像传感器像素密度分布的目的。该方案结合柔性衬底的可伸缩等形变特性以及磁场控制原理，实现图像传感器上的像素密度分布可调。
图1j为本申请实施例提供第八种像素密度可调的图像传感器的结构示意图。如图1j所示的图像传感器中，所述可控变形材料部12包括：柔性衬底123和多个导磁材料部124；多个导磁材料部124的一面分别与所述柔性衬底123连接，多个所述导磁材料部124的相对面分别对应连接多个所述图像传感器像素11，通过改变作用在所述导磁材料部124的磁场使所述柔性衬底11发生相应形变、并通过所述形变相应调整多个所述图像传感器像素11的密度分布。可选的，导磁材料部124与柔性衬底123粘接、图像传感器像素11与导磁材料部124粘接，当柔性衬底123发生当作用在导磁材料部124上的磁场发生变化时，磁力作用传递到柔性衬底123使柔性衬底123发生伸缩等变形，进而实现调整图像传感器像素密度分布的目的。该方案结合柔性衬底的可伸缩等形变特性以及磁场控制原理，实现图像传感器上的像素密度分布可调。
对所述图像传感器根据所述目标像素密度分布信息进行像素密度分布调整后，经所述图像传感器的实际成像区进行待摄场景的图像采集，由于调整后的所述实际成像区的平均像素密度相对于调整前的相应区的平均像素密度大，因此，在相同数码变焦参数的情形下，调整后的所述图像传感器参与到图像采集的像素数量更多，图像采集效率较高，获取到的数码变焦图像的清晰度更高，细节更为丰富，可更好满足用户多样化的应用需求。
本申请实施例根据像素密度分布调整后的所述图像传感器进行图像采集之后，可扫描输出获取到的图像，例如：可获取所述实际成像区的像素索引信息；根据所述像素索引信息扫描输出获取的图像。其中，所述图像传感器的像素索引信息包括：所述图像传感器进行像素密度分布调整之前的各图像传感器像素的原始位置信息或像素索引编号信息。采用某种扫描方式(逐行扫描、逐列扫描、隔行扫描，等等)按所述像素索引信息进行图像扫描输出。由于所述图像传感器在进行图像采集的过程中像素的实际位置信息和相应像素的索引信息存在一定偏差，因此，按所述像素索引信息进行图像扫描输出的图像相对于原始采集得到的图像而言是一显示比例异常的变形图像。该变形图像相对于原始采集得到的图像而言，对应像素密度大的区域在所述变形的图像中的尺寸相对于其在原始采集得到的图像中尺寸大，例如：基于所述图像传感器像素密度较大的区域采集头像部分，该情形下，经扫描输出得到的变形图像中所述头像部分大于原始采集得到的图像中所述头像部分，这样，用户就可以更方便看到其需要重点关注的部分，提高了图像展示的效率，改善用户的视觉体验。
如果需要得到相对预览图像显示比例不变的非变形图像，可获取所述实际成像区的像素实际位置信息；根据所述像素实际位置信息扫描输出获取的图像，由此得到一与预览图像对应的正常显示比例的恢复图像。
本领域技术人员可以理解，在本申请具体实施方式的上述任一方法中，各步骤的序号大小并不意味着执行顺序的先后，各步骤的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请具体实施方式的实施过程构成任何限定。
图3为本申请实施例提供的第一种成像控制装置的逻辑框图。如图3所示的成像控制装置包括：一数码变焦参数获取模块31、一实际成像区确定模块32、一像素密度分布调整模块33和一图像获取模块34。
数码变焦参数获取模块31用于获取数码变焦参数。
实际成像区确定模块32用于根据获取的所述数码变焦参数确定图像传感器的实际成像区。
像素密度分布调整模块33用于调整所述图像传感器的像素密度分布，以使调整后所述实际成像区的平均像素密度大于所述图像传感器的其他区。
图像获取模块34用于经调整后的所述实际成像区获取待摄场景的图像。
本申请实施例提供的成像控制装置，根据与数码变焦参数对应的实际成像区对所述图像传感器的像素密度分布进行调整，使得所述图像传感器的所述实际成像区的平均像素密度大于所述图像传感器的其他区的平均像素密度，即调整后的所述图像传感器的所述实际成像区的像素总数要大于调整前的所述图像传感器与所述实际成像区对应区域的像素总数，也就是说，使得在基于数码变焦技术进行成像控制的过程中，本申请实施例使得所述图像传感器尽可能多的像素集中到所述实际成像区来参与图像采集，由此提高了图像采集效率以及采集到的图像的清晰度。
所述成像控制装置的设备表现形式不受限制，例如所述成像控制装置可为某一独立的部件，该部件与包括有图像传感器的成像设备配合通信；或者，所述成像控制装置可作为某一功能模块集成在一包括有图像传感器的成像设备中，本申请实施例对此并不限制。
可选的，如图4所示，所述像素密度分布调整模块33包括：一第一目标像素密度分布信息确定子模块331和一第一像素密度分布调整子模块332。第一目标像素密度分布信息确定子模块331用于确定与获取的所述数码变焦参数对应的目标像素密度分布信息，确定的所述目标像素密度分布信息中对应所述实际成像区的平均目标像素密度大于对应所述其他区的平均目标像素密度；第一像素密度分布调整子模块332用于根据确定的所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布。该方案根据与获取的所述数码变焦参数对应的目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布，使得所述图像传感器的像素密度分布与所述目标像素密度分布信息相同、或者尽可能逼近所述目标像素密度分布信息，由此可满足不同数码变焦参数下获得相应数码变焦效果的高清晰度图像。
