CN105389033B - 显示装置以及使用掩模制造显示装置的方法 - Google Patents
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Abstract
显示装置以及使用掩模制造显示装置的方法。公开了一种制造具有显示区域和非显示区域的显示装置的方法,该方法包括以下步骤:使掩模在基板上方对准,该掩模包括中心屏蔽部分、该中心屏蔽部分外侧的周边屏蔽部分、开口中的保持部分以及该保持部分下方的扩散区域,中心屏蔽部分与周边屏蔽部分之间有开口,保持部分将中心屏蔽部分与周边屏蔽部分连接,扩散区域由掩模在中心屏蔽部分和周边屏蔽部分中的一个与保持部分之间的厚度差来限定;通过掩模在基板上沉积导电材料,以在非显示区域中形成围绕显示区域的单件环形导电通路;以及在基板上形成透明导电层,该透明导电层连续地形成在显示区域和非显示区域中并且被形成为与单件环形导电通路直接接触。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置以及使用掩模制造显示装置的方法。更具体地讲,本公开涉及一种包括连续、单件、环形导电通路的显示装置。
背景技术
目前,有两种方式来形成连续环形的金属布线。
第一种方法是喷墨方法,其中利用喷嘴将金属颗粒或颜料印刷在目标表面上。这种方法以下称作“喷射”。在该方法中,期望的形状可通过调节喷嘴的位置和移动速度以及喷射率来自由地形成。各种因素可影响金属颜料在目标表面上的粘附性。因此,喷射方法常常需要通过应用热能来保持粘附在目标表面上的金属颜料的诸如固化或烘干的附加工艺。然而,在一些情况下,可能即使使用固化或烘干工艺也无法获得期望的粘附性,在随后的多个工艺期间利用金属颜料形成的金属布线可能从表面剥离。另外,喷射方法中使用的喷孔的大小可限制金属布线的宽度,使得难以从金属布线获得期望的电性质。
第二种方式是利用溅射现象将导电材料沉积到基板的表面上。这种方式以下称作溅射。溅射是一种物理气相沉积(PVD)方法。溅射涉及通过高能粒子(例如,等离子体的正离子)来轰击源材料,使得原子从源材料被逐出(eject)并沉积在目标表面上。
通常,从源材料逐出的原子被沉积到基板的通过掩模的开口暴露的区域上。在该方法中,可通过在进行溅射工艺的同时调节掩模距目标表面的距离来控制金属布线的宽度和厚度。尽管溅射方法使得能够提供比喷射方法更宽的金属布线,但是溅射方法的图案化机制使得难以形成连续环形图案的金属布线。
发明内容
因此,本发明涉及提供一种显示装置以及使用掩模制造该显示装置的方法,其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。
本发明的优点涉及提供一种包括连续、单件、环形导电通路的显示装置。
本发明的附加特征和优点将在以下描述中阐述,并且部分地将从所述描述而显而易见,或者可通过本发明的实践学习。本发明的这些和其它优点将通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和达到。
为了实现这些和其它优点并且根据本发明的目的,如具体实现并广义描述的,一种显示装置可例如包括:基板,其具有显示区域以及在所述显示区域外侧的非显示区域;单件环形导电通路,其在所述基板上的所述非显示区域中围绕所述显示区域;以及透明导电层,其连续地设置在所述显示区域和所述非显示区域中并且与所述单件环形导电通路直接接触,其中,所述单件环形导电通路包括由相同导电材料制成的第一部分和第二部分,其中,所述第二部分中的所述单件环形导电通路在厚度方向上具有所述导电材料的多个凹陷,并且其中,介于所述多个凹陷之间的所述导电材料的厚度基本上等于所述第一部分的厚度。
在本发明的另一方面,一种制造具有显示区域和非显示区域的显示装置的方法,该方法可例如包括以下步骤:使掩模在基板上方对准,该掩模包括中心屏蔽部分、在所述中心屏蔽部分外侧的周边屏蔽部分、在所述开口中的保持部分以及在所述保持部分下方的扩散区域,在所述中心屏蔽部分与所述周边屏蔽部分之间有开口,该保持部分将所述中心屏蔽部分与所述周边屏蔽部分连接,该扩散区域由所述掩模在所述中心屏蔽部分和所述周边屏蔽部分中的一个与所述保持部分之间的厚度差来限定;通过所述掩模在所述基板上沉积导电材料以在所述非显示区域中形成围绕所述显示区域的单件环形导电通路;以及在所述基板上形成透明导电层,该透明导电层连续地形成在所述显示区域和非显示区域中并且被形成为与所述单件环形导电通路直接接触。
将理解,以上总体描述和以下具体描述二者均是示例性和说明性的,旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。
附记1、一种显示装置,该显示装置包括:
基板,该基板具有显示区域以及在该显示区域外侧的非显示区域;
单件环形导电通路,该单件环形导电通路在所述基板上的所述非显示区域中围绕所述显示区域;以及
透明导电层,该透明导电层被连续地设置在所述显示区域和所述非显示区域中并且与所述单件环形导电通路直接接触,
其中,所述单件环形导电通路包括由相同导电材料制成的第一部分和第二部分,
其中,所述第二部分中的所述单件环形导电通路在厚度方向上具有所述导电材料的多个凹陷,并且
其中,介于所述多个凹陷之间的所述导电材料的厚度基本上等于所述第一部分的厚度。
附记2、根据附记1所述的显示装置,其中,所述第二部分的薄层电阻大于所述第一部分的薄层电阻。
附记3、根据附记1所述的显示装置,其中,所述第一部分在所述单件环形导电通路中占据比所述第二部分大的面积。
附记4、根据附记1所述的显示装置,其中,所述第二部分具有带多个突起的波状表面。
附记5、根据附记1所述的显示装置,其中,所述单件环形导电通路在所述单件环形导电通路延伸的方向的横向方向上的宽度等于或小于所述第一部分在相同方向上的宽度。
附记6、根据附记1所述的显示装置,其中,所述单件环形导电通路具有从所述单件环形导电通路的环路突出的至少一个连接器部分。
