CN105321966A - 可见光及红外线图像传感器 - Google Patents

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Abstract

本申请案涉及一种可见光及红外线图像传感器。一种像素阵列包含安置在第一半导体层上的SixGey层。多个像素安置在所述第一半导体层中。所述多个像素包含：(1)第一像素部分，其通过间隔区域与所述SixGey层分离；及(2)第二像素部分，其包含与所述SixGey层接触的第一掺杂区域。所述像素阵列还包含安置在所述多个像素中的个别像素之间的钉扎阱。所述钉扎阱的第一部分延伸穿过所述第一半导体层。所述钉扎阱的第二部分延伸穿过所述第一半导体层及所述SixGey层。

Description

可见光及红外线图像传感器
技术领域
本发明一般来说涉及图像传感器，且明确地说但不排他地，涉及可见光及红外线图像传感器。
背景技术
图像传感器为将光(呈光学图像的形式)转换成电子信号的电子装置。基于半导体的图像传感器已在现代电子装置(例如，蜂窝电话、便携式摄像机及桌上型/膝上型计算机)中变得无处不在。现代图像传感器一般为互补金属氧化物半导体(CMOS)或N型金属氧化物半导体(NMOS)技术中的半导体电荷耦合装置(CCD)、有源像素传感器。这些装置通常用于捕获可见光；然而，在某些应用中，需要检测可见光谱外的光。
红外线(IR)光为电磁波谱的一部分。所有物体根据其温度发射一定量的黑体辐射。一般来说，物体的温度越高，作为黑体辐射发射的IR光就越多。因为不需要环境光，所以经制造以检测IR的图像传感器甚至在全黑中也起作用。因此，IR图像传感器在救援操作、夜间摄像及其它黑暗条件中可能是有帮助的。
比仅可检测红外光的图像传感器更加有用的是可检测IR及可见光两者的图像传感器。然而，检测红外光一般需要低带隙材料，低带隙材料难以与传统图像传感器制造工艺集成。因此，已证明合并红外线成像技术与可见光成像技术是具有挑战性的。制造混合可见光-IR图像传感器的此困难已导致遭受低IR灵敏度、可见光污染、半导体缺陷及其类似者的混合传感器。
发明内容
本申请案的一个实施例涉及一种像素阵列，所述像素阵列包括：SixGey层，其安置在第一半导体层上；多个像素，其安置在所述第一半导体层中，所述多个像素包含：(1)第一像素部分，其中所述第一像素部分通过间隔区域与所述SixGey层分离；以及(2)第二像素部分，其中所述第二像素部分中的每一者包含与所述SixGey层接触的第一掺杂区域；以及钉扎阱，其安置在所述多个像素中的个别像素之间，其中所述钉扎阱的第一部分延伸穿过所述第一半导体层，且所述钉扎阱的第二部分延伸穿过所述第一半导体层及所述SixGey层。
本申请案的另一实施例涉及一种图像传感器，所述图像传感器包括：第二半导体层，其安置在第一半导体层的背侧上；一或多个像素群组，其安置在所述第一半导体层的前侧中，所述一或多个像素群组包含：第一像素部分，其中所述第一像素部分通过间隔区域与所述第二半导体层分离；第二像素部分，其中所述第二像素部分的第一掺杂区域与所述第二半导体层接触，且其中所述第一掺杂区域具有与所述第二半导体层相同的多数电荷载流子类型；钉扎阱，其分离所述像素群组中的个别像素，其中所述钉扎阱延伸穿过所述第一半导体层；以及深钉扎阱，其分离所述一或多个像素群组，其中所述深钉扎阱延伸穿过所述第一半导体层及所述第二半导体层。
本申请案的又另一实施例涉及一种图像传感器制造方法，所述方法包括：在第一半导体层的背侧上形成第二半导体层；形成安置在所述第一半导体层的前侧中的一或多个像素群组，所述一或多个像素群组包含：第一像素部分，其中所述第一像素部分通过间隔区域与所述第二半导体层分离；第二像素部分，其中所述第二像素部分的第一掺杂区域与所述第二半导体层接触，且其中所述第一掺杂区域具有与所述第二半导体层相同的多数电荷载流子类型；钉扎阱，其分离所述一或多个像素群组中的个别像素，其中所述钉扎阱延伸穿过所述第一半导体层；以及深钉扎阱，其分离所述一或多个像素群组，其中所述深钉扎阱延伸穿过所述第一半导体层及所述第二半导体层。
