CN105387965A - 巷道用压力传感器 - Google Patents

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顾俊元
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Abstract

本发明公开了一种巷道用压力传感器，包括由经过热处理的合金材料制成的金属主体，该合金材料的成分为：Si:1～2%，Te:0.5%，At:0.7%，K:0.3%，Ga:0.7%，Ta:0.9%，余量为Cu和不可避免的杂质；所述合金材料通过如下步骤进行热处理：1）以25℃/min的速度升温至675℃，保温3.5小时；2）再以35℃/min的速度降温至室温；3）再以20℃/min的速度升温至775℃，保温2.5小时；4）再以15℃/min的速度降温至室温。本发明巷道用压力传感器的金属主体性能好，使用时间长。

Description

巷道用压力传感器
技术领域
本发明涉及巷道用压力传感器。
背景技术
巷道用压力传感器的工作环境恶劣，对其金属主体的的性能要求比较高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种巷道用压力传感器，其金属主体由经过热处理的合金材料制成，金属主体重量轻、强度高、耐磨擦、耐腐蚀、耐热、耐寒、抗氧化性能好，使用时间长。
为实现上述目的，本发明的技术方案是设计一种巷道用压力传感器，包括金属主体，所述金属主体由经过热处理的合金材料制成，按重量百分比计，该合金材料的成分为：
Si:1～2%，
Te:0.5%，
At:0.7%，
K:0.3%，
Ga:0.7%，
Ta:0.9%，
余量为Cu和不可避免的杂质；
所述合金材料通过如下步骤进行热处理：
1）以25℃/min的速度升温至675℃，保温3.5小时；
2）再以35℃/min的速度降温至室温；
3）再以20℃/min的速度升温至775℃，保温2.5小时；
4）再以15℃/min的速度降温至室温。
优选的，巷道用压力传感器，包括金属主体，所述金属主体由经过热处理的合金材料制成，按重量百分比计，该合金材料的成分为：
Si:1%，
Te:0.5%，
At:0.7%，
K:0.3%，
Ga:0.7%，
Ta:0.9%，
余量为Cu和不可避免的杂质；
所述合金材料通过如下步骤进行热处理：
1）以25℃/min的速度升温至675℃，保温3.5小时；
2）再以35℃/min的速度降温至室温；
3）再以20℃/min的速度升温至775℃，保温2.5小时；
4）再以15℃/min的速度降温至室温。
优选的，巷道用压力传感器，包括金属主体，所述金属主体由经过热处理的合金材料制成，按重量百分比计，该合金材料的成分为：
Si:2%，
Te:0.5%，
At:0.7%，
K:0.3%，
Ga:0.7%，
Ta:0.9%，
余量为Cu和不可避免的杂质；
所述合金材料通过如下步骤进行热处理：
1）以25℃/min的速度升温至675℃，保温3.5小时；
2）再以35℃/min的速度降温至室温；
3）再以20℃/min的速度升温至775℃，保温2.5小时；
4）再以15℃/min的速度降温至室温。
本发明的优点和有益效果在于：提供一种巷道用压力传感器，其金属主体由经过热处理的合金材料制成，金属主体重量轻、强度高、耐磨擦、耐腐蚀、耐热、耐寒、抗氧化性能好，使用时间长。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明具体实施的技术方案是：
实施例1
一种巷道用压力传感器，包括金属主体，所述金属主体由经过热处理的合金材料制成，按重量百分比计，该合金材料的成分为：
Si:1～2%，
Te:0.5%，
At:0.7%，
K:0.3%，
Ga:0.7%，
Ta:0.9%，
余量为Cu和不可避免的杂质；
所述合金材料通过如下步骤进行热处理：
1）以25℃/min的速度升温至675℃，保温3.5小时；
2）再以35℃/min的速度降温至室温；
3）再以20℃/min的速度升温至775℃，保温2.5小时；
4）再以15℃/min的速度降温至室温。
实施例2
巷道用压力传感器，包括金属主体，所述金属主体由经过热处理的合金材料制成，按重量百分比计，该合金材料的成分为：
Si:1%，
Te:0.5%，
At:0.7%，
K:0.3%，
Ga:0.7%，
Ta:0.9%，
余量为Cu和不可避免的杂质；
所述合金材料通过如下步骤进行热处理：
1）以25℃/min的速度升温至675℃，保温3.5小时；
2）再以35℃/min的速度降温至室温；
3）再以20℃/min的速度升温至775℃，保温2.5小时；
4）再以15℃/min的速度降温至室温。
实施例3
巷道用压力传感器，包括金属主体，所述金属主体由经过热处理的合金材料制成，按重量百分比计，该合金材料的成分为：
Si:2%，
Te:0.5%，
At:0.7%，
K:0.3%，
Ga:0.7%，
Ta:0.9%，
余量为Cu和不可避免的杂质；
所述合金材料通过如下步骤进行热处理：
1）以25℃/min的速度升温至675℃，保温3.5小时；
2）再以35℃/min的速度降温至室温；
3）再以20℃/min的速度升温至775℃，保温2.5小时；
4）再以15℃/min的速度降温至室温。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (3)

1.巷道用压力传感器，其特征在于，包括金属主体，所述金属主体由经过热处理的合金材料制成，按重量百分比计，该合金材料的成分为：
Si:1～2%，
Te:0.5%，
At:0.7%，
K:0.3%，
Ga:0.7%，
Ta:0.9%，
余量为Cu和不可避免的杂质；
所述合金材料通过如下步骤进行热处理：
1）以25℃/min的速度升温至675℃，保温3.5小时；
2）再以35℃/min的速度降温至室温；
3）再以20℃/min的速度升温至775℃，保温2.5小时；
4）再以15℃/min的速度降温至室温。
2.根据权利要求1所述的巷道用压力传感器，其特征在于，包括金属主体，所述金属主体由经过热处理的合金材料制成，按重量百分比计，该合金材料的成分为：
Si:1%，
Te:0.5%，
At:0.7%，
K:0.3%，
Ga:0.7%，
Ta:0.9%，
余量为Cu和不可避免的杂质；
所述合金材料通过如下步骤进行热处理：
1）以25℃/min的速度升温至675℃，保温3.5小时；
2）再以35℃/min的速度降温至室温；
3）再以20℃/min的速度升温至775℃，保温2.5小时；
4）再以15℃/min的速度降温至室温。
3.根据权利要求1所述的巷道用压力传感器，其特征在于，包括金属主体，所述金属主体由经过热处理的合金材料制成，按重量百分比计，该合金材料的成分为：
Si:2%，
Te:0.5%，
At:0.7%，
K:0.3%，
Ga:0.7%，
Ta:0.9%，
余量为Cu和不可避免的杂质；
所述合金材料通过如下步骤进行热处理：
1）以25℃/min的速度升温至675℃，保温3.5小时；
2）再以35℃/min的速度降温至室温；
3）再以20℃/min的速度升温至775℃，保温2.5小时；
4）再以15℃/min的速度降温至室温。
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