CN105391291B - 一种电源电路 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开一种电源电路,该电源电路用于解决在电源电路启动瞬间嵌位电容的电压为零所引起的瞬间冲击电流较大,导致整流管电压应力较大的问题。该电源电路包括MOS管Q1‑Q5、电容C1‑C2、电阻R、电感L和变压整流电路,其中:在电源电路启动之前,先通过辅助电源为电容C1预充电,当电容C1的电压稳定之后,启动整个电源电路,电源电路启动之后,当Q1和Q4导通时,Q2和Q3截止,当Q2和Q3导通时,Q1和Q4截止,变压整流电路将Q1与Q4导通或Q2与Q3导通时输入的第一交流电变压为第二交流电,并将第二交流电整流为直流电,Q5控制电容C1不放电,C1用于钳位变压整流电路中的整流管。实施本发明实施例,可以降低变压整流电路中整流管的电压应力。

Description

一种电源电路
技术领域
本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种电源电路。
背景技术
电源电路是电子电路中必不可少的电路,而变压整流电路是电源电路中必不可少的电路。为了降低整流电路中整流管的电压应力,一般会在变压整流电路的输出端连接一个钳位电容。但在电源电路工作的瞬间,由于这个钳位电容的初始电压为零,以致钳位电容的瞬间冲击电流较大,导致整流管所承受的电压应力较大,容易造成整流管的损坏。
发明内容
本发明实施例公开一种电源电路,用于解决在电源电路启动的瞬间嵌位电容电压为零引起的瞬间冲击电流大,导致整流管电压应力较高的问题。
本发明实施例第一方面公开一种电源电路,包括:
MOS管Q1-Q5、变压整流电路、电感L、预充电电路和电容C2,预充电电路包括电容C1和电阻R,电容C1和电阻R串联连接,其中:
预充电电路的输入端IN连接电源,预充电电路的输出点OUT连接地端,MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的漏极连接作为该电源电路的输入端,MOS管Q1的源极和MOS管Q3的漏极分别连接变压整流电路的输入端IN1,MOS管Q2的源极和MOS管Q4的漏极分别连接变压整流电路的输入端IN2,MOS管Q3的源极和MOS管Q4的源极分别用于连接地端,变压整流电路的输出端OUT1分别连接电容C1的一端和电感L的一端,变压整流电路的输出端OUT2、MOS管Q5的源极和电容C2的一端分别用于连接地端,MOS管Q5的漏极连接电容C1的另一端,MOS管Q1的栅极、MOS管Q2的栅极、MOS管Q3的栅极、MOS管Q4的栅极和MOS管Q5的栅极分别用于连接驱动控制电路,电感L的另一端与电容C2的另一端连接作为该电源电路的输出端;其中,变压整流电路用于将输入变压整流电路的第一交流电变压为第二交流电,并将第二交流电整流为直流电;预充电电路用于在MOS管Q1-Q5及变压器整流电路工作之前为电容C1进行充电。
在一个实施例中,电源电路还可以包括电容C3,其中,电容C3的一端连接MOS管Q1的漏极,电容C3的另一端连接MOS管Q3的源极。
在一个实施例中,电源电路还可以包括电容C4,其中,电容C4的一端连接MOS管Q1的源极,电容C4的另一端连接变压整流电路的输入端IN1。
在一个实施例中,变压整流电路可以包括变压器T和MOS管Q6-Q7,其中,变压器T的初级线圈的一端连接MOS管Q1的源极,变压器T的初级线圈的另一端连接MOS管Q2的源极,变压器T的次级线圈的第一端连接MOS管Q6的漏极,变压器T的次级线圈的第二端连接电容C1的一端,变压器T的次级线圈的第三端连接MOS管Q7的漏极,MOS管Q6的源极和MOS管Q7的源极分别用于连接地端,MOS管Q6的栅极和MOS管Q7的栅极分别用于连接驱动控制电路。
在一个实施例中,变压整流电路可以包括变压器T和MOS管Q6-Q9,其中,变压器T的初级线圈的一端连接MOS管Q1的源极,变压器T的初级线圈的另一端连接MOS管Q2的源极,变压器T的次级线圈的一端分别连接MOS管Q6的源极和MOS管Q7的漏极,变压器T的次级线圈的另一端分别连接MOS管Q8的源极和MOS管Q9的漏极,MOS管Q6的漏极和MOS管Q8的漏极分别连接电容C1的一端,MOS管Q7的源极和MOS管Q9的源极分别用于连接地端,MOS管Q6的栅极、MOS管Q7的栅极、MOS管Q8的栅极和MOS管Q9的栅极分别用于连接驱动控制电路。
在一个实施例中,预充电电路还可以包括电容C5,其中,电容C5的一端为预充电电路的输入端IN,电容C5的另一端为预充电电路的输出点OUT。
在一个实施例中,预充电电路还可以包括二极管D,其中:
电容C5的一端连接电容C1的一端,电容C1的另一端连接二极管D的正极,二极管D的负极连接电阻R的一端,电阻R的另一端连接电容C5的另一端;或者
电容C5的一端连接电容C1的一端,电容C1的另一端连接电阻R的一端,电阻R的另一端连接二极管D的正极,二极管D的负极连接电容C5的另一端;或者
电容C5的一端连接电阻R的一端,电阻R的另一端连接二极管D的正极,二极管D的负极连接电容C1的一端,电容C1的另一端连接电容C5的另一端;或者
电容C5的一端连接二极管D的正极,二极管D的负极连接电阻R的一端,电阻R的另一端连接电容C1的一端,电容C1的另一端连接电容C5的另一端。
本发明实施例第二方面公开一种电源电路,包括:
MOS管Q1-Q5、变压整流电路、电感L、电容C1-C2和限流隔离电路,限流隔离电路包括电阻R和二极管D,电阻R和二极管D串联连接,其中:
MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的漏极连接作为电源电路的输入端,MOS管Q1的源极和MOS管Q3的漏极分别连接变压整流电路的输入端IN1,MOS管Q2的源极和MOS管Q4的漏极分别连接变压整流电路的输入端IN2,MOS管Q3的源极和MOS管Q4的源极分别用于连接地端,变压整流电路的输出端OUT1分别连接电容C1的一端和电感L的一端,变压整流电路的输出端OUT2、MOS管Q5的源极和电容C2的一端分别用于连接地端,MOS管Q5的漏极分别连接电容C1的另一端和限流隔离电路的输入端IN,限流隔离电路的输出端OUT连接电源,MOS管Q1的栅极、MOS管Q2的栅极、MOS管Q3的栅极、MOS管Q4的栅极和MOS管Q5的栅极分别用于连接驱动控制电路,电感L的另一端与电容C2的另一端连接作为电源电路的输出端;其中,变压整流电路用于将输入变压整流电路的第一交流电变压为第二交流电,并将第二交流电整流为直流电;限流隔离电路用于在MOS管Q1-Q5工作之前限制流过电容C1的电流,以及在MOS管Q1-Q5以及变压整流电路工作之后隔离电感L的电压。
在一个实施例中,电源电路还可以包括电容C3,其中,电容C3的一端连接MOS管Q1的漏极,电容C3的另一端连接MOS管Q3的源极。
在一个实施例中,电源电路还可以包括电容C4,其中,电容C4的一端连接MOS管Q1的源极,电容C4的另一端连接变压整流电路的输入端IN1。
在一个实施例中,变压整流电路可以包括变压器T和MOS管Q6-Q7,其中,变压器T的初级线圈的一端连接MOS管Q1的源极,变压器T的初级线圈的另一端连接MOS管Q2的源极,变压器T的次级线圈的第一端连接MOS管Q6的漏极,变压器T的次级线圈的第二端连接电容C1的一端,变压器T的次级线圈的第三端连接MOS管Q7的漏极,MOS管Q6的源极和MOS管Q7的源极分别用于连接地端,MOS管Q6的栅极和MOS管Q7的栅极分别用于连接驱动控制电路。
在一个实施例中,变压整流电路可以包括变压器T和MOS管Q6-Q9,其中,变压器T的初级线圈的一端连接MOS管Q1的源极,变压器T的初级线圈的另一端连接MOS管Q2的源极,变压器T的次级线圈的一端分别连接MOS管Q6的源极和MOS管Q7的漏极,变压器T的次级线圈的另一端分别连接MOS管Q8的源极和MOS管Q9的漏极,MOS管Q6的漏极和MOS管Q8的漏极分别连接电容C1的一端,MOS管Q7的源极和MOS管Q9的源极分别用于连接地端,MOS管Q6的栅极、MOS管Q7的栅极、MOS管Q8的栅极和MOS管Q9的栅极分别用于连接驱动控制电路。
