CN105301469B - 高光谱效率性能的三芯片led的筛选方法 - Google Patents

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Abstract

本发明适用于照明技术领域,提供了三芯片LED的筛选方法,具体为:首先合成各色温下的三芯片LED;然后计算三芯片LED的辐射光谱效率ηLER值,得到不同色温下辐射光谱效率的最大ηLER值与最小ηLER值,分别对不同色温与不同色温下辐射光谱效率的最大ηLER值、最小ηLER值的关系进行函数拟合,由得到的两个线性函数形成三芯片LED对应的ηLER值性能范围带;同理,得到三芯片LED对应的S/P值性能范围带或M/P值性能范围带、acv值性能范围带;最后根据生成的性能范围带,选择能达到预设阈值的三芯片LED。本发明提供的方法可定量、科学的指导高光谱效率性能的三芯片LED的筛选,使光谱效率性能得到优化。

Description

高光谱效率性能的三芯片LED的筛选方法
技术领域
本发明属于照明技术领域,尤其涉及高光谱效率性能的三芯片LED的筛选方法。
背景技术
对于光源质量评价,除了效率、显色性等,辐射光谱效率LER(Luminous Efficacyof Radiation)、中间视觉辐射效率MER(Mesopic efficacy of radiation)以及非视觉生物效应引起的生理辐射效率CER(Cirtopic efficacy of radiation)是现在评价光源性能的重要参数。研究表明,光源色温越高时,其中间视觉效率相应越高,即中间视觉辐射效率越高;而色温越高时,意味着蓝光成分相对较高,生理辐射效率较高。但是前人研究中对于这些结果的一般性结论描述是一种趋势关系,比如高色温光源对应的中间视觉效率较高,或者低色温光源对于生理辐射效率较好,但结论并不精确,比如有些情况下低色温光源可达到更高的中间视觉效率。事实上各色温光源对应的性能最大覆盖范围带是相当宽泛的区域,低色温光源通过合理的优化可以达到较高的中间视觉效率,而高色温光源不合理的设计,也不能达到良好的性能。即现有技术中,若要提升三芯片LED的光谱效率性能,只能依据色温变化趋势来设计三芯片LED,不能达到更好的优化解。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种高光谱效率性能的三芯片LED的筛选方法,旨在依据相关性能范围带,定量、科学的指导三芯片LED的筛选,使光谱效率性能得到优化。
本发明是这样实现的,高光谱效率性能的三芯片LED的筛选方法,包括如下步骤:
步骤A:在均匀分布在CIE xy色度图上的若干个单色光LED中通过穷举法选择若干个组合以合成若干三芯片LED,其中每一个三芯片LED包括三个单色光LED;
步骤B:计算每一个三芯片LED的辐射光谱效率ηLER值,得到不同色温下辐射光谱效率的最大ηLER值与最小ηLER值,分别对各色温下辐射光谱效率的最大ηLER值、最小ηLER值的关系进行函数拟合,由得到的两个线性函数形成三芯片LED对应的ηLER值性能范围带;
步骤C:计算三芯片LED对应的暗视觉明视觉光效S/P值性能范围带或中间视觉效率M/P值性能范围带;所述M/P值与所述S/P值呈线性关系;
其中,计算三芯片LED对应的暗视觉明视觉光效S/P值性能范围带的过程如下:计算每一个三芯片LED的暗视觉明视觉光效S/P值,得到不同色温下暗视觉明视觉光效比值的最大S/P值与最小S/P值,分别对各色温下暗视觉明视觉光效比值的最大S/P值、最小S/P值的关系进行函数拟合,由得到的两个线性函数形成三芯片LED对应的S/P值性能范围带;
计算中间视觉效率M/P值性能范围带的过程如下:由得到的S/P值的两个线性函数得到M/P的两个线性函数,进而形成三芯片LED对应的M/P值性能范围带;
步骤D:计算每一个三芯片LED的生理辐射效率acv值,得到不同色温下生理辐射效率的最大acv值与最小acv值,分别对各色温下生理辐射效率的最大acv值、最小acv值的关系进行函数拟合,由得到的两个线性函数形成三芯片LED对应的acv值性能范围带;