附图说明
参考以下各图描述本发明的非限制性及非详尽实例，其中除非另外指定，否则相似参考数字贯穿各视图指相似零件。
图1为根据本发明的教示的可见光及红外线图像传感器像素阵列的实例的截面图。
图2为说明根据本发明的教示的可见光及红外线图像传感器的一个实例的框图。
图3为根据本发明的教示的用于形成可见光及红外线图像传感器的过程的流程图。
图4A到4C展示根据本发明的教示的用于形成可见及红外线图像传感器的过程。
具体实施方式
本文中描述用于形成可见光及红外线(下文为“IR”)图像传感器的系统及方法的实例。在以下描述中，阐述众多特定细节以提供对实施例的透彻理解。然而，受益于本发明的所属领域的技术人员将认识到，本文中描述的技术可在没有所述特定细节中的一或多者的情况下加以实践或以其它方法、组件或材料等等来实践。在其它情况下，未详细展示或描述众所周知的结构、材料或操作以避免混淆某些方面。
贯穿本说明书的对“一个实例”或“一个实施例”的参考意味着结合所述实例描述的特定特征、结构或特性包含在本发明的至少一个实施例中。因此，短语“在一个实例中”或“在一个实施例中”在贯穿本说明书的各处的出现未必全都指相同实施例。此外，在一或多个实例中，可以任何合适方式来组合特定特征、结构或特性。
贯穿本说明书使用若干技术术语。除非本文中特别定义或其使用上下文另外清楚地暗示，否则这些术语具有其所来自的技术领域中的一般含义。应注意，元素及化合物可通过其适当名称或元素符号互换地来指代(例如，硅对Si)。
图1为根据本发明的教示的可见光及红外线图像传感器像素阵列100(下文为“像素阵列”)的实例的截面图。像素阵列100包含安置在第一半导体层131上的SixGey层109。在一个实例中，第一半导体层131包括硅。多个像素(例如，红色像素161、绿色像素163、IR像素165及蓝色像素167)接近于第一半导体层131的前侧149而安置。所述多个像素包含第一像素部分，所述第一像素部分中的每一像素包含通过间隔区域111与SixGey层109分离的第一掺杂区域119。所述多个像素还包含第二像素部分，其中第二像素部分中的每一像素具有第一掺杂区域120，第一掺杂区域120与接近于第一半导体层131的背侧151而形成的SixGey层109接触。在一个实例中，第一像素部分包含红色像素161、绿色像素163及蓝色像素167，且第二像素部分包含红外线像素165。在一个实例中，SixGey层109是n型的，间隔区域111是p型的，且第一掺杂区域119/120是n型的。然而，在另一实例中，可颠倒层/区域的极性。
像素阵列100还可包含安置在个别像素(例如，红色像素161、绿色像素163、IR像素165及蓝色像素167)之间的钉扎阱113/115。钉扎阱113的第一部分延伸穿过第一半导体层131且分离个别像素。钉扎阱115的第二部分延伸穿过第一半导体层131且穿过SixGey层109。在一个实例中，钉扎阱115的第二部分分离至少包含红色像素161、绿色像素163、蓝色像素167及红外线像素165的像素群组。在另一个或相同实例中，钉扎阱113/115可包含p型半导体。
在一个实例中，像素阵列100可进一步包含滤光片层137，其可包含红色滤光片123、绿色滤光片125、蓝色滤光片129及红外线滤光片127。在一个实例中，红色滤光片123、绿色滤光片125及蓝色滤光片129经定位以将可见光及红外光透射到第一像素部分(例如，红色像素161、绿色像素163及蓝色像素167)。红外线滤光片127经定位以将至少红外光透射到第二像素部分(例如，IR像素165)。此外，滤光片层137可布置成拜耳(Bayer)图案、X横穿图案、EXR图案或其类似图案。