附记7、根据附记1所述的显示装置,其中,所述单件环形导电通路连接到接地构件以对静电电荷进行放电。
附记8、根据附记1所述的显示装置,其中,所述导电层具有比所述单件环形导电通路低的导电性。
附记9、根据附记1所述的显示装置,其中,所述多个凹陷内的所述导电材料的厚度小于所述第一部分的厚度的2/3。
附记10、一种制造具有显示区域和非显示区域的显示装置的方法,该方法包括以下步骤:
使掩模在基板上方对准,该掩模包括
中心屏蔽部分,
所述中心屏蔽部分外侧的周边屏蔽部分,所述中心屏蔽部分与所述周边屏蔽部分之间有开口,
所述开口中的保持部分,该保持部分将所述中心屏蔽部分与所述周边屏蔽部分连接,以及
所述保持部分下方的扩散区域,该扩散区域由所述掩模在所述中心屏蔽部分和所述周边屏蔽部分中的一个与所述保持部分之间的厚度差来限定;
通过所述掩模在所述基板上沉积导电材料,以在所述非显示区域中形成围绕所述显示区域的单件环形导电通路;以及
在所述基板上形成透明导电层,该透明导电层被连续地形成在所述显示区域和所述非显示区域中,并且被形成为与所述单件环形导电通路直接接触。
附记11、根据附记10所述的方法,该方法还包括以下步骤:在所述基板的与形成有所述透明导电层的地方相对的表面上形成包括多个薄膜晶体管和多个像素电极的TFT元件层。
附记12、根据附记11所述的方法,该方法还包括以下步骤:在所述TFT元件层上形成液晶层。
附记13、根据附记12所述的方法,该方法还包括以下步骤:在所述液晶层上形成多个触摸电极。
附记14、根据附记10所述的方法,其中,所述保持部分具有条形图案、网状图案和网格图案中的一种。
附记15、根据附记10所述的方法,其中,所述保持部分具有多个开放通道。
附记16、根据附记10所述的方法,其中,所述保持部分下方的所述扩散区域以及所述基板与所述掩模之间的距离使得所述导电材料被沉积到所述保持部分下方的所述基板上。
附记17、根据附记10所述的方法,其中,所述保持部分处的所述掩模的厚度小于所述保持部分下方的所述扩散区域的深度。
附记18、根据附记10所述的方法,其中,所述导电材料是通过溅射来沉积的。
附记19、根据附记10所述的方法,其中,所述导电层由导电性低于所述单件环形导电通路的导电性的材料形成。
附记20、根据附记10所述的方法,其中,所述单件环形导电通路的薄层电阻大于所述透明导电层的薄层电阻。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解,并且被并入本申请并构成本申请的一部分,附图示出了本发明的实施方式并且与说明书一起用来说明本发明的原理。附图中:
图1是根据本公开的示例性实施方式的掩模的平面图;
图2A是根据示例性实施方式的图1所示的掩模的部分X的放大平面图;
图2B是沿图2A的线A–A’截取的周边屏蔽部分、支撑部分和中心屏蔽部分的横截面图;
图2C是沿图2A的线B–B’截取的周边屏蔽部分、支撑部分和中心屏蔽部分的横截面图;
图3A是根据示例性实施方式的图1所示的掩模的部分X的放大平面图;
图3B是沿图3A的线A–A’截取的周边屏蔽部分、支撑部分和中心屏蔽部分的横截面图;
图3C是沿图3A的线B–B’截取的周边屏蔽部分、支撑部分和中心屏蔽部分的横截面图;
图3D是沿图3A的线C–C’截取的周边屏蔽部分、支撑部分和中心屏蔽部分的横截面图;
图4是示意性地示出从靶逐出的溅射粒子所经过的路径的示图;
图5是根据本公开的示例性实施方式的被配置成单件的环形导电通路的平面图;
图6A是通过利用具有呈条形图案的保持部分的掩模溅射而沉积的导电通路的部分Y的放大平面图;
图6B是沿图6A的线A–A’截取的第一部分和第二部分的横截面图;
图6C是沿图6A的线B–B’截取的第一部分和第二部分的横截面图;
图6D是通过利用具有呈条形图案的保持部分的掩模溅射而沉积的导电通路的部分Y的一组放大立体图和横截面图;
图7是通过利用具有呈倾斜条形图案的保持部分的掩模溅射而沉积的导电通路的第二部分的放大平面图;
图8是通过利用具有呈网状或网格状图案的保持部分的掩模溅射而沉积的导电通路的部分Y的放大平面图;
图9是通过利用具有呈条形图案的保持部分的掩模溅射而沉积的导电通路的部分Y的放大平面图;以及
图10是根据本公开的示例性实施方式的显示面板的横截面图。
具体实施方式
本发明的优点和特征及其实现方法将从本文下面参照附图的示例性实施方式的描述而变得显而易见。然而,本发明不限于本文公开的示例性实施方式,而是可按照各种不同的形式来实现。示例性实施方式被提供用于使本发明的公开彻底并且向本领域技术人员充分传达本发明的范围。需要注意的是,本发明的范围仅由权利要求限定。
在附图中给出的图形、尺寸、比例、角度、元件数量仅是例示性的,而非作为限制。
贯穿说明书,相似的标号指代相似的元件。
在描述本公开时,公知技术的描述可被省略,以不使本公开的主旨模糊。
需要注意的是,说明书和权利要求书文中使用的术语“包括”、“具有”等不应被解释为限于随后所列的事物,除非明确地另外说明。
如本文使用的,在指代单数名词时使用不定冠词或定冠词的情况下,这包括多个该名词,除非明确地另外说明。
如本文使用的,在描述元件时,即使没有明确说明,它们也被解释为包括误差容限。
如本文使用的,在描述位置关系时,诸如“元件A在元件B上”、“元件A在元件B上方”、“元件A在元件B下面”以及“元件A在元件B旁边”,另一元件C可设置在元件A和B之间,除非明确地使用术语“直接”、“立即”或者“接触”。
如本文使用的,说明书和权利要求书中的术语第一、第二、第三等用于在相似的元件之间区分,未必用于描述顺序或时间先后次序。这些术语仅用于将一个元件与另一元件相区分。因此,如本文使用的,在本公开的技术构思内,第一元件可以是第二元件。
