CN105297462A - 一种抑制voc产生的人造革 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种抑制VOC产生的人造革，包括基布、设置在基布一面上的高分子层，所述高分子层内填充有抑制VOC纳米颗粒。与现有技术相比，本发明通过对人造革中添加抑制VOC纳米颗粒，从而解决人造革VOC超标的问题。

Description

一种抑制VOC产生的人造革

技术领域

本发明涉及一种抑制VOC产生的人造革。

背景技术

VOC是挥发性有机化合物(volatileorganiccompounds)的简称。

人造革采用的材料为高分子有机物，其中还有很多挥发性有机化合物，目前，对人造革中的挥发性有机化合物处理并没有很好的技术手段，中国专利201410484432.4提供去除人造革织物中含有的挥发性有机化合物(VOC)和由挥发性有机化合物引起的气味的方法，其通过对人造革织物涂覆与含有挥发性有机化合物(VOC)的有毒物质发生反应的吸附剂；和浸渍；洗涤；以及干燥反应后的人造革织物。该方法包括涂覆吸附剂并通过反应使挥发性有机化合物固定化，以防止有机化合物的挥发或减少其量。此外，在人造革织物与吸附剂发生反应后，洗涤人造革织物，以从人造革中去除固定化在织物表面上的挥发性有机化合物。这种方法并不能从根本上解决人造革VOC超标的问题。

发明内容

针对现有技术中的问题，本发明目的是提供一种抑制VOC产生的人造革。

为了达到上述目的，本发明的技术方案是：一种抑制VOC产生的人造革，包括基布、设置在基布一面上的高分子层，所述高分子层内填充有抑制VOC纳米颗粒。

进一步，所述VOC纳米颗粒由偏钛酸悬浮液和二氧化硅悬浮液混合均匀后，过滤后进行煅烧，然后粉碎得到。

进一步，偏钛酸和二氧化硅质量比为5:1～5:3。

进一步，所述煅烧温度为900～1200℃。

进一步，所述抑制VOC纳米颗粒粒径为20～80纳米。

进一步，所述抑制VOC纳米颗粒均匀分布在高分子层内，添加量为高分子层重量的5～10％。

与现有技术相比，本发明通过对人造革中添加抑制VOC纳米颗粒，从而解决人造革VOC超标的问题。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明进行进一步说明。

实施例1

制取偏钛酸悬浮液和二氧化硅悬浮液，并将两者混合均匀、过滤，偏钛酸和二氧化硅质量比为5:1；

对偏钛酸和二氧化硅的混合物进行煅烧，煅烧温度为900℃，粉碎至20纳米，得到抑制VOC纳米颗粒；

向高分子颗粒中添加抑制VOC纳米颗粒，抑制VOC纳米颗粒添加量为高分子颗粒的5％，然后通过挤出机挤出，并压延在基布上形成高分子层即可。

实施例2

制取偏钛酸悬浮液和二氧化硅悬浮液，并将两者混合均匀、过滤，偏钛酸和二氧化硅质量比为5:3；

对偏钛酸和二氧化硅的混合物进行煅烧，煅烧温度为1200℃，粉碎至80纳米，得到抑制VOC纳米颗粒；

向高分子颗粒中添加抑制VOC纳米颗粒，抑制VOC纳米颗粒添加量为高分子颗粒的10％，然后通过挤出机挤出，并压延在基布上形成高分子层即可。

实施例3

制取偏钛酸悬浮液和二氧化硅悬浮液，并将两者混合均匀、过滤，偏钛酸和二氧化硅质量比为5:2；

对偏钛酸和二氧化硅的混合物进行煅烧，煅烧温度为1100℃，粉碎至50纳米，得到抑制VOC纳米颗粒；

向高分子颗粒中添加抑制VOC纳米颗粒，抑制VOC纳米颗粒添加量为高分子颗粒的7％，然后通过挤出机挤出，并压延在基布上形成高分子层即可。

凡在不脱离本发明核心的情况下做出的简单的变形或修改均落入本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种抑制VOC产生的人造革，包括基布、设置在基布一面上的高分子层，其特征在于，所述高分子层内填充有抑制VOC纳米颗粒。

2.根据权利要求1所述的一种抑制VOC产生的人造革，其特征在于，所述VOC纳米颗粒由偏钛酸悬浮液和二氧化硅悬浮液混合均匀后，过滤后进行煅烧，然后粉碎得到。

3.根据权利要求2所述的一种抑制VOC产生的人造革，其特征在于，偏钛酸和二氧化硅质量比为5:1～5:3。

4.根据权利要求2所述的一种抑制VOC产生的人造革，其特征在于，所述煅烧温度为900～1200℃。

5.根据权利要求2所述的一种抑制VOC产生的人造革，其特征在于，所述抑制VOC纳米颗粒粒径为20～80纳米。

6.根据权利要求1所述的一种抑制VOC产生的人造革，其特征在于，所述抑制VOC纳米颗粒均匀分布在高分子层内，添加量为高分子层重量的5～10％。