在一个实例中，像素阵列100还可包含罩盖层107、氧化物层105及载体晶片103。在形成第二半导体层109之后，可在第二半导体层109上形成罩盖层107。在一个实例中，罩盖层107为p+Si罩盖层。接着，可在罩盖层107上形成氧化物层105。氧化物层105可用于将载体晶片103固定到装置架构的现有层(例如，罩盖层107、第二半导体层109及第一半导体层131)。载体晶片103允许处理剩余装置架构。
应注意，还可形成光学装置架构的其它未加以描绘的元件。在一个实例中，接近于滤光片层137制造微透镜层(包含个别微透镜)。微透镜层经定位以将入射光透射穿过滤光片层137、抗反射涂层135及隔离层133而进入个别像素中。
像素阵列100能够检测可见光及红外光两者。如图1中描绘的实例中所说明，引导可见光及IR光子两者穿过滤光片层137、抗反射涂层135、隔离层133且进入第一半导体层131中。
在第一半导体层131中吸收可见光，从而在第一掺杂区域119/120中产生电荷。在第一掺杂区域119/120与第二掺杂区域141之间的界面处形成p-n结。在一个实例中，第一掺杂区域119/120为n型且第二掺杂区域114为p型；然而，在另一实例中，可颠倒第一掺杂区域119/120及第二掺杂区域141的极性。可通过将电压施加到转移门145来将所累积的图像电荷转移到浮动扩散143。随后，可经由导电互连件147从浮动扩散143读出电荷。
相反地，IR光穿过第一半导体层131且进入SixGey层109。SixGey层109具有低于可用于形成第一半导体层131的硅的带隙。因此，SixGey层109能够更有效地吸收红外光子。一旦在SixGey层109中吸收光子，即可将电荷转移到第一掺杂区域120中，这是因为第一掺杂区域120与SixGey层109接触。在第一掺杂区域120与第二掺杂区域141之间的界面处形成p-n结。在一个实例中，第一掺杂区域119/120是n型的且第二掺杂区域141是p型的。可通过将电压施加到转移门145来将所累积的图像电荷转移到浮动扩散143。随后，可经由导电互连件147从浮动扩散143读出电荷。此图像电荷可用于形成红外线图像或混合可见光-红外线图像。
应注意，在其它实例(未描绘)中，多个像素可共享单个浮动扩散143，包含其中两个、四个、六个及八个像素皆共享同一浮动扩散143的实例。在多个像素共享同一浮动扩散143的实例中，每一像素具有其自身的转移门145。因此，可通过每次将电压施加到一个转移门145来每次一个地从个别像素读出电荷。相反地，可通过将电压一致地施加到若干转移门145来同时从多个像素读出电荷。
在一个实例中，SixGey层109包含硅及锗且逐渐变化(gradated)使得锗含量在一方向上增加。大Ge原子可使主要硅晶格张紧(strain)。因此，为减少晶格应变，在移动远离第一半导体层131的方向上缓慢增加Ge含量。为实现SixGey层109的渐变结构，可使用原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)、分子束外延(MBE)或其类似者来生长SixGey层109。将渐变的SixGey层109并入到像素阵列100中允许将高灵敏度的IR吸收层均匀地集成到可见光及IR图像传感器中。这导致具有优于常规IR成像系统的卓越性能及增强的使用多功能性的混合图像传感器的形成。
在一个实例中，第二SixGey层109可包含其它元素。举例来说，对SixGey层109掺杂硼、氮、磷、砷或镓可将不同能级引入到主体材料带隙中。接着，可在远低于硅或锗的截止波长的能级下将电子从掺杂剂敲落(knockoff)，且较长波长下的IR检测变得可能。在另一实例中，根据本发明的教示，可使用其它低带隙半导体材料(包含其它硅基合金，锗基合金、镓基合金或其类似者)来替换SixGey层109。还可对这些其它低带隙半导体材料掺杂元素(包含(例如)硼、氮及磷)。