另外,在描述本公开的元件时,可使用诸如第一和第二的术语以及诸如A、B、(a)、(b)等的符号。这些术语仅用于将元件彼此区分,而非限制元件的基本特征、次序、顺序或数量。如本文使用的,短语“元件A连接到元件B”或“元件A与元件B耦合”是指元件A可直接连接到元件B/与元件B耦合和/或元件A经由另一元件C间接连接到元件B/与元件B耦合。
如本文使用的,环形导电通路是指具有将闭合内侧与外侧分离的环形的导电通路。例如,导电通路可具有中心开口的圆形、中心开口的椭圆形、中心开口的矩形、中心开口的正方形、中心开口的菱形、中心开口的梯形以及中心开口的无定形形状。
如本文使用的,被配置成单件的导电通路是指作为没有断开部分的连续通路的导电通路。具体地讲,导电通路的所有部分同时形成,使得导电通路无缝并且没有交叠部分。
本公开的各种示例性实施方式的特征可部分地或全部地组合。本领域技术人员将清楚地理解,可进行各种技术上的交互和操作。各种示例性实施方式可单独地或者组合实践。
<掩模>
将参照图1至图4描述根据本公开的示例性实施方式的掩模。
图1是根据本公开的示例性实施方式的掩模100的平面图。图1可以是单个掩模100的平面图或者单个掩模100的一部分的平面图。换言之,图1可以是具有环形开口的单个掩模100的平面图,或者可以是单个掩模100的多个环形开口110中的一个的平面图。
掩模包括中心屏蔽部分120、周边屏蔽部分130、保持部分和开口110。
中心屏蔽部分120与除保持部分以外的其它部分隔离。换言之,当从掩模100的顶部看时,中心屏蔽部分120具有岛状。中心屏蔽部分120被周边屏蔽部分130和开口110围绕。更具体地讲,中心屏蔽部分120通过开口110来被隔开。换言之,中心屏蔽部分120是被开口110围绕的区域。例如,中心屏蔽部分120可具有矩形或正方形。
周边屏蔽部分130与中心屏蔽部分120间隔开预定距离。周边屏蔽部分130比中心屏蔽部分120更靠外侧,使得它围绕中心屏蔽部分120和开口110。例如,周边屏蔽部分130可具有环形或正方形。当利用根据本公开的示例性实施方式的掩模100在基板上执行溅射时,溅射粒子被沉积在中心屏蔽部分120和周边屏蔽部分130的表面上,使得它们不被沉积在位于中心屏蔽部分120和周边屏蔽部分130下方的基板表面的部分上。
保持部分将中心屏蔽部分120与周边屏蔽部分130连接。尽管图中未示出,保持部分在中心屏蔽部分120与周边屏蔽部分130之间形成水平差。
开口110是掩模100中的空白空间。开口110具有基本上环形。例如,开口110可具有长方环形或正方环形。当利用根据本公开的示例性实施方式的掩模100在基板上执行溅射时,溅射粒子穿过开口110并沉积在位于开口110下方的基板表面的部分上。换言之,当中心屏蔽部分120与周边屏蔽部分130间隔开预定距离时形成开口110。
参照图1,部分X是保持部分所在的掩模100的部分。尽管图中未示出,保持部分具有与中心屏蔽部分120和周边屏蔽部分130的水平差,使得通过保持部分、中心屏蔽部分120和周边屏蔽部分130形成并限定扩散区域。即,扩散区域(未示出)是指在各个保持部分下方通过保持部分与中心屏蔽部分120和周边屏蔽部分130中的至少一个之间的厚度水平差形成的空白空间。将参照图2A至图3D详细描述保持部分和扩散区域(未示出)。
图2A是根据示例性实施方式的图1所示的掩模100的部分X的放大平面图。
图2A所示的根据示例性实施方式的掩模100包括具有条形或梯形图案的保持部分240。保持部分240将中心屏蔽部分220与周边屏蔽部分230连接。为此,保持部分240可位于中心屏蔽部分220和周边屏蔽部分230之间。例如,保持部分240可连接到中心屏蔽部分220的侧面和周边屏蔽部分230的相对侧面。在这方面,当中心屏蔽部分220与周边屏蔽部分230间隔开预定距离时形成开口210。
扩散区域(未示出)由保持部分240与两个屏蔽部分230、220之间的厚度水平差来限定。在图1和图2A的平面图中,除了保持部分240所占据的区域以外,开口210看起来就像是单个连续空间。将参照图2B和图2C描述保持部分240连接到中心屏蔽部分220和周边屏蔽部分230的示例性方式。
图2B是沿图2A的线A–A’截取的周边屏蔽部分230、支撑部分240和中心屏蔽部分220的横截面图。图2B(1)和图2B(2)所示的根据本公开的示例性实施方式的掩模100仅是示例,保持部分240的形状不限于此。
将参照图2B(1)描述根据本公开的示例性实施方式的掩模100。
周边屏蔽部分230与中心屏蔽部分220之间没有水平差。换言之,周边屏蔽部分230和中心屏蔽部分220二者具有基本上相等的总厚度。周边屏蔽部分230的一个表面和中心屏蔽部分220的一个表面可处于同一平面。
现在将描述保持部分240。保持部分240连接到中心屏蔽部分220的侧面和周边屏蔽部分230的相对侧面。保持部分240的厚度d4加扩散区域211的厚度d2等于或小于中心屏蔽部分220的侧面处的厚度d3和周边屏蔽部分230的相对侧面处的厚度d1。即,保持部分240的厚度d4和扩散区域211的厚度d2之和等于或小于周边屏蔽部分230的厚度d1(d1≥d4+d2)。或者,保持部分240的厚度d4和扩散区域211的厚度d2之和等于或小于中心屏蔽部分220的厚度d3(d3≥d4+d2)。
保持部分240具有与中心屏蔽部分220的表面和周边屏蔽部分230的表面所在的平面位于不同的平面上的表面。保持部分240的两个表面中的至少一个与中心屏蔽部分220的表面和周边屏蔽部分230的表面具有水平差。优选地,保持部分240的一个表面与中心屏蔽部分220的表面和周边屏蔽部分230的表面具有水平差,而保持部分240的另一表面位于与中心屏蔽部分220的另一表面和周边屏蔽部分230的另一表面所在的平面相同的平面上。
然而,在一些实施方式中,保持部分240的另一表面也与中心屏蔽部分220的另一表面和周边屏蔽部分230的另一表面具有水平差。保持部分240连接到中心屏蔽部分220的侧面和周边屏蔽部分230的相对侧面。保持部分240的厚度d4加扩散区域211的厚度d2小于中心屏蔽部分220的侧面处的厚度d3和周边屏蔽部分230的相对侧面处的厚度d1。
