CN105236347A

CN105236347A - 一种半导体器件及其制作方法和电子装置

Info

Publication number: CN105236347A
Application number: CN201410243258.4A
Authority: CN
Inventors: 张先明; 伏广才
Original assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Current assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date: 2014-06-03
Filing date: 2014-06-03
Publication date: 2016-01-13
Anticipated expiration: 2034-06-03
Also published as: CN105236347B

Abstract

本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，包括：提供基底，所述基底上形成有层间介电层，所述层间介电层中形成有底部电极；在所述底部电极上方形成牺牲层；在所述牺牲层和部分所述层间介电层上形成第一顶部电极层；在所述第一顶部电极层上沉积形成第二顶部电极层；刻蚀所述第一顶部电极层和所述第二顶部电极层，以形成开口暴露部分所述牺牲层；去除所述牺牲层，以形成压力传感器空腔；在所述第二顶部电极层上形成覆盖层，以填充所述开口；对所述覆盖层进行第一刻蚀，停止于所述第二顶部电极层上；对暴露出的所述第二顶部电极层进行第二刻蚀，以形成沟槽暴露部分所述第一顶部电极层。根据本发明的方法，提高了压力传感器的敏感度。

Description

一种半导体器件及其制作方法和电子装置

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法和电子装置。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，在运动传感器(motionsensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。

其中，MEMS压力传感器广泛应用于汽车电子：如TPMS、发动机机油压力传感器、汽车刹车系统空气压力传感器、汽车发动机进气歧管压力传感器(TMAP)、柴油机共轨压力传感器；消费电子：如胎压计、血压计、橱用秤、健康秤，洗衣机、洗碗机、电冰箱、微波炉、烤箱、吸尘器用压力传感器、空调压力传感器、洗衣机、饮水机、洗碗机、太阳能热水器用液位控制压力传感器；工业电子：如数字压力表、数字流量表、工业配料称重等。

在采用现有技术制作MEMS压力传感器时，形成的压力传感膜和形成在压力传感膜之上的氧化物层均具有压应力，压应力的存在导致压力传感膜发生凸起变形，进而降低了MEMS压力传感器的敏感度。另外在MEMS压力传感器的压力传感器沟槽形成的过程中，不同材质膜层间刻蚀选择比不够大，导致晶圆中心区域的压力传感膜损失大，影响了器件的性能。

因此，为了解决上述技术问题，有必要提出一种新的半导体器件的制作方法。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明实施例一提供一种半导体器件的制作方法，包括：

提供基底，所述基底上形成有层间介电层，所述层间介电层中形成有底部电极；

在所述底部电极上方形成牺牲层；

在所述牺牲层和部分所述层间介电层上形成第一顶部电极层；

在所述第一顶部电极层上沉积形成第二顶部电极层；

刻蚀所述第一顶部电极层和所述第二顶部电极层，以形成开口暴露部分所述牺牲层；

去除所述牺牲层，以形成压力传感器空腔；

在所述第二顶部电极层上形成覆盖层，以填充所述开口；

对所述覆盖层进行第一刻蚀，停止于所述第二顶部电极层上；

对暴露出的所述第二顶部电极层进行第二刻蚀，以形成沟槽暴

露部分所述第一顶部电极层。

可选地，所述第一顶部电极层的材料为锗硅。

可选地，所述第一顶部电极层的厚度范围为200nm～600nm。

可选地，所述第二顶部电极层自下而上包括金属层和金属氮化物层的两层结构。

可选地，所述金属层的材料为Ti，所述金属氮化物层的材料为TiN。

可选地，在沉积所述TiN时，保持氩气和氮气的流量比值范围在50:5到50:50之间。

可选地，所述金属层的厚度范围为0～40nm，所述金属氮化物层的厚度范围为20～80nm。

可选地，所述第一刻蚀具有所述覆盖层对所述第二顶部电极层的高刻蚀选择比。

可选地，所述第二刻蚀具有所述第二顶部电极层对所述第一顶部电极层的高刻蚀选择比。

可选地，所述覆盖层的材料为氮化硅。

可选地，所述基底中形成有CMOS器件。

本发明实施例二提供一种半导体器件，包括：基底；位于所述基底上的层间介电层；位于所述层间介电层内的压力传感器底部电极；位于所述底部电极上方的压力传感器空腔；位于所述压力传感器空腔上方并覆盖部分所述层间介电层的第一顶部电极层；位于所述第一顶部电极层上方的第二顶部电极层；位于所述第二顶部电极层上方的覆盖层，其中所述覆盖层和所述第二顶部电极层中还形成有沟槽，暴露部分所述第一顶部电极层。