在一个实施例中,电源电路还可以包括电容C5,其中,电容C5的一端连接电感L的另一端,电容C5的另一端连接限流隔离电路的输出端OUT。
在一个实施例中,二极管D的正极连接电容C1的另一端,二极管D的负极连接电阻R的一端,电阻R的另一端为限流隔离电路的输出端OUT;或者
电阻R的一端连接电容C1的另一端,电阻R的另一端连接二极管D的正极,二极管D的负极为限流隔离电路的输出端OUT。
本发明实施例第三方面公开一种电源电路,包括:
MOS管Q1-Q5、电容C1-C2、电阻R、电感L和变压整流电路,其中:
MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的漏极连接作为电源电路的输入端,MOS管Q1的源极和MOS管Q3的漏极分别连接变压整流电路的输入端IN1,MOS管Q2的源极和MOS管Q4的漏极分别连接变压整流电路的输入端IN2,MOS管Q3的源极和MOS管Q4的源极分别用于连接地端,变压整流电路的输出端OUT1分别连接MOS管Q5的漏极和电感L的一端,变压整流电路的输出端OUT2、电容C1的一端和电容C2的一端分别用于连接地端,电容C1的另一端分别连接MOS管Q5的源极和电阻R的一端,MOS管Q1的栅极、MOS管Q2的栅极、MOS管Q3的栅极、MOS管Q4的栅极和MOS管Q5的栅极分别用于连接驱动控制电路,电感L的另一端与电容C2的另一端连接作为电源电路的输出端,电阻R的另一端连接电源;其中,变压整流电路用于将输入变压整流电路的第一交流电变压为第二交流电,并将第二交流电整流为直流电。
在一个实施例中,电源电路还可以包括电容C3,其中,电容C3的一端连接MOS管Q1的漏极,电容C3的另一端连接MOS管Q3的源极。
在一个实施例中,电源电路还可以包括电容C4,其中,电容C4的一端连接MOS管Q1的源极,电容C4的另一端连接变压整流电路的输入端IN1。
在一个实施例中,电源电路还可以包括电容C5,其中,电容C5的一端连接电阻R的另一端,电容C5的另一端用于连接地端。
在一个实施例中,电源电路还可以包括二极管D,其中:
二极管D的正极连接电容C5的一端,二极管D的负极连接电阻R的另一端;或者
二极管D的正极连接电阻R的一端,二极管D的负极连接电容C1的另一端;或者
二极管D的正极连接电容C1的一端,二极管D的负极连接电容C5的另一端。
在一个实施例中,变压整流电路可以包括变压器T和MOS管Q6-Q7,其中,变压器T的初级线圈的一端连接MOS管Q1的源极,变压器T的初级线圈的另一端连接MOS管Q2的源极,变压器T的次级线圈的第一端连接MOS管Q6的漏极,变压器T的次级线圈的第二端连接电感L的一端,变压器T的次级线圈的第三端连接MOS管Q7的漏极,MOS管Q6的源极和MOS管Q7的源极分别用于连接地端,MOS管Q6的栅极和MOS管Q7的栅极分别用于连接驱动控制电路。
在一个实施例中,变压整流电路可以包括变压器T和MOS管Q6-Q9,其中,变压器T的初级线圈的一端连接MOS管Q1的源极,变压器T的初级线圈的另一端连接MOS管Q2的源极,变压器T的次级线圈的一端分别连接MOS管Q6的源极和MOS管Q7的漏极,变压器T的次级线圈的另一端分别连接MOS管Q8的源极和MOS管Q9的漏极,MOS管Q6的漏极和MOS管Q8的漏极分别连接电感L的一端,MOS管Q7的源极和MOS管Q9的源极分别用于连接地端,MOS管Q6的栅极、MOS管Q7的栅极、MOS管Q8的栅极和MOS管Q9的栅极分别用于连接驱动控制电路。
本发明实施例第四方面公开一种电源电路,包括:
MOS管Q1-Q5、电容C1-C2、电阻R、电感L和变压整流电路,其中:
MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的漏极连接作为电源电路的输入端,MOS管Q1的源极和MOS管Q3的漏极分别连接变压整流电路的输入端IN1,MOS管Q2的源极和MOS管Q4的漏极分别连接变压整流电路的输入端IN2,MOS管Q3的源极和MOS管Q4的源极分别用于连接地端,变压整流电路的输出端OUT1分别连接MOS管Q5的漏极和电感L的一端,变压整流电路的输出端OUT2、电容C1的一端、电阻R的一端和电容C2的一端分别用于连接地端,电容C1的另一端分别连接MOS管Q5的源极和电源,MOS管Q1的栅极、MOS管Q2的栅极、MOS管Q3的栅极、MOS管Q4的栅极和MOS管Q5的栅极分别用于连接驱动控制电路,电感L的另一端与电容C2的另一端连接作为电源电路的输出端,电阻R的另一端连接地端;
变压整流电路,用于将输入变压整流电路的第一交流电变压为第二交流电,并将第二交流电整流为直流电。
在一个实施例中,电源电路还可以包括电容C3,其中,电容C3的一端连接MOS管Q1的漏极,电容C3的另一端连接MOS管Q3的源极。
在一个实施例中,电源电路还可以包括电容C4,其中,电容C4的一端连接MOS管Q1的源极,电容C4的另一端连接变压整流电路的输入端IN1。
在一个实施例中,变压整流电路可以包括变压器T和MOS管Q6-Q7,其中,变压器T的初级线圈的一端连接MOS管Q1的源极,变压器T的初级线圈的另一端连接MOS管Q2的源极,变压器T的次级线圈的第一端连接MOS管Q6的漏极,变压器T的次级线圈的第二端连接电感L的一端,变压器T的次级线圈的第三端连接MOS管Q7的漏极,MOS管Q6的源极和MOS管Q7的源极分别用于连接地端,MOS管Q6的栅极和MOS管Q7的栅极分别用于连接驱动控制电路。
在一个实施例中,变压整流电路可以包括变压器T和MOS管Q6-Q9,其中,变压器T的初级线圈的一端连接MOS管Q1的源极,变压器T的初级线圈的另一端连接MOS管Q2的源极,变压器T的次级线圈的一端分别连接MOS管Q6的源极和MOS管Q7的漏极,变压器T的次级线圈的另一端分别连接MOS管Q8的源极和MOS管Q9的漏极,MOS管Q6的漏极和MOS管Q8的漏极分别连接电感L的一端,MOS管Q7的源极和MOS管Q9的源极分别用于连接地端,MOS管Q6的栅极、MOS管Q7的栅极、MOS管Q8的栅极和MOS管Q9的栅极分别用于连接驱动控制电路。
在一个实施例中,电源电路还可以包括电容C5,其中,电容C5的一端连接电容C1的另一端,电容C5的另一端连接电阻R的另一端。
在一个实施例中,预充电电路还可以包括二极管D,其中:
二极管D的正极连接电容C5的一端,二极管D的负极连接电容C1的另一端;或者
二极管D的正极连接电阻R的另一端,二极管D的负极连接电容C5的另一端;或者
二极管D的正极连接电容C1的一端,二极管D的负极连接电阻R的一端。
本发明实施例中,在电源电路启动之前,先通过辅助电源给电容C1进行预充电,当C1的电压达到稳定之后再启动整个电源电路,由于在电源电路启动时,电容C1两端已加有大于零的电压,因此,可以减小电容C1的瞬间冲击电流,从而可以降低变压整流电路中整流管的电压应力。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例公开的一种电源电路的原理图;
图2是本发明实施例公开的另一种电源电路的原理图;