步骤E:从步骤A合成的若干三芯片LED中,根据生成的ηLER值性能范围带、S/P值性能范围带或M/P值性能范围带、acv值性能范围带,选择ηLER值、S/P值或M/P值、acv值能达到预设阈值的三芯片LED作为高光谱效率性能的三芯片LED。
进一步地,步骤A中所述单色光LED的若干个组合≥6组,任意一组单色光LED的半波宽≤50nm。
进一步地,所述步骤B中最大ηLER值与色温对应的拟合函数为fLER(CCT)max=-4.67·10-5CCT+0.891,拟合优度R2 0.99;最小ηLER值与色温对应的拟合函数为fLER(CCT)min=-1.91·10-5CCT+0.389,拟合优度R2 0.99,色温对应范围为2000-6000K。
进一步地,所述ηLER值性能范围带中最大值和最小值的差值与色温对应的拟合函数为fLER(CCT)diff=-2.76·10-5CCT+0.502,即2000K对应差值0.4468,3000K对应差值0.4192,4000K对应差值0.3916,5000K对应差值0.364,6000K对应差值0.3364。
进一步地,所述步骤C中最大S/P值与色温对应的拟合函数为fS/P(CCT)max=2.57·10-4CCT+0.335,拟合优度R20.96;最小S/P值与色温对应的拟合函数fS/P(CCT)min=9.56·10-5CCT+0.049,拟合优度R2 0.98,色温对应范围为2000-6000K。
进一步地,所述S/P值性能范围带中最大值和最小值的差值与色温对应的拟合函数为fS/P(CCT)diff=16.14·10-5CCT+0.286,即2000K对应差值0.6088,3000K对应差值0.7702,4000K对应差值0.9316,5000K对应差值1.093,6000K对应差值1.2544。
进一步地,中间视觉亮度下对应的M/P值性能范围带被包含在S/P值性能范围带内,对应的函数关系为fM/P(CCT)=(1-m)fS/P(CCT)+m,其中m=0.767+0.3334log(L),L为中间视觉亮度,fS/P(CCT)为暗视觉明视觉光效S/P值的拟合函数。
进一步地,所述步骤D中最大acv值与色温对应的拟合函数为facv(CCT)max=2.93·10-4CCT-0.114,拟合优度R20.99,最小acv值与色温对应的拟合函数为facv(CCT)min=1.31·10-4CCT+0.160,拟合优度R20.99,色温对应范围为2000-6000K。
进一步地,所述acv值性能范围带中最大值和最小值的差值与色温对应的拟合函数为facv(CCT)diff=1.62·10-4CCT-0.274,即2000K对应差值0.05,3000K对应差值0.212,4000K对应差值0.374,5000K对应差值0.536,6000K对应差值0.698。
本发明与现有技术相比,有益效果在于:本发明提供了一种高光谱效率性能的三芯片LED的筛选方法,给出了函数化表示三芯片LED各相关性能对应范围带,可以定量、科学的指导三芯片LED的筛选及光谱优化;提升了三芯片LED的辐射光谱效率LER(对应参数ηLER)、中间视觉辐射效率MER(对应参数为S/P值、M/P值)、生理辐射效率CER(对应参数acv)等性能。
附图说明
图1是本发明实施例提供的高光谱效率性能的三芯片LED的筛选方法流程图;
图2是本发明实施例提供的六组单色光LED的光谱示意图;
图3是本发明实施例提供的六组单芯片LED对应的色度值及合成三芯片LED色温示意图;
图4是本发明实施例提供的光谱辐射效率ηLER的性能范围带的示意图;
图5是本发明实施例提供的暗视觉明视觉光效比值S/P值的性能范围带的示意图;
图6是本发明实施例提供的生理辐射效率acv值的性能范围带的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明的整体设计思路主要是:先合成不同色温的三芯片LED,计算合成的所有三芯片LED的辐射光谱效率ηLER值、暗视觉明视觉光效S/P值、生理辐射效率acv值,并进行函数拟合,得到ηLER值、S/P值、acv值性能范围带;然后依据ηLER值、S/P值、acv值性能范围带来定量、科学的指导三芯片LED的筛选。
