CN105304096A - 用于热辅助磁记录中的分裂环谐振器近场换能器 - Google Patents

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Abstract

此处公开的实施方式总地涉及在热辅助磁记录(HAMR)磁写头中的近场换能器(NFT)。NFT用作在操作时的谐振电路。包括NFT的谐振电路是具有电容部分和电感部分的分裂环谐振器(SRR)。电感和电容导致被集中在磁介质上的被非常好地聚焦的超小光斑尺寸。该聚焦发生在NFT的电容区域，对HAMR磁头的写磁极影响最小甚至没有影响。

Description

用于热辅助磁记录中的分裂环谐振器近场换能器
技术领域
此处公开的实施方式总地涉及数据存储系统，更具体而言，涉及热辅助磁记录(HAMR)磁头。
背景技术
在磁盘驱动器中使用的磁介质中较高的存储位密度将磁位尺寸(体积)减小至其中磁位尺寸受磁性材料的晶粒尺寸限制的程度。虽然晶粒尺寸可以被进一步减小，但是磁位内所存储的数据可能不是热稳定的。也就是，在环境温度的随机热起伏可能足以擦除数据。该状态被描述为超顺磁限制，其确定给定磁介质的最高理论存储密度。该限制可以通过增加磁介质的矫顽力或通过降低其温度而提高。然而，在设计用于商业和消费者使用的硬盘驱动器时，降低温度可能不总是实际的。另一方面，提高矫顽力需要包括更高磁矩材料的写磁头或需要诸如垂直记录的技术(或需要上述两者)。
已经提出了一种另外的方案，其利用热来降低磁介质表面上局部区域的有效矫顽力并在该加热区域内写入数据。一旦介质冷却至环境温度，该数据状态变成“固定的”。该技术被广泛地称为“热(thermally)辅助(磁)记录”(TAR或TAMR)、“能量辅助磁记录”(EAMR)、或“热(heat)辅助磁记录”(HAMR)，其在此处被可互换地使用，且可以被应用于纵向记录系统和垂直记录系统以及“比特图案化介质”。该介质表面的加热已经通过许多技术诸如聚焦激光束或近场光源实现。
一般地，该HAMR磁头包括两个光学部件：微光子(microphotonic)光斑尺寸转换器(SSC)和近场换能器(NFT)。SSC将外部半导体激光二极管的高发散输出转换成耦合到NFT中的良好局限模式。NFT是将光进一步聚焦成用于高密度磁记录的超小光斑尺寸的等离激元纳米天线。然而，超小光斑尺寸不容易实现。超小光斑尺寸经常被宽地聚焦，使得HAMR磁头的写磁极被不利地影响。
因此，需要用于改善HAMR磁头的技术。
发明内容
此处公开的实施方式总地涉及在HAMR磁写头中的NFT。NFT用作在操作时的谐振电路。包括NFT的谐振电路是具有电容部分和电感部分的分裂环谐振器(SRR)。电感和电容导致被聚焦在磁介质上的非常好地集中的超小光斑尺寸。该聚焦发生在NFT的电容区域，对HAMR磁头的写磁极影响最小甚至没有影响。
在一个实施方式中，近场换能器包括主体，该主体具有贯穿其的孔、第一端和第二端，其中第一端与第二端间隔开以形成电容部分，其中在第一端和第二端之间的主体形成电感部分。
在另一实施方式中，磁记录系统包括：磁介质；以及磁写头，该磁写头具有近场换能器，该近场换能器包括主体，该主体具有贯穿其的孔、第一端和第二端，其中第一端与第二端间隔开以形成电容部分，其中在第一端和第二端之间的主体形成电感部分。
在另一实施方式中，一种硬盘驱动器包括：联接到心轴的一个或多个磁盘；与所述一个或多个磁盘相对地设置的滑块；联接到滑块的磁写头，磁写头包括近场换能器，近场换能器包括主体，主体具有贯穿其的孔、第一端和第二端，其中第一端与第二端间隔开以形成电容部分，其中在第一端和第二端之间的主体形成电感部分。
附图说明
