CN105427983A - 一种温度调阻75千欧电阻片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种温度调阻75千欧电阻片，包括焊接层、绝缘层、电阻层和釉层，所述绝缘层上部依次为焊接层、电阻层和釉层，所述焊接层的反面为银层，正面为银极，所述绝缘层为陶瓷基片，所述电阻层采用温度调阻制备工艺制成，印完电阻层与焊接层的正面银极，均采取低于电阻层850度烧结，控制电阻片电阻低于公差上限，再利用釉层中温烧结时，部份玻璃釉渗透到电阻层结构内，会增大电阻之特性，针对不同电阻范围的产品按不同温度返炉烧结，以达到增加电阻，从面保证良品率在98%以上。
Description
技术领域
本发明属于电阻片，具体为一种温度调阻75千欧电阻片及其制备方法。
背景技术
现在电阻片调阻工艺主要依靠激光切割机或喷沙，对电阻层进分割，从面达到精密调阻目的，此工艺直接破坏了电阻层及玻璃釉层，影响了电阻片的电性能。
现有的电阻片主要依靠激光切割机对电阻层进行分割，从而加大电阻，得到所要的电阻，温度调阻电阻片，电阻层采取低800度烧结，控制电阻片电阻低于公差上限，再利用釉层中温烧结时，部份玻璃釉渗透到电阻层结构内，会增大电阻之特性，针对不同电阻范围的产品按不同温度返炉烧结，以达到增加电阻，从而保证良品率在98%以上。
激光或喷沙调阻，对厚膜电阻片带来众多问题：调阻改变了电阻层的结构，造成的电阻膜局部损伤，改变电流密度分布，导致损伤处发热不匀，厚膜电阻的功率承受能力和稳定性大为降低，调阻工艺将会损伤基片，使基片的绝缘性变差，基片功率承受能力下降；调阻工艺所使用的设备成本高；所以，性能优越的大功率电阻片制作的技术关键：制作时电阻一致性好，避免采用损伤的调阻工艺，本温度调阻制备工艺有投入成本低，不损伤电阻层及基片，电阻片的电性能好的优点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种温度调阻75千欧电阻片及其制备方法，解决背景技术中的问题。
本发明采用以下技术方案实现：
一种温度调阻75千欧电阻片，包括焊接层、绝缘层、电阻层和釉层，所述绝缘层上部依次为焊接层、电阻层和釉层，所述焊接层的反面为银层，正面为银极，所述绝缘层为陶瓷基片。
一种温度调阻75千欧电阻片的制备方法，包括以下步骤：
第一步：选择96氧化铝陶瓷基片，尺寸为17*19*0.635㎜；选择850度，银含量为80%的银浆；
第二步：在陶瓷基片反面，采用150目丝网印刷尺寸为15*17㎜的银层，经850度烧结，得到厚度为12UM的反面焊接层；
第二步：选择850度烧结，方阻为100KΩ，温度系数50PPM/℃钌系电阻浆料，在陶瓷正面，利用200目丝网印刷电阻层，尺寸为17*10.2㎜，经800度烧结得到厚底为8UM的电阻层；
第三步：在电阻层两边，采用150目丝网印刷宽度为2.5㎜，长为15㎜的银电极；两银电极尺寸为15*17㎜，中间空10*17㎜为电阻层，经800度烧结得到连接引线的银电极；
第四步：在电阻层上面，采用550到580度烧结的玻璃釉，以150目丝网印刷尺寸为10.1*18㎜厚度为15UM的绝缘层，用6温区厚膜烧结炉，设定温度曲线为：350-450-550-550-450-350，转速为200㎜/M；
第五步：采用数字电桥测试电阻，按电阻大小分区放置，按公差5%，A区：71.25KΩ-78.75KΩ；B区：63.75KΩ-71.24KΩ；C区：56.25KΩ-71.25KΩ；
第六步：温度调阻：A区为良品，不需调阻，B区采用厚膜烧结炉，烧结温度调整350-450-570-570-450-350，转速：200㎜/M，C区产品，烧结温度调整为400-500-590-590-500-400转速180㎜/M，再次用数字电桥测试电阻，按同样方式分区，经2到3次调阻，98%均可达到A区范围。
有益效果：本发明投入成本小，生产成本低，合格率高，性能优越，可批量生产。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。
参见图1，一种温度调阻75千欧电阻片的结构示意图，一种温度调阻75千欧电阻片，包括焊接层1、绝缘层2、电阻层3和釉层4，所述绝缘层2上部依次为焊接层1、电阻层3和釉层4，所述焊接层1的反面为银层，正面为银极，所述绝缘层2为陶瓷基片，所述电阻层3采用温度调阻制备工艺制成，印完电阻层3与焊接层1的正面银极，均采取低于电阻层850度烧结，控制电阻片电阻低于公差上限，再利用釉层4中温烧结时，部份玻璃釉渗透到电阻层3结构内，会增大电阻之特性，针对不同电阻范围的产品按不同温度返炉烧结，以达到增加电阻，从面保证良品率在98%以上。
实施例1
