CN105467290A - 宇航级vmos管功能性完好的测试方法 - Google Patents

宇航级vmos管功能性完好的测试方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105467290A
CN105467290A CN201510819911.1A CN201510819911A CN105467290A CN 105467290 A CN105467290 A CN 105467290A CN 201510819911 A CN201510819911 A CN 201510819911A CN 105467290 A CN105467290 A CN 105467290A
Authority
CN
China
Prior art keywords
grid
vmos
meter pen
value
drain electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510819911.1A
Other languages
English (en)
Inventor
谢永权
柳金生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Institute of Satellite Equipment
Original Assignee
Shanghai Institute of Satellite Equipment
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Satellite Equipment filed Critical Shanghai Institute of Satellite Equipment
Priority to CN201510819911.1A priority Critical patent/CN105467290A/zh
Publication of CN105467290A publication Critical patent/CN105467290A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

本发明提供了一种宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，采用MF500型指针式万用表，具体地，用调至R×1K档位的MF500型指针式万用表欧姆档，测量VMOS管的源极和漏极之间、栅极和源极之间、栅极和漏极之间的电阻值；MF500型指针式万用表采用内部1.5V电池供电，该电池电压值低于VMOS管的阈值电压VGS(th)。本发明可对宇航级VMOS管的极间阻抗进行测试并给出功能性好坏的结论。