图2为说明根据本发明的教示的可见光及红外线图像传感器200(下文为“图像传感器”)的一个实例的框图。如所描绘的实例中所展示，图像传感器200包含像素阵列205、读出电路211、功能逻辑215及控制电路221。在一个实例中，像素阵列205为包含行(例如，行R1到Ry)及列(例如，列C1到Cx)的个别像素(例如，像素P1、P2…、Pn)的二维(2D)阵列。在一个实例中，应了解，像素P1、P2…、Pn可为包含在图1中论述的像素阵列100中的像素(例如，红色像素161、绿色像素163、IR像素165及蓝色像素167)的实例。像素阵列205可用于获取人物、场所、物体等等的图像数据，接着可使用所述图像数据呈现人物、场所、物体等等的2D图像。在一个实例中，在像素阵列205中的每一图像传感器像素(例如，红色像素161、绿色像素163、IR像素165及蓝色像素167)已获得其图像数据或图像电荷之后，接着由读出电路211读出图像电荷且将图像电荷转移到功能逻辑215。读出电路211经耦合以从像素阵列205中的个别像素读出图像数据，且功能逻辑215耦合到读出电路211以对图像数据执行逻辑运算。在各种实例中，读出电路211可包含放大电路、模/数(ADC)转换电路或其它电路。功能逻辑215可简单地存储图像数据或甚至通过施加图像后处理效果(例如，剪裁、旋转、去除红眼、调整亮度、调整对比度或其它方式)来操纵图像数据。在一个实例中，读出电路211可沿着读出列线每次读出一行图像数据(已说明)或可使用多种其它技术(未加以说明)(例如，串行读出、同时完全并行读出所有像素)读出图像数据。
在一个实例中，控制电路221耦合到像素阵列205以控制像素阵列205中的个别像素(例如，P1、P2、P3等等)的操作。举例来说，控制电路221可产生用于控制图像获取的快门信号。在一个实例中，快门信号为用于同时启用像素阵列205内的所有像素以在单个获取窗期间同时捕获其相应图像数据的全局快门信号。在另一实例中，快门信号为滚动快门信号使得在连续获取窗期间顺序地启用每一行像素、每一列像素或每一像素群组。在另一实例中，图像获取与照明效果(例如，闪光)同步。
在一个实例中，图像传感器200可包含在数码摄像机、蜂窝电话、膝上型计算机或其类似者中。此外，图像传感器200可耦合到其它硬件元件，例如处理器、存储器元件、输出(USB端口、无线发射器、HDMI端口等等)、照明/闪光、电输入(键盘、触控显示器、跟踪板、鼠标、麦克风等等)及/或显示器。其它硬件元件可将指令递送到图像传感器200、从图像传感器200提取图像数据或操纵由图像传感器200供应的图像数据。
图3为根据本发明的教示的用于形成可见光及红外线图像传感器的过程300的流程图。过程框中的一些过程框或全部在每一过程中出现的次序不应被视为限制性的。确切地说，受益于本发明的所属领域的技术人员将理解，可按未说明的多种次序来执行或甚至并行执行过程框中的一些过程框。
过程框301展示在第一半导体层(例如，第一半导体层131)的背侧(例如，背侧151)上形成第二半导体层(例如，SixGey层109)。在一个实例中，第一半导体层主要为硅且第二半导体层包含SiGe。可给SiGe层掺杂其它元素(例如，硼、氮、磷或其类似者)。有时，第二半导体层中的Ge含量逐渐变化使得Ge浓度在移动远离第一半导体层的方向上增加。因为SiGe晶格常数高于硅的晶格常数，所以如果固溶体中的Ge浓度过度迅速地增加，那么SiGe层可倾向于具有较高线位错密度。SiGe层中的Ge常常以每微米仅10％的增幅增加(直到约30％的Ge浓度)以防止形成线位错。可使用化学机械抛光来减少缺陷。
过程框303展示形成接近于第二半导体层安置的罩盖层(例如，p+Si罩盖层107)，使得第二半导体层(例如，SixGey层109)安置在第一半导体层(例如，第一半导体层131)与罩盖层之间。罩盖层将同样归因于第二半导体层的背侧(不与第一半导体层接触的侧)中的高Ge含量而张紧。罩盖层不应仅限于p+Si，受益于本发明的所属领域的技术人员将认识到，可使用其它材料(例如，其它半导体/氧化物)实现相同或类似结果。
过程框305说明在p+Si罩盖层上形成氧化物层(例如，结合氧化物105)。因此，氧化物层接近于第二半导体层而安置，且第二半导体层安置在第一半导体层与氧化物层之间。在一个实例中，结合氧化物层可包含半导体氧化物或金属氧化物。