因此，以其中上述特征可以被详细地理解的方式，以上简要概括的本公开的更具体描述可以通过参考实施方式获得，其中一些实施方式在附图中示出。然而，将注意到，附图仅示出了本公开的典型实施方式，因此将不应理解为限制其范围，因此本公开可以允许在涉及磁性传感器的任何领域中的其它等效实施方式。
图1A-1B示出了根据此处描述的实施方式的磁盘驱动系统。
图2示出了根据此处公开的一个实施方式的HAMR使能的磁盘驱动器的截面示意图。
图3是根据一个实施方式公开的NFT的立体图示。
图4A是根据另一实施方式公开的NFT的立体图示。
图4B是图4A的NFT的俯视图。
图5A是根据另一实施方式公开的NFT的立体图示。
图5B是图5A的NFT的俯视图。
为了便于理解，尽可能使用相同的附图标记来表示附图共有的相同元件。将理解的是，在一个实施方式中公开的元件可以被有利地用于其它实施方式而不用具体叙述。
具体实施方式
在下文中，参考实施方式。然而，应该理解的是，本公开不限于此处描述的特定实施方式。替代地，无论是否与不同的实施方式相关，以下特征和元件的任何组合被理解为实现和实践本公开。此外，虽然此处公开的实施方式可以实现优于其它可能的方案和/或优于现有技术的优点，但是具体的优点是否通过给定实施方式实现并不限于本公开。因而，以下方面、特征、实施方式和优点仅是说明性的，且不应被理解为权利要求的元件或限制，除非在权利要求中明确说明。同样地，参考“本发明”不应被理解为此处公开的任何发明主题的概括且不应被理解为权利要求的元件或限制，除非在权利要求中明确说明。
此处公开的实施方式通常涉及在HAMR磁写头中的NFT。NFT用作操作中的谐振电路。包括NFT的谐振电路是具有电容部分和电感部分的SRR。NFT的谐振电感和电容导致聚焦于磁介质上的超小光斑尺寸。该聚焦发生在NFT的电容区域处，对HAMR磁头的写磁极影响最小甚至没有影响。
图1A示出了根据此处公开的一个实施方式的磁盘驱动器100。如图所示，至少一个可旋转的磁介质112被支撑在心轴114上且通过磁盘驱动电机118旋转。至少一个滑块113靠近磁介质112定位，每个滑块113支撑一个或多个磁头组件121，该磁头组件121可以包括用于加热磁盘表面122的辐射源(例如，激光器或电阻加热器)。随着磁盘旋转，滑块113在磁盘表面122上方径向地移进移出，使得磁头组件121可以访问磁介质112的将被写入期望数据的不同轨道。每个滑块113通过悬臂115连接到致动器臂119。悬臂115提供微小的弹力，其对着磁盘表面122偏压滑块113。每个致动器臂119连接到致动器装置127。如图1A所示的致动器装置127可以是音圈电机(VCM)。VCM包括在固定磁场内可移动的线圈，线圈移动的方向和速度通过由控制单元129供给的电机电流信号控制。
在TAR或HAMR使能的磁盘驱动器100的操作期间，磁介质112的旋转在滑块113和磁盘表面122之间产生空气轴承，该空气轴承向滑块113施加向上力或提起滑块113。因而，该空气轴承平衡悬臂115的微小弹力，并在正常操作期间支撑滑块113离开介质表面122且稍微超过介质表面122一小的、基本上恒定的间距。辐射源加热高矫顽力介质，使得磁头组件121的写元件可以使介质中的数据位正确地磁化。
磁盘驱动器100的各种部件在操作中通过由控制单元129产生的控制信号诸如存取控制和内时钟信号控制。一般地，控制单元129包括逻辑控制电路、存储装置和微处理器。控制单元129产生控制信号以控制各种系统操作，诸如在线123上的驱动电机控制信号以及在线128上的磁头定位和磁头寻道控制信号。在线128上的控制信号提供期望的电流分布以最佳地移动和定位滑块113至介质112上的期望数据磁道。写和读信号通过数据记录通道125被传送进出组件121上的写和读磁头。