Description

宇航级VMOS管功能性完好的测试方法
技术领域
本发明涉及航天测量技术领域，具体涉及宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，尤其是印制板上或裸片宇航级VMOS管功能性完好的测试方法。
背景技术
目前VMOS管在航天领域被广泛应用，其产品制造过程复杂，从插件装焊、整机装联、包装运输直至产品应用，都在静电的威胁之下。在整个电子产品生产过程中，每一个阶段中的每一个小步骤，静电敏感元件都可能遭受静电的影响或受到破坏。
VMOS管的输入阻抗很高而栅极和源极间的电容非常小。以P型VMOS管IRHN9150SCS(2N7422U)为例，其Ciss＝1100PF，极易受外界电磁场或静电感应而带电，极少的电荷就可在极间电容上形成相当高的电压U＝Q/Ciss，使VMOS管G-S失效。根据人体静电放电模型：人体静电电压一般在几千伏到几万伏，令Vb＝2000V，人体等效电容Cb一般为100～250PF，令Cb＝100PF，则人体所带电荷Qb＝CbVb＝2×10-7C，极间电容上形成的电压(VGS为VMOS管的栅源耐压)，使VMOS管的G-S失效。
因此，VMOS管的使用也给航天电子产品的制造带来了一个全新的课题，即如何有效的防止制造过程中VMOS管的静电击穿，对其功能性完好做出判断，从而克服后续才发现问题增加制造成本的弊端。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种宇航级VMOS管功能性完好的测试方法。
根据本发明提供的一种宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，测试设备采用MF500型指针式万用表，具体地，用调至R×1K档位的MF500型指针式万用表欧姆档，测量VMOS管的源极和漏极之间、栅极和源极之间、栅极和漏极之间的电阻值；MF500型指针式万用表采用内部1.5V电池供电，该电池电压值低于VMOS管的阈值电压VGS(th)。
优选地，测试条件包括：
-整个测试在防静电工作区内进行；
-整个测试在离子风状态下进行；
-VMOS的阻抗特性参数的测量必须在环境温度20±5℃、环境湿度30-75％的条件下进行；
-防静电腕带接地系统电阻的大小取1MΩ～10MΩ；
-防静电工作区接地电阻小于4Ω。
优选地，测试人员要求包括：
-测试前，测试人员穿戴防静电工作衣、防静电工作鞋、防静电工作帽，并戴好防静电腕带和防静电手套；
-测试人员在进入防静电工作区测试前将人体静电释放，触摸静电释放棒直到静电释放完毕。
优选地，测试技术要求包括：
-用MF500型指针式万用表的表笔将VMOS管的源极S、漏极D、栅极G这三个电极同时短路，使栅极的电荷释放；
-每次测量完毕，将栅极与源极间短路，以释放极间电荷。
优选地，测试方法为采用MF500型指针式万用表测量VMOS管的源极和漏极之间、栅极和源极之间、栅极和漏极之间的电阻值，若这些电阻值与要求值相符，则认为VMOS管功能完好，否则，则认为VMOS管功能不完好。
优选地，所述测试方法，包括如下步骤：
测试阻抗参数前，将MF500型指针式万用表的红表笔和黑表笔短接一次，测量栅极与漏极间阻值RGD的值，先将红表笔连接至漏极，然后将黑表笔连接至栅极进行测量，记录RGD的值，RGD测量完毕，先将黑表笔从栅极移开，再将红表笔从漏极移开；
将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量漏极与栅极间阻值RDG的值，先将黑表笔连接至漏极，然后将红表笔连接至栅极进行测量，记录RDG的值，RDG测量完毕，先将红表笔从栅极移开，再将黑表笔从漏极移开；
将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量RGS的值，先将万用表红表笔连接至源极，然后将黑表笔连接至栅极进行测量，记录RGS的阻值，RGS测量完毕，先将黑表笔从栅极移开，再将红表笔从源极移开；
将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量源极与栅极间阻值RSG的值，先将黑表笔连接至源极，然后将红表笔连接至栅极进行测量，记录RSG的值，RSG测量完毕，先将红表笔从栅极移开，再将黑表笔从源极移开；
将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量漏极与源极间阻值RDS的值，先将红表笔连接至源极，然后将黑表笔连接至漏极进行测量，记录RDS的值；
将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量源极与漏极间阻值RSD的值，先将红表笔连接至漏极，然后将黑表笔连接至源极进行测量，记录RSD的值。
优选地，裸片测试时，N型沟道VMOS管需满足RGD、RDG、RGS、RSG、RDS阻抗∞，RSD几千欧至十几千欧；裸片测试时，P型沟道VMOS管需满足RGD、RDG、RGS、RSG、RSD阻抗∞，RDS几千欧至十几千欧。
与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
1、本发明能够在带VMOS管的航天电子产品制造全过程中有效隔离故障点，确保印制电路板上VMOS管功能完好，提高航天产品的可靠性，克服上电调试阶段才发现问题，增加制造成本的弊端。
2、VMOS管的输入阻抗很高而栅源极间的电容非常小，易受外界电磁场或静电感应带电，带VMOS管航天电子产品制造过程中，每一个阶段中的每一个小步骤，VMOS管都可能遭受静电的影响而受到破坏，因此本发明中VMOS管的功能性测试对于有效隔离故障点具有重要的意义。