现在将描述扩散区域211。扩散区域211形成为周边屏蔽部分230。中心屏蔽部分220具有与保持部分240的水平差。更具体地讲,保持部分240的一个表面与中心屏蔽部分220的表面和周边屏蔽部分230的表面具有水平差。水平差的高度等于扩散区域211的厚度d1。
如上所述,在一些实施方式中,保持部分240的两个表面中的每一个可相对于周边屏蔽部分230和中心屏蔽部分220的相应表面具有水平差。在这种情况下,扩散区域211形成在保持部分240的两个表面的一侧。
关于这一点,扩散区域211以外的开口(未示出)的厚度由限定开口(未示出)的中心屏蔽部分220的侧面和周边屏蔽部分230的相对侧面的厚度确定。因此,尽管图2B(1)中未示出,保持部分240的厚度d4加扩散区域211的厚度d2等于或小于开口的厚度。
将参照图2B(2)描述根据本公开的示例性实施方式的掩模100。在描述图2B(2)所示的根据示例性实施方式的掩模100时,将集中于与图2B(1)的差异来进行描述,多余描述将被省略。
中心屏蔽部分220和周边屏蔽部分230中的每一个具有水平差。换言之,中心屏蔽部分220和周边屏蔽部分230的厚度不平。例如,中心屏蔽部分220可在保持部分240连接到中心屏蔽部分220的位置附近具有水平差。或者,周边屏蔽部分230可在保持部分240连接到周边屏蔽部分230的位置附近具有水平差。换言之,中心屏蔽部分230的厚度和周边屏蔽部分230的厚度可分别在与保持部分240连接的位置附近最大。
现在将描述保持部分240。保持部分240的厚度d4等于或大于扩散区域211的厚度d2。
现在将描述扩散区域211。扩散区域211的厚度d2小于中心屏蔽部分220的侧面的厚度d3和周边屏蔽部分230的相对侧面的厚度d1。
为了形成具有这种形状的掩模100,可执行蚀刻工艺以将掩模100的两个表面图案化。例如,掩模100的母基板的表面被蚀刻预定厚度,使得所有区域均被蚀刻,留下要形成保持部分240的区域。另外,母基板的另一表面被蚀刻预定厚度,使得开口(未示出)、扩散区域211和保持部分240被蚀刻。通过这样做,扩散区域211的深度和保持部分240的厚度不受中心屏蔽部分220或周边屏蔽部分230的厚度影响。换言之,可形成扩散区域211的深度足够大,同时保持部分240的厚度也足够大以保持中心屏蔽部分220的掩模100。
图2C是沿图2A的线B–B’截取的周边屏蔽部分230、保持部分240和中心屏蔽部分220的横截面图。
将参照图2C描述根据本公开的示例性实施方式的掩模100。
周边屏蔽部分230与中心屏蔽部分220之间的空间没有保持部分240,因此完全暴露。该空间被称作开口210。换言之,开口210包括周边屏蔽部分230与未被保持部分(未示出)遮蔽的中心屏蔽部分220之间的空间。如上所述,与周边屏蔽部分230和中心屏蔽部分220具有水平差的保持部分(未示出)的存在导致上面参照图2B描述的扩散区域(未示出)。
开口210的厚度由中心屏蔽部分220的侧面和周边屏蔽部分230的侧面处的厚度来确定。当周边屏蔽部分230和中心屏蔽部分220没有水平差时,中心屏蔽部分220的侧面处的厚度等于中心屏蔽部分220的厚度。另外,周边屏蔽部分230的相对侧面处的厚度等于周边屏蔽部分230的厚度。当周边屏蔽部分230和中心屏蔽部分220中的每一个具有水平差并且厚度不平时,中心屏蔽部分220的侧面处的厚度和周边屏蔽部分230的相对侧面处的厚度限定开口210的厚度。
图3A是根据另一示例性实施方式的图1所示的掩模100的部分X的放大平面图。
掩模100包括具有网格或网状图案的保持部分340。保持部分340具有多个开放通道。所述多个开放通道可被视为开口310的一部分。
在描述根据图3A的示例性实施方式的掩模100时,将集中于与图2A(具有条形或梯形图案的掩模100)的差异来进行描述,因此,多余描述将被省略。将参照图3B和图3C描述保持部分340连接到中心屏蔽部分320和周边屏蔽部分330的示例性方式。
图3B是沿图3A的线A–A’截取的周边屏蔽部分330、保持部分340和中心屏蔽部分320的横截面图。根据图3B所示的本公开的示例性实施方式的掩模100仅是示例,保持部分340的形状不限于此。例如,在根据图3A所示的示例性实施方式的掩模100的部分X的放大平面图中,沿线A–A’截取的周边屏蔽部分330、保持部分340和中心屏蔽部分320的横截面图可由图2B(1)和图2B(2)代替。
图3C是沿图3A的线B–B’截取的周边屏蔽部分330、保持部分340和中心屏蔽部分320的横截面图。关于根据图2C所示的示例性实施方式的掩模100的描述可同样适用于根据图3C所示的示例性实施方式的掩模100。
图3C是沿图3A的线B–B’截取的周边屏蔽部分330、保持部分340和中心屏蔽部分320的横截面图。由于根据图3A所示的示例性实施方式的掩模100具有呈网格或网状图案的保持部分340,在沿线C–C’截取的横截面图中,保持部分340既不连接到中心屏蔽部分320,也不连接到周边屏蔽部分330。根据图3D(1)和图3D(2)所示的本公开的示例性实施方式的掩模100仅是示例,保持部分340的形状不限于此。
将参照图3D(1)描述根据本公开的示例性实施方式的掩模100。在描述根据图3D(1)的示例性实施方式的掩模100时,将集中于与图2B(1)的差异来进行描述,因此多余描述将被省略。
现在将描述保持部分340。保持部分340位于中心屏蔽部分320的侧面与周边屏蔽部分330的相对侧面之间。
现在将描述开口310。开口310是当保持部分340既不连接到中心屏蔽部分320的侧面,也不连接到周边屏蔽部分330的相对侧面时暴露或空出的空间。
将参照图3D(2)描述根据本公开的示例性实施方式的掩模100。