可选地，所述第一顶部电极层的材料为锗硅。

可选地，所述第一顶部电极层的厚度范围为200nm～600nm。

可选地，所述第二顶部电极层为自下而上的金属层和金属氮化物层的两层结构。

可选地，所述覆盖层的材料为氮化硅。

本发明实施例三提供一种电子装置，其包括实施例二中所述的半导体器件。

综上所述，根据本发明的制作方法，形成具有叠层结构的顶部电极，可有效抑制压力传感膜的凸起变形以及在刻蚀过程中的损失，提高压力传感器的敏感度和压力响应。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1为根据现有的一种MEMS压力传感器的制作方法依次实施步骤的流程图；

图2为根据现有的制作方法所获得MEMS压力传感器的剖面示意图；

图3为根据本发明实施例一的方法依次实施步骤的工艺流程图；

图4A-4D为根据本发明实施例一的方法依次实施所获得器件的剖面示意图；

图5为本发明实施例二的MEMS压力传感器的剖面示意图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

下面参照附图1和图2对现有的一种MEMS压力传感器的制作方法进行描述。

首先，执行步骤101，提供基底，在所述基底上形成有层间介电层，在所述层间介电层中形成有底部电极，在所述底部电极上形成牺牲层。

执行步骤102，在所述层间介电层和所述牺牲层上沉积形成压力传感器膜，以作为顶部电极。所述压力传感膜的材料优选为锗硅。

执行步骤103，在压力传感器膜上形成开口，以去除牺牲层形成传感器空腔。

执行步骤104，沉积氧化物层，以填充在所述压力传感膜中形成的开口，形成封闭的压力传感器空腔。

执行步骤105，在氧化物层上沉积形成氮化硅覆盖层。

执行步骤106，刻蚀所述氮化硅覆盖层和所述氧化物层，停止于所述压力传感膜上，以形成沟槽。

经上述步骤后，形成如图2所示的MEMS压力传感器结构，包括基底200；位于所述基底200上的层间介电层201；位于所述层间介电层201内的压力传感器底部电极202；位于所述底部电极202的外侧的顶部电极互连结构203；位于所述底部电极202上方的压力传感器空腔204；位于所述压力传感器空腔204上方并覆盖部分所述层间介电层201的压力传感膜205；位于所述层间介电层201和压力传感膜205上方并填孔开口的氧化物层206；位于所述氧化物层上方的覆盖层207，其中所述覆盖层207和氧化物层206中还形成有沟槽208，暴露部分所述压力传感膜205。

然而，在采用上述方法制作MEMS压力传感器的过程中，容易产生以下问题：

一、传统的作为压力传感膜的锗硅层和采用PECVD方法沉积的氧化物层往往具有比较大的压应力，例如大于200MPa，压应力的存在导致压力传感膜产生凸起变形。

二、在上述步骤中，对覆盖层和氧化物层的刻蚀过程中，氮化硅、氧化物和锗硅之间的刻蚀选择比不够大，导致在晶圆中心区域和边缘区域的锗硅层损失量不同，在中心区域的锗硅层损失比较大。

上述问题的产生，降低了MEMS压力传感器的敏感度，进而影响了器件的性能和良率。鉴于现有技术中存在的问题，本发明提出了一种新的制作方法。

实施例一

下面，参照图3以及图4A-4D对本发明MEMS压力传感器的制作方法做详细的描述。

首先执行步骤301，参考图4A，提供基底400，在所述基底400上形成有层间介电层401，在所述层间介电层401中形成有底部电极402，在所述底部电极402的外侧还形成有顶部电极互连结构403。

所述基底400至少包含半导体衬底，其中所述半导体衬底可以是以下所提到的材料中的至少一种：硅、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上层叠硅(SSOI)、绝缘体上层叠锗化硅(S-SiGeOI)、绝缘体上锗化硅(SiGeOI)以及绝缘体上锗(GeOI)等。所述半导体衬底中还形成有有源器件和/或无源器件，其中所述有源器件和无源器件的种类以及数目可以根据具体需要进行选择，并不局限于某一种。所述基底400中形成有CMOS器件。