3、本发明已通过试验验证，采用该方法可以准确找出问题VMOS管，且不会对VMOS管造成损伤。目前，该技术已应用于航天领域带VMOS电子产品的测试，具有很高实用性、经济性。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明的方法流程示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本发明的保护范围。
本发明公开了一种宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，规定了VMOS功能性测试设备、测试条件、测试人员要求、测试技术要求、测试项目和测试方法，测试检验要求、记录表格等，可对宇航级VMOS管的极间阻抗进行测试并给出功能性好坏的结论。
本发明在测试时采用MF500型万用表，选定万用表内部1.5V电池供电，该电压值低于VMOS管的阈值电压VGS(th)，根据转移特性曲线可知VMOS管处于断开状态，不会对管子造成损伤。
具体地，目前许多型号卫星从研制初期，就将整星减重作为产品研制的重要任务。从设计源头减轻重量将成为整星减重的有效手段之一，航天电子产品中采用VMOS管来代替继电器成为一种趋势。
VMOS器件属于静电敏感器件，带VMOS管航天电子产品制造全过程复杂，环节众多，且每一个环节中的每一个小步骤处理不当，VMOS管都可能遭受静电的影响或受到破坏。
VMOS管是航天电子产品的重要组成部分，器件开关频率高，作为开关管使用时，具有优越的高速/高频特性，理论频率可达兆赫兹；同时导通电阻小，VMOS的导通电阻一般在0～5Ω之间，作为开关管使用时，可有效降低电路设计的开关损耗值。VMOS管的输入阻抗很高而栅极和源极间的电容非常小，同时具备一定抗辐照特性的宇航级VMOS管采购困难，且采购周期长、价格昂贵，因此，必须在制造全过程中加强对VMOS管的防静电控制，并有效隔离故障点。
更为具体地，根据本发明提供的宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，具体如下：
宇航级VMOS管测试设备为MF500型指针式万用表，选择Ω档，R×1K档位，选定万用表内部1.5V电池供电，该电压值低于VMOS管的阈值电压VGS(th)。
宇航级VMOS管测试条件包括：
-整个测试必须在防静电工作区内进行；
-整个测试在离子风状态下进行；
-用于测试的工作台，台面应干净、整洁，与测试无关的物品都应撤离现场；
-VMOS的阻抗特性参数的测量必须在环境温度20±5℃、环境湿度30-75％的条件下进行；
-防静电腕带接地系统电阻的大小应考虑人身安全，一般取1MΩ～10MΩ；
-防静电工作区接地电阻小于4Ω。
宇航级VMOS管测试人员要求包括：
-进行VMOS管的测试人员，必须通过静电放电防护操作的知识训练、能力的测验和鉴定，未经训练的人员不允许上岗测试；
-测试前必须穿戴防静电工作衣、防静电工作鞋、防静电工作帽，并戴好防静电腕带和防静电手套(指套)；
-测试人员在进入防静电工作区测试前必须将人体静电释放，触摸静电释放棒直到指示灯变绿时，表示静电释放完毕。
宇航级VMOS管测试技术要求包括：
-VMOS管的输入阻抗很高而栅极和源极间的电容非常小，G-S级间静电极为敏感，检测前，首先用表笔将三个电极同时短路，使其G极的电荷释放；
-每次测量完毕，应当G-S极间短路一下，这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起VGS电压，造成在进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。
宇航级VMOS管测试项目包括：测量VMOS管的源极和漏极之间、栅极和源极之间、栅极和漏极之间的电阻值，分别记为RGD、RDG、RGS、RSG、RDS、RSD。
宇航级VMOS管测试方法包括：
S61采用MF500型指针式万用表欧姆档(R×1K档位)测阻法来判断，用万用表测量VMOS管的源极和漏极、栅极和源极、栅极和漏极两两之间的电阻值，看其是否与要求值相符，去判别VMOS管功能是否完好；
S62测试VMOS管栅极与其他任意极之间的阻抗时，先将万用表对应表笔连接至源级或漏极，再将另一支表笔连接至栅极进行测量；对应阻抗测试完毕，先移开栅极的测量表笔，再移开源级或漏极表笔；
S63裸片VMOS管测试步骤：
S631测试人员穿戴防静电工作衣、防静电工作鞋、防静电工作帽，触摸静电释放棒直到指示灯变绿时，静电释放完毕；
S632按照测试要求完成测试前相关检查；
S633测试前的检查结果全部满足测试条件后，把装有VMOS管的防静电包装盒(袋)放置在防静电工作区内；
S634打开离子风机，使整个测试过程在离子风状态下进行，以耗散静电荷；
S635在离子风状态下，戴好防静电腕带和防静电手套(指套)；
S636打开含有VMOS管的防静电包装盒(袋)，用防静电镊子钳将VMOS管取出，使焊接面朝上，置于防静电工作台上；
S637将MF500型指针式万用表调至欧姆档(R×1K档位)，并调零；
S638测试阻抗参数前，将MF500型指针式万用表的红表笔和黑表笔短接一次，测量栅极与漏极间阻值RGD(G+,D-)的值，先将红表笔连接至漏极，然后将黑表笔连接至栅极进行测量，记录RGD的值，RGD测量完毕，先将黑表笔从栅极移开，再将红表笔从漏极移开；