根据图3D(2)所示的示例性实施方式的掩模100就开口310而言与根据图3D(1)所示的示例性实施方式的掩模100相同或基本上相似,就其它配置而言与根据图2B(2)所示的示例性实施方式的掩模100相同或基本上相似。因此,根据图3D(2)所示的示例性实施方式的掩模100可基于关于根据图3D(1)所示的示例性实施方式的掩模100的描述和关于根据图2B(2)所示的示例性实施方式的掩模100的描述的组合来理解。
图4是示意性地示出溅射粒子所经过的路径的示图。
参照图4(1),当利用根据本公开的示例性实施方式的掩模执行溅射时,溅射粒子经由开口扩散到扩散区域中。
参照图4(2),经由开口扩散到扩散区域中的粒子均匀地沉积在位于保持部分下方的那部分基板上。换言之,溅射粒子通过扩散现象在位于保持部分下方的基板上积累并形成扩散区域。结果,与掩模的开口相符地形成单个连续的溅射沉积图案。保持部分位于中心屏蔽部分和周边屏蔽部分之间以将它们彼此物理连接。并且,保持部分使得能够借助扩散图案化在它们下方均匀地形成沉积图案,使得可作为单件形成连续的环形沉积图案。
至少两个保持部分形成在掩模100中,使得中心屏蔽部分可被更牢固地保持,因此存在发生扩散图案化的至少两个位置。即,掩模100具有至少两个扩散区域。
<导电通路>
将参照图5至图9描述根据本公开的示例性实施方式的显示面板中所包括的导电通路500。
图5是被配置成单件的环形导电通路500的平面图。图5所示的导电通路500可与图1所示的具有开口110的掩模100匹配。
导电通路500具有单件的环状。导电通路500在侧面上具有至少一个突出连接器部分520。导电通路500可经由突出连接器部分520来接收电信号。导电通路500包括第一部分510以及表面性质不同于第一部分510的第二部分。第一部分510和第二部分由相同的导电材料制成。第二部分在厚度方向上具有导电材料的多个凹陷,介于多个凹陷之间的导电材料的厚度基本上等于第一部分的厚度。另外,多个凹陷内的导电材料的厚度小于第一部分的厚度的2/3。第二部分形成在位于保持部分下方的扩散区域(未示出)中。结果,第二部分的位置或形状取决于保持部分和扩散区域(未示出)的位置或形状。在图5中,第二部分中的一个设置在部分Y处。将参照图6A至图9详细描述第二部分的形状。
图6A是通过利用具有呈条形图案的保持部分的掩模溅射而沉积的导电通路500的部分Y的放大平面图。
第二部分612具有波浪形状的边缘。与第一部分611相比,第二部分612沿着边缘线具有不进行沉积的槽。导电通路500的边缘处的这种波浪形状或槽指示通过利用具有呈条形图案的保持部分的掩模溅射来沉积图案。图6A所示的第二部分612的形状仅是示例,第二部分612的形状不限于此。
图6B是沿图6A的线A–A’截取的第一部分611和第二部分612的横截面图。也就是说,图6B是在图6A所示的导电通路500的部分Y的放大图中在与其延伸方向平行的方向上截取的导电通路500的中间部分的横截面图。
与第一部分611相比,第二部分612具有下陷沉积区,在所述下陷沉积区中,分别沿着顶表面更弱或更薄地进行沉积。在第二部分612处,导电通路500被形成为在第二部分处具有带多个突起的波状表面。导电通路500的顶表面处的这些下陷沉积区指示通过利用具有呈条形图案的保持部分的掩模溅射来沉积图案。
在第二部分612的中间,存在连续的不平表面。第二部分612的表面比第一部分611的表面更不平。即,第二部分612的表面粗糙度大于第一部分611的表面粗糙度。即,第二部分612的表面比第一部分611的表面更粗糙。第二部分612的厚度不平。第二部分612的厚度等于或小于第一部分611的厚度。即,第二部分612的厚度不大于第一部分611的厚度。
图6C是沿图6A的线B–B’截取的第一部分611和第二部分612的横截面图。也就是说,图6B是在图6A的导电通路500的部分Y的放大图中在与其延伸方向平行的方向上截取的导电通路500的边缘的横截面图。
第二部分612具有波浪形状的边缘。或者,第二部分612在其边缘处具有第一部分611所不具有的槽,在所述槽中部分地未进行沉积。在导电通路500的边缘的横截面中,第二部分612在其边缘处具有不连续的不平表面。即,第二部分612的表面粗糙度大于第一部分611的表面粗糙度。即,第二部分612的表面比第一部分611的表面更粗糙。第二部分612的厚度不平。第二部分612的厚度等于或小于第一部分611的厚度。即,第二部分612的厚度不大于第一部分611的厚度。
图6D(1)是通过利用具有呈条形图案的保持部分的掩模溅射而沉积的导电通路500的部分Y的放大立体图。
第二部分612具有连续的不平表面。即,第二部分612的表面粗糙度大于第一部分611的表面粗糙度。即,第二部分612的表面比第一部分611的表面更粗糙。第二部分612的厚度不平。第二部分612的厚度等于或小于第一部分611的厚度。
图6D(2)是一组横截面图,其中之一是沿图6D(1)的线A-A’截取的第一部分611的横截面图,另一个是沿线B-B’截取的第二部分612的横截面图(对应于下陷沉积区之一)。第二部分612的横截面的宽度w2等于或小于第一部分611的横截面的宽度w1。第二部分612的横截面的高度d2等于或小于第一部分611的横截面的高度d1。
图7是通过利用掩模100溅射而沉积的导电通路500的部分Y的放大平面图,掩模100具有呈倾斜预定角度的条形图案的保持部分。
第二部分712具有波浪形状的边缘。与第一部分711相比,第二部分712具有不进行沉积的槽。导电通路500的边缘处的这种波浪形状或槽指示通过利用掩模100溅射来沉积图案,掩模100具有呈倾斜预定角度的条形图案的保持部分。
图8是通过利用具有呈网状或网格图案的保持部分的掩模100溅射而沉积的导电通路500的部分Y的放大平面图。
第二部分812具有波浪形状的边缘。与第一部分811相比,第二部分812具有不进行沉积的槽。导电通路500的边缘处的这种波浪形状或槽指示通过利用具有呈网状或网格图案的保持部分的掩模100溅射来沉积图案。
