CN105333889A - 一种电容式的环境传感器及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims description 37
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
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Description
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510863339.9A CN105333889B (zh) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 一种电容式的环境传感器及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510863339.9A CN105333889B (zh) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 一种电容式的环境传感器及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105333889A true CN105333889A (zh) | 2016-02-17 |
CN105333889B CN105333889B (zh) | 2017-12-05 |
Family
ID=55284546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510863339.9A Active CN105333889B (zh) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | 一种电容式的环境传感器及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105333889B (zh) |
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- 2015-11-30 CN CN201510863339.9A patent/CN105333889B/zh active Active
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Development Zone, Shandong, China, No. 268 Applicant after: Goertek Inc. Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Development Zone, Shandong, China, No. 268 Applicant before: Goertek Inc. |
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COR | Change of bibliographic data | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right |
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TR01 | Transfer of patent right | ||
CP03 | Change of name, title or address |
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CP03 | Change of name, title or address |