CN105463411A - 一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱 - Google Patents

一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱 Download PDF

Info

Publication number
CN105463411A
CN105463411A CN201610045732.1A CN201610045732A CN105463411A CN 105463411 A CN105463411 A CN 105463411A CN 201610045732 A CN201610045732 A CN 201610045732A CN 105463411 A CN105463411 A CN 105463411A
Authority
CN
China
Prior art keywords
supporting column
center supporting
vapor deposition
chemical vapor
organic chemical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610045732.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105463411B (zh
Inventor
冯雅清
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN201610045732.1A priority Critical patent/CN105463411B/zh
Publication of CN105463411A publication Critical patent/CN105463411A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105463411B publication Critical patent/CN105463411B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，属于半导体设备制造技术领域。一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，包括中央支柱体、导流螺杆、O型圈、反应腔顶盖、进水管、出水管、上盖、排气窗和反应腔底座，其特征在于，所述中央支柱体外套有隔热外套。本发明通过在中央支柱体外增加隔热外套，减少反应腔内高热气流对中央支柱体的加热效应，减小中央支柱体的形变以及高热反应气体对中央支柱体表面的刻蚀，以达到延长中央支柱的使用寿命。

Description

一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱
技术领域
本发明涉及半导体设备制造技术领域，特别涉及一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱。
背景技术
随着半导体发光芯片发光效率的提升和制造成本的下降，半导体发光芯片已被广泛应用于背光、显示和照明等领域。
MOCVD是适合生长半导体照明用LED材料外延片的良好技术，也是一种工业化的经济实用技术，其生长原理是：在一块加热适当温度的衬底上，含有Ⅲ和V族元素的气态化合物有控制的输送到衬底表面，生长出有特定组分、特定厚度、特定电学和光学参数的薄膜沉积材料。可见，反应腔是装个MOCVD设备最核心的部分，也是LED生长整个过程的环境保证。
在整个过程中，反应腔需要提供真空超高温的生长条件(500-1200℃)，当反应腔尺寸不断增加以降低生长成本的时候，用不锈钢制成的反应腔顶盖会产生形变。形变的产生不仅影响了反应腔顶盖的寿命，尤其对其内部的水槽密封产生较大影响；另外，由于形变使反应腔和载盘的距离、空间形状均发生了变化，继而影响反应腔气相反应的条件，不仅会影响生长物的质量，也会影响其均匀性，这在量产化的过程中几乎是致命的。显而易见，常见的MOCVD反应腔结构，如图1所示，中国专利ZL201020546826.5公开的一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，就存在前述几种本质缺陷。
发明内容
本发明的目的在于针对上述问题，提供了一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，能够显著改善反应腔顶盖的抗形变能力。
本发明的目的是这样实现的：
一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，包括中央支柱体、导流螺杆、O型圈、反应腔顶盖、进水管、出水管、上盖、排气窗和反应腔底座，其特征在于，所述中央支柱体外套有隔热外套。
其中，所述隔热外套与中央支柱体之间留有间隙，该间隙为0.1mm-2mm之间。
其中，所述隔热外套的底部抵接于反应腔底座，其顶部与反应腔顶盖之间留有间隙。
其中，所述隔热外套由耐高温耐腐蚀的无机或金属材料制成。
其中，所述隔热外套的壁厚为0.5mm-5mm之间。
本发明的有益效果为：通过在中央支柱体外增加隔热外套，减少反应腔内高热气流对中央支柱体的加热效应，减小中央支柱体的形变以及高热反应气体对中央支柱体表面的刻蚀，以达到延长中央支柱的使用寿命。
附图说明
图1为现有金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱的结构图。
图2为本发明的结构图。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图，进一步阐述本发明。
如图1所示，为中国专利ZL201020546826.5公开的现有金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，主要包括中央支柱体1、导流螺杆2、O型圈3、反应腔顶盖4、进水管5、出水管6、上盖7、排气窗8和反应腔底座10。
由于中央支柱体1也处于MOCVD反应腔之内，也需要承受真空超高温的环境以及反应气体对其表面的刻蚀。
为了避免高温反应气体对中央支柱体1的加热与刻蚀，本发明在前述现有金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱的基础上做了改进，如图2所示，具体为在中央支柱体1外套有一个隔热外套9，该隔热外套9的壁厚介于0.5mm-5mm之间，隔热外套9与中央支柱体1之间还留有0.1mm-2mm的间隙，彼此不接触。该隔热外套9具体由耐高温耐腐蚀的无机或金属材料制成，具体可选用石英玻璃、不锈钢、钼、耐热陶瓷等材料。
为了避免隔热外套9被反应腔顶盖4压到，隔热外套9的底部抵接于反应腔底座10，顶部则与反应腔顶盖10之间留有间隙。
在中央支柱体套上隔热外套，使得反应腔内的反应气流不直接与中央支柱体接触，不仅可以阻隔高温反应气体直接接触中央支柱体的表面，减少热传导和热辐射对中央支柱体的加热效应，也可以杜绝反应腔内高温活性反应气体对中央支柱体的刻蚀，从而减少中央支柱体在真空与高温下的形变，保护中央支柱体不被刻蚀，延长其使用寿命，确保表面气流的平顺。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (6)