图3是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图4是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图5是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图6是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图7是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图8是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图9是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图10是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图11是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图12是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图13是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图14是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图15是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图16是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图17是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图18是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图19是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图20是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图21是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图22是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图23是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图24是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图25是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图26是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图27是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图;
图28是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例公开一种电源电路,用于解决在电源电路启动的瞬间嵌位电容电压为零引起的瞬间冲击电流大,导致整流管电压应力较高的问题。以下分别进行详细说明。
请参阅图1,图1是本发明实施例公开的一种电源电路的原理图。如图1所示,该电源电路可以包括:
MOS管Q1-Q5、变压整流电路、电感L、预充电电路和电容C2,预充电电路包括电容C1和电阻R,电容C1和电阻R串联连接,其中:
预充电电路的输入端IN连接电源,预充电电路的输出点OUT连接地端,MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的漏极连接作为该电源电路的输入端,MOS管Q1的源极和MOS管Q3的漏极分别连接变压整流电路的输入端IN1,MOS管Q2的源极和MOS管Q4的漏极分别连接变压整流电路的输入端IN2,MOS管Q3的源极和MOS管Q4的源极分别用于连接地端,变压整流电路的输出端OUT1分别连接电容C1的一端和电感L的一端,变压整流电路的输出端OUT2、MOS管Q5的源极和电容C2的一端分别用于连接地端,MOS管Q5的漏极连接电容C1的另一端,MOS管Q1的栅极、MOS管Q2的栅极、MOS管Q3的栅极、MOS管Q4的栅极和MOS管Q5的栅极分别用于连接驱动控制电路,电感L的另一端与电容C2的另一端连接作为该电源电路的输出端;其中,变压整流电路用于将输入变压整流电路的第一交流电变压为第二交流电,并将第二交流电整流为直流电;预充电电路用于在MOS管Q1-Q5及变压器整流电路工作之前为电容C1进行充电。
本实施例中,MOS管Q1的漏极和MOS管Q2的漏极相连接作为该电源电路的输入端Vin,在该电源电路的整个电路启动之前,辅助电源VCC先通过预充电电路为电容C1进行预充电,当电容C1的电压稳定之后再启动整个电源电路。其中,在为电容C1进行预充电时,电阻R可以限制预充电电路所在回路电流过大。在整个电源电路工作时,如果MOS管Q1和MOS管Q4导通,则MOS管Q2和MOS管Q3截止;如果MOS管Q2和MOS管Q3导通,则MOS管Q1和MOS管Q4截止,以保证在整个时序周期中该电源电路都在工作。变压整流电路将MOS管Q1和MOS管Q4导通,或者MOS管Q2和MOS管Q3导通时输入的第一交流电变压为第二交流电,并将第二交流电整流为直流电,之后经电感L和电容C2的整流后输出。由于电容C1可以钳位变压整流电路中的整流管,且已经对电容C1进行了预充电,在整个电源电路启动的瞬间,变压整流电路输出的电压与电容C1的电压之间的差值与未对电容C1进行预充电时的差值相比要小,因此,可以减小在整个电源电路启动的瞬间流过电容C1的瞬间冲击电流,从而减小变压整流电路中整流管的电压应力。其中,MOS管Q5可以控制电容C1不放电;电容C2可以进行整流,电感L可以存储能量。其中,MOS管Q1-Q5为金属氧化物半导体场效应管(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor,MOSFET),MOS管Q1-Q4为N型MOSFET,MOS管Q5为P型MOSFET。
请参阅图2,图2是本发明实施例公开的另一种电源电路的原理图。与图1相比,图2中的电源电路还可以包括电容C3,其中,电容C3的一端连接MOS管Q1的漏极,电容C3的另一端连接MOS管Q3的源极。
本实施例中,电容C3可以滤除电源电路输入端Vin输入的交流电中的不稳定信号。
作为一种可能的实施方式,该电源电路还可以包括电容C4,其中,电容C4的一端连接MOS管Q1的源极,电容C4的另一端连接变压整流电路的输入端IN1。
本实施例中,电容C4可以隔离掉MOS管Q1导通或MOS管Q3导通时向变压整流电路输入的直流电。
作为一种可能的实施方式,变压整流电路可以包括变压器T和MOS管Q6-Q7,其中,变压器T的初级线圈的一端连接MOS管Q1的源极,变压器T的初级线圈的另一端连接MOS管Q2的源极,变压器T的次级线圈的第一端连接MOS管Q6的漏极,变压器T的次级线圈的第二端连接电容C1的一端,变压器T的次级线圈的第三端连接MOS管Q7的漏极,MOS管Q6的源极和MOS管Q7的源极分别用于连接地端,MOS管Q6的栅极和MOS管Q7的栅极分别用于连接驱动控制电路。
本实施例中,MOS管Q6和MOS管Q7为N型MOSFET,它们交替工作,当MOS管Q1和MOS管Q4导通时,MOS管Q7导通、MOS管Q6截止,当MOS管Q2和MOS管Q3导通时,MOS管Q6导通、MOS管Q7截止。其中,电容C1钳位MOS管Q6和MOS管Q7的电压。其中,MOS管Q1-MOS管Q7的栅极分别用于连接驱动控制电路,驱动控制电路是外接电路。地端SW与电容C2和电容C3所连接的地端不是同一个地端。
作为一种可能的实施方式,预充电电路还可以包括电容C5,其中,电容C5的一端为预充电电路的输入端IN,电容C5的另一端为预充电电路的输出点OUT。
本实施例中,电容C5可以滤除预充电电路中的不稳定信号。
作为一种可能的实施方式,预充电电路还可以包括二极管D,其中:
电容C5的一端连接电容C1的一端,电容C1的另一端连接二极管D的正极,二极管D的负极连接电阻R的一端,电阻R的另一端连接电容C5的另一端。