通常的磁盘存储系统的以上描述和图1A的附图仅为了说明的目的。应该明显的是，磁盘存储系统可以包含许多磁盘和致动器，每个致动器可以支撑许多滑块。
图1B是根据此处描述的一个实施方式的HAMR使能的写磁头101的截面示意图。磁头101被可操作地连接到由驱动器150提供动力的辐射源155(即，激光二极管)。辐射源155可以直接放置在磁头101上，或其可以与滑块113分离地定位(图1A中显示)并通过光纤或波导输送。类似地，驱动器150电路可以位于滑块113上或在与磁盘驱动器100相关的片上系统(SOC)上，诸如图1A显示的控制单元129。磁头101包括面对磁介质112的面对介质面(MFS)145诸如空气轴承面(ABS)以及与MFS145相对的表面147。磁头101还包括用于将由辐射源155发射的辐射诸如激光束聚焦到NFT140中的SSC130。在一些实施方式中，波导(未示出)可以设置在SSC130和NFT140之间。磁头101可以包括用于在所发射的辐射到达SSC130之前聚焦辐射的束斑的一个或多个透镜(未示出)。NFT140可以位于MFS145处或者位于MFS145附近，诸如在空气轴承面(ABS)上。NFT140进一步聚焦束斑以避免加热磁介质112上相邻的数据磁道-即，产生比衍射极限小得多的束斑。如由箭头142所示的，该光能从NFT140发出到磁头101的MFS145下面的磁介质112的表面。然而，此处的实施方式不限于从辐射源155到MFS145发射的任何具体类型的辐射。
图2示出了根据此处公开的一个实施方式的HAMR使能的磁盘驱动器的截面示意图。具体地，图2示出了用于HAMR磁盘驱动器的读/写磁头200的一部分以及相关的垂直磁介质112，该HAMR磁盘驱动器使用SSC130将来自辐射源例如激光二极管的光能引导到NFT140。介质112包括磁盘基板203和垂直磁记录层(RL)246。在一个实施方式中，介质112可以包括可选的“软”或相对低矫顽力的导磁底层(SUL)。然而，该SUL不是HAMR磁盘驱动器100必需的。
RL246可以是具有垂直磁各向异性的任何介质，诸如在特别生长的增强子层上生长的CoCr合金颗粒层或Co膜与Pt或Pd膜交替的多层。RL246也可以是L10有序的(ordered)合金诸如FePt或FeNiPt。介质112还可以包括在RL246上方的保护外层(未示出)。
读/写磁头200形成在基板202上且具有基板后沿面(substrate-trailingsurface)211。MFS145通常可以垂直于后沿面211取向。基板202一般地由复合材料诸如Al2O3或TiC形成，并且支撑通常在后沿面211上形成为一系列薄膜和结构的读写元件。介质112可以在离开后沿面211且朝向读/写磁头200的其它层的方向223上旋转。注意到，由于在显示非常小的特征方面的困难且为了清晰起见，图2没有按比例描绘，从磁头省略了某些结构，诸如间隔和绝缘层。
读/写磁头200包括读磁头201，该读磁头201包括位于屏蔽(shield)S1和S2之间的磁阻读磁极215。读/写磁头200还包括写磁头101，其中写磁头101包括具有写磁极220a和返回磁极220b的磁轭220以及导电线圈225。写磁极220a由高磁矩材料形成，诸如NiFe或FeCoNi合金。写线圈225绕磁轭220缠绕，电流方向通过用“X”标记的线圈截面被显示为纸内并且通过用实线圈标记的线圈截面被显示为纸外。当写电流脉冲被引导通过线圈225时，写磁极220a将通过箭头230表示的磁通量引导到RL246。在到达返回磁极220b之前，磁通量230持续穿过基板或SUL层。然而，本公开不限于以上讨论的结构和材料。例如，线圈225可以是螺旋线圈或写磁极220a可以包括环绕式屏蔽(wrap-aroundshield)。此外，此处公开的实施方式可以利用能够执行此处讨论的功能的任何记录磁头操作。