下面具体介绍高光谱效率性能的三芯片LED的筛选方法,如图1所示,所述筛选方法包括如下步骤:
步骤A:在均匀分布在CIE xy色度图上的若干个单色光LED中通过穷举法选择若干个组合以合成若干三芯片LED,其中每一个三芯片LED包括三个单色光LED;
上述单色光LED的若干个组合≥6组,任意一组单色光LED的半波宽≤50nm。
步骤B:计算每一个三芯片LED的辐射光谱效率ηLER值,得到不同色温下辐射光谱效率的最大ηLER值与最小ηLER值,分别对各色温下辐射光谱效率的最大ηLER值、最小ηLER值的关系进行函数拟合,由得到的两个线性函数形成三芯片LED对应的ηLER值性能范围带;
其中,辐射光谱效率ηLER值的计算公式为其中,P(λ)为光源光谱能量,V(λ)为明视觉光谱光视效率函数;
上述步骤B中最大ηLER值与色温对应的拟合函数为fLER(CCT)max=-4.67·10-5CCT+0.891,拟合优度R2 0.99;最小ηLER值与色温对应的拟合函数为fLER(CCT)min=-1.91·10- 5CCT+0.389,拟合优度R2 0.99,色温对应范围为2000-6000K;
所述ηLER值性能范围带中最大值和最小值的差值与色温对应的拟合函数为fLER(CCT)diff=-2.76·10-5CCT+0.502,即2000K对应差值0.4468,3000K对应差值0.4192,4000K对应差值0.3916,5000K对应差值0.364,6000K对应差值0.3364。
步骤C:计算三芯片LED对应的暗视觉明视觉光效S/P值性能范围带或中间视觉效率M/P值性能范围带;所述M/P值与所述S/P值呈线性关系;
其中,计算三芯片LED对应的暗视觉明视觉光效S/P值性能范围带的过程如下:计算每一个三芯片LED的暗视觉明视觉光效S/P值,得到不同色温下暗视觉明视觉光效比值的最大S/P值与最小S/P值,分别对各色温下暗视觉明视觉光效比值的最大S/P值、最小S/P值的关系进行函数拟合,由得到的两个线性函数形成三芯片LED对应的S/P值性能范围带;
计算中间视觉效率M/P值性能范围带的过程如下:由得到的S/P值的两个线性函数得到M/P的两个线性函数,进而形成三芯片LED对应的M/P值性能范围带;
其中,暗视觉明视觉光效S/P值的计算公式为其中,P(λ)为光源光谱能量,V(λ)为明视觉光谱光视效率函数,V'(λ)为暗视觉光谱光视效率函数;而中间视觉效率M/P值的计算公式为其中,Vm(λ)为中间视觉光谱光视效率函数,其表达式Vm(λ)=mV(λ)+(1-m)V'(λ),m=0.767+0.3334log(L),L为中间视觉亮度;P(λ)为光源光谱能量,V(λ)为明视觉光谱光视效率函数。
上述步骤C中最大S/P值与色温对应的拟合函数为fS/P(CCT)max=2.57·10-4CCT+0.335,拟合优度R20.96;最小S/P值与色温对应的拟合函数fS/P(CCT)min=9.56·10-5CCT+0.049,拟合优度R2 0.98,色温对应范围为2000-6000K;
所述S/P值性能范围带中最大值和最小值的差值与色温对应的拟合函数为fS/P(CCT)diff=16.14·10-5CCT+0.286,即2000K对应差值0.6088,3000K对应差值0.7702,4000K对应差值0.9316,5000K对应差值1.093,6000K对应差值1.2544;
中间视觉亮度下对应的M/P值性能范围带被包含在S/P值性能范围带内,可根据S/P值计算三芯片LED的中间视觉效率M/P值;对应的函数关系为fM/P(CCT)=(1-m)fS/P(CCT)+m,其中m=0.767+0.3334log(L),L为中间视觉亮度,fS/P(CCT)为暗视觉明视觉光效S/P值的拟合函数,计算中间视觉效率M/P值的最大值与色温对应的拟合函数、最小值与色温对应的拟合函数及M/P值性能范围带时,所述fS/P(CCT)分别对应上述的fS/P(CCT)max、fS/P(CCT)min、fS/P(CCT)diff