在所述基底400上形成有层间介电层401，所述层间介电层401可以使用氧化物或者氮化物，例如所述层间介电层可以使用例如SiO₂、碳氟化合物(CF)、SiN、掺碳氧化硅(SiOC)或碳氮化硅(SiCN)等。示例性地，在本发明的一具体实施方式中选用SiO₂，但并不局限于该实例。

在所述层间介电层401中的传感区域中形成有底部电极402，所述底部电极402选用金属Al，但并不局限该材料，还可以选用本领域常用的其他材料，可以根据实际需要进行选择。

在一个示例中，在所述底部电极402的下方还形成有若干金属层，所述底部电极与所述若干金属层之间，以及所述若干金属层之间通过金属通孔相互连接，其中最底层的金属层直接和所述基底中的CMOS器件相连接，以实现所述底部电极和所述CMOS器件的连接。可选地，所述若干金属层选用金属Al，所述金属通孔选用金属W，但是并不局限于所述材料。

其中在所述层间介电层401中所述底部电极402外侧的金属互连区中还形成有顶部电极互连结构403，所述顶部电极互连结构403的一端连接所述基底中的CMOS器件，所述顶部电极互连结构403的另一端用于连接顶部电极。可选地，所述顶部电极互连结构包括若干金属层，所述若干金属层之间通过通孔连接。进一步，所述若干金属层选用金属Al，所述金属通孔选用金属W，但是并不局限于所述材料。

继续参考图4A，执行步骤302，在所述底部电极402上方沉积形成牺牲层404，在所述牺牲层404和部分所述层间介电层401上形成第一顶部电极层405。

所述牺牲层404材料包括锗、多孔硅、二氧化硅、光刻胶和聚酰亚胺等。在一个示例中，牺牲层优选为二氧化硅。可以采用本领域技术人员所熟习的各种适宜的工艺技术，例如，采用物理气相沉积工艺或者化学气相沉积形成。

可选地，所述第一顶部电极层405包括Si或SiGe的化合物。所述第一顶部电极层405同时用作压力传感器的压力传感膜。在一个示例中，所述第一顶部电极层405的材料包括锗硅，形成第一顶部电极层的方法，可以为低压化学气相沉积法(LPCVD)或其他合适的方法。在一个示例中，形成第一顶部电极层的方法为低压化学气相沉积法，通过热分解的方式形成锗硅层作为第一顶部电极层。其中，工艺的温度控制在450～800℃，压力控制在1～100托(Torr)。进一步地，反应气体包括SiH₄(或Si₂H₆)和GeH₄。可选地，所述第一顶部电极层的厚度为200～600nm，但并不限于此范围，可根据实际需要进行调整。通过沉积工艺形成的第一顶部电极层405具有压应力。

继续参照图4A，执行步骤303，在所述第一顶部电极层405上沉积形成第二顶部电极层406。

可选地，所述第二顶部电极层406自下而上包括金属层和金属氮化物层的两层结构。在一个示例中，所述金属层的材料为Ti，所述金属氮化物层的材料为TiN。

其中，所述金属层的材料选自钛、钽、锆、钨金属中的一种或几种。在一个示例中，所述金属层的材料为钛。可选地，所述金属层的厚度范围为0～40nm。形成所述金属层的方法可以采用本领域技术人员所熟习的各种适宜的工艺技术，例如，化学气相沉积、磁控溅射、或者蒸镀等。

进一步，所述金属氮化物层的材料选自氮化钛、氮化锆、氮化钨中的一种或几种。形成金属氮化物层的方法可以采用本领域技术人员所熟习的各种适宜的工艺技术，例如，采用物理气相沉积工艺或者化学气相沉积形成。

可选地，所述金属氮化物层的厚度范围为20～80nm。在一个示例中，当金属氮化物层的材料选用TiN时，在沉积过程中，保持氩气和氮气的流量比值范围在50:5到50:50之间。

在沉积步骤中，调整第二顶部电极层406的应力，来平衡第一顶部电极层405的压应力，例如调整第二顶部电极层的应力为拉应力，来平衡第一顶部电极层的应力。使第一顶部电极层内的应力变小甚至为零后，相应的其凸起变形就会减小，进而可提高MEMS压力传感器的敏感度和压力响应。

此外，可以理解的是，所述沉积工艺的多个参数，例如反应物的流速、压力、温度、射频(RF)功率、反应物的组成、所述应力缓冲层的厚度等，都可以根据期望实现的金属层和金属氮化物层的应力值来加以调整。