写磁头101还可以包括SSC130和在MFS145附近或在MFS145处的NFT140。如图所示，SSC130延伸穿过磁轭220且位于写磁极220a与返回磁极220b之间。如通过虚线标注的，磁轭220可以利用磁性构件220c将写磁极220a连续地连接到返回磁极220b。SSC130和NFT140可以被制造在任何位置处使得在一部分旋转磁介质112在写磁极220a下面通过之前NFT140通过该部分。具体地，SSC130还可以位于屏蔽S2与返回磁极220b之间，或者在写磁极220a与磁头200的外面231之间(如果介质112与所显示的方向223相反地旋转)。
在向介质112写入时，RL246相对于磁头200在由箭头223显示的方向(也被称为下磁道方向(沿着图2中的负x轴方向))上移动。在HAMR器件中，从NFT140发出的光能142暂时地加热并降低RL246的矫顽力(Hc)，使得磁记录区域227、228、229可以通过来自写磁极220a的写磁场(Hw)取向。如果Hw大于Hc，则磁记录区域227、228、229通过写磁场取向。在数据磁道中的RL246的区域暴露于来自写磁极220a的Hw并且该区域通过从由NFT140发出的光能142产生的热而被加热至居里温度以上之后，该区域的温度被允许冷却且降到居里温度之下，此时与Hw的给定磁性取向有关的数据被记录在磁盘上。具体地，被记录区域(诸如之前记录的区域227、228和229)之间的转换表示能够通过读磁极215读出的写数据“位”。以此方式，NFT140使用光能142来暂时地加热RL246并降低其磁性矫顽力，因而允许数据被记录在高矫顽力磁介质层上。
SSC130由能透射在激光辐射源的波长(例如，大约780nm)的辐射的高折射率电介质材料形成。一般的辐射透射材料包括例如TiO2和Ta2O5。可透射辐射的SSC130由具有比SSC130低的折射率的包覆材料252a、252b诸如SiO2或Al2O3围绕。SSC130可具有大约300nm的厚度“T1”。SSC130可以包括第一端210和与第一端210相反的第二端212。第一端210可以延伸到表面147，第二端212可以紧邻NFT140设置。绝缘材料(未示出)可以设置在SSC130的第二端212与NFT140之间。第一端210可以配置为接收来自辐射源155(在图1B中显示)的激光束。一般地，辐射源155是在快光轴中具有不对称轮廊的边缘发射激光二极管，来自激光二极管的激光束可以快速地发散且在到达写磁头101的表面147时形成大光斑尺寸。
图3是根据一个实施方式公开的NFT300的立体图示。NFT300是产生谐振电路的SRR，该谐振电路包括主体302，主体302具有开口的中心区域310和间隔开以形成间隙308的两个端部304、306。主体302包括导电材料诸如Ag或Au，开口的中心区域310和在端部304、306之间的间隙308用电介质材料诸如SiO2填充。在被光学驱动时，端部304、306之间的间隙308与中间的电介质材料一起将产生电容，同时主体302的其余部分将产生电感。因而，当来自光源的辐射穿过SSC并到达NFT300时，NFT300的自由电子将振荡以沿着NFT300的主体302和间隙308形成谐振电路。由于SRR电路的谐振属性以及端部304、306之间的相对小的间距，与SRR相互作用的光将被高度集中且被聚焦在NFT300的间隙308处。主体302的其余部分将用作电感器以及散热装置从而热消散由在间隙308处高度集中的光以及自由电子沿着NFT300的主体302的振荡产生的热。在图3显示的实施方式中，主体302具有正方形形状，如开口的中心区域310和间隙308一样，但是将理解的是其它形状也被考虑。