在过程框307中，将载体晶片(例如，载体晶片103)附接到氧化物层，这允许在第一半导体层中/上处理像素架构。载体晶片可包含硅、氧化硅、金属氧化物或其类似者。
过程框309展示在第一半导体层的前侧(例如，前侧149)中/上处理像素、钉扎阱及支撑架构。在一个实例中，此过程包含形成安置在第一半导体层的前侧中的一或多个像素群组(例如，红色像素161、绿色像素163、IR像素165及蓝色像素167)。形成一或多个像素群组可包含形成第一及第二像素部分。第一像素部分(例如，红色像素161、绿色像素163及蓝色像素167)可通过间隔区域(例如，间隔区域111)与第二半导体层分离。第二像素部分(例如，IR像素165)可包含第一掺杂区域(例如，第一掺杂区域120)，且第一掺杂区域可与第二半导体层接触。第一掺杂区域还可具有与第二半导体层相同的多数电荷载流子类型。
此外，可形成钉扎阱以分离一或多个像素群组中的个别像素。钉扎阱(例如，钉扎阱113)延伸穿过第一半导体层。类似地，可形成深钉扎阱(例如，深钉扎阱115)以分离一或多个像素群组，其中深钉扎阱延伸穿过第一及第二半导体层。
在一个实例中，可接近于第一半导体层的前侧形成隔离层(例如，隔离层133)，且隔离层可包含导电互连件(例如，导电互连件147)。隔离层可由氧化硅、金属氧化物、聚合物或其类似者制成。导电互连件可包含金属。还可形成抗反射涂层(例如，抗反射涂层135)使得隔离层安置在第一半导体层与抗反射涂层之间。此外，可形成滤光片层(例如，滤光片层137)，且滤光片层可包含红色、绿色、蓝色及红外线滤光片。在一个实例中，滤光片层经安置使得抗反射涂层位于隔离层与滤光片层之间。
如图3中所说明，形成第二半导体层可发生在形成一或多个像素群组之前。然而，在不同实例中，形成第二半导体层可发生在形成一或多个像素群组的至少一部分之后。
图4A到4C展示根据本发明的教示的形成可见光及红外线图像传感器的过程400。值得注意的是，过程400的部分对应于过程300中的过程框。所述过程中的一些过程或全部出现的次序不应被视为限制性的。确切地说，受益于本发明的所属领域的技术人员将理解，可以未加以说明的多种次序执行或甚至并行执行所述过程中的一些过程。
图4A展示在第一半导体层431的背侧451上形成第二半导体层409(参见过程框301)。在一个实例中，第一半导体层431主要为硅且第二半导体层409包含SiGe。在一个实例中，第二半导体层409还包含掺杂元素，例如硼、氮、磷或其类似者。第二半导体层409中的Ge含量可逐渐变化且在移动远离第一半导体层431的方向上增加。如先前所陈述，Ge渐变可有助于减小第二半导体层409中的位错密度。
图4B说明可在制造大多数像素装置架构(参见图4C)之前发生的装置架构的若干元件(例如，p+Si罩盖层407、结合氧化物405及载体晶片403)的构造。在形成第二半导体层409之后，可在第二半导体层409上形成罩盖层407。在一个实例中，罩盖层407为p+Si罩盖层。接着，可在罩盖层407上形成氧化物层405。使用氧化物层405将载体晶片403固定到装置架构的现有层(例如，罩盖层407、第二半导体层409及第一半导体层431)。载体晶片403允许处理剩余装置架构。
图4C说明在第一半导体层431的前侧449中/上处理剩余装置架构(参见过程框309)。在一个实例中，此过程包含形成安置在第一半导体层431的前侧449中的一或多个像素群组(例如，红色像素461、绿色像素463、IR像素465及蓝色像素467)。形成一或多个像素群组可包含形成第一及第二像素部分。第一像素部分(例如，红色像素461、绿色像素463及蓝色像素467)通过间隔区域411与第二半导体层409分离。第二像素部分(例如，IR像素465)包含与第二半导体层409接触的第一掺杂区域420。第一掺杂区域420还可具有与第二半导体层409相同的多数电荷载流子类型(例如，均为n型或均为p型)。