本实施例中,预充电电路的充电回路为VCC-电容C1-二极管D-电阻R-SW,用于在整个电源电路工作之前,通过辅助电源VCC先为电容C1进行预充电,当电容C1的电压稳定之后再启动整个电源电路。当存在多个电源电路同时工作时,在这些电源电路启动之前,电源VCC可以为这些电源电路中的电容C1同时进行预充电,二极管D可以隔离这些电源电路,以保证每个电源电路可以独立工作,避免相互影响。
请参阅图3,图3是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图。与图2相比,图3中的预充电电路中的连接关系为:
电容C5的一端连接电容C1的一端,电容C1的另一端连接电阻R的一端,电阻R的另一端连接二极管D的正极,二极管D的负极连接电容C5的另一端。
请参阅图4,图4是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图。与图2和图3相比,图4中的预充电电路中的连接关系为:
电容C5的一端连接电阻R的一端,电阻R的另一端连接二极管D的正极,二极管D的负极连接电容C1的一端,电容C1的另一端连接电容C5的另一端。
请参阅图5,图5是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图。与图2、图3和图4相比,图5中的预充电电路中的连接关系为:
电容C5的一端连接二极管D的正极,二极管D的负极连接电阻R的一端,电阻R的另一端连接电容C1的一端,电容C1的另一端连接电容C5的另一端。
请参阅图6,图6是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图,请参阅图7,图7是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图,请参阅图8,图8是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图,请参阅图9,图9是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图,其中,图6与图2相比、图7与图3相比、图8与图4相比以及图9与图5相比,图6、图7、图8和图9中的变压整流电路可以包括变压器T和MOS管Q6-Q9,其中,变压器T的初级线圈的一端连接MOS管Q1的源极,变压器T的初级线圈的另一端连接MOS管Q2的源极,变压器T的次级线圈的一端分别连接MOS管Q6的源极和MOS管Q7的漏极,变压器T的次级线圈的另一端分别连接MOS管Q8的源极和MOS管Q9的漏极,MOS管Q6的漏极和MOS管Q8的漏极分别连接电容C1的一端,MOS管Q7的源极和MOS管Q9的源极分别用于连接地端,MOS管Q6的栅极、MOS管Q7的栅极、MOS管Q8的栅极和MOS管Q9的栅极分别用于连接驱动控制电路。
本实施例中,MOS管Q6-Q9为N型MOSFET,当MOS管Q1和MOS管Q4导通时,MOS管Q7和MOS管Q8导通,MOS管Q6和MOS管Q9截止,当MOS管Q2和MOS管Q3导通时,MOS管Q6和MOS管Q9导通,MOS管Q7和MOS管Q8截止。其中,电容C1钳位MOS管Q6和MOS管Q7的电压,或者MOS管Q8和MOS管Q9的电压。其中,MOS管Q1-MOS管Q9的栅极分别用于连接驱动控制电路,驱动控制电路是外接电路。
请参阅图10,图10是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图。如图10所示,该电源电路可以包括:
MOS管Q1-Q5、变压整流电路、电感L、电容C1-C2和限流隔离电路,限流隔离电路包括电阻R和二极管D,电阻R和二极管D串联连接,其中:
MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的漏极连接作为电源电路的输入端,MOS管Q1的源极和MOS管Q3的漏极分别连接变压整流电路的输入端IN1,MOS管Q2的源极和MOS管Q4的漏极分别连接变压整流电路的输入端IN2,MOS管Q3的源极和MOS管Q4的源极分别用于连接地端,变压整流电路的输出端OUT1分别连接电容C1的一端和电感L的一端,变压整流电路的输出端OUT2、MOS管Q5的源极和电容C2的一端分别用于连接地端,MOS管Q5的漏极分别连接电容C1的另一端和限流隔离电路的输入端IN,限流隔离电路的输出端OUT连接电源,MOS管Q1的栅极、MOS管Q2的栅极、MOS管Q3的栅极、MOS管Q4的栅极和MOS管Q5的栅极分别用于连接驱动控制电路,电感L的另一端与电容C2的另一端连接作为电源电路的输出端;其中,变压整流电路用于将输入变压整流电路的第一交流电变压为第二交流电,并将第二交流电整流为直流电;限流隔离电路用于在MOS管Q1-Q5工作之前限制流过电容C1的电流,以及在MOS管Q1-Q5以及变压整流电路工作之后隔离电感L的电压。
本实施例中,MOS管Q1的漏极和MOS管Q2的漏极相连接作为该电源电路的输入端Vin,在该电源电路的整个电路启动之前,先通过Vout-电感L-电容C1-限流隔离电路-VCC回路为电容C1进行预充电,当电容C1的电压稳定之后再启动整个电源电路。其中,在为电容C1进行预充电时,电阻R可以限制预充电电路所在回路电流过大。在整个电源电路工作时,如果MOS管Q1和MOS管Q4导通,则MOS管Q2和MOS管Q3截止;如果MOS管Q2和MOS管Q3导通,则MOS管Q1和MOS管Q4截止,以保证在整个时序周期中该电源电路都在工作。变压整流电路将MOS管Q1和MOS管Q4导通,或者MOS管Q2和MOS管Q3导通时输入的第一交流电变压为第二交流电,并将第二交流电整流为直流电,之后经电感L和电容C2的整流后输出。由于电容C1可以钳位变压整流电路中的整流管,且已经对电容C1进行了预充电,在整个电源电路启动的瞬间,变压整流电路输出的电压与电容C1的电压之间的差值与未对电容C1进行预充电时的差值相比要小,因此,可以减小在整个电源电路启动的瞬间流过电容C1的瞬间冲击电流,从而减小变压整流电路中整流管的电压应力。其中,MOS管Q5可以控制电容C1不放电;电容C2可以进行整流,电感L可以存储能量。其中,MOS管Q1-Q5为MOSFET,MOS管Q1-Q4为N型MOSFET,MOS管Q5为P型MOSFET。其中,二极管D用于在MOS管Q1-Q5以及变压整流电路工作之后隔离电感L的电压;以及当存在多个电源电路同时工作时,在这些电源电路启动之前,电源VCC可以为这些电源电路中的电容C1同时进行预充电,二极管D可以隔离这些电源电路,以保证每个电源电路可以独立工作,避免相互影响。
请参阅图11,图11是本发明实施例公开又一种电源电路的结构图。图11与图10相比,该电源电路还可以包括电容C3,电容C3的一端连接MOS管Q1的漏极,电容C3的另一端连接MOS管Q3的源极。其中,电容C3的作用与图2-图9中的相同,在此不再赘述。
作为一种可能的实施方式,电源电路还可以包括电容C4,电容C4的一端连接MOS管Q1的源极,电容C4的另一端连接变压整流电路的输入端IN1。其中,电容C4的作用与图2-图9中的相同,在此不再赘述。
在一个可能的实施方式中,变压整流电路可以包括变压器T和MOS管Q6-Q7,其中,变压器T的初级线圈的一端连接MOS管Q1的源极,变压器T的初级线圈的另一端连接MOS管Q2的源极,变压器T的次级线圈的第一端连接MOS管Q6的漏极,变压器T的次级线圈的第二端连接电容C1的一端,变压器T的次级线圈的第三端连接MOS管Q7的漏极,MOS管Q6的源极和MOS管Q7的源极分别用于连接地端,MOS管Q6的栅极和MOS管Q7的栅极分别用于连接驱动控制电路。其中,变压整流电路的工作原理与图2-图5中的相同,在此不再赘述。