步骤D:计算每一个三芯片LED的生理辐射效率acv值,得到不同色温下生理辐射效率的最大acv值与最小acv值,分别对各色温下生理辐射效率的最大acv值、最小acv值的关系进行函数拟合,由得到的两个线性函数形成三芯片LED对应的acv值性能范围带;
其中,生理辐射效率acv值的计算公式为其中,P(λ)为光源光谱能量,C(λ)为非视觉生物效应函数,V(λ)为明视觉光谱光视效率函数;
上述步骤D中最大acv值与色温对应的拟合函数为facv(CCT)max=2.93·10-4CCT-0.114,拟合优度R20.99,最小acv值与色温对应的拟合函数为facv(CCT)min=1.31·10-4CCT+0.160,拟合优度R20.99,色温对应范围为2000-6000K。
上述acv值性能范围带中最大值和最小值的差值与色温对应的拟合函数为facv(CCT)diff=1.62·10-4CCT-0.274,即2000K对应差值0.05,3000K对应差值0.212,4000K对应差值0.374,5000K对应差值0.536,6000K对应差值0.698。
步骤E:从步骤A合成的若干三芯片LED中,根据生成的ηLER值性能范围带、S/P值性能范围带或M/P值性能范围带、acv值性能范围带,选择ηLER值、S/P值或M/P值、acv值能达到预设阈值的三芯片LED作为高光谱效率性能的三芯片LED。
下面举一具体实施例:
关于所述三芯片LED的合成,选用六个半波宽为30nm,峰值波长分别为R(red)630nm,A(amber)580nm,Y(yel low)560nm,G(green)510nm,C(cyan)485nm以及B(blue)450nm的单色光LED,所述六个单色光LED的光谱能量分布如图2所示;这六个单色光LED均匀分布在CIE xy色度图上,在这六个单色光LED中选择若干个由三个单色光LED组成的组合合成若干三芯片LED,合成色温为2000K、3000K、4000K、5000K、6000K,如图3所示。分别计算辐射光谱效率ηLER值、暗视觉明视觉光效S/P值、生理辐射效率acv值,并得到各色温下最大与最小参数值,进行线性拟合,分别得到ηLER值性能范围带,如图4所示;S/P值性能范围带,图5所示;acv值性能范围带,图6所示。
本发明提供了一种高光谱效率性能的三芯片LED的筛选方法,给出了函数化表示三芯片LED各相关性能对应范围带,可以定量、科学的指导三芯片LED的筛选及光谱优化;提升了三芯片LED的辐射光谱效率LER(对应参数ηLER)、中间视觉辐射效率MER(对应参数为S/P值、M/P值)、生理辐射效率CER(对应参数acv)等性能。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.高光谱效率性能的三芯片LED的筛选方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤A:在均匀分布在CIE xy色度图上的若干个单色光LED中通过穷举法选择若干个组合以合成若干三芯片LED,其中每一个三芯片LED包括三个单色光LED;
步骤B:计算每一个三芯片LED的辐射光谱效率ηLER值,得到不同色温下辐射光谱效率的最大ηLER值与最小ηLER值,分别对各色温下辐射光谱效率的最大ηLER值、最小ηLER值的关系进行函数拟合,由得到的两个线性函数形成三芯片LED对应的ηLER值性能范围带;
步骤C:计算三芯片LED对应的暗视觉明视觉光效S/P值性能范围带或中间视觉效率M/P值性能范围带;所述M/P值与所述S/P值呈线性关系;
其中,计算三芯片LED对应的暗视觉明视觉光效S/P值性能范围带的过程如下:计算每一个三芯片LED的暗视觉明视觉光效S/P值,得到不同色温下暗视觉明视觉光效比值的最大S/P值与最小S/P值,分别对各色温下暗视觉明视觉光效比值的最大S/P值、最小S/P值的关系进行函数拟合,由得到的两个线性函数形成三芯片LED对应的S/P值性能范围带;