1.一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，包括中央支柱体(1)、导流螺杆(2)、O型圈(3)、反应腔顶盖(4)、进水管(5)、出水管(6)、上盖(7)、排气窗(8)和反应腔底座(10)，其特征在于，所述中央支柱体(1)外套有隔热外套(9)。
2.根据权利要求1所述的一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，其特征在于，所述隔热外套(9)与中央支柱体(1)之间留有间隙。
3.根据权利要求2所述的一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，其特征在于，所述隔热外套(9)与中央支柱体(1)之间的间隙为0.1mm-2mm之间。
4.根据权利要求1所述的一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，其特征在于，所述隔热外套(9)的底部抵接于反应腔底座(10)，其顶部与反应腔顶盖(4)之间留有间隙。
5.根据权利要求1所述的一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，其特征在于，所述隔热外套(9)由耐高温耐腐蚀的无机或金属材料制成。
6.根据权利要求1所述的一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，其特征在于，所述隔热外套(9)的壁厚为0.5mm-5mm之间。
CN201610045732.1A 2016-01-23 2016-01-23 一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱 Expired - Fee Related CN105463411B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610045732.1A CN105463411B (zh) 2016-01-23 2016-01-23 一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610045732.1A CN105463411B (zh) 2016-01-23 2016-01-23 一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105463411A true CN105463411A (zh) 2016-04-06
CN105463411B CN105463411B (zh) 2018-12-25

Family

ID=55601560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610045732.1A Expired - Fee Related CN105463411B (zh) 2016-01-23 2016-01-23 一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105463411B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112501590A (zh) * 2020-11-09 2021-03-16 温州大学 一种mocvd设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5173336A (en) * 1991-01-22 1992-12-22 Santa Barbara Research Center Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor with recirculation suppressing flow guide
US6180541B1 (en) * 1998-04-08 2001-01-30 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Metal-organic (MO) chemical vapor deposition method and MO chemical vapor deposition reactor
CN202139293U (zh) * 2010-09-29 2012-02-08 上海蓝宝光电材料有限公司 一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱
CN102534560A (zh) * 2010-12-31 2012-07-04 上海永胜半导体设备有限公司 一种金属有机物化学气相沉积设备的载盘支撑
CN103526186A (zh) * 2013-07-31 2014-01-22 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种用于mocvd反应器的晶片载盘及mocvd反应器
CN205313665U (zh) * 2016-01-23 2016-06-15 冯雅清 一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5173336A (en) * 1991-01-22 1992-12-22 Santa Barbara Research Center Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor with recirculation suppressing flow guide
US6180541B1 (en) * 1998-04-08 2001-01-30 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Metal-organic (MO) chemical vapor deposition method and MO chemical vapor deposition reactor
CN202139293U (zh) * 2010-09-29 2012-02-08 上海蓝宝光电材料有限公司 一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱
CN102534560A (zh) * 2010-12-31 2012-07-04 上海永胜半导体设备有限公司 一种金属有机物化学气相沉积设备的载盘支撑
CN103526186A (zh) * 2013-07-31 2014-01-22 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种用于mocvd反应器的晶片载盘及mocvd反应器
CN205313665U (zh) * 2016-01-23 2016-06-15 冯雅清 一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
徐滨士等: "《表面工程技术手册 下》", 31 July 2009, 化学工业出版社 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112501590A (zh) * 2020-11-09 2021-03-16 温州大学 一种mocvd设备
WO2022095123A1 (zh) * 2020-11-09 2022-05-12 温州大学 一种mocvd设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN105463411B (zh) 2018-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3179605U (ja) 基板支持体の加熱及び冷却
CN107819045B (zh) 基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器及其制备方法
CN102121098A (zh) 一种外加热方式的金属有机化学气相沉积系统反应腔
CN202246871U (zh) 一种集成化的多腔室星型结构真空镀膜设备
CN104561930A (zh) 一种用于卧式半导体设备的石墨舟推送装置
CN103938186B (zh) 托盘、mocvd反应腔和mocvd设备
CN201517131U (zh) 一种制备类金刚石薄膜的装置
US20220316053A1 (en) Hfcvd device used for continuous preparation of diamond thin film, and coating method thereof
CN205313665U (zh) 一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱
CN103526186A (zh) 一种用于mocvd反应器的晶片载盘及mocvd反应器
CN211339680U (zh) 一种双层lpcvd炉
CN203947158U (zh) 一种mocvd反应室的流场挡板机构及mocvd反应室
CN104233460B (zh) 反应腔室及设置有该反应腔室的mocvd设备
CN103322800A (zh) 一种全透明管式电阻炉
CN105463411A (zh) 一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱
CN102094185A (zh) 圆桶型金属有机化学气相沉积反应管
CN110444489A (zh) 热处理装置
CN202116645U (zh) 一种金属有机物化学气相沉积设备的多区加热装置
CN202116644U (zh) 一种金属有机物化学气相沉积设备的加热器
CN209243172U (zh) 一种应用于晶格失配结构外延生长的石墨盘
US20100083900A1 (en) Atomic layer deposition apparatus
CN103397308A (zh) 用于mocvd设备的喷淋头
ATE486159T1 (de) Epitaxiereaktor für die massenfertigung von wafern
CN203286173U (zh) 一种真空密封法兰盘
CN103276444A (zh) 一种双加热气相外延生长系统

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20181225

Termination date: 20200123