作为一种可能的实施方式,电源电路还可以包括电容C5,电容C5的一端连接电感L的另一端,电容C5的另一端连接限流隔离电路的输出端OUT。其中,在为电容C1进行预充电时,电容C5可以滤除Vout-电感L-电容C1-限流隔离电路-VCC回路中的不稳定信号。
作为一种可能的实施方式,限流隔离电路中的连接关系为:二极管D的正极连接电容C1的另一端,二极管D的负极连接电阻R的一端,电阻R的另一端为限流隔离电路的输出端OUT。
请参阅图12,图12是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图。与图11相比,图12中的限流隔离电路中的连接关系为:电阻R的一端连接电容C1的另一端,电阻R的另一端连接二极管D的正极,二极管D的负极为限流隔离电路的输出端OUT。
请参阅图13,图13是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图。请参阅图14,图14是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图,其中,图13与图11相比以及图14与图12相比,图13和图14中的变压整流电路可以包括变压器T和MOS管Q6-Q9,其中:
变压器T的初级线圈的一端连接MOS管Q1的源极,变压器T的初级线圈的另一端连接MOS管Q2的源极,变压器T的次级线圈的一端分别连接MOS管Q6的源极和MOS管Q7的漏极,变压器T的次级线圈的另一端分别连接MOS管Q8的源极和MOS管Q9的漏极,MOS管Q6的漏极和MOS管Q8的漏极分别连接电容C1的一端,MOS管Q7的源极和MOS管Q9的源极分别用于连接地端,MOS管Q6的栅极、MOS管Q7的栅极、MOS管Q8的栅极和MOS管Q9的栅极分别用于连接驱动控制电路。其中,变压整流电路的工作原理与图6-图9中的相同,在此不再赘述。
请参阅图15,图15是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图。如图15所示,该电源电路可以包括:
MOS管Q1-Q5、电容C1-C2、电阻R、电感L和变压整流电路,其中:
MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的漏极连接作为电源电路的输入端,MOS管Q1的源极和MOS管Q3的漏极分别连接变压整流电路的输入端IN1,MOS管Q2的源极和MOS管Q4的漏极分别连接变压整流电路的输入端IN2,MOS管Q3的源极和MOS管Q4的源极分别用于连接地端,变压整流电路的输出端OUT1分别连接MOS管Q5的漏极和电感L的一端,变压整流电路的输出端OUT2、电容C1的一端和电容C2的一端分别用于连接地端,电容C1的另一端分别连接MOS管Q5的源极和电阻R的一端,MOS管Q1的栅极、MOS管Q2的栅极、MOS管Q3的栅极、MOS管Q4的栅极和MOS管Q5的栅极分别用于连接驱动控制电路,电感L的另一端与电容C2的另一端连接作为电源电路的输出端,电阻R的另一端连接电源;其中,变压整流电路用于将输入变压整流电路的第一交流电变压为第二交流电,并将第二交流电整流为直流电。
本实施例中,MOS管Q1的漏极和MOS管Q2的漏极相连接作为该电源电路的输入端Vin,在该电源电路的整个电路启动之前,VCC-电阻R-电容C1-地端所在回路先进行工作,以便为电容C1进行预充电,当电容C1的电压稳定之后再启动整个电源电路。其中,在为电容C1进行预充电时,电阻R可以限制VCC-电阻R-电容C1-地端所在回路电流过大。在整个电源电路工作时,如果MOS管Q1和MOS管Q4导通,则MOS管Q2和MOS管Q3截止;如果MOS管Q2和MOS管Q3导通,则MOS管Q1和MOS管Q4截止,以保证在整个时序周期中该电源电路都在工作。变压整流电路将MOS管Q1和MOS管Q4导通,或者MOS管Q2和MOS管Q3导通时输入的第一交流电变压为第二交流电,并将第二交流电整流为直流电,之后经电感L和电容C2的整流后输出。由于电容C1可以钳位变压整流电路中的整流管,且已经对电容C1进行了预充电,在整个电源电路启动的瞬间,变压整流电路输出的电压在C1上的分压与电容C1的电压之间的差值与未对电容C1进行预充电时的差值相比要小,因此,可以减小在整个电源电路启动的瞬间流过电容C1的瞬间冲击电流,从而减小变压整流电路中整流管的电压应力。其中,MOS管Q5可以控制电容C1不放电;电容C2可以进行整流,电感L可以存储能量。其中,MOS管Q1-Q5为MOSFET,MOS管Q1-Q5均为N型MOSFET。
请参阅图16,图16是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图。与图15相比,该电源电路还可以包括电容C3,电容C3的一端连接MOS管Q1的漏极,电容C3的另一端连接MOS管Q3的源极。其中,电容C3的作用与图2-图9中的相同,在此不再赘述。
作为一种可能的实施方式,电源电路还可以包括电容C4,电容C4的一端连接MOS管Q1的源极,电容C4的另一端连接变压整流电路的输入端IN1。其中,电容C4的作用与图2-图9中的相同,在此不再赘述。
作为一种可能的实施方式,电源电路还可以包括电容C5,电容C5的一端连接电阻R的另一端,电容C5的另一端用于连接地端。电容C5用于在VCC-电阻R-电容C1-地端所在回路为电容C1进行预充电时,过滤掉回路中不稳定的信号。
作为一种可能的实施方式,电源电路还可以包括二极管D,二极管D的正极连接电容C5的一端,二极管D的负极连接电阻R的另一端。其中,二极管的作用与图2-图9中的相同,在此不再赘述。
作为一种可能的实施方式,变压整流电路可以包括变压器T和MOS管Q6-Q7,其中:
变压器T的初级线圈的一端连接MOS管Q1的源极,变压器T的初级线圈的另一端连接MOS管Q2的源极,变压器T的次级线圈的第一端连接MOS管Q6的漏极,变压器T的次级线圈的第二端连接电感L的一端,变压器T的次级线圈的第三端连接MOS管Q7的漏极,MOS管Q6的源极和MOS管Q7的源极分别用于连接地端,MOS管Q6的栅极和MOS管Q7的栅极分别用于连接驱动控制电路。其中,变压整流电路的工作原理与图2-图5中的相同,在此不再赘述。
请参阅图17,图17是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图,与图16相比,二极管D的正极连接电阻R的一端,二极管D的负极连接电容C1的另一端。
请参阅图18,图18是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图,与图16和图17相比,二极管D的正极连接电容C1的一端,二极管D的负极连接电容C5的另一端。
请参阅图19,图19是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图,请参阅图20,图20是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图,请参阅图21,图21是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图,其中,图19与图16相比、图20与图17相比以及图21与图18相比,图19、图20和图21中的变压整流电路可以包括变压器T和MOS管Q6-Q9,其中:
变压器T的初级线圈的一端连接MOS管Q1的源极,变压器T的初级线圈的另一端连接MOS管Q2的源极,变压器T的次级线圈的一端分别连接MOS管Q6的源极和MOS管Q7的漏极,变压器T的次级线圈的另一端分别连接MOS管Q8的源极和MOS管Q9的漏极,MOS管Q6的漏极和MOS管Q8的漏极分别连接电感L的一端,MOS管Q7的源极和MOS管Q9的源极分别用于连接地端,MOS管Q6的栅极、MOS管Q7的栅极、MOS管Q8的栅极和MOS管Q9的栅极分别用于连接驱动控制电路。其中,变压整流电路的工作原理与图6-图9中的相同,在此不再赘述。