进一步的，所述第一目标像素密度分布信息确定子模331可包括：一映射关系获取单元3311和一目标像素密度分布信息确定单元3312。映射关系获取单元3311用于获取数码变焦参数与目标像素密度分布信息之间的映射关系；目标像素密度分布信息确定单元3312用于根据所述映射关系确定与获取的所述数码变焦参数对应的目标像素密度分布信息。该方案有利于提高图像传感器像素密度分布调整的效率。
可选的，所述像素密度分布调整模块33包括：一约束信息获取子模块333、一目标像素密度分布信息确定子模块334和一第二像素密度分布调整子模块335。约束信息获取子模块333用于获取所述图像传感器的像素调整约束信息；目标像素密度分布信息确定子模块334用于根据所述像素调整约束信息和所述实际成像区确定目标像素密度分布信息；第二像素密度分布调整子模块335用于根据确定的所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布。该方案使得在不破坏图像传感器的前提下，像素之间的间距可在有效的弹性范围内根据实际需要进行灵活调整，更好满足多样化的实际用户需求。
可选的，所述像素密度分布调整模块33还包括：一形变控制信息确定模块336和一形变控制模块337。形变控制信息确定模块336用于根据确定的所述目标像素密度分布信息确定可控变形材料部的形变控制信息；形变控制模块337用于根据所述形变控制信息控制所述可控变形材料部发生形变，以通过所述可控变形材料部的形变相应调整所述图像传感器的像素密度分布。该方案通过控制可控变形材料部的形变来调整所述图像传感器的像素分布，方案简单易实现。
可选的，如图5所示，所述成像控制装置还可包括：一像素索引信息获取模块35和一像素索引扫描输出模块36。像素索引信息获取模块35用于获取所述实际成像区的像素索引信息；像素索引扫描输出模块36用于根据所述像素索引信息扫描输出获取的图像。按所述像素索引信息进行图像扫描输出的图像相对于原始采集得到的图像而言是一显示比例异常的变形图像，便于用户看到其需要重点关注的部分，提高了图像展示的效率，改善用户的视觉体验。
可选的，所述成像控制装置还可包括：一像素实际位置信息获取模块37和一像素实际位置扫描输出模块38。像素实际位置信息获取模块37用于获取所述实际成像区的像素实际位置信息；像素实际位置扫描输出模块38用于根据所述像素实际位置信息扫描输出获取的图像。该方案可得到清晰度差异分布的正常显示比例图像。
图6为本申请实施例提供的第四种成像控制装置的结构框图，本申请具体实施例并不对成像控制装置600的具体实现方式做限定。如图6所示，成像控制装置600可以包括：
处理器(Processor)610、通信接口(Communications Interface)620、存储器(Memory)630、以及通信总线640。其中：
处理器610、通信接口620、以及存储器630通过通信总线640完成相互间的通信。
通信接口620，用于与比如具有通信功能的设备、外部光源等通信。
处理器610，用于执行程序632，具体可以执行上述任一图像采集控制方法实施例中的相关步骤。
例如，程序632可以包括程序代码，所述程序代码包括计算机操作指令。
处理器610可能是一个中央处理器(Central Processing Unit，简称CPU)，或者是特定集成电路(Application Specific Integrated Circuit，简称ASIC)，或者是被配置成实施本申请实施例的一个或多个集成电路。
存储器630，用于存放程序632。存储器630可能包含随机存取存储器(RandomAccess Memory，简称RAM)，也可能还包括非易失性存储器(Non-volatile memory)，例如至少一个磁盘存储器。
例如，在一种可选的实现方式中，处理器610通过执行程序632可执行以下步骤：获取数码变焦参数；根据获取的所述数码变焦参数确定图像传感器的实际成像区；调整所述图像传感器的像素密度分布，以使调整后所述实际成像区的平均像素密度大于所述图像传感器的其他区；经调整后的所述实际成像区获取待摄场景的图像。
在其他可选的实现方式中，处理器610通过执行程序632还可执行上述其他任一实施例提及的步骤，在此不再赘述。
程序632中各步骤的具体实现可以参见上述实施例中的相应步骤、模块、子模块、单元中对应的描述，在此不再赘述。所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的设备和模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程描述，在此不再赘述。