图9是通过利用具有呈条形图案的保持部分的掩模100溅射而沉积的导电通路500的部分Y的放大平面图。
第二部分912具有波浪形状的边缘。与第一部分911相比,第二部分912沿着边缘线具有不进行沉积的槽。导电通路500的边缘处的这种波浪形状或槽指示通过利用具有呈条形或梯形图案的保持部分的掩模100溅射来沉积图案。尽管图6A和图9的导电通路均具有呈相似条形图案的保持部分,与图6A中的保持部分相比,图9中的保持部分更薄并且之间的空间更宽。具体地讲,随着保持部分的框架变得更薄并且保持部分的框架之间的距离变得更大,第二部分的边缘处的波浪形状或槽和顶表面处的下陷沉积区变得更小并且类似于第一部分的边缘。
导电通路500由具有良好导电性的材料制成。例如,导电通路500可由诸如银、铜、铬等的金属材料或其合金制成。对于导电通路500,第一部分的表面电阻小于第二部分的表面电阻。
<包括导电通路的显示装置>
将参照图10描述根据本公开的示例性实施方式的显示面板1000。
被配置成单件的环形导电通路1024可被设置在显示面板1000中,其发射光以显示由观看者识别为信息的图像。在根据本公开的该示例性实施方式的显示面板1000中,导电通路1024被设置在非显示区域I/A中,而非显示图像的显示区域A/A中。非显示区域I/A被设置在显示区域A/A周围。例如,非显示区域I/A可围绕显示区域A/A。导电通路1024可被设置在非显示区域I/A中以围绕显示区域A/A。将参照图10详细描述环形导电通路1024被设置在显示面板1000中的示例性方式。
图10是根据本公开的示例性实施方式的显示面板1000的横截面图。在图10的该示例性实施方式中,显示面板100是液晶显示器(LCD)。然而,这仅是例示性的,而非作为限制。也就是说,例如,显示面板1000可以是有机发光显示器(OLED)。同样,在根据本公开的该示例性实施方式的显示面板1000中,作为单件的环形导电通路1024被设置在非显示区域I/A中。
根据该示例性实施方式的显示面板1000被分割成显示区域A/A以及围绕显示区域A/A的非显示区域I/A。尽管图中未示出,非显示区域I/A围绕显示区域A/A。因此,在横截面中,非显示区域I/A位于显示面板1000的任一边缘处。
根据本公开的示例性实施方式的显示面板1000包括:下偏振层1042;导电通路1024,其被设置在下偏振层1042的非显示区域I/A中;导电层1023,其被设置在导电通路1024和下偏振层1042上;下基板1021,其被设置在导电层1023上;TFT元件层1022,其被设置在下基板1021上;密封单元1031,其被设置在TFT元件层1022上的非显示区域I/A中;液晶层1032,其填充位于TFT元件层1022上的间隙,所述间隙被密封单元1031围绕以通过间隔物(未示出)隔开;平坦化层1014,其被设置在密封单元1031和液晶层1032上;黑底1013,其被设置在平坦化层1014上以限定非显示区域I/A;滤色器层1012,其被设置在黑底1013和平坦化层1014上;上基板1011,其被设置在滤色器层1012上;以及上平坦化层1041,其被设置在上基板1011上。显示面板1000可被包括在各种类型的显示装置(类似智能电话、膝上型计算机、平板或TV)中。
黑底1013被形成为隐藏显示面板1000的不显示图像的边缘部分。即,黑底1013形成在非显示区域I/A中。借助黑底1031限定向观看者显示图像的区域,即,显示区域A/A。黑底1013用于隐藏各种布线、信号线和胶带。它可包括包含炭黑颜料以吸收光的黑色树脂。
尽管图10未示出,触摸传感器(未示出)可设置在显示面板1000内部或外部。触摸传感器(未示出)可按照具有单独的基板的触摸屏面板的形式与显示面板1000连接。另选地,触摸传感器(未示出)可按照膜的形式与显示面板1000连接。另选地,触摸传感器(未示出)可作为显示面板1000的组件按照触摸电极的形式设置在上基板1011和/或下基板1021上/下方。
TFT元件层1022包括:多条选通线,其被布置在一个方向上并且彼此间隔开预定距离;多条数据线,其被布置在与布置选通线的方向垂直的方向上并且彼此间隔开预定距离;多个像素电极,其按照矩阵形成在由彼此交叉的选通线和数据线限定的像素区域中;以及多个薄膜晶体管TFT,其通过来自选通线的信号来开关以将信号从选通线传送至像素电极。通过TFT元件层1022来驱动液晶层1032。
导电层1023可用于防止由于驱动信号施加到TFT元件层1022以用于驱动液晶而错误地操作的触摸信号。为此,导电层1023是信号干扰屏蔽层。在触摸传感器(未示出)中,电压信号施加到触摸电极以检测触摸的位置。同时,在TFT元件层1022中,电压信号施加到像素电极和公共电极以驱动液晶。此时,触摸传感器的触摸电极充当第一电极,而TFT元件层1022的像素电极或公共电极充当第二电极。
第一电极与第二电极(二者间具有各种结构层作为介电层)之间可能生成寄生电容。由于这种寄生电容,施加到TFT元件层1022中的像素电极或公共电极的电压信号可干扰施加到触摸传感器的触摸电极的电压信号。换言之,施加到TFT元件层1022中的像素电极或公共电极的电压信号可充当施加到触摸传感器的触摸电极的电压信号中的噪声。
在触摸传感器被设置在上基板1011和下基板1021之间的内嵌式触摸型的情况下,导电层1023形成在形成有TFT元件层1022的表面以外的下基板1021的另一表面上。即,如果TFT元件层1022形成在下基板1021的一个表面上,则导电层1023形成在下基板1021的另一表面上。有益的是,导电层1023为透明的,因为从要与显示面板1000连接的背光单元(未示出)发射的光要入射在显示面板1000上。