请参阅图22,图22是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图。如图22所示,该电源电路可以包括:
MOS管Q1-Q5、电容C1-C2、电阻R、电感L和变压整流电路,其中:
MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的漏极连接作为电源电路的输入端,MOS管Q1的源极和MOS管Q3的漏极分别连接变压整流电路的输入端IN1,MOS管Q2的源极和MOS管Q4的漏极分别连接变压整流电路的输入端IN2,MOS管Q3的源极和MOS管Q4的源极分别用于连接地端,变压整流电路的输出端OUT1分别连接MOS管Q5的漏极和电感L的一端,变压整流电路的输出端OUT2、电容C1的一端、电阻R的一端和电容C2的一端分别用于连接地端,电容C1的另一端分别连接MOS管Q5的源极和电源,MOS管Q1的栅极、MOS管Q2的栅极、MOS管Q3的栅极、MOS管Q4的栅极和MOS管Q5的栅极分别用于连接驱动控制电路,电感L的另一端与电容C2的另一端连接作为电源电路的输出端,电阻R的另一端连接地端;
变压整流电路,用于将输入变压整流电路的第一交流电变压为第二交流电,并将第二交流电整流为直流电。
本实施例中,MOS管Q1的漏极和MOS管Q2的漏极相连接作为该电源电路的输入端Vin,在该电源电路的整个电路启动之前,VCC-电容C1-电阻R-SW所在回路先进行工作,以便为电容C1进行预充电,当电容C1的电压稳定之后再启动整个电源电路。其中,在为电容C1进行预充电时,电阻R可以限制VCC-电容C1-电阻R-SW所在回路电流过大。在整个电源电路工作时,如果MOS管Q1和MOS管Q4导通,则MOS管Q2和MOS管Q3截止;如果MOS管Q2和MOS管Q3导通,则MOS管Q1和MOS管Q4截止,以保证在整个时序周期中该电源电路都在工作。变压整流电路将MOS管Q1和MOS管Q4导通,或者MOS管Q2和MOS管Q3导通时输入的第一交流电变压为第二交流电,并将第二交流电整流为直流电,之后经电感L和电容C2的整流后输出。由于电容C1可以钳位变压整流电路中的整流管,且已经对电容C1进行了预充电,在整个电源电路启动的瞬间,变压整流电路输出的电压在C1上的分压与电容C1的电压之间的差值与未对电容C1进行预充电时的差值相比要小,因此,可以减小在整个电源电路启动的瞬间流过电容C1的瞬间冲击电流,从而减小变压整流电路中整流管的电压应力。其中,MOS管Q5可以控制电容C1不放电;电容C2可以进行整流,电感L可以存储能量。其中,MOS管Q1-Q5为MOSFET,MOS管Q1-Q5均为N型MOSFET。其中,SW的电位电阻R另一端连接的地端的电位低。
请参阅图23,图23是本发明实施例公开的又一种电源电路的原理图,与图22相比,该电源电路还可以包括电容C3,电容C3的一端连接MOS管Q1的漏极,电容C3的另一端连接MOS管Q3的源极。其中,电容C3的作用与图2-图9中的相同,在此不再赘述。
作为一种可能的实施方式,该电源电路还可以包括电容C4,电容C4的一端连接MOS管Q1的源极,电容C4的另一端连接变压整流电路的输入端IN1。其中,电容C4的作用与图2-图9中的相同,在此不再赘述。
作为一种可能的实施方式,该电源电路还可以包括电容C5,电容C5的一端连接电容C1的另一端,电容C5的另一端连接电阻R的另一端。其中,电容C5用于在VCC-电容C1-电阻R-SW回路为电容C1进行预充电时,过滤掉回路中的不稳定信号。
作为一种可能的实施方式,预充电电路还可以包括二极管D,
二极管D的正极连接电容C5的一端,二极管D的负极连接电容C1的另一端。其中,二极管D的作用与图2-图9中的相同,在此不再赘述。
作为一种可能的实施方式,变压整流电路可以包括变压器T和MOS管Q6-Q7,其中:
变压器T的初级线圈的一端连接MOS管Q1的源极,变压器T的初级线圈的另一端连接MOS管Q2的源极,变压器T的次级线圈的第一端连接MOS管Q6的漏极,变压器T的次级线圈的第二端连接电感L的一端,变压器T的次级线圈的第三端连接MOS管Q7的漏极,MOS管Q6的源极和MOS管Q7的源极分别用于连接地端,MOS管Q6的栅极和MOS管Q7的栅极分别用于连接驱动控制电路。其中,变压整流电路的工作原理与图2-图5中的相同,在此不再赘述。
请参阅图24,图24是本发明实施例公开的又一种电源电路的结构图,与图23相比,二极管D的正极连接电阻R的另一端,二极管D的负极连接电容C5的另一端。
请参阅图25,图25是本发明实施例公开的又一种电源电路的结构图,与图23和图24相比,二极管D的正极连接电容C1的一端,二极管D的负极连接电阻R的一端。
请参阅图26,图26是本发明实施例公开的又一种电源电路的结构图,请参阅图27,图27是本发明实施例公开的又一种电源电路的结构图,请参阅图28,图28是本发明实施例公开的又一种电源电路的结构图,其中,图26与图23相比、图27与图24相比以及图28与图25相比,图26、图27以及图28中的变压整流电路可以包括变压器T和MOS管Q6-Q9,其中:
变压器T的初级线圈的一端连接MOS管Q1的源极,变压器T的初级线圈的另一端连接MOS管Q2的源极,变压器T的次级线圈的一端分别连接MOS管Q6的源极和MOS管Q7的漏极,变压器T的次级线圈的另一端分别连接MOS管Q8的源极和MOS管Q9的漏极,MOS管Q6的漏极和MOS管Q8的漏极分别连接电感L的一端,MOS管Q7的源极和MOS管Q9的源极分别用于连接地端,MOS管Q6的栅极、MOS管Q7的栅极、MOS管Q8的栅极和MOS管Q9的栅极分别用于连接驱动控制电路。其中,变压整流电路的工作原理与图6-图9中的相同,在此不再赘述。
以上对本发明实施例所提供的电源电路进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (28)

1.一种电源电路,其特征在于,包括:
MOS管Q1-Q5、变压整流电路、电感L、预充电电路和电容C2,所述预充电电路包括电容C1和电阻R,所述C1和所述R串联连接,其中:
所述预充电电路的输入端IN连接电源,所述预充电电路的输出点OUT连接地端,所述Q1的漏极与所述Q2的漏极连接作为所述电源电路的输入端,所述Q1的源极和所述Q3的漏极分别连接所述变压整流电路的输入端IN1,所述Q2的源极和所述Q4的漏极分别连接所述变压整流电路的输入端IN2,所述Q3的源极和所述Q4的源极分别用于连接地端,所述变压整流电路的输出端OUT1分别连接所述C1的一端和所述L的一端,所述变压整流电路的输出端OUT2、所述Q5的源极和所述C2的一端分别用于连接地端,所述Q5的漏极连接所述C1的另一端,所述Q1的栅极、所述Q2的栅极、所述Q3的栅极、所述Q4的栅极和所述Q5的栅极分别用于连接驱动控制电路,所述L的另一端与所述C2的另一端连接作为所述电源电路的输出端;
所述变压整流电路,用于将输入所述变压整流电路的第一交流电变压为第二交流电,并将所述第二交流电整流为直流电;
所述预充电电路,用于在所述Q1-Q5及所述变压器整流电路工作之前为所述C1进行充电。
2.根据权利要求1所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括电容C3,其中:
所述C3的一端连接所述Q1的漏极,所述C3的另一端连接所述Q3的源极。
3.根据权利要求1所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括电容C4,其中:
所述C4的一端连接所述Q1的源极,所述C4的另一端连接所述变压整流电路的输入端IN1。
4.根据权利要求1所述的电源电路,其特征在于,所述变压整流电路包括变压器T和MOS管Q6-Q7,其中:
