CN105226374A - 一种螺旋波天线系统 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种螺旋波天线系统，包括绝缘管、绕设在绝缘管上的右旋天线、套设在右旋天线外的绝缘层以及套设在绝缘层外的屏蔽套筒，屏蔽套筒的一端呈封闭状且连接有进气管，绝缘管的一端与屏蔽套筒的一端抵接，进气管与所述绝缘管连通，屏蔽套筒的外周面上设置有屏蔽管。本发明具有更高的功率耦合效率，增强电离率，提高等离子体密度，采用水冷天线外加套陶瓷绝缘层，避免寄生放电、微弧放电，具有更好的效率和稳定性，为实现了大功率长时间螺旋波稳定运行提供了保证，为螺旋波等离子体工业应用提供技术支持，能方便应用于不同的真空系统，适用性相较于现有天线也有了极大的提升。
Description
技术领域
本发明涉及一种螺旋波天线系统。
背景技术
随着当今半导体制造、材料表面改性、等离子体空间推进等前沿科技的迅猛发展，容性耦合等离子体（CCP）源、感应耦合等离子体（ICP）源等传统的低温等离子体源已经不能满足日益苛刻的技术要求。而螺旋波以其高密度、高效率、离子电子能量独立控制、远程处理、可调自偏压等突出优势，成为了当前先进低温等离子体源的研究热点之一。螺旋波是一种仅在有界磁化媒介中传播的右圆极化（RCP）的哨声波，其频率在电子回旋频率与离子回旋频率之间。可以这样简单阐述螺旋波等离子体的产生过程：在施加轴向的直流（DC）磁场的前提下，螺旋波等离子体产生于圆柱形的有界空间中。首先，反应气体被天线的静电电压弱电离，之后在磁场作用下，等离子体中将产生圆极化的螺旋波。波能量被耦合转移给等离子体中的粒子后，等离子体被进一步电离，最终获得高密度HWP（等离子体）。
传统的螺旋波等离子体源结构由3部分构成，如图1所示，包括放电室、射频天线、磁场线圈。放电室：通常为一段绝缘管（石英管或陶瓷管），绝缘管一端开口，另一端仅留一进气口。射频天线：通常为缠绕于放电室外表面的导体。磁场线圈：激发螺旋波所需的直流磁场由两个或好多个围绕放电室的螺线管产生。
作为将功率源能量传输给等离子体的媒介，天线是螺旋波等离子体源的核心和关键，一个设计合理的天线系统对能否产生稳定高效的螺旋波等离子体起关键作用。根据天线与真空室的空间位置关系，螺旋波等离子体源天线系统主要有两种不同形式：外置式和浸没式。外置式顾名思义就是天线置于真空外，由于天线不与真空室接触，能够较好的避免天线电极对真空内样品的污染，通常用于材料处理的螺旋波等离子体源常采用这种设计，由于螺旋波放电必须要一段绝缘管作为放电室，因此采用这种设计的等离子体源的真空腔体往往非常复杂，装置的适应性较弱；其次，由于天线外置于真空腔室，必须额外考虑天线屏蔽，这将大大增加螺旋波等离子体源的制造成本。最后，由于太空的真空环境限制，作为空间推进器的螺旋波等离子体源天线系统不可能采用外置式，所以，将整个天线都置于真空室内的浸没式天线系统适用性更广。
对于浸没式天线系统，我们希望高密度的等离子体仅仅产生在绝缘管内。然而，当天线浸没在真空室中，射频电场能够通过容性耦合在绝缘管外部产生寄生等离子体。这种寄生等离子体将会接触并溅射天线材料，导致天线材料沉积涂覆在系统元件上产生不良后果，比如，如果绝缘管被溅射沉积上天线材料，整个放电条件就会改变。此外，寄生放电对等离子体精确诊断研究也有极大危害，因为我们不清楚粒子究竟是来自螺旋波放电还是寄生放电。除了寄生放电外，有的研究表明当给浸没式的天线增加射频功率时可能会引起真空腔室内壁的打火现象，我们称之为微弧放电，微弧放电会扰动等离子体，影响螺旋波放电的稳态运行。最后，大功率下运行天线内电流较大，欧姆发热非常严重，由于天线浸没于真空，散热较为困难，如果天线温度持续升高，将会严重影响放电稳定性，严重的甚至会烧坏电极。这些问题如不解决，将严重影响我们在较大气体流量、较大射频功率范围内进行稳态长时间螺旋波放电。
发明内容
