CN105280768B - 具有高发光效率的外延片生长方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种具有高发光效率的外延片生长方法，属于发光二极管领域。该方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层；在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层；在所述多量子阱有源层上生长P型AlGaN层；在所述P型AlGaN层上生长P型GaN载流子层；其中，所述在所述多量子阱有源层上生长P型AlGaN层，包括：在反应腔内温度为950℃，反应腔内压强为100torr的环境下，间歇式生长AlGaN层，并在所述AlGaN层生长间隙通入CP2Mg源。本发明提供的方法使得注入多量子阱有源层中的空穴明显增加，可以大大提高了电子和空穴在多量子阱有源层中的复合效率，由于复合效率的提高，使电子溢漏的程度减小，提高了大电流密度下GaN基LED的发光效率。

Description

具有高发光效率的外延片生长方法
技术领域
本发明涉及发光二极管(英文Light Emitting Diode，简称LED)领域，特别涉及一种具有高发光效率的外延片生长方法。
背景技术
LED因高亮度、低热量、长寿命、无毒、可回收再利用等优点，被称为是21世纪最有发展前景的绿色照明光源。GaN基LED作为LED中最重要的一类，在众多领域都有着广泛的应用。现有的GaN基LED的外延片主要包括衬底、缓冲层、N型GaN层、多量子阱有源层、P型AlGaN层、P型GaN载流子层等。
GaN基LED在工作过程中，N型GaN层中产生的电子和P型GaN载流子层中产生的空穴，在电场的作用下向多量子阱有源层迁移，并在多量子阱有源层中发生辐射复合，进而发光。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
随着GaN基LED工作电流的增加，电流密度随之增大，在这种大电流密度场景下，注入多量子阱有源层中的电子也随之增多，导致部分电子未能与空穴在多量子阱有源层中复合而迁移至P型GaN载流子层中，致使电子溢漏的程度增加，使得大电流密度情况下LED芯片的发光效率下降。
发明内容
为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种具有高发光效率的外延片生长方法。所述技术方案如下：
本发明实施例提供了一种具有高发光效率的外延片生长方法，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层；
在所述多量子阱有源层上生长P型AlGaN层；
在所述P型AlGaN层上生长P型GaN载流子层；
所述在所述多量子阱有源层上生长P型AlGaN层，包括：
在反应腔内温度为950℃，反应腔内压强为100torr的环境下，间歇式生长AlGaN层，并在所述AlGaN层生长间隙通入CP2Mg源；
所述间歇式生长AlGaN层，并在所述AlGaN层生长间隙通入CP2Mg源，包括：
重复执行下述生长过程n次，2≤n≤12：
通入TMGa、TMAl和TMIn源生长5～30nm厚的AlGaN层；
停止通入所述TMGa、TMAl和TMIn源，同时通入CP2Mg源。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述CP2Mg源的流量为100～600sccm。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述CP2Mg源每次通入的时间为5sec～2min。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层，包括：
在反应腔内温度为1100～1200℃，反应腔内压强为200torr的环境下，在蓝宝石衬底上生长一层1～4um厚的u型GaN层；
保持反应腔内温度为1100～1200℃，保持反应腔内压强为200torr，在所述u型GaN层上生长一层1～4um厚掺杂Si的N型GaN层。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层，包括：
在反应腔内压强为200torr的环境下，在所述N型GaN层上生长一层多量子阱有源层，所述多量子阱有源层可以包括6个InGaN阱层、和6个与InGaN阱层交替生长的GaN垒层；其中，所述InGaN阱层的厚度为2.8～3.8nm，生长温度为750～780℃；所述GaN垒层的厚度为6nm～20nm，生长温度为900℃。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述在所述P型AlGaN层上生长P型GaN载流子层，包括：
在反应腔内温度为940～970℃，反应腔内压强为200torr的环境下，在所述P型AlGaN层上生长一层100～500nm厚的P型GaN载流子层。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