形成的金属层和金属氮化物层的两层结构的第二顶部电极层406与第一顶部电极层405，共同用于形成压力传感器的顶部电极。

参考图4B，执行步骤304，刻蚀所述第一顶部电极层405和所述第二顶部电极层406，以形成开口暴露部分所述牺牲层404；去除所述牺牲层，以形成压力传感器空腔407。

具体地，在所述第一顶部电极层和第二顶部电极层中形成开口，露出所述牺牲层，在该步骤中，为了在去除牺牲层的同时不会对所述第一顶部电极层和第二顶部电极层造成影响，选用刻蚀选择比较大的方法进行刻蚀，在本发明具体实施例中可以选用干法刻蚀，反应离子刻蚀(RIE)、离子束刻蚀、等离子体刻蚀。

参考图4C，执行步骤305，在所述第二顶部电极层406上形成覆盖层408，以填充所述开口。

可选地，所述覆盖层408的材料为氮化硅。在本实施例中覆盖层408的沉积方法可以为化学气相沉积(CVD)法、物理气相沉积(PVD)法或原子层沉积(ALD)法等。在一个示例中，形成覆盖层408的厚度范围为5000～50000埃。

形成的覆盖层408填充所述开口，进而形成密封的压力传感器空腔407。

继续参考图4C，执行步骤306，对所述覆盖层408进行第一刻蚀，停止于所述第二顶部电极层406上。

刻蚀所述覆盖层408，停止于所述第二顶部电极层406上。可选地，所述第一刻蚀具有所述覆盖层408对所述第二顶部电极层406的高刻蚀选择比。可采用本领域技术人员熟知的任何所述覆盖层对所述第二顶部电极层406的高刻蚀选择比的方法，例如干法刻蚀或湿法刻蚀。在刻蚀过程中，控制对第二顶部电极层406的刻蚀深度小于500A。

在一个示例中，选用深反应离子刻蚀(DRIE)方法刻蚀所述覆盖层408，在所述深反应离子刻蚀(DRIE)步骤中选用气体六氟化硅(SF₆)作为工艺气体，施加射频电源，使得六氟化硅反应进气形成高电离，所述蚀刻步骤中控制工作压力为20mTorr-8Torr，频功率为600W，13.5MHz，直流偏压可以在-500V-1000V内连续控制，保证各向异性蚀刻的需要，选用深反应离子刻蚀(DRIE)可以保持非常氮化硅层对金属层高的蚀刻选择比。所述深反应离子刻蚀(DRIE)系统可以选择本领常用的设备，并不局限于某一型号。

参考图4D，执行步骤307，对暴露出的所述第二顶部电极层406进行第二刻蚀，以形成沟槽暴露部分所述第一顶部电极层405。

可选地，所述第二刻蚀具有所述第二顶部电极层406对所述第一顶部电极层405的高刻蚀选择比。所述第二刻蚀停止于第一顶部电极层405上方。可采用本领域技术人员熟知的任何具有所述第二顶部电极层406对所述第一顶部电极层405的高刻蚀选择比的方法进行所述第二刻蚀，例如干法刻蚀或湿法刻蚀。在一个示例中，使用湿法刻蚀法对所述第二顶部电极层406进行蚀刻，所述湿法刻蚀溶液包括SC1溶液，所述SC1溶液包括包括氨水、双氧水和去离子水的混合溶液。刻蚀过程中，控制对第二顶部电极层406的底切小于500A。

综上所述，根据本发明实施例的方法，形成具有叠层结构的顶部电极结构，具有以下优点：

一、通过在用作压力传感膜的第一顶部电极层上设置第二顶部电极层来平衡第一顶部电极层的压应力，避免了第一顶部电极层扭曲变形的产生，进而提高了MEMS压力传感器的敏感度。

二、在刻蚀过程中，所述覆盖层对所述第二顶部电极层的高刻蚀选择比，以及所述第二顶部电极层对所述第一顶部电极层的高刻蚀选择比。避免了作为压力传感膜的第一顶部电极层的损失，进而提高了MEMS压力传感器的敏感度和压力响应。

实施例二

下面结合图5对本实施例中半导体器件的结构做详细描述。

本发明实施例提供一种半导体器件，包括：基底500，所述基底500中形成有CMOS器件。

还包括位于所述基底500上的层间介电层501。所述层间介电层501可以使用氧化物或者氮化物，例如所述层间介电层可以使用例如SiO₂、碳氟化合物(CF)、SiN、掺碳氧化硅(SiOC)或碳氮化硅(SiCN)等。