图7为本申请实施例提供的一种成像设备的逻辑框图。如图7所示，本申请实施例提供的一种成像设备70包括一图像传感器71和一成像控制装置72，所述成像控制装置72与所述图像传感器71连接连接。所述成像控制装置的结构、工作原理描述可参见上文的相应实施例的记载，在此不再赘述。所述成像设备可包括但不限于具有拍照、摄影、摄像、视频监控等图像采集功能的设备，例如可为但不限于以下设备：照相机、手机、摄像头、摄影机、录像机，等等。
本申请实施例提供的技术方案，由于图像传感器的像素密度分布已经根据图像目标像素密度分布信息进行了调整，且所述图像目标像素密度分布信息是根据所述待摄场景的目标景深信息确定，因此，根据调整后的所述图像传感器获取所述待摄场景的图像，获取的图像的不同区域的清晰度呈现出与目标像素密度分布信息相应的差异分布，相对所述目标景深信息需要清晰呈现的部分会有更多的像素参与图像采集，这部分的图像清晰度更高，提高了图像采集效率，而所述目标景深信息无需清晰呈现的部分则用相对较少的像素参与图像采集，该部分的图像较为模糊，由此整体上充分利用图像传感器的像素实现浅景深的图像效果，可更好满足用户多样化的应用需求。
可选的，所述图像传感器包括：阵列分布的多个图像传感器像素；一可控变形材料部，分别与多个所述图像传感器像素连接；所述可控变形材料部在外场作用下可发生形变、并通过所述形变相应调整多个所述图像传感器像素的密度分布；所述外场由所述成像控制装置控制。
所述图像传感器包括柔性衬底以及在所述柔性衬底上形成的多个图像传感器像素，或者，所述图像传感器的结构可参见图1b-图1j的相应记载，所述成像控制装置可直接控制所述外场来控制所述可控变形材料部的形变，进而调整所述图像传感器的像素密度分布；或者，所述成像控制装置可通过控制所述形变控制部来间接控制外场，使得所述可控变形材料部发生相应形变以相应调整所述图像传感器的像素密度分布；等等。所述图像传感器像素和所述变形材料部的物理连接方式，可根据实际需要确定，只要满足在所述变形材料部发生形变时可调整所述图像传感器的像素密度分布即可，本申请实施例对此并不限制，具体实现方式可参见上文的相应记载，在此不再赘述。
在本申请上述各实施例中，实施例的序号和/或先后顺序仅仅便于描述，不代表实施例的优劣。对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。有关装置、设备或系统实施例的实施原理或过程的相关描述，可参见相应方法实施例的记载，在此不再赘述。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及方法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，简称ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，简称RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
在本申请的装置、方法、系统等实施例中，显然，各部件(系统、子系统、模块、子模块、单元、子单元等)或各步骤是可以分解、组合和/或分解后重新组合的。这些分解和/或重新组合应视为本申请的等效方案。同时，在上面对本申请具体实施例的描述中，针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。
应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、要素、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、要素、步骤或组件的存在或附加。
最后应说明的是：以上实施方式仅用于说明本申请，而并非对本申请的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本申请的范畴，本申请的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (20)

1.一种数码变焦图像的成像控制方法，其特征在于，包括：
获取数码变焦参数；
根据获取的所述数码变焦参数确定图像传感器的实际成像区；
调整所述图像传感器的像素密度分布，以使调整后所述实际成像区的平均像素密度大于所述图像传感器的其他区；所述图像传感器为像素密度可调的图像传感器；
经调整后的所述实际成像区获取待摄场景的图像；
其中，所述像素密度可调的图像传感器为柔性图像传感器。
2.根据权利要求1所述的成像控制方法，其特征在于，调整所述图像传感器的像素密度分布，包括：
确定与获取的所述数码变焦参数对应的目标像素密度分布信息，确定的所述目标像素密度分布信息中对应所述实际成像区的平均目标像素密度大于对应所述其他区的平均目标像素密度；
根据确定的所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布。
3.根据权利要求2所述的成像控制方法，其特征在于，确定与获取的所述数码变焦参数对应的目标像素密度分布信息，包括：
获取数码变焦参数与目标像素密度分布信息之间的映射关系；
根据所述映射关系确定与获取的所述数码变焦参数对应的目标像素密度分布信息。
4.根据权利要求1所述的成像控制方法，其特征在于，调整所述图像传感器的像素密度分布，包括：