另一方面,在触摸传感器被设置在上基板1011上的外嵌式触摸型的情况下,导电层1023形成在形成有滤色器层1012的表面以外的上基板1011的另一表面上。即,如果滤色器层1012形成在上基板1011的一个表面上,则导电层1023形成在上基板1011的另一表面上。在这种情况下,有益的是,导电层1023为透明的,因为液晶层1032中的偏振的光在从显示面板1000发射之前穿过导电层1023。
因此,期望利用透明导电材料来制成导电层1023。例如,导电层1023可由从包括铟氧化物、锡氧化物、锌氧化物、铟锡氧化物、铟锌氧化物、锡锑氧化物、石墨烯、碳纳米管、银纳米管、银纳米线和薄金属网的组中选择出的材料制成。有益的是,导电层1023足够薄以透射光。
当根据本公开的示例性实施方式的显示面板1000采用导电层1023时,导电通路1024可与导电层1023的表面直接接触。另外,导电通路1024可沿着由黑底1013限定的非显示区域I/A设置。因此,导电通路1024可与导电层1023的表面直接接触并且设置在非显示区域I/A中,使得它可具有围绕显示区域A/A的环形。
在基板1011的后表面或下基板1032的后表面上由寄生电容感应的静电可干扰触摸信号。当导电层1023被设置为与上基板1011的后表面或下基板1021的后表面直接接触时这种静电可被减少或消除,并且以地电势为基准。
导电层1023充当上基板1011和下基板1021的整个表面的电屏蔽。因此,还有益的是,导电层1023为透明的并且具有良好的导电性。因此,为了更有效地消除触摸噪声,导电通路1024被形成为与导电层1023的表面直接接触并且与导电层1023相比具有较小的薄层电阻和更好的导电性。另外,导电通路1024经由设置在导电通路1024的一侧的至少一个突出连接器部分以地电势为基准。通过采用在上基板1011的后表面或下基板1021的后表面上感应的静电经由导电层1023和导电通路1024放电的机制,触摸信号干扰和错误触摸操作可减少。
<使用该掩模制造显示装置的方法>
根据本公开的示例性实施方式的制造显示面板的方法包括以下步骤:移动根据上述任一个实施方式的掩模或者基板,使得掩模与基板间隔开,该基板上限定有显示区域以及围绕显示区域的非显示区域;以及通过对由导电材料制成的靶执行溅射来在基板上形成环形导电通路,该导电通路被配置成单件。
在使用根据上述任一个实施方式的掩模制造显示面板的方法中,移动掩模或基板的步骤还包括使中心屏蔽部分与显示区域对准,而使开口和周边屏蔽部分与非显示区域对准。另外,在基板上形成导电通路的步骤包括以下步骤:同时形成第一部分和第二部分。第二部分形成在基板的与扩散区域对应的区域处。
该方法还包括以下步骤:在基板上形成导电层。该导电层可在导电通路之前形成,反之亦然。导电层的表面与导电通路的表面直接接触。导电层是透明的,并且可由从包括铟氧化物、锡氧化物、锌氧化物、铟锡氧化物、铟锌氧化物、锡锑氧化物、石墨烯、碳纳米管、银纳米粒子、银纳米线和薄金属网的组中选择出的材料制成。可利用诸如靶的材料执行溅射以形成导电层。导电通路可由各种其它金属形成,只要所述金属可利用溅射工艺沉积在目标表面上即可。
根据本公开的一方面,提供了一种显示面板。该显示面板包括:显示区域;围绕显示区域的非显示区域;以及作为单件设置在非显示区域中的环形导电通路。导电通路包括具有不同的表面性质并且由相同的导电材料制成的第一部分和第二部分。
第二部分的薄层电阻可大于第一部分的薄层电阻。
第一部分可在导电通路中占据比第二部分大的面积。
第一部分和第二部分可由相同的材料制成。
第二部分的表面粗糙度可大于第一部分的表面粗糙度。
与导电通路延伸的方向垂直截取的第二部分的横截面的宽度可等于或小于与导电通路延伸的方向垂直截取的第一部分的横截面的宽度。
导电通路可围绕显示区域。
导电通路可在其侧面上具有至少一个突出连接器部分。
显示面板还可包括:设置在显示区域和非显示区域上的导电层,其中,导电通路与导电层的表面接触。
导电层可以是透明的并且可由从包括铟氧化物、锡氧化物、锌氧化物、铟锡氧化物、铟锌氧化物、锡锑氧化物、石墨烯、碳纳米管、银纳米粒子、银纳米线和薄金属网的组中选择出的材料制成。
导电层可以是信号干扰屏蔽层,导电层和导电通路可以地电势为基准。
导电通路可由金属或合金制成。
根据本公开的另一方面,提供了一种掩模。该掩模包括:中心屏蔽部分;周边屏蔽部分;将中心屏蔽部分与周边屏蔽部分连接的保持部分,该保持部分具有位于与中心屏蔽部分的表面和周边屏蔽部分的表面所在的平面不同的平面中的表面;以及开口,该开口是中心屏蔽部分通过其与周边屏蔽部分间隔开的空间。所述开口是单个连续空间并且包括与保持部分一起形成的扩散区域。
从掩模的顶部看时,中心屏蔽部分可具有被隔离的岛状。
中心屏蔽部分可被开口围绕,周边屏蔽部分可围绕开口。
中心屏蔽部分可通过开口被隔开成为封闭区域。
保持部分可与中心屏蔽部分的表面和周边屏蔽部分的表面具有水平差。
中心屏蔽部分的厚度和周边屏蔽部分的厚度可在整个区域上不均匀。
保持部分可连接到中心屏蔽部分的侧面和周边屏蔽部分的相对侧面。
保持部分的厚度与扩散区域的厚度之和可等于或小于中心屏蔽部分的侧面处的厚度和周边屏蔽部分的侧面处的厚度。
保持部分的厚度可小于扩散区域的厚度。
保持部分可具有位于与中心屏蔽部分的表面和周边屏蔽部分的表面所在的平面不同的平面中的表面。保持部分还具有位于与中心屏蔽部分的另一表面和周边屏蔽部分的另一表面所在的平面相同的平面中的另一表面。
保持部分的厚度与扩散区域的厚度之和可大于中心屏蔽部分的侧面处的厚度和周边屏蔽部分的侧面处的厚度。
保持部分的厚度可大于扩散区域的厚度。
所述至少一个保持部分可包括两个或更多个保持部分。
根据本公开的一方面,提供了一种制造显示面板的方法。制造显示面板的所述方法包括以下步骤:移动根据上述任一个实施方式的掩模或者基板,使得掩模与基板间隔开,该基板上限定有显示区域以及围绕显示区域的非显示区域;以及通过对由导电材料制成的靶执行溅射来在基板上形成环形导电通路,该导电通路被配置成单件。
移动掩模或基板的步骤还可包括以下步骤:使中心屏蔽部分与显示区域对准,而使开口和周边屏蔽部分与非显示区域对准。