选择96氧化铝陶瓷基片，尺寸为17*19*0.635㎜；选择850度，银含量为80%的银浆；在陶瓷基片反面，采用150目丝网印刷尺寸为15*17㎜的银层，经850度烧结，得到厚度为12UM的反面焊接层；选择850度烧结，方阻为100KΩ，温度系数50PPM/℃钌系电阻浆料，在陶瓷正面，利用200目丝网印刷电阻层，尺寸为17*10.2㎜，经800度烧结得到厚底为8UM的电阻层；在电阻层两边，采用150目丝网印刷宽度为2.5㎜，长为15㎜的银电极；两银电极尺寸为15*17㎜，中间空10*17㎜为电阻层.经800度烧结得到连接引线的银电极；在电阻层上面，采用550到580度烧结的玻璃釉，以150目丝网印刷尺寸为10.1*18㎜厚度为15UM的绝缘层，用6温区厚膜烧结炉，设定温度曲线为：350-450-550-550-450-350，转速为200㎜/M；采用数字电桥测试电阻，按电阻大小分区放置，按公差5%，A区：71.25KΩ-78.75KΩ；B区：63.80KΩ-71.20KΩ；C区：56.25KΩ-71.25KΩ；温度调阻：A区为良品，不需调阻，B区采用厚膜烧结炉，烧结温度调整350-450-570-570-450-350，转速：200㎜/M，C区产品，烧结温度调整为400-500-590-590-500-400转速180㎜/M，再次用数字电桥测试电阻，按同样方式分区，经3次调阻，98%均可达到A区范围。
实施例2
选择96氧化铝陶瓷基片，尺寸为17*19*0.635㎜；选择850度，银含量为80%的银浆；在陶瓷基片反面，采用150目丝网印刷尺寸为15*17㎜的银层，经850度烧结，得到厚度为12UM的反面焊接层；选择850度烧结，方阻为100KΩ，温度系数50PPM/℃钌系电阻浆料，在陶瓷正面，利用200目丝网印刷电阻层，尺寸为17*10.2㎜，经800度烧结得到厚底为8UM的电阻层；在电阻层两边，采用150目丝网印刷宽度为2.5㎜，长为15㎜的银电极；两银电极尺寸为15*17㎜，中间空10*17㎜为电阻层.经800度烧结得到连接引线的银电极；在电阻层上面，采用550到580度烧结的玻璃釉，以150目丝网印刷尺寸为10.1*18㎜厚度为15UM的绝缘层，用6温区厚膜烧结炉，设定温度曲线为：350-450-550-550-450-350，转速为200㎜/M；采用数字电桥测试电阻，按电阻大小分区放置，按公差5%，A区：71.25KΩ-78.75KΩ；B区：63.75KΩ-71.24KΩ；C区：56.25KΩ-71.25KΩ；温度调阻：A区为良品，不需调阻，B区采用厚膜烧结炉，烧结温度调整350-450-570-570-450-350，转速：200㎜/M，C区产品，烧结温度调整为400-500-590-590-500-400转速180㎜/M，再次用数字电桥测试电阻，按同样方式分区，经2次调阻，98%均可达到A区范围。
实施例3
选择96氧化铝陶瓷基片，尺寸为17*19*0.635㎜；选择850度，银含量为80%的银浆；在陶瓷基片反面，采用150目丝网印刷尺寸为15*17㎜的银层，经850度烧结，得到厚度为12UM的反面焊接层；选择850度烧结，方阻为100KΩ，温度系数50PPM/℃钌系电阻浆料，在陶瓷正面，利用200目丝网印刷电阻层，尺寸为17*10.2㎜，经800度烧结得到厚底为8UM的电阻层；在电阻层两边，采用150目丝网印刷宽度为2.5㎜，长为15㎜的银电极；两银电极尺寸为15*17㎜，中间空10*17㎜为电阻层.经800度烧结得到连接引线的银电极；在电阻层上面，采用550到580度烧结的玻璃釉，以150目丝网印刷尺寸为10.1*18㎜厚度为15UM的绝缘层，用6温区厚膜烧结炉，设定温度曲线为：350-450-550-550-450-350，转速为200㎜/M；采用数字电桥测试电阻，按电阻大小分区放置，按公差5%，A区：71.25KΩ-78.75KΩ；B区：63.75KΩ-71.24KΩ；C区：56.30KΩ-71.20KΩ；温度调阻：A区为良品，不需调阻，B区采用厚膜烧结炉，烧结温度调整350-450-570-570-450-350，转速：200㎜/M，C区产品，烧结温度调整为400-500-590-590-500-400转速180㎜/M，再次用数字电桥测试电阻，按同样方式分区，经3次调阻，98%均可达到A区范围。
本发明的一种75KΩ陶瓷电阻片温度调阻制备工艺：投入成本小，生产成本低，合格率高，性能优越，可批量生产。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征及本发明的优点，本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内，本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (2)