获取所述图像传感器的像素调整约束信息；
根据所述像素调整约束信息和所述实际成像区确定目标像素密度分布信息；
根据确定的所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布。
5.根据权利要求4所述的成像控制方法，其特征在于，所述像素调整约束信息包括：所述图像传感器的任二个相邻像素之间的容许调整的弹性范围。
6.根据权利要求5所述的成像控制方法，其特征在于，所述目标像素密度分布信息中对应所述其他区的任二个相邻像素之间的平均间距为第一值，所述第一值为所述弹性范围中大于所述图像传感器的像素间距平均值中的任一值。
7.根据权利要求2-6任一所述的成像控制方法，其特征在于，所述目标像素密度分布信息中对应所述实际成像区的各像素均匀分布或非均匀分布。
8.根据权利要求2-6任一所述的成像控制方法，其特征在于，根据确定的所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布，包括：
根据确定的所述目标像素密度分布信息确定可控变形材料部的形变控制信息；
根据所述形变控制信息控制所述可控变形材料部发生形变，以通过所述可控变形材料部的形变相应调整所述图像传感器的像素密度分布。
9.根据权利要求8所述的成像控制方法，其特征在于，所述可控变形材料部至少由以下一种或多种可控变形材料制备而成：压电材料、电活性聚合物、光致形变材料、磁致伸缩材料。
10.根据权利要求1-6任一所述的成像控制方法，其特征在于，还包括：
获取所述实际成像区的像素索引信息；
根据所述像素索引信息扫描输出获取的图像。
11.根据权利要求1-6任一所述的成像控制方法，其特征在于，还包括：
获取所述实际成像区的像素实际位置信息；
根据所述像素实际位置信息扫描输出获取的图像。
12.一种成像控制装置，其特征在于，包括：
一数码变焦参数获取模块，用于获取数码变焦参数；
一实际成像区确定模块，用于根据获取的所述数码变焦参数确定图像传感器的实际成像区；
一像素密度分布调整模块，用于调整所述图像传感器的像素密度分布，以使调整后所述实际成像区的平均像素密度大于所述图像传感器的其他区；所述图像传感器为像素密度可调的图像传感器；
一图像获取模块，用于经调整后的所述实际成像区获取待摄场景的图像；
其中，所述像素密度可调的图像传感器为柔性图像传感器。
13.根据权利要求12所述的成像控制装置，其特征在于，所述像素密度分布调整模块包括：
一第一目标像素密度分布信息确定子模块，用于确定与获取的所述数码变焦参数对应的目标像素密度分布信息，确定的所述目标像素密度分布信息中对应所述实际成像区的平均目标像素密度大于对应所述其他区的平均目标像素密度；
一第一像素密度分布调整子模块，用于根据确定的所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布。
14.根据权利要求13所述的成像控制装置，其特征在于，所述第一目标像素密度分布信息确定子模包括：
一映射关系获取单元，用于获取数码变焦参数与目标像素密度分布信息之间的映射关系；
一目标像素密度分布信息确定单元，用于根据所述映射关系确定与获取的所述数码变焦参数对应的目标像素密度分布信息。
15.根据权利要求12所述的成像控制装置，其特征在于，所述像素密度分布调整模块包括：
一约束信息获取子模块，用于获取所述图像传感器的像素调整约束信息；
一目标像素密度分布信息确定子模块，用于根据所述像素调整约束信息和所述实际成像区确定目标像素密度分布信息；
一第二像素密度分布调整子模块，用于根据确定的所述目标像素密度分布信息调整所述图像传感器的像素密度分布。
16.根据权利要求13-15任一所述的成像控制装置，其特征在于，所述像素密度分布调整模块还包括：
一形变控制信息确定子模块，用于根据确定的所述目标像素密度分布信息确定可控变形材料部的形变控制信息；
一形变控制子模块，用于根据所述形变控制信息控制所述可控变形材料部发生形变，以通过所述可控变形材料部的形变相应调整所述图像传感器的像素密度分布。
17.根据权利要求12-15任一所述的成像控制装置，其特征在于，还包括：
一像素索引信息获取模块，用于获取所述实际成像区的像素索引信息；
一像素索引扫描输出模块，用于根据所述像素索引信息扫描输出获取的图像。
18.根据权利要求12-15任一所述的成像控制装置，其特征在于，还包括：
一像素实际位置信息获取模块，用于获取所述实际成像区的像素实际位置信息；
一像素实际位置扫描输出模块，用于根据所述像素实际位置信息扫描输出获取的图像。
19.一种成像设备，其特征在于，包括一图像传感器和一如权利要求12-18任一所述的成像控制装置，所述成像控制装置与所述图像传感器连接。
20.根据权利要求19所述的成像设备，其特征在于，所述图像传感器包括：
阵列分布的多个图像传感器像素；
一可控变形材料部，分别与多个所述图像传感器像素连接；所述可控变形材料部在外场作用下可发生形变、并通过所述形变相应调整多个所述图像传感器像素的密度分布；所述外场由所述成像控制装置控制。
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