本发明克服了现有技术的不足，提供一种提高射频功率利用率、放电稳定性和等离子体密度的螺旋波天线系统。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案为：一种螺旋波天线系统，包括绝缘管、绕设在所述绝缘管上的右旋天线、套设在所述右旋天线外的绝缘层以及套设在所述绝缘层外的屏蔽套筒，所述屏蔽套筒的一端呈封闭状且连接有进气管，所述绝缘管的一端与所述屏蔽套筒的一端抵接，所述进气管与所述绝缘管连通，所述屏蔽套筒的外周面上设置有屏蔽管。
本发明一个较佳实施例中，一种螺旋波天线系统进一步包括所述右旋天线由紫铜管制成。
本发明一个较佳实施例中，一种螺旋波天线系统进一步包括所述绝缘管的另一端开口且伸出所述屏蔽套筒的另一端。
本发明一个较佳实施例中，一种螺旋波天线系统进一步包括所述绝缘管材质为石英。
本发明一个较佳实施例中，一种螺旋波天线系统进一步包括所述绝缘层材质为陶瓷。
本发明一个较佳实施例中，一种螺旋波天线系统进一步包括所述屏蔽套筒材质为不锈钢。
本发明一个较佳实施例中，一种螺旋波天线系统进一步包括所述屏蔽管材质为铝。
本发明一个较佳实施例中，一种螺旋波天线系统进一步包括所述进气管材质为聚四氟乙烯。
本发明具有以下有益效果：
（1）绝缘管一端被接地屏蔽套筒遮挡，能有效反射螺旋波，具有更高的功率耦合效率，增强电离率，在相同输入射频功率下能获得更高密度的等离子体，提高等离子体密度；
（2）通过绝缘层和接地屏蔽套筒约束射频场，避免天线附近的寄生放电及真空腔室内壁的微弧放电，将等离子体约束在中心放电绝缘管内，提高射频功率利用率及放电稳定性；
（3）右旋天线通过紫铜管中空水冷，有效解决了现有非水冷天线在大功率长时间运行条件下由于发热引起的不稳定性；
（4）采用水冷天线外加套陶瓷绝缘层，并整体改装接地的全屏蔽螺旋波天线设计，有效杜绝了寄生放电、微弧放电等不良影响，具有更好的效率和稳定性，为实现了大功率长时间螺旋波稳定运行提供了保证，为螺旋波等离子体工业应用提供技术支持；
（5）这种浸没式模块化的天线设计能方便应用于不同的真空系统，适用性相较于现有天线也有了极大的提升。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是现有螺旋波等离子体源结构示意图；
图2是本发明的优选实施例的分解结构示意图；
图3是本发明的优选实施例的天线系统安装在真空腔内法兰上的示意图；
图4是本发明的优选实施例的右旋天线的结构示意图；
图5是采用本发明天线得到的射流CCD照片；
图6是采用现有天线得到的射流CCD照片；
图7是不同天线下等离子体密度随功率的变化图；
图8是不同天线下放电电子密度径向分布图；
图9是不同天线下放电发射光谱（ArⅡ区域）；
图中：2、绝缘管，4、右旋天线，6、绝缘层，8、屏蔽套筒，10、进气管，12、屏蔽管，14、绝缘筒体，16、缺口，18、屏蔽筒体，20、第一圆弧形屏蔽板，22、第二圆弧形屏蔽板，24、半圆弧形屏蔽板，26、接地端，28、射频功率输入端，30、连接管，32、法兰，34、屏蔽罩。
具体实施方式
现在结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明，这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
如图2、图3所示，一种一种螺旋波天线系统，包括绝缘管2、绕设在绝缘管2上的右旋天线4、套设在右旋天线4外的绝缘层6以及套设在绝缘层6外的屏蔽套筒8，绝缘管2能有效在径向约束等离子体，维持螺旋波放电，屏蔽套筒8的一端呈封闭状且连接有进气管10，绝缘管2的一端与屏蔽套筒8的一端抵接，进气管10与绝缘管2连通，屏蔽套筒8的一端接地，该接地端能通过发射一部分螺旋波，增强绝缘管2内反应气体的电离效率，增加等离子体密度，屏蔽套筒8的外周面上设置有屏蔽管12。
本发明优选绝缘管2的另一端开口且伸出屏蔽套筒8的另一端，能有效将螺旋波等离子体以射流状喷射到远端需要处理的材料表面，避免等离子体的损耗。绝缘管2材质为石英管。
如图4所示，右旋天线4的形状与现有的右旋天线的形状相同，功率耦合效率高，在相同输入射频功率下能获得更高密度的等离子体，其采用中空的紫铜管制成，能够往紫铜管内注入冷却水，避免右旋天线4在大功率长时间运行条件下由于发热引起的不稳定性。