S639将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量漏极与栅极间阻值RDG(D+,G-)的值，先将黑表笔连接至漏极，然后将红表笔连接至栅极进行测量，记录RDG的值，RDG测量完毕，先将红表笔从栅极移开，再将黑表笔从漏极移开；
S6310将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量RGS(G+,S-)的值，先将万用表红表笔连接至源极，然后将黑表笔连接至栅极进行测量，记录RGS的阻值，RGS测量完毕，先将黑表笔从栅极移开，再将红表笔从源极移开；
S6311将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量源极与栅极间阻值RSG(S+,G-)的值，先将黑表笔连接至源极，然后将红表笔连接至栅极进行测量，记录RSG的值，RSG测量完毕，先将红表笔从栅极移开，再将黑表笔从源极移开；
S6312将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量漏极与源极间阻值RDS(D+,S-)的值，先将红表笔连接至源极，然后将黑表笔连接至漏极进行测量，记录RDS的值；
S6313将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量源极与漏极间阻值RSD(S+,D-)的值，先将红表笔连接至漏极，然后将黑表笔连接至源极进行测量，记录RSD的值；
S6314用防静电镊子钳将该VMOS管按原状态放入原防静电包装盒(袋)中；
S6315是否所有需要测试的VMOS管测量完毕，如果是则测试结束，否则重复步骤S636，测试下一个VMOS管的阻抗特性参数，重复步骤S638～S6313；
S6316阻抗特性测试结束，封装好装VMOS管的防静电包装盒(袋)，并将其放入仓库或干燥柜中存储；
S64印制板上VMOS管测试步骤：
S641测试人员穿戴防静电工作衣、防静电工作鞋、防静电工作帽，触摸静电释放棒直到指示灯变绿时，静电释放完毕；
S642按照测试要求完成测试前相关检查，并记录；
S643测试前的检查结果全部满足测试条件后，把包装在防静电袋中含VMOS管的印制板放置在防静电工作区内；
S644打开离子风机，使整个测试过程在离子风状态下进行，以耗散静电荷；S645在离子风状态下，戴好防静电腕带和防静电手套(指套)；
S646从防静电袋中取出含VMOS管的单机模块，使VMOS管正面朝上，置于防静电工作台，并均匀用力小心取下相应的短路保护插头；
S647将MF500型指针式万用表调至欧姆档(R×1K档位)，即档位量程开关1调至Ω档，档位量程开关2调至R×1K档，并调零；
S648测试阻抗参数前，将红表笔与黑表笔短接一次，测量RGD(G+,D-)的值，先将万用表红表笔连接至漏极，然后将黑表笔连接至栅极进行测量，记录RGD的阻值，RGD测量完毕，先将黑表笔从栅极移开，再将红表笔从漏极移开；
S649将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量RDG(D+,G-)的值，先将万用表黑表笔连接至漏极，然后将红表笔连接至栅极进行测量，记录RDG的阻值，RDG测量完毕，先将红表笔从栅极移开，再将黑表笔从漏极移开；
S6410将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量RGS(G+,S-)的值，先将万用表红表笔连接至源极，然后将黑表笔连接至栅极进行测量，记录RGS的阻值，RGS测量完毕，先将黑表笔从栅极移开，再将红表笔从源极移开；
S6411将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量RSG(S+,G-)的值，先将万用表黑表笔连接至S端，然后将红表笔连接至栅极进行测量，记录RSG的阻值，RSG测量完毕，先将红表笔从栅极移开，再将黑表笔从源极移开；
S6412将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量RDS(D+,S-)的值，先将万用表红表笔连接至源极，然后将黑表笔连接至漏极进行测量，记录RDS的阻值；
S6413将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量RSD(S+,D-)的值，先将万用表红表笔连接至漏极，然后将黑表笔连接至源极进行测量，记录RSD的阻值；
S6414是否所有需要测试的VMOS管测量完毕，如果是则测试结束，否则测试该印制板上，下一个需要测试的VMOS管，重复步骤S648～S6413；
S6415阻抗特性测试结束，在印制板上插上测试前拆下的所有短路保护插头，并将印制板放入防静电包装袋中，然后再放入仓库或干燥柜中存储；
宇航级VMOS管测试检验要求包括：
S71测试数据记录完整，裸片测试时满足下表要求：
表1：N型沟道VMOS管各指标正常值范围
表2：P型沟道VMOS管各指标正常值范围
S72印制板上VMOS管测试时，根据外部电路的不同，需要满足实际的阻值要求；
宇航级VMOS管测试记录和数据格式包括：
S81测试环境检查记录；
S82测试仪器状态检查记录；
S83防静电手腕和接地安全性检查记录；
S84VMOS测试阻抗数据记录(具体见下表)；
表3测试条件和数据格式记录表
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本发明的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。