还包括位于所述层间介电层501内的压力传感器底部电极502；其中在所述层间介电层501中所述底部电极502外侧的金属互连区中还形成有顶部电极互连结构503，所述顶部电极互连结构503的一端连接所述基底中的CMOS器件，所述顶部电极互连结构503的另一端用于连接顶部电极。

还包括位于所述底部电极502上方的压力传感器空腔504；位于所述压力传感器空腔504上方并覆盖部分所述层间介电层501的第一顶部电极层505。进一步，所述第一顶部电极层505的材料为锗硅。可选地，所述第一顶部电极层505的厚度范围为200nm～600nm。

还包括位于所述第一顶部电极层505上方的第二顶部电极层506。可选地，所述第二顶部电极层506为自下而上的金属层和金属氮化物层的两层结构。在一个示例中，所述金属层的材料为Ti，所述金属氮化物层的材料为TiN。在一个示例中，所述金属层的厚度范围为0～40nm，所述金属氮化物层的厚度范围为20～80nm。

还包括位于所述第二顶部电极层506上方的覆盖层507，可选地，所述覆盖层的材料为氮化硅。其中所述覆盖层和所述第二顶部电极层中还形成有沟槽508，暴露部分所述第一顶部电极层505。

综上所述，根据本发明实施例中半导体器件的结构，第一顶部电极层与第二顶部电极层构成的叠成结构用作压力传感器的顶部电极，其中第二顶部电极层的设置可平衡第一顶部电极层中的压应力，进而抑制第一顶部电极层的变形，可有效提高压力传感器的敏感度和压力响应。

实施例三

本实施例提供一种电子装置，其包括实施例二中所述的半导体器件。

由于包括的半导体器件具有更高的敏感度和可靠性，该电子装置同样具有上述优点。

该电子装置，可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、VCD、DVD、导航仪、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备，也可以是具有上述半导体器件的中间产品，例如：具有该集成电路的手机主板等。

本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims

1.一种半导体器件的制作方法，包括：

在所述底部电极上方形成牺牲层；

在所述第一顶部电极层上沉积形成第二顶部电极层；

去除所述牺牲层，以形成压力传感器空腔；

在所述第二顶部电极层上形成覆盖层，以填充所述开口；

露部分所述第一顶部电极层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一顶部电极层的材料为锗硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一顶部电极层的厚度范围为200nm～600nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二顶部电极层自下而上包括金属层和金属氮化物层的两层结构。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金属层的材料为Ti，所述金属氮化物层的材料为TiN。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在沉积所述TiN时，保持氩气和氮气的流量比值范围在50:5到50:50之间。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属层的厚度范围为0～40nm，所述金属氮化物层的厚度范围为20～80nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀具有所述覆盖层对所述第二顶部电极层的高刻蚀选择比。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二刻蚀具有所述第二顶部电极层对所述第一顶部电极层的高刻蚀选择比。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆盖层的材料为氮化硅。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底中形成有CMOS器件。

12.一种半导体器件，包括：

基底；

位于所述基底上的层间介电层；

位于所述层间介电层内的压力传感器底部电极；

位于所述底部电极上方的压力传感器空腔；

位于所述压力传感器空腔上方并覆盖部分所述层间介电层的第一顶部电极层；

位于所述第一顶部电极层上方的第二顶部电极层；

位于所述第二顶部电极层上方的覆盖层，其中所述覆盖层和所述第二顶部电极层中还形成有沟槽，暴露部分所述第一顶部电极层。

13.根据权利要求12所述的器件，其特征在于，所述第一顶部电极层的材料为锗硅。

14.根据权利要求12所述的器件，其特征在于，所述第一顶部电极层的厚度范围为200nm～600nm。

15.根据权利要求12所述的器件，其特征在于，所述第二顶部电极层为自下而上的金属层和金属氮化物层的两层结构。

16.根据权利要求15所述的器件，其特征在于，所述金属层的材料为Ti，所述金属氮化物层的材料为TiN。

17.根据权利要求16所述的器件，其特征在于，所述金属层的厚度范围为0～40nm，所述金属氮化物层的厚度范围为20～80nm。

18.根据权利要求12所述的器件，其特征在于，所述覆盖层的材料为氮化硅。

19.一种电子装置，其包括权利要求12-18中任一项所述的半导体器件。