CN105304996B - 一种用于瓦片式面子阵的垂直射频连接结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及微波电路垂直互联领域,特别涉及一种用于瓦片式面子阵的垂直射频连接结构。包括设置有N个连接通道的腔体及设置有一通孔的盖板;所述腔体与所述盖板扣合;所述N个连接通道内均设置有SSMP射频连接器;所述盖板的通孔内设置有SMP射频连接器;所述N个SSMP射频连接器通过粘连在所述腔体底面上的射频传输微带与所述SMP射频连接器连接;本发明提供的垂直射频连接结构通过设置N个连接通道的腔体及设置有一通孔的盖板;通过将该所述腔体与所述盖板紧密扣合;并应用一具有毛纽扣的射频连接器与盖板中射频传输微带更加紧密、灵活的接触,以满足子阵模块和整机的使用需求。
Description
技术领域
本发明涉及微波电路垂直互联领域,特别涉及一种用于瓦片式面子阵的垂直射频连接结构。
背景技术
相控阵天线集成的阵列结构有两种:基于砖块式线子阵的纵向集成;基于瓦片式面子阵的横向集成纵向组装。砖块式子阵是最流行的阵列结构,元器件放置方向垂直于相控阵天线孔径平面,辐射阵元通常采用偶极子或者锥形槽天线,其电路与结构设计遵循传统的分系统概念,信号互联、测试与封装技术继承性好,缺点是纵向尺寸大。
瓦片式集成的子阵模块,采用分层结构,将多个通道相同功能的芯片和电路集成在数个平行放置的瓦片上,然后进行垂直互联,瓦片式结构集成度较高,器件之间的排布紧密,其层间互联包括射频互联、低频互联等多种连接,多种连接错综复杂,在设计上需要处理好EMI及互耦效应,而且还需考虑中间层热设计、测试性与维修性设计。
常规的SMP连接器主要由介质体和玻璃介质组成,其中介质体为金属导体,采用烧结的方式将介质体固定在玻璃介质中,介质体尾端不具有伸缩性。若将此种连接器用于类似结构形式的垂直互联,在结构上很难保证介质体与微带良好接触,而且由于是刚性接触,在振动和冲击的条件下不能保证结构的可靠性。
同时,传统的砖块式子阵模块中盖板的安装方向与子阵的集成方向平行,这样可以比较方便地在盖板端面方向的平面内进行盖板与腔体的激光封焊或平行封焊。对于瓦片式集成的子阵模块,盖板的安装方向与子阵的集成方向垂直,需要在盖板的径向一周进行焊接,并且要保证气密性,保证一周焊接“全覆盖”有较大的难度。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中所存在的上述不足,提供一种新型的用于瓦片面子阵的垂直射频连接结构。
为了实现上述发明目的,本发明提供了以下技术方案:
一种用于瓦片式面子阵的垂直射频连接结构,包括设置有N个连接通道的腔体及设置有一通孔的盖板;所述腔体与所述盖板扣合;所述N个连接通道内均设置有SSMP射频连接器;所述盖板的通孔内设置有SMP射频连接器;所述N个SSMP射频连接器通过粘连在所述腔体底面上的射频传输微带与所述SMP射频连接器连接;N为大于1的自然数。
进一步的,所述射频传输微带设置在所述腔体底面的定位槽内,所述定位槽形状与所述射频传输微带形状契合。
进一步的,所述射频传输微带包括微带基片、连接地孔及传输线;所述连接地孔与所述盖板连接;所述微带基片与所述腔体底面粘连;所述传输线与所述SMP射频连接器连接。
进一步的,所述SMP射频连接器包括依次连接的内导体、毛纽扣以及顶针;所述内导体包括自由端和尾端,所述内导体的自由端用于与SMP-KK连接器插接,所述内导体的尾端设置在第一介质的通孔中;所述毛纽扣设置在第二介质的通孔中,其一端与所述内导体的尾端连接,另一端与所述顶针连接。