NFT300具有联接到电感金属区域的电容平行板(即，间隙308)元件，形成与记录介质平行放置的光学有源c形金属区域。电感元件允许SRR具有闭环表面等离极化激元(SPP)谐振，这与隔离的平行板电容元件(即，没有金属连接区域的NFT)相比，增加了其光相互作用截面。因而，SRRSPP谐振的电荷分布允许更有效的波导耦合以达到在记录介质上相同的写条件。类似地，SRRSPP谐振的较高的光相互作用截面经由SRR的平行板电容器元件的近场而导致对记录介质的更高耦合效率，导致SRRNFT和记录磁极二者的温度降低。此外，随着仅在SRRNFT300的电容部分正下面的区域处在记录介质上的温度升高，利用仅从电容间隙发出的电场，SRR谐振在c形金属区域中是“自给自足(self-contained)”的事实导致在记录介质上“更清晰的”热轨迹(thermalfootprint)，其没有不期望的背景。
如果平行板型电容器件被用作NFT而没有连接后壁的金属(即，没有电感)，则电容元件可以是将间隙的输出近场耦合到记录介质层的金属-电介质-金属(MIM/间隙)等离激元波导NFT。然而，由于SSC的激发光子模式与NFT的等离激元MIM模式之间较大的模式不匹配，光与MIM电容元件的单独耦合不是非常有效，导致与SRRNFT相比，需要更高的能量来达到在记录介质上相同的写条件。在MIM波导的输出侧上观察到类似的效应，其中MIM等离激元模式低效地联接到记录介质。此外，由于在MIM/间隙NFT的间隙中在表面等离激元的不闭合电路中产生的无效电流，平行板间隙电容器NFT还导致在介质上大的热背景。MIM/间隙NFT的较高写能量和较低耦合效率导致其具有比SRRNFT相对高的磁头温度，导致即使在存在大的散热时，MIMNFT也成为更加热不稳定的NFT设计。
此处公开的SRR解决了以上提及的问题。因为入射光与金属主体和电容间隙二者相互作用，因此所得的SRRNFT具有与入射光更大的相互作用截面，允许入射光更有效地耦合到SRR器件中并继而耦合到记录介质中，其中所需的写能量是MIMNFT器件的大约百分之50。另外，SRR的较大的光学相互作用体积(volume)以及电场仅从电容间隙发出的事实导致与介质的耦合效率显著增加了大约百分之250，与MIMNFT器件相反。具有与入射光的更高的相互作用体积以及与记录介质的更有效的相互作用的效应导致对SRRNFT和写磁极而言，磁头温度是MIMNFT的百分之40至50，这导致比MIMNFT设计更加热稳定和可靠的SRRNFT设计。
图4A是根据另一实施方式的所公开的NFT400的立体图示。图4B是图4A的NFT400的俯视图。NFT400包括矩形形状的主体402，虽然将理解，其它形状也被考虑。主体402具有开口的中心区域410和两个端部404、406，在两个端部404和406之间具有用电介质材料(未示出)填充的间隙408。在该实施方式中，中心区域具有通过直的后壁416连接的楔形侧壁412、414。侧壁412、414向具有垂直于后壁416的表面的端部404、406渐缩。如图4B所示，金属中的自由电子在NFT400中移动使得其产生在开口410周围移动的电子振荡电流密度并跨越间隙408在端部404、406产生电荷密度积累。当电流在开口410周围流过时，电流在电路中形成电感(L)，当电流密度在端部404、406终止时，由此引起的电荷积累形成跨越间隙408的电容(C)；因此，所公开的SRRNFT包括谐振LC电路。由于SRR电路的谐振属性和端部404、406之间相对小的间距，光被大部分聚焦在间隙408中，其中极少的光从NFT400的其余部分发出。光被聚焦在记录层(图2中的246)上，产生通常被包含于图4B中绘示的虚线圆内的热点420。虚线和实线圆识别不同级别的热，其中热点420的中心具有最强的热。此外，光不显著扩展出去到写磁头的写磁极418，因此，不会不利地影响写磁头性能。