在一个实例中，形成钉扎阱413以分离一或多个像素群组中的个别像素，其中钉扎阱413延伸穿过第一半导体层431。类似地，可形成深钉扎阱415以分离一或多个像素群组，其中深钉扎阱415延伸穿过第一半导体层431及第二半导体层409。
在一个实例中，可接近于第一半导体层431的前侧449形成隔离层433，且隔离层433可包含导电互连件447。隔离层433可由氧化硅、金属氧化物、聚合物或其类似者制成。此外，导电互连件447可包含金属。还可形成抗反射涂层435使得隔离层433安置在第一半导体层431与抗反射涂层435之间。可形成滤光片层437且滤光片层437可包含红色滤光片423、绿色滤光片425、蓝色滤光片429及红外线滤光片427。在一个实例中，滤光片层437经安置使得抗反射涂层435位于隔离层433与滤光片层437之间。虽然未加以描绘，但滤光片层437可为包含个别滤光片的一个连续层。
还可形成装置架构的其它未加以描绘的元件。在一个实例中，接近于滤光片层437制造微透镜层(包含个别微透镜)。所述微透镜经定位以将入射光透射穿过滤光片层437、抗反射涂层435及隔离层433而进入个别像素中。
对本发明的所说明的实例的以上描述(包含说明书摘要中描述的内容)不希望为详尽的或将本发明限于所揭示的精确形式。虽然出于说明性目的在本文中描述了本发明的特定实例及实例，但如所属领域的技术人员将认识到，在本发明的范围内可能进行各种修改。
可依据以上详细描述对本发明做出这些修改。所附权利要求书中使用的术语不应被解释为将本发明限于本说明书中揭示的特定实例。确切地说，本发明的范围应完全通过应根据权利要求解释的既定原则加以解释的所附权利要求书来确定。

Claims (21)

1.一种像素阵列，所述像素阵列包括：
SixGey层，其安置在第一半导体层上；
多个像素，其安置在所述第一半导体层中，所述多个像素包含：
(1)第一像素部分，其中所述第一像素部分通过间隔区域与所述SixGey层分离；以及
(2)第二像素部分，其中所述第二像素部分中的每一者包含与所述SixGey层接触的第一掺杂区域；以及
钉扎阱，其安置在所述多个像素中的个别像素之间，其中所述钉扎阱的第一部分延伸穿过所述第一半导体层，且所述钉扎阱的第二部分延伸穿过所述第一半导体层及所述SixGey层。
2.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述SixGey层逐渐变化使得Ge含量在一方向上增加。
3.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述第一像素部分包含红色像素、绿色像素及蓝色像素，且其中所述第二像素部分包含红外线像素。
4.根据权利要求3所述的像素阵列，其中钉扎阱的所述第二部分分离至少包含红色像素、绿色像素、蓝色像素及红外线像素的像素群组。
5.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述SixGey层包括硅及锗。
6.根据权利要求1所述的像素阵列，其进一步包括红色、绿色、蓝色及红外线滤光片，其中所述红色、绿色及蓝色滤光片经定位以将可见光及红外光透射到所述第一像素部分，且其中所述红外线滤光片经定位以将可见光及红外光中的至少一者透射到所述第二像素部分。
7.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
第二半导体层，其安置在第一半导体层的背侧上；
一或多个像素群组，其安置在所述第一半导体层的前侧中，所述一或多个像素群组包含：
第一像素部分，其中所述第一像素部分通过间隔区域与所述第二半导体层分离；
第二像素部分，其中所述第二像素部分的第一掺杂区域与所述第二半导体层接触，且其中所述第一掺杂区域具有与所述第二半导体层相同的多数电荷载流子类型；
钉扎阱，其分离所述像素群组中的个别像素，其中所述钉扎阱延伸穿过所述第一半导体层；以及