进一步的所述顶针位于第二介质的一端设置有阶梯状限位卡口。使得顶针只能往第二介质内部单向移动,避免顶针掉落。
进一步的,所述顶针伸出连接器本体端部0.5~0.6mm。
进一步的,所述顶针可向毛纽扣方向压缩0.2~0.3mm。
优选的,所述内导体的尾端为烧结入所述第一介质。
优选的,所述第一介质为玻璃。
优选的,所述第二介质为聚酰亚胺。
所述腔体与所述盖板扣合处分别设置有卡槽和凸台,所述卡槽与凸台形状契合。
与现有技术相比,本发明的有益效果:本发明提供的垂直射频连接结构通过设置N个连接通道的腔体及设置有一通孔的盖板;通过将该所述腔体与所述盖板紧密扣合;并应用一具有毛纽扣的射频连接器与盖板中射频传输微带更加紧密、灵活的接触,以满足子阵模块和整机的使用需求。
附图说明:
图1为本发明组装剖视图
图2本发明腔体侧面剖视图。
图中标记:1-SMP射频连接器,2-盖板,3-腔体,31-射频传输微带,32-SSMP射频连接器。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步的详细描述。但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实施例,凡基于本发明内容所实现的技术均属于本发明的范围。
实施例1:如图1、图2所示,本实施例提供一种用于瓦片式面子阵的垂直射频连接结构,包括设置有64个连接通道的腔体3及设置有一通孔的盖板2;所述腔体3与所述盖板2扣合;所述64个连接通道内均设置有SSMP射频连接器32;所述盖板2的通孔内设置有SMP射频连接器1;所述64个SSMP射频连接器32通过粘连在所述腔体3底面上的射频传输微带与所述SMP射频连接器1连接。
进一步的,所述射频传输微带31设置在所述腔体3底面设置的定位槽内,所述定位槽形状与所述射频传输微带31形状契合。
进一步的,所述射频传输微带31包括微带基片、连接地孔及传输线;所述连接地孔与所述盖板2连接;本实施例中,所述连接地孔与所述盖板2通过接触实现地的连续性;所述微带基片粘连在所述腔体3底面的定位槽内;本实施例中,所述射频传输微带31为通过银浆粘接的方式粘连在所述腔体底面的定位槽内;所述传输线与所述SMP射频连接器1连接。
一种用于瓦片式面子阵的垂直射频连接结构,包括依次连接的内导体、毛纽扣以及顶针;所述内导体与顶针均为可伐材料制成;所述内导体包括自由端和尾端,所述内导体的自由端用于与SMP-KK连接器插接,所述内导体的尾端通过烧结的方式设置在第一介质的通孔中,本实施例中所述第一介质为玻璃;所述毛纽扣设置在第二介质的通孔中,其一端与所述内导体的尾端连接,另一端与所述顶针连接,本实施例中,所述第二介质为聚酰亚胺。
进一步的,所述顶针伸出连接器本体端部0.5mm。
进一步的,所述顶针可向毛纽扣方向压缩0.25mm。
本发明提供的射频连接器在毛纽扣的作用下顶针具有一定范围的收缩量(15%~20%),能够有效适应T/R模块的腔体和盖板之间的结构配合误差,保证射频连接器与传输微带之间的有效连接;
实施例2:本实施例中同样提供一种用于瓦片式面子阵的垂直射频连接结构,包括设置有N个连接通道的腔体3及设置有一通孔的盖板2;所述腔体3与所述盖板2扣合,所述腔体3及所述盖板2的壳体为钛合金TC4材料制成;所述N个连接通道内均设置有SSMP射频连接器32;所述SSMP射频连接器32通过金锡焊的方式设置在所述连接通道内;所述盖板2的通孔内设置有SMP射频连接器1;所述SMP射频连接器1通过金锡焊的方式设置在所述盖板2的通孔内。
所述N个SSMP射频连接器通过粘连在所述腔体底面上的射频传输微带31与所述SMP射频连接器1连接;N为大于1的自然数,本实施例中,N=64。