计算中间视觉效率M/P值性能范围带的过程如下:由得到的S/P值的两个线性函数得到M/P的两个线性函数,进而形成三芯片LED对应的M/P值性能范围带;
步骤D:计算每一个三芯片LED的生理辐射效率acv值,得到不同色温下生理辐射效率的最大acv值与最小acv值,分别对各色温下生理辐射效率的最大acv值、最小acv值的关系进行函数拟合,由得到的两个线性函数形成三芯片LED对应的acv值性能范围带;
步骤E:从步骤A合成的若干三芯片LED中,根据生成的ηLER值性能范围带、S/P值性能范围带或M/P值性能范围带、acv值性能范围带,选择ηLER值、S/P值或M/P值、acv值能达到预设阈值的三芯片LED作为高光谱效率性能的三芯片LED。
2.如权利要求1所述的三芯片LED的筛选方法,其特征在于,步骤A中所述单色光LED的若干个组合≥6组,任意一组单色光LED的半波宽≤50nm。
3.如权利要求1所述的三芯片LED的筛选方法,其特征在于,所述步骤B中最大ηLER值与色温对应的拟合函数为fLER(CCT)max=-4.67·10-5CCT+0.891,拟合优度R2 0.99;最小ηLER值与色温对应的拟合函数为fLER(CCT)min=-1.91·10-5CCT+0.389,拟合优度R2 0.99,色温对应范围为2000-6000K。
4.如权利要求3所述的三芯片LED的筛选方法,其特征在于,所述ηLER值性能范围带中最大值和最小值的差值与色温对应的拟合函数为fLER(CCT)diff=-2.76·10-5CCT+0.502,即2000K对应差值0.4468,3000K对应差值0.4192,4000K对应差值0.3916,5000K对应差值0.364,6000K对应差值0.3364。
5.如权利要求1所述的三芯片LED的筛选方法,其特征在于,所述步骤C中最大S/P值与色温对应的拟合函数为fS/P(CCT)max=2.57·10-4CCT+0.335,拟合优度R20.96;最小S/P值与色温对应的拟合函数fS/P(CCT)min=9.56·10-5CCT+0.049,拟合优度R2 0.98,色温对应范围为2000-6000K。
6.如权利要求5所述的三芯片LED的筛选方法,其特征在于,所述S/P值性能范围带中最大值和最小值的差值与色温对应的拟合函数为fS/P(CCT)diff=16.14·10-5CCT+0.286,即2000K对应差值0.6088,3000K对应差值0.7702,4000K对应差值0.9316,5000K对应差值1.093,6000K对应差值1.2544。
7.如权利要求6所述的三芯片LED的筛选方法,其特征在于,中间视觉亮度下对应的M/P值性能范围带被包含在S/P值性能范围带内,对应的函数关系为fM/P(CCT)=(1-m)fS/P(CCT)+m,其中m=0.767+0.3334log(L),L为中间视觉亮度,fS/P(CCT)为暗视觉明视觉光效S/P值的拟合函数。
8.如权利要求1所述的三芯片LED的筛选方法,其特征在于,所述步骤D中最大acv值与色温对应的拟合函数为facv(CCT)max=2.93·10-4CCT-0.114,拟合优度R20.99,最小acv值与色温对应的拟合函数为facv(CCT)min=1.31·10-4CCT+0.160,拟合优度R20.99,色温对应范围为2000-6000K。
9.如权利要求8所述的三芯片LED的筛选方法,其特征在于,所述acv值性能范围带中最大值和最小值的差值与色温对应的拟合函数为facv(CCT)diff=1.62·10-4CCT-0.274,即2000K对应差值0.05,3000K对应差值0.212,4000K对应差值0.374,5000K对应差值0.536,6000K对应差值0.698。
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