在基板上形成导电通路的步骤可包括以下步骤:同时形成第一部分和第二部分,其中,第二部分形成在基板的与扩散区域对应的区域处。
该方法还可包括以下步骤:在基板上形成导电层,其中,该导电层的表面与导电通路的表面直接接触。
导电层可以是透明的,并且可由从由铟氧化物、锡氧化物、锌氧化物、铟锡氧化物、铟锌氧化物、锡锑氧化物、石墨烯、碳纳米管、银纳米粒子、银纳米线和薄金属网构成的组中选择出的材料制成。
在基板上形成导电通路的步骤可包括以下步骤:利用金属或合金靶执行溅射。
至此,参照附图详细描述了本公开的示例性实施方式。然而,本公开不限于这些示例性实施方式,在不脱离本公开的技术构思的情况下,可对其进行修改和变化。
因此,本文所述的示例性实施方式仅是例示性的,而非旨在限制本公开的范围。本公开的技术构思不限于所述示例性实施方式。因此,应该理解,上述实施方式在所有方面均不是限制性的,而是例示性的。
本公开所寻求的保护范围通过所附权利要求书来限定,所有等同物均被解释为在本公开的真实范围内。
对于本领域技术人员而言将显而易见的是,在不脱离本发明的精神或范围的情况下,可对本发明进行各种修改和变化。因此,本发明旨在涵盖对本发明的这些修改和变化,只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。
本申请要求2014年8月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0114753的优先权,通过引用将其公开内容并入本文,如同在此充分阐述一样。
Claims (20)
1.一种显示装置,该显示装置包括:
基板,该基板具有显示区域以及在该显示区域外侧的非显示区域;
单件环形导电通路,该单件环形导电通路在所述基板上的所述非显示区域中围绕所述显示区域;以及
透明导电层,该透明导电层被连续地设置在所述显示区域和所述非显示区域中并且与所述单件环形导电通路直接接触,
其中,所述单件环形导电通路包括由相同导电材料制成的第一部分和第二部分,
其中,所述第二部分中的所述单件环形导电通路在厚度方向上具有所述导电材料的多个凹陷,并且
其中,介于所述多个凹陷之间的所述导电材料的厚度基本上等于所述第一部分的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二部分的薄层电阻大于所述第一部分的薄层电阻。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一部分在所述单件环形导电通路中占据比所述第二部分大的面积。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二部分具有带多个突起的波状表面。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述单件环形导电通路在所述单件环形导电通路延伸的方向的横向方向上的宽度等于或小于所述第一部分在相同方向上的宽度。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述单件环形导电通路具有从所述单件环形导电通路的环路突出的至少一个连接器部分。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述单件环形导电通路连接到接地构件以对静电电荷进行放电。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述导电层具有比所述单件环形导电通路低的导电性。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个凹陷内的所述导电材料的厚度小于所述第一部分的厚度的2/3。
10.一种制造具有显示区域和非显示区域的显示装置的方法,该方法包括以下步骤:
使掩模在基板上方对准,该掩模包括:
中心屏蔽部分,
所述中心屏蔽部分外侧的周边屏蔽部分,所述中心屏蔽部分与所述周边屏蔽部分之间有开口,
所述开口中的保持部分,该保持部分将所述中心屏蔽部分与所述周边屏蔽部分连接,以及
所述保持部分下方的扩散区域,该扩散区域由所述掩模在所述中心屏蔽部分和所述周边屏蔽部分中的一个与所述保持部分之间的厚度差来限定;
通过所述掩模在所述基板上沉积导电材料,以在所述非显示区域中形成围绕所述显示区域的单件环形导电通路;以及
在所述基板上形成透明导电层,该透明导电层被连续地形成在所述显示区域和所述非显示区域中,并且被形成为与所述单件环形导电通路直接接触。
11.根据权利要求10所述的方法,该方法还包括以下步骤:在所述基板的与形成有所述透明导电层的地方相对的表面上形成包括多个薄膜晶体管和多个像素电极的TFT元件层。
12.根据权利要求11所述的方法,该方法还包括以下步骤:在所述TFT元件层上形成液晶层。
13.根据权利要求12所述的方法,该方法还包括以下步骤:在所述液晶层上形成多个触摸电极。
14.根据权利要求10所述的方法,其中,所述保持部分具有条形图案、网状图案和网格图案中的一种。
15.根据权利要求10所述的方法,其中,所述保持部分具有多个开放通道。
16.根据权利要求10所述的方法,其中,所述保持部分下方的所述扩散区域以及所述基板与所述掩模之间的距离使得所述导电材料被沉积到所述保持部分下方的所述基板上。
17.根据权利要求10所述的方法,其中,所述保持部分处的所述掩模的厚度小于所述保持部分下方的所述扩散区域的深度。
18.根据权利要求10所述的方法,其中,所述导电材料是通过溅射来沉积的。
19.根据权利要求10所述的方法,其中,所述导电层由导电性低于所述单件环形导电通路的导电性的材料形成。
20.根据权利要求10所述的方法,其中,所述单件环形导电通路的薄层电阻大于所述透明导电层的薄层电阻。
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