以上讨论的SRR可以通过添加允许NFT上的入射光与记录介质更有效耦合的一个或多个电感孔谐振器(apertureresonator)而被进一步改善，导致较低的背反射和较低的HAMR磁头温度。SRR的电感元件允许NFT具有闭环SPP谐振，与隔离的平行板电容元件NFT(即，没有连接金属区域的MIM/间隙NFT)相比，其增加了与入射光的相互作用截面。单独SRRSPP谐振的电荷分布允许相对于类似的平行板电容器的更有效波导耦合，并且与MIM/间隙NFT相比，仅需要大约百分之50的波导能量来达到在介质上的相同写条件。将耦合的孔谐振器添加到SRR，其不仅增强了NFT的有源光学区域而且与SRR的往返SPP谐振结构性地谐振，使得写能量降低额外的百分之40(相对于SRRNFT)。类似地，与简单的平行板MIM/间隙电容器NFT相比，单独SRRSPP谐振的效率导致与介质的百分之250的耦合效率，其中由于在耦合的SRR孔系统中感应的结构性SPP电荷振荡，耦合的孔谐振器的添加使得效率相对于SRR增高另外的百分之170。与简单的MIM/间隙平行板电容器NFT相比，SRRNFT的降低的写能量和增加的介质耦合效率导致磁头温度降低百分之40，伴随记录磁极的温度降低百分之50。耦合谐振器的添加使得磁头和磁极的这些温度值分别下降额外的百分之6和7(相对于SRR)。
位于SRR的任一侧的电感孔改善了与介质的耦合效率。每个孔谐振器支持往返的SPP谐振，并且当被放在SRR附近时，孔谐振器的谐振可以被设为结构性地影响SRR的谐振，相对于具有百分之6范围内的绝对耦合效率的单独SRR，允许与介质百分之170的更高耦合效率。耦合效率的增强导致相对于单独的SRRNFT，为了在记录介质上达到相同的写条件，所需能量降低百分之40。写能量的降低和耦合效率的增强共同导致NFT和磁极的温度分别降低额外的百分之6和7，导致两者耦合更多的光到耦合的SRR-孔系统的净效应，但是以在NFT中驱动更多的电流为代价。净效应是降低磁头温度，允许在热和光学方面更稳定的HAMRNFT设计。还注意到，虽然将孔放置在SRR附近增加了传输波导暴露于介质的区域，但是该介质仍然仅感测SRR间隙的近场，因而留下与单一的SRR相同的热印迹，除了该热印迹可以以更小的光能实现之外。
图5A是根据另一实施方式的NFT500的立体图示。图5B是图5A的NFT500的俯视图。NFT500不仅包括以上关于图4A和图4B讨论的SRR，而且包括添加的电感孔504、506。孔包括后壁502、516以及楔形侧壁510、512、518、520。楔形侧壁510、512、518、520从后壁502、516延伸并且在点524、526处相接。此外，每个孔504、506具有用电介质材料(未示出)填充的开口514、522。由于由孔504、506支持的往返SPP路径长度，应该理解，其具有对SRR电路的主要地电感耦合效应。如图5B所示，NFT500具有非常良好集中的超小聚焦光斑420，该光斑420并没有延伸得非常多直到写磁极528中。在图5A和图5B显示的实施方式中，孔504、506具有三角形形状，但是将理解，其它形状也被考虑。