优选绝缘层6材质为陶瓷，绝缘层6由两个绝缘筒体14拼接而成，绝缘筒体14的拼接端设置有缺口16。绝缘层6的使用能有效限制右旋天线4与屏蔽套筒8间的空间，有效抑制寄生放电，避免了由于天线材料溅射导致的放电不稳定性。屏蔽套筒8材质为不锈钢，屏蔽套筒8包括屏蔽筒体18、与屏蔽筒体18一体成型的第一圆弧形屏蔽板20以及与第一圆弧形屏蔽板20拼接的第二圆弧形屏蔽板22，由于整个天线系统被接地的屏蔽套筒8包裹，有效杜绝了绝缘管2意外的射频电子加热，使等离子体仅仅产生于绝缘管2内，杜绝了真空腔室内壁不必要的微弧放电，有效增强了螺旋波放电的稳定性。屏蔽管12材质为铝，屏蔽管12由两个半圆弧形屏蔽板24拼接而成，右旋天线4的接地端26和射频功率输入端28经过屏蔽管12且伸出屏蔽管12外，屏蔽管12接地，使用时，将屏蔽管12通过连接管30固定在真空腔内的法兰32上，连接管30材质为铝，为整个天线系统提供机械支撑，法兰32连接有屏蔽罩34。
进气管10材质为聚四氟乙烯，便于将进气管10安装在法兰32与屏蔽套筒8之间。
在强磁场螺旋波等离子体装置上，将本发明中的一种螺旋波天线系统与现有天线进行放电对比实验。实验中，我们先后给同一螺旋波设备安装不同的天线系统（现有NagoyaⅢ右旋型天线、本发明的全屏蔽浸没式天线）分别进行放电实验。改变射频输入功率，利用朗缪尔探针、发射光谱诊断等离子体参数，利用CCD相机研究放电射流形貌。
具体参数如下：
（1）气体种类和流量：Ar气，流量为20sccm；
（2）本底真空：5×10-4Pa；
（3）工作气压：0.01Pa；
（4）直流磁场线圈电源：100A；
（5）磁场：1300Gs；
（6）射频源频率和输入功率：13.56MHz，0-1000W。
通过CCD相机照片可以看出，如图5、图6所示，采用本发明的天线系统后，螺旋波射流得到了更好的约束，等离子体更加集中于轴心区域，射流中心区域亮度增强，密度得到有效提高，有利于使高密度的等离子体输运到更远的材料处理区。
由朗缪尔探针数据可以看出，如图7所示，相同射频输入功率下，本发明的螺旋波天线能得到更高电子密度的等离子体，由此可见，相同条件下，本发明的天线系统具有更高的功率耦合效率。由图8所示的电子密度径向分布也可以看出，本发明的天线系统对等离子体具有更好的约束效果。
由发射光谱数据可以看出，如图9所示，相同条件下，本发明的天线的ArⅡ谱线比现有天线强，由此可以得知其产生的等离子体具有更高的电子温度。
根据上述实验结果可以看出，本发明的一种螺旋波天线系统能有效抑制寄生放电和微弧放电，提高电离率和等离子体密度，同时能更好的约束等离子体。
以上依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定技术性范围。
Claims (8)
1.一种螺旋波天线系统，其特征在于：包括绝缘管、绕设在所述绝缘管上的右旋天线、套设在所述右旋天线外的绝缘层以及套设在所述绝缘层外的屏蔽套筒，所述屏蔽套筒的一端呈封闭状且连接有进气管，所述绝缘管的一端与所述屏蔽套筒的一端抵接，所述进气管与所述绝缘管连通，所述屏蔽套筒的外周面上设置有屏蔽管。
2.根据权利要求1所述的一种螺旋波天线系统，其特征在于：所述右旋天线由紫铜管制成。
3.根据权利要求1所述的一种螺旋波天线系统，其特征在于：所述绝缘管的另一端开口且伸出所述屏蔽套筒的另一端。
4.根据权利要求1或3所述的一种螺旋波天线系统，其特征在于：所述绝缘管材质为石英。
5.根据权利要求1所述的一种螺旋波天线系统，其特征在于：所述绝缘层材质为陶瓷。
6.根据权利要求1所述的一种螺旋波天线系统，其特征在于：所述屏蔽套筒材质为不锈钢。
7.根据权利要求1所述的一种螺旋波天线系统，其特征在于：所述屏蔽管材质为铝。
8.根据权利要求1所述的一种螺旋波天线系统，其特征在于：所述进气管材质为聚四氟乙烯。
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