Claims (7)

1.一种宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，其特征在于，测试设备采用MF500型指针式万用表，具体地，用调至R×1K档位的MF500型指针式万用表欧姆档，测量VMOS管的源极和漏极之间、栅极和源极之间、栅极和漏极之间的电阻值；MF500型指针式万用表采用内部1.5V电池供电，该电池电压值低于VMOS管的阈值电压VGS(th)。
2.根据权利要求1所述的宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，其特征在于，测试条件包括：
-整个测试在防静电工作区内进行；
-整个测试在离子风状态下进行；
-VMOS的阻抗特性参数的测量必须在环境温度20±5℃、环境湿度30-75％的条件
下进行；
-防静电腕带接地系统电阻的大小取1MΩ～10MΩ；
-防静电工作区接地电阻小于4Ω。
3.根据权利要求1所述的宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，其特征在于，测试人员要求包括：
-测试前，测试人员穿戴防静电工作衣、防静电工作鞋、防静电工作帽，并戴好防静电腕带和防静电手套；
-测试人员在进入防静电工作区测试前将人体静电释放，触摸静电释放棒直到静电释放完毕。
4.根据权利要求1所述的宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，其特征在于，测试技术要求包括：
-用MF500型指针式万用表的表笔将VMOS管的源极S、漏极D、栅极G这三个电极同时短路，使栅极的电荷释放；
-每次测量完毕，将栅极与源极间短路，以释放极间电荷。
5.根据权利要求1所述的宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，其特征在于，测试方法为采用MF500型指针式万用表测量VMOS管的源极和漏极之间、栅极和源极之间、栅极和漏极之间的电阻值，若这些电阻值与要求值相符，则认为VMOS管功能完好，否则，则认为VMOS管功能不完好。
6.根据权利要求5所述的宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，其特征在于，所述测试方法，包括如下步骤：
测试阻抗参数前，将MF500型指针式万用表的红表笔和黑表笔短接一次，测量栅极与漏极间阻值RGD的值，先将红表笔连接至漏极，然后将黑表笔连接至栅极进行测量，记录RGD的值，RGD测量完毕，先将黑表笔从栅极移开，再将红表笔从漏极移开；
将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量漏极与栅极间阻值RDG的值，先将黑表笔连接至漏极，然后将红表笔连接至栅极进行测量，记录RDG的值，RDG测量完毕，先将红表笔从栅极移开，再将黑表笔从漏极移开；
将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量RGS的值，先将万用表红表笔连接至源极，然后将黑表笔连接至栅极进行测量，记录RGS的阻值，RGS测量完毕，先将黑表笔从栅极移开，再将红表笔从源极移开；
将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量源极与栅极间阻值RSG的值，先将黑表笔连接至源极，然后将红表笔连接至栅极进行测量，记录RSG的值，RSG测量完毕，先将红表笔从栅极移开，再将黑表笔从源极移开；
将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量漏极与源极间阻值RDS的值，先将红表笔连接至源极，然后将黑表笔连接至漏极进行测量，记录RDS的值；
将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量源极与漏极间阻值RSD的值，先将红表笔连接至漏极，然后将黑表笔连接至源极进行测量，记录RSD的值。
7.根据权利要求6所述的宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，其特征在于，裸片测试时，N型沟道VMOS管需满足RGD、RDG、RGS、RSG、RDS阻抗∞，RSD几千欧至十几千欧；裸片测试时，P型沟道VMOS管需满足RGD、RDG、RGS、RSG、RSD阻抗∞，RDS几千欧至十几千欧。
CN201510819911.1A 2015-11-23 2015-11-23 宇航级vmos管功能性完好的测试方法 Pending CN105467290A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510819911.1A CN105467290A (zh) 2015-11-23 2015-11-23 宇航级vmos管功能性完好的测试方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510819911.1A CN105467290A (zh) 2015-11-23 2015-11-23 宇航级vmos管功能性完好的测试方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105467290A true CN105467290A (zh) 2016-04-06

Family

ID=55605206

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510819911.1A Pending CN105467290A (zh) 2015-11-23 2015-11-23 宇航级vmos管功能性完好的测试方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105467290A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107613614A (zh) * 2017-11-02 2018-01-19 季春 一种led灯自动检测系统