所述T的初级线圈的一端连接所述Q1的源极,所述T的初级线圈的另一端连接所述Q2的源极,所述T的次级线圈的第一端连接所述Q6的漏极,所述T的次级线圈的第二端连接所述C1的一端,所述T的次级线圈的第三端连接所述Q7的漏极,所述Q6的源极和所述Q7的源极分别用于连接地端,所述Q6的栅极和所述Q7的栅极分别用于连接所述驱动控制电路。
5.根据权利要求1所述的电源电路,其特征在于,所述变压整流电路包括变压器T和MOS管Q6-Q9,其中:
所述T的初级线圈的一端连接所述Q1的源极,所述T的初级线圈的另一端连接所述Q2的源极,所述T的次级线圈的一端分别连接所述Q6的源极和所述Q7的漏极,所述T的次级线圈的另一端分别连接所述Q8的源极和所述Q9的漏极,所述Q6的漏极和所述Q8的漏极分别连接所述C1的一端,所述Q7的源极和所述Q9的源极分别用于连接地端,所述Q6的栅极、所述Q7的栅极、所述Q8的栅极和所述Q9的栅极分别用于连接所述驱动控制电路。
6.根据权利要求1所述的电源电路,其特征在于,所述预充电电路还包括电容C5,其中:
所述C5的一端为所述预充电电路的输入端IN,所述C5的另一端为所述预充电电路的输出点OUT。
7.根据权利要求6所述的电源电路,其特征在于,所述预充电电路还包括二极管D,其中:
所述C5的一端连接所述C1的一端,所述C1的另一端连接所述D的正极,所述D的负极连接所述R的一端,所述R的另一端连接所述C5的另一端;或者
所述C5的一端连接所述C1的一端,所述C1的另一端连接所述R的一端,所述R的另一端连接所述D的正极,所述D的负极连接所述C5的另一端;或者
所述C5的一端连接所述R的一端,所述R的另一端连接所述D的正极,所述D的负极连接所述C1的一端,所述C1的另一端连接所述C5的另一端;或者
所述C5的一端连接所述D的正极,所述D的负极连接所述R的一端,所述R的另一端连接所述C1的一端,所述C1的另一端连接所述C5的另一端。
8.一种电源电路,其特征在于,包括:
MOS管Q1-Q5、变压整流电路、电感L、电容C1-C2和限流隔离电路,所述限流隔离电路包括电阻R和二极管D,所述R和所述D串联连接,其中:
所述Q1的漏极与所述Q2的漏极连接作为所述电源电路的输入端,所述Q1的源极和所述Q3的漏极分别连接所述变压整流电路的输入端IN1,所述Q2的源极和所述Q4的漏极分别连接所述变压整流电路的输入端IN2,所述Q3的源极和所述Q4的源极分别用于连接地端,所述变压整流电路的输出端OUT1分别连接所述C1的一端和所述L的一端,所述变压整流电路的输出端OUT2、所述Q5的源极和所述C2的一端分别用于连接地端,所述Q5的漏极分别连接所述C1的另一端和所述限流隔离电路的输入端IN,所述限流隔离电路的输出端OUT连接电源,所述Q1的栅极、所述Q2的栅极、所述Q3的栅极、所述Q4的栅极和所述Q5的栅极分别用于连接驱动控制电路,所述L的另一端与所述C2的另一端连接作为所述电源电路的输出端;
所述变压整流电路,用于将输入所述变压整流电路的第一交流电变压为第二交流电,并将所述第二交流电整流为直流电;
所述限流隔离电路,用于在所述Q1-Q5工作之前限制流过所述C1的电流,以及在所述Q1-Q5以及所述变压整流电路工作之后隔离所述L的电压。
9.根据权利要求8所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括电容C3,其中:
所述C3的一端连接所述Q1的漏极,所述C3的另一端连接所述Q3的源极。
10.根据权利要求8所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括电容C4,其中:
所述C4的一端连接所述Q1的源极,所述C4的另一端连接所述变压整流电路的输入端IN1。
11.根据权利要求8所述的电源电路,其特征在于,所述变压整流电路包括变压器T和MOS管Q6-Q7,其中:
所述T的初级线圈的一端连接所述Q1的源极,所述T的初级线圈的另一端连接所述Q2的源极,所述T的次级线圈的第一端连接所述Q6的漏极,所述T的次级线圈的第二端连接所述C1的一端,所述T的次级线圈的第三端连接所述Q7的漏极,所述Q6的源极和所述Q7的源极分别用于连接地端,所述Q6的栅极和所述Q7的栅极分别用于连接所述驱动控制电路。
12.根据权利要求8所述的电源电路,其特征在于,所述变压整流电路包括变压器T和MOS管Q6-Q9,其中:
所述T的初级线圈的一端连接所述Q1的源极,所述T的初级线圈的另一端连接所述Q2的源极,所述T的次级线圈的一端分别连接所述Q6的源极和所述Q7的漏极,所述T的次级线圈的另一端分别连接所述Q8的源极和所述Q9的漏极,所述Q6的漏极和所述Q8的漏极分别连接所述C1的一端,所述Q7的源极和所述Q9的源极分别用于连接地端,所述Q6的栅极、所述Q7的栅极、所述Q8的栅极和所述Q9的栅极分别用于连接所述驱动控制电路。
13.根据权利要求8所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括电容C5,其中:
所述C5的一端连接所述L的另一端,所述C5的另一端连接所述限流隔离电路的输出端OUT。
14.根据权利要求8所述的电源电路,其特征在于,所述D的正极连接所述C1的另一端,所述D的负极连接所述R的一端,所述R的另一端为所述限流隔离电路的输出端OUT;或者
所述R的一端连接所述C1的另一端,所述R的另一端连接所述D的正极,所述D的负极为所述限流隔离电路的输出端OUT。
15.一种电源电路,其特征在于,包括:
MOS管Q1-Q5、电容C1-C2、电阻R、电感L和变压整流电路,其中:
所述Q1的漏极与所述Q2的漏极连接作为所述电源电路的输入端,所述Q1的源极和所述Q3的漏极分别连接所述变压整流电路的输入端IN1,所述Q2的源极和所述Q4的漏极分别连接所述变压整流电路的输入端IN2,所述Q3的源极和所述Q4的源极分别用于连接地端,所述变压整流电路的输出端OUT1分别连接所述Q5的漏极和所述L的一端,所述变压整流电路的输出端OUT2、所述C1的一端和所述C2的一端分别用于连接地端,所述C1的另一端分别连接所述Q5的源极和所述R的一端,所述Q1的栅极、所述Q2的栅极、所述Q3的栅极、所述Q4的栅极和所述Q5的栅极分别用于连接驱动控制电路,所述L的另一端与所述C2的另一端连接作为所述电源电路的输出端,所述R的另一端连接电源;
所述变压整流电路,用于将输入所述变压整流电路的第一交流电变压为第二交流电,并将所述第二交流电整流为直流电。
16.根据权利要求15所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括电容C3,其中:
所述C3的一端连接所述Q1的漏极,所述C3的另一端连接所述Q3的源极。
17.根据权利要求15所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括电容C4,其中:
所述C4的一端连接所述Q1的源极,所述C4的另一端连接所述变压整流电路的输入端IN1。
18.根据权利要求15所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括电容C5,其中:
所述C5的一端连接所述R的另一端,所述C5的另一端用于连接地端。
19.根据权利要求18所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括二极管D,其中:
所述D的正极连接所述C5的一端,所述D的负极连接所述R的另一端;或者
所述D的正极连接所述R的一端,所述D的负极连接所述C1的另一端;或者
所述D的正极连接所述C1的一端,所述D的负极连接所述C5的另一端。
20.根据权利要求15所述的电源电路,其特征在于,所述变压整流电路包括变压器T和MOS管Q6-Q7,其中:
所述T的初级线圈的一端连接所述Q1的源极,所述T的初级线圈的另一端连接所述Q2的源极,所述T的次级线圈的第一端连接所述Q6的漏极,所述T的次级线圈的第二端连接所述L的一端,所述T的次级线圈的第三端连接所述Q7的漏极,所述Q6的源极和所述Q7的源极分别用于连接地端,所述Q6的栅极和所述Q7的栅极分别用于连接所述驱动控制电路。