深钉扎阱，其分离所述一或多个像素群组，其中所述深钉扎阱延伸穿过所述第一半导体层及所述第二半导体层。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述第二半导体层包含SiGe。
9.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述第一像素部分包含红色像素、绿色像素及蓝色像素，且其中所述第二像素部分包含红外线像素。
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中所述一或多个像素群组至少包含红色像素、绿色像素、蓝色像素及红外线像素。
11.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述个别像素中的每一者包含转移门，所述转移门经耦合以将电荷从第二掺杂区域转移到浮动扩散，其中所述第二掺杂区域与所述第一掺杂区域接触且具有与所述第一掺杂区域相反的多数电荷载流子类型。
12.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述个别像素布置成包括行及列的像素阵列。
13.根据权利要求7所述的图像传感器，其进一步包括：
控制电路，其经耦合以控制所述个别像素的操作；
读出电路，其经耦合以从所述个别像素读出图像数据；以及
功能逻辑，其耦合到所述读出电路以对所述图像数据执行逻辑运算。
14.一种图像传感器制造方法，所述方法包括：
在第一半导体层的背侧上形成第二半导体层；
形成安置在所述第一半导体层的前侧中的一或多个像素群组，所述一或多个像素群组包含：
第一像素部分，其中所述第一像素部分通过间隔区域与所述第二半导体层分离；
第二像素部分，其中所述第二像素部分的第一掺杂区域与所述第二半导体层接触，且其中所述第一掺杂区域具有与所述第二半导体层相同的多数电荷载流子类型；
钉扎阱，其分离所述一或多个像素群组中的个别像素，其中所述钉扎阱延伸穿过所述第一半导体层；以及
深钉扎阱，其分离所述一或多个像素群组，其中所述深钉扎阱延伸穿过所述第一半导体层及所述第二半导体层。
15.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述第二半导体层包括形成包含SiGe的层，其中Ge含量在一方向上增加。
16.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括形成接近于所述第二半导体层安置的罩盖层，其中所述第二半导体层安置在所述第一半导体层与所述罩盖层之间。
17.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括形成接近于所述第二半导体层安置的氧化物层，其中所述第二半导体层安置在所述第一半导体层与所述氧化物层之间。
18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括将载体晶片附接到所述氧化物层。
19.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述第二半导体层发生在形成所述一或多个像素群组之前。
20.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述第二半导体层发生在形成所述一或多个像素群组的至少一部分之后。
21.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：
形成接近于所述第一半导体层的所述前侧安置的隔离层，其中所述隔离层包含导电互连件；
形成抗反射涂层，其中所述隔离层安置在所述第一半导体层与所述抗反射涂层之间；以及
形成滤光片层，其中所述滤光片层包含红色、绿色、蓝色及红外线滤光片，且其中所述抗反射涂层安置在所述隔离层与所述滤光片层之间。
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