此处公开的NFT是有益的，因为NFT包含SRR，该SRR具有自给自足的谐振。电场仅从SRR的间隙(即，电容位置)发出。SRR具有在MIM平行板NFT上较大的散热和不妨碍写磁极的非常紧密聚焦的光斑。换言之，在介质上仅在与SRRNFT的间隙部分相应的位置存在热点。由于聚焦的热点，与MIM平行板NFT相比，需要较小的光能来实现对介质的所需写条件。此外，除SRR之外，还可以使用孔谐振器以在操作期间进一步降低磁头温度。
虽然上述针对本公开的实施方式，但是本公开的其它和进一步实施方式可以被设计而不脱离其基本范围，其范围由权利要求书确定。

Claims (20)

1.一种近场换能器，包括：
主体，具有贯穿其的孔、第一端和第二端，其中所述第一端与所述第二端间隔开以形成电容部分，其中在所述第一端和所述第二端之间的主体形成电感部分。
2.根据权利要求1所述的近场换能器，其中所述主体包括金属。
3.根据权利要求2所述的近场换能器，其中所述金属包括Ag或Au。
4.根据权利要求1所述的近场换能器，其中所述主体具有第一侧壁、第二侧壁和后壁，其中所述第一侧壁在所述后壁和所述第一端之间延伸，其中所述第二侧壁在所述后壁和所述第二端之间延伸。
5.根据权利要求4所述的近场换能器，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁从所述后壁到所述第一端和第二端是渐缩的。
6.根据权利要求5所述的近场换能器，其中所述第一端和所述第二端垂直于所述后壁。
7.根据权利要求1所述的近场换能器，其中所述主体还包括一个或多个孔谐振器。
8.根据权利要求7所述的近场换能器，其中所述一个或多个孔谐振器包括两个孔谐振器。
9.根据权利要求8所述的近场换能器，其中所述孔谐振器是电感的。
10.一种磁记录系统，包括：
磁介质；以及
磁写头，具有近场换能器，所述近场换能器包括主体，该主体具有贯穿其的孔、第一端和第二端，其中所述第一端与所述第二端间隔开以形成电容部分，其中在所述第一端和所述第二端之间的主体形成电感部分。
11.根据权利要求10所述的磁记录系统，其中所述主体具有第一侧壁、第二侧壁和后壁，其中所述第一侧壁在所述后壁和所述第一端之间延伸，其中所述第二侧壁在所述后壁和所述第二端之间延伸。
12.根据权利要求11所述的磁记录系统，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁从所述后壁到所述第一端和第二端是渐缩的。
13.根据权利要求12所述的磁记录系统，其中所述第一端和所述第二端垂直于所述后壁。
14.根据权利要求10所述的磁记录系统，其中所述主体还包括一个或多个孔谐振器。
15.根据权利要求14所述的磁记录系统，其中所述一个或多个孔谐振器包括两个孔谐振器。
16.一种硬盘驱动器，包括：
联接到心轴的一个或多个磁盘；
与所述一个或多个磁盘相对地设置的滑块；
联接到所述滑块的磁写头，所述磁写头包括近场换能器，该近场换能器包括主体，该主体具有贯穿其的孔、第一端和第二端，其中所述第一端与所述第二端间隔开以形成电容部分，其中在所述第一端和所述第二端之间的主体形成电感部分。
17.根据权利要求16所述的硬盘驱动器，其中所述主体具有第一侧壁、第二侧壁和后壁，其中所述第一侧壁在所述后壁和所述第一端之间延伸，其中所述第二侧壁在所述后壁和所述第二端之间延伸。
18.根据权利要求17所述的硬盘驱动器，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁从所述后壁到所述第一端和所述第二端是渐缩的。
19.根据权利要求18所述的硬盘驱动器，其中所述第一端和所述第二端垂直于所述后壁。
20.根据权利要求19所述的硬盘驱动器，其中所述主体还包括一个或多个孔谐振器。
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