进一步的,所述射频传输微带31设置在所述腔体3底面设置的定位槽内,所述定位槽形状与所述射频传输微带31形状契合。
与实施例1不同点在于本实施例中,所述腔体3与所述盖板2扣合处分别设置有卡槽和凸台,所述卡槽与凸台形状契合。
进一步的,如图2所示,所述腔体3的侧壁及所述盖板2的侧壁在扣合处均向内凹进形成凹槽结构;所述凹槽结构沿所述腔体及所述盖板的侧壁向内凹进0.5mm。。
进一步的,所述腔体3与所述盖板2在凹槽结构内采用激光封焊方式连接,焊接完成后焊接材料均位于凹槽结构以内,这就解决了在没有设置凹槽结构时,焊缝由于焊料的存在,焊料凸出腔体3及盖板2的侧壁之外导致的T/R模块在纵向扩展和布阵受到影响的问题,采用凹槽结构则使得焊料均保持在凹槽结构以内,便于整个T/R模块的纵向集成安装。
本实施例中,所述腔体及所述盖板截面均为矩形,在所述腔体及所述盖板连接处的四个转角设置为圆角R,所述圆角R使得对所述腔体及盖板沿不同边进行焊接时,可以允许在转角R处重复焊接,而圆角的R设置使得重复焊接不会导致焊接材料凸出凹槽结构以外。
进一步的,所述盖板上通过金锡焊的方式焊接有两组低频排针连接器,所述两组低频排针连接器同时伸出所述盖板上下底面;其中伸出下底面的排针与腔体内部的射频供电板对插连接;伸出上底面低频排针与波控子板对插连接。进一步的,所述低频排针连接器采用玻璃烧结方式制成。
Claims (10)
1.一种用于瓦片式面子阵的垂直射频连接结构,其特征在于,包括设置有N个连接通道的腔体及设置有一通孔的盖板;所述腔体与所述盖板扣合;所述N个连接通道内均设置有SSMP射频连接器;所述盖板的通孔内设置有SMP射频连接器;所述N个SSMP射频连接器通过粘连在所述腔体底面上的射频传输微带与所述SMP射频连接器连接;N为大于1的自然数;
所述腔体与所述盖板扣合处分别设置有卡槽和凸台,所述卡槽与凸台形状契合;
所述腔体的侧壁及所述盖板的侧壁在扣合处均向内凹进形成凹槽结构。
2.如权利要求1所述的用于瓦片式面子阵的垂直射频连接结构,其特征在于,所述射频传输微带设置在所述腔体底面的定位槽内,所述定位槽形状与所述射频传输微带形状契合。
3.如权利要求1所述的用于瓦片式面子阵的垂直射频连接结构,其特征在于,所述射频传输微带包括微带基片、连接地孔及传输线;所述连接地孔与所述盖板连接;所述微带基片与所述腔体底面粘连;所述传输线与所述SMP射频连接器连接。
4.如权利要求1所述的用于瓦片式面子阵的垂直射频连接结构,其特征在于,所述SMP射频连接器包括依次连接的内导体、毛纽扣以及顶针;所述内导体包括自由端和尾端,所述内导体的自由端用于与SMP-KK连接器插接,所述内导体的尾端设置在第一介质的通孔中;所述毛纽扣设置在第二介质的通孔中,其一端与所述内导体的尾端连接,另一端与所述顶针连接。
5.如权利要求4所述的用于瓦片式面子阵的垂直射频连接结构,其特征在于,所述顶针设计有限位卡口。
6.如权利要求4所述的用于瓦片式面子阵的垂直射频连接结构,其特征在于,所述顶针伸出连接器本体端部0.5~0.6mm。
7.如权利要求6所述的用于瓦片式面子阵的垂直射频连接结构,其特征在于,所述顶针可向毛纽扣方向压缩0.2~0.3mm。
8.如权利要求4所述的用于瓦片式面子阵的垂直射频连接结构,其特征在于,所述内导体的尾端为烧结入所述第一介质。
9.如权利要求4所述的用于瓦片式面子阵的垂直射频连接结构,其特征在于,所述第一介质为玻璃。
10.如权利要求4所述的用于瓦片式面子阵的垂直射频连接结构,其特征在于,所述第二介质为聚酰亚胺。
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