本发明提供的发光二极管外延片制备方法中，在多量子阱有源层上生长P型AlGaN层采用下述方式实现：在反应腔内温度为950℃，反应腔内压强为100torr的环境下，间歇式生长AlGaN层，并在AlGaN层生长间隙通入CP2Mg源，在通入CP2Mg源时，高温下In挥发产生大量的In空位，N空位数量大大减少，In空位的自补偿效应能力比N空位小，所以AlGaN层中空穴浓度增加，且此情况下的AlGaN层中空穴具有较低的受主激活能和较高的二维空穴气密度，因而大大增加了P型AlGaN层中的空穴浓度；该外延片制成的芯片工作时，由于P型AlGaN载流子层中的空穴浓度高，导致最终注入多量子阱有源层中的空穴浓度明显增加；在大电流密度下，注入多量子阱有源层中的电子是随之增多的，而由于本发明中注入多量子阱有源层中的空穴也明显增加，所以大大提高了电子和空穴在多量子阱有源层中的复合效率，由于复合效率的提高，使得越过多量子阱有源层逃逸到P型GaN载流子层的电子数量明显减少，电子溢漏的程度减小，提高了大电流密度下GaN基LED的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的具有高发光效率的外延片生长方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种具有高发光效率的外延片生长方法的流程图，适用于蓝绿光波的GaN基LED，参见图1，该方法包括：
步骤100：提供一衬底。
在本实施例中，衬底包括但不限于蓝宝石衬底。
具体地，步骤100可以包括：将放置在石墨盘中蓝宝石衬底送入反应腔中，并加热反应腔至1000～1100℃，增大反应腔内压强至500torr，对蓝宝石衬底进行5min的预处理。
步骤101，在衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层。
具体地，步骤101可以包括：加热反应腔至1100～1200℃，降低反应腔内压强至200torr，在蓝宝石衬底上生长一层1～4um(优选2um)厚的u型GaN层；
保持反应腔内温度为1100～1200℃，保持反应腔内压强为200torr，在u型GaN层上生长一层1～4um(优选2um)厚掺杂Si的N型GaN层。
步骤102，在N型GaN层上生长多量子阱有源层，多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层。
具体地，步骤102可以包括：保持反应腔内压强为200torr，同时降低反应腔内温度，在N型GaN层上生长一层多量子阱有源层，该多量子阱有源层可以包括6个InGaN阱层、和6个与InGaN阱层交替生长的GaN垒层；其中，InGaN阱层的厚度为2.8～3.8nm(优选为3～3.5nm)，生长温度为750～780℃；GaN垒层的厚度为6nm～20nm(优选为8～15nm)，生长温度为900℃。
步骤103，在多量子阱有源层上生长P型AlGaN层。
具体地，步骤103可以包括：在反应腔内温度为950℃，反应腔内压强为100torr的环境下，间歇式生长AlGaN层，并在AlGaN层生长间隙通入CP2Mg源。
其中，间歇式生长AlGaN层，并在AlGaN层生长间隙通入CP2Mg源，包括：
重复执行下述生长过程n次，n≥2：
通入TMGa、TMAl和TMIn源生长AlGaN层；
停止通入TMGa、TMAl和TMIn源，同时通入CP2Mg源。
优选地，2≤n≤12。n的取值越大，AlGaN层越厚，AlGaN层对电子的阻挡效果越好，但AlGaN层过厚会导致空穴不易传输到多量子阱有源层中，因此n的取值不宜又过大，本发明实施例可选取2≤n≤12。
其中，通入TMGa、TMAl和TMIn源生长AlGaN层，包括：
通入TMGa、TMAl和TMIn源，生长5～30nm厚的AlGaN层。
在上述过程中，CP2Mg源的流量为100～600sccm。CP2Mg源每次通入的时间为5sec～2min。CP2Mg源的流量和每次通入的时间决定了AlGaN层的掺杂浓度，AlGaN层掺杂浓度过大会导致晶体质量变差，AlGaN层掺杂浓度过小导致发光效率降低。因此，为了保证AlGaN层掺杂浓度适中，宜选用上述CP2Mg源的流量和通入时间。
步骤104，在P型AlGaN层上生长P型GaN载流子层。
具体地，步骤104可以包括：控制反应腔内温度为940～970℃，升高反应腔内压强至200torr，在P型AlGaN层上生长一层100～500nm(优选200nm)厚的P型GaN载流子层。
本发明提供的具有高发光效率的外延片生长方法中，在多量子阱有源层上生长P型AlGaN层采用下述方式实现：在反应腔内温度为950℃，反应腔内压强为100torr的环境下，间歇式生长AlGaN层，并在AlGaN层生长间隙通入CP2Mg源，在通入CP2Mg源时，高温下In挥发产生大量的In空位，N空位数量大大减少，In空位的自补偿效应能力比N空位小，所以AlGaN层中空穴浓度增加，且此情况下的AlGaN层中空穴具有较低的受主激活能和较高的二维空穴气密度，因而大大增加了P型AlGaN层中的空穴浓度；该外延片制成的芯片工作时，由于P型AlGaN载流子层中的空穴浓度高，导致最终注入多量子阱有源层中的空穴浓度明显增加；在大电流密度下，注入多量子阱有源层中的电子是随之增多的，而由于本发明中注入多量子阱有源层中的空穴也明显增加，所以大大提高了电子和空穴在多量子阱有源层中的复合效率，由于复合效率的提高，使得越过多量子阱有源层逃逸到P型GaN载流子层的电子数量明显减少，电子溢漏的程度减小，提高了大电流密度下GaN基LED的发光效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种具有高发光效率的外延片生长方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层；
在所述多量子阱有源层上生长P型AlGaN层；
在所述P型AlGaN层上生长P型GaN载流子层；
所述在所述多量子阱有源层上生长P型AlGaN层，包括：