1.一种温度调阻75千欧电阻片，包括焊接层、绝缘层、电阻层和釉层，其特征在于，所述绝缘层上部依次为焊接层、电阻层和釉层，所述焊接层的反面为银层，正面为银极，所述绝缘层为陶瓷基片。
2.一种温度调阻75千欧电阻片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步：选择96氧化铝陶瓷基片，尺寸为17*19*0.635㎜；选择850度，银含量为80%的银浆；
第二步：在陶瓷基片反面，采用150目丝网印刷尺寸为15*17㎜的银层，经850度烧结，得到厚度为12UM的反面焊接层；
第二步：选择850度烧结，方阻为100KΩ，温度系数50PPM/℃钌系电阻浆料，在陶瓷正面，利用200目丝网印刷电阻层，尺寸为17*10.2㎜，经800度烧结得到厚底为8UM的电阻层；
第三步：在电阻层两边，采用150目丝网印刷宽度为2.5㎜，长为15㎜的银电极；两银电极尺寸为15*17㎜，中间空10*17㎜为电阻层，经800度烧结得到连接引线的银电极；
第四步：在电阻层上面，采用550到580度烧结的玻璃釉，以150目丝网印刷尺寸为10.1*18㎜厚度为15UM的绝缘层，用6温区厚膜烧结炉，设定温度曲线为：350-450-550-550-450-350，转速为200㎜/M；
第五步：采用数字电桥测试电阻，按电阻大小分区放置，按公差5%，A区：71.25KΩ-78.75KΩ；B区：63.75KΩ-71.24KΩ；C区：56.25KΩ-71.25KΩ；
第六步：温度调阻：A区为良品，不需调阻，B区采用厚膜烧结炉，烧结温度调整350-450-570-570-450-350，转速：200㎜/M，C区产品，烧结温度调整为400-500-590-590-500-400转速180㎜/M，再次用数字电桥测试电阻，按同样方式分区，经2到3次调阻，98%均可达到A区范围。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN109953380A (zh) * | 2019-03-20 | 2019-07-02 | 河南中烟工业有限责任公司 | 一种加热不燃烧用加热棒和制作方法以及一种电子烟 |
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2016
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Denomination of invention: The invention relates to a temperature resistance regulating 75K ohm resistor sheet and a preparation method thereof Effective date of registration: 20210105 Granted publication date: 20180710 Pledgee: China Construction Bank Co.,Ltd. Loudi branch Pledgor: LOUDI ANTAEUS ELECTRONIC CERAMICS Co.,Ltd. Registration number: Y2020430000058 |
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Date of cancellation: 20210826 Granted publication date: 20180710 Pledgee: China Construction Bank Co.,Ltd. Loudi branch Pledgor: LOUDI ANTAEUS ELECTRONIC CERAMICS Co.,Ltd. Registration number: Y2020430000058 |
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Denomination of invention: A kind of temperature regulating resistance 75 kiloohm resistance sheet and preparation method thereof Effective date of registration: 20220824 Granted publication date: 20180710 Pledgee: China Construction Bank Co.,Ltd. Loudi branch Pledgor: LOUDI ANTAEUS ELECTRONIC CERAMICS Co.,Ltd. Registration number: Y2022430000074 |