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1536637A (zh) * 2003-04-07 2004-10-13 联华电子股份有限公司 防静电破坏的ic元件测试系统
CN1909202A (zh) * 2005-08-02 2007-02-07 矽统科技股份有限公司 测试装置及其方法
CN101740549A (zh) * 2008-11-24 2010-06-16 上海华虹Nec电子有限公司 精确评估栅氧可靠性能的测试结构及测试方法
CN103353539A (zh) * 2013-06-25 2013-10-16 上海华力微电子有限公司 用于晶片测试的保护装置
CN103941174A (zh) * 2014-04-18 2014-07-23 江苏大学 一种判别背栅石墨烯场效应晶体管器件失效的方法
CN203838300U (zh) * 2014-05-13 2014-09-17 山东明华光电科技有限公司 简易mos管检测仪
JP2015075432A (ja) * 2013-10-10 2015-04-20 シャープ株式会社 半導体トランジスタのテスト方法、及び、テスト回路
CN204405794U (zh) * 2014-11-27 2015-06-17 山东贞明半导体技术有限公司 一种场效应管的测试电路
CN104808126A (zh) * 2014-01-28 2015-07-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Mos晶体管的测试结构及测试方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1536637A (zh) * 2003-04-07 2004-10-13 联华电子股份有限公司 防静电破坏的ic元件测试系统
CN1909202A (zh) * 2005-08-02 2007-02-07 矽统科技股份有限公司 测试装置及其方法
CN101740549A (zh) * 2008-11-24 2010-06-16 上海华虹Nec电子有限公司 精确评估栅氧可靠性能的测试结构及测试方法
CN103353539A (zh) * 2013-06-25 2013-10-16 上海华力微电子有限公司 用于晶片测试的保护装置
JP2015075432A (ja) * 2013-10-10 2015-04-20 シャープ株式会社 半導体トランジスタのテスト方法、及び、テスト回路
CN104808126A (zh) * 2014-01-28 2015-07-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Mos晶体管的测试结构及测试方法
CN103941174A (zh) * 2014-04-18 2014-07-23 江苏大学 一种判别背栅石墨烯场效应晶体管器件失效的方法
CN203838300U (zh) * 2014-05-13 2014-09-17 山东明华光电科技有限公司 简易mos管检测仪
CN204405794U (zh) * 2014-11-27 2015-06-17 山东贞明半导体技术有限公司 一种场效应管的测试电路

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
周美含: "用万用表测试场效应管", 《家电检修技术》 *
杨善晓: "功率场效应管的检测技巧", 《家电检修技术》 *
薛文: "场效应管的结构与检测", 《家电检修技术》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107613614A (zh) * 2017-11-02 2018-01-19 季春 一种led灯自动检测系统
CN107613614B (zh) * 2017-11-02 2024-05-07 季春 一种led灯自动检测系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3826981A (en) Solid-state high impedance meter system
CN204214954U (zh) 静电量测装置及使用该静电量测装置的消除静电系统
CN103323647B (zh) 分级绝缘电磁式pt一次侧电流监测装置及方法
CN105467290A (zh) 宇航级vmos管功能性完好的测试方法
CN207286451U (zh) 静电泄放状态可视化静电防护系统
CN104267251B (zh) 军用装备电气保护参数检定装置及方法
CN106291276A (zh) 一种用于并行测试系统的介质经时击穿测试装置
CN204008712U (zh) 容性设备套管末屏带电检测装置
CN103499749B (zh) 一种静电检测装置
JP2008232737A (ja) 漏電検出方法およびこの方法に用いるデジタルテスタ
CN203519735U (zh) 一种静电检测装置
CN103278729B (zh) 高压测试用接地状况测试仪
CN106443429B (zh) 检测马达控制器的触点触电状态的装置及方法
US9134362B2 (en) Method for automatically sorting LEDs according to electrostatic resistance and system using the same
CN107843759A (zh) 航天器中电子设备的浪涌电流测试系统及测试方法
CN204789370U (zh) 一种便携式绝缘防护织物缺陷测试仪
CN208953605U (zh) 一种针对瞬态电压抑制器静电箝位电压的测试装置
CN206671397U (zh) 一种可更换电池的电表
CN202649309U (zh) 输电线路直流电阻测试系统
Koh et al. ESD risk assessment considerations for automated handling equipment
Smallwood Can Electrostatic Discharge Sensitive electronic devices be damaged by electrostatic fields?
CN103142226B (zh) 人体电阻测试方法
Antong et al. Prediction of Electrostatic Discharge (ESD) soft error on two-way radio using ESD simulation in CST and ESD immunity scanning technique
Tamminen et al. ESD and disturbance cases in electrostatic protected areas
CN106324042A (zh) 防静电工作服在线测试装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160406

RJ01 Rejection of invention patent application after publication