在反应腔内温度为950℃，反应腔内压强为100torr的环境下，间歇式生长AlGaN层，并在所述AlGaN层生长间隙通入CP2Mg源；
所述间歇式生长AlGaN层，并在所述AlGaN层生长间隙通入CP2Mg源，包括：
重复执行下述生长过程n次，2≤n≤12：
通入TMGa、TMAl和TMIn源生长5～30nm厚的AlGaN层；
停止通入所述TMGa、TMAl和TMIn源，同时通入CP2Mg源。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述CP2Mg源的流量为100～600sccm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述CP2Mg源每次通入的时间为5sec～2min。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层，包括：
在反应腔内温度为1100～1200℃，反应腔内压强为200torr的环境下，在蓝宝石衬底上生长一层1～4um厚的u型GaN层；
保持反应腔内温度为1100～1200℃，保持反应腔内压强为200torr，在所述u型GaN层上生长一层1～4um厚掺杂Si的N型GaN层。
5.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层，包括：
在反应腔内压强为200torr的环境下，在所述N型GaN层上生长一层多量子阱有源层，所述多量子阱有源层可以包括6个InGaN阱层、和6个与InGaN阱层交替生长的GaN垒层；其中，所述InGaN阱层的厚度为2.8～3.8nm，生长温度为750～780℃；所述GaN垒层的厚度为6nm～20nm，生长温度为900℃。
6.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述P型AlGaN层上生长P型GaN载流子层，包括：
在反应腔内温度为940～970℃，反应腔内压强为200torr的环境下，在所述P型AlGaN层上生长一层100～500nm厚的P型GaN载流子层。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101710569A (zh) * 2009-12-02 2010-05-19 中国科学院半导体研究所 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法
CN102148300A (zh) * 2011-03-17 2011-08-10 中国科学院半导体研究所 一种紫外led的制作方法
CN102157656A (zh) * 2011-01-26 2011-08-17 中山大学 一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管以及制作方法
CN102157657A (zh) * 2011-01-26 2011-08-17 中山大学 一种GaN基发光二极管以及制作方法
CN102208505A (zh) * 2010-03-29 2011-10-05 大连美明外延片科技有限公司 一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法
CN103215642A (zh) * 2013-03-23 2013-07-24 北京工业大学 一种P型GaN低流量掺杂剂控制生长方法
CN103579425A (zh) * 2013-11-14 2014-02-12 中国科学院半导体研究所 氮化镓系发光二极管及制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7875474B2 (en) * 2005-09-06 2011-01-25 Show A Denko K.K. Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and production method thereof

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101710569A (zh) * 2009-12-02 2010-05-19 中国科学院半导体研究所 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法
CN102208505A (zh) * 2010-03-29 2011-10-05 大连美明外延片科技有限公司 一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法
CN102157656A (zh) * 2011-01-26 2011-08-17 中山大学 一种加强载流子注入效率的氮化物发光二极管以及制作方法
CN102157657A (zh) * 2011-01-26 2011-08-17 中山大学 一种GaN基发光二极管以及制作方法
CN102148300A (zh) * 2011-03-17 2011-08-10 中国科学院半导体研究所 一种紫外led的制作方法
CN103215642A (zh) * 2013-03-23 2013-07-24 北京工业大学 一种P型GaN低流量掺杂剂控制生长方法
CN103579425A (zh) * 2013-11-14 2014-02-12 中国科学院半导体研究所 氮化镓系发光二极管及制备方法

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