21.根据权利要求15所述的电源电路,其特征在于,所述变压整流电路包括变压器T和MOS管Q6-Q9,其中:
所述T的初级线圈的一端连接所述Q1的源极,所述T的初级线圈的另一端连接所述Q2的源极,所述T的次级线圈的一端分别连接所述Q6的源极和所述Q7的漏极,所述T的次级线圈的另一端分别连接所述Q8的源极和所述Q9的漏极,所述Q6的漏极和所述Q8的漏极分别连接所述L的一端,所述Q7的源极和所述Q9的源极分别用于连接地端,所述Q6的栅极、所述Q7的栅极、所述Q8的栅极和所述Q9的栅极分别用于连接所述驱动控制电路。
22.一种电源电路,其特征在于,包括:
MOS管Q1-Q5、电容C1-C2、电阻R、电感L和变压整流电路,其中:
所述Q1的漏极与所述Q2的漏极连接作为所述电源电路的输入端,所述Q1的源极和所述Q3的漏极分别连接所述变压整流电路的输入端IN1,所述Q2的源极和所述Q4的漏极分别连接所述变压整流电路的输入端IN2,所述Q3的源极和所述Q4的源极分别用于连接地端,所述变压整流电路的输出端OUT1分别连接所述Q5的漏极和所述L的一端,所述变压整流电路的输出端OUT2、所述C1的一端、所述R的一端和所述C2的一端分别用于连接地端,所述C1的另一端分别连接所述Q5的源极和电源,所述Q1的栅极、所述Q2的栅极、所述Q3的栅极、所述Q4的栅极和所述Q5的栅极分别用于连接驱动控制电路,所述L的另一端与所述C2的另一端连接作为所述电源电路的输出端,所述R的另一端连接地端;
所述变压整流电路,用于将输入所述变压整流电路的第一交流电变压为第二交流电,并将所述第二交流电整流为直流电。
23.根据权利要求22所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括电容C3,其中:
所述C3的一端连接所述Q1的漏极,所述C3的另一端连接所述Q3的源极。
24.根据权利要求22所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括电容C4,其中:
所述C4的一端连接所述Q1的源极,所述C4的另一端连接所述变压整流电路的输入端IN1。
25.根据权利要求22所述的电源电路,其特征在于,所述变压整流电路包括变压器T和MOS管Q6-Q7,其中:
所述T的初级线圈的一端连接所述Q1的源极,所述T的初级线圈的另一端连接所述Q2的源极,所述T的次级线圈的第一端连接所述Q6的漏极,所述T的次级线圈的第二端连接所述L的一端,所述T的次级线圈的第三端连接所述Q7的漏极,所述Q6的源极和所述Q7的源极分别用于连接地端,所述Q6的栅极和所述Q7的栅极分别用于连接所述驱动控制电路。
26.根据权利要求22所述的电源电路,其特征在于,所述变压整流电路包括变压器T和MOS管Q6-Q9,其中:
所述T的初级线圈的一端连接所述Q1的源极,所述T的初级线圈的另一端连接所述Q2的源极,所述T的次级线圈的一端分别连接所述Q6的源极和所述Q7的漏极,所述T的次级线圈的另一端分别连接所述Q8的源极和所述Q9的漏极,所述Q6的漏极和所述Q8的漏极分别连接所述L的一端,所述Q7的源极和所述Q9的源极分别用于连接地端,所述Q6的栅极、所述Q7的栅极、所述Q8的栅极和所述Q9的栅极分别用于连接所述驱动控制电路。
27.根据权利要求22所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括电容C5,其中:
所述C5的一端连接所述C1的另一端,所述C5的另一端连接所述R的另一端。
28.根据权利要求27所述的电源电路,其特征在于,所述电源电路还包括预充电电路,所述预充电电路还包括二极管D,其中:
所述D的正极连接所述C5的一端,所述D的负极连接所述C1的另一端;或者
所述D的正极连接所述R的另一端,所述D的负极连接所述C5的另一端;或者
所述D的正极连接所述C1的一端,所述D的负极连接所述R的一端。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109921623B (zh) * 2018-11-09 2021-03-26 上海科世达-华阳汽车电器有限公司 一种电源电路及其预充电电路
CN109510485B (zh) * 2018-11-15 2021-04-02 科世达(上海)管理有限公司 一种电源电路及其钳位电容的预充电控制方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003070250A (ja) * 2001-08-29 2003-03-07 Sanken Electric Co Ltd スイッチング電源装置
CN102655376A (zh) * 2011-03-03 2012-09-05 株式会社日立制作所 直流电源装置
CN102801327A (zh) * 2011-05-25 2012-11-28 株式会社日立制作所 直流电源装置
CN103703662A (zh) * 2011-08-05 2014-04-02 株式会社村田制作所 缓冲电路
CN104079173A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 株式会社日立制作所 直流电源装置
CN104167913A (zh) * 2014-08-18 2014-11-26 浙江大学 一种软开关单相逆变器启动方法
CN104242624A (zh) * 2014-09-05 2014-12-24 中国科学院电工研究所 一种Boost全桥电路启动冲击电流抑制方法
CN105471245A (zh) * 2014-09-23 2016-04-06 亚德诺半导体集团 有源缓冲器的最小占空比控制

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003070250A (ja) * 2001-08-29 2003-03-07 Sanken Electric Co Ltd スイッチング電源装置
CN102655376A (zh) * 2011-03-03 2012-09-05 株式会社日立制作所 直流电源装置
CN102801327A (zh) * 2011-05-25 2012-11-28 株式会社日立制作所 直流电源装置
CN103703662A (zh) * 2011-08-05 2014-04-02 株式会社村田制作所 缓冲电路
CN104079173A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 株式会社日立制作所 直流电源装置
CN104167913A (zh) * 2014-08-18 2014-11-26 浙江大学 一种软开关单相逆变器启动方法
CN104242624A (zh) * 2014-09-05 2014-12-24 中国科学院电工研究所 一种Boost全桥电路启动冲击电流抑制方法
CN105471245A (zh) * 2014-09-23 2016-04-06 亚德诺半导体集团 有源缓冲器的最小占空比控制

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11804772B2 (en) 2020-09-08 2023-10-31 Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd. Startup control method and system, and voltage spike measurement circuit and method

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