CN105204778A - 一种增加缓存的存储底层架构 - Google Patents

一种增加缓存的存储底层架构 Download PDF

Info

Publication number
CN105204778A
CN105204778A CN201510513990.3A CN201510513990A CN105204778A CN 105204778 A CN105204778 A CN 105204778A CN 201510513990 A CN201510513990 A CN 201510513990A CN 105204778 A CN105204778 A CN 105204778A
Authority
CN
China
Prior art keywords
buffer memory
storage
increased
storage bottom
shared buffer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510513990.3A
Other languages
English (en)
Inventor
谭世伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Inspur Electronic Information Industry Co Ltd
Original Assignee
Inspur Electronic Information Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inspur Electronic Information Industry Co Ltd filed Critical Inspur Electronic Information Industry Co Ltd
Priority to CN201510513990.3A priority Critical patent/CN105204778A/zh
Publication of CN105204778A publication Critical patent/CN105204778A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Storage Device Security (AREA)

Abstract

本发明提供一种增加缓存的存储底层架构,涉及到存储架构的底层设计领域,本发明在HBA和PCIe?switch之间增加一层缓存,此增加的共享缓存处于FC,SAS,万兆等HBA的后端;此增加的共享缓存处于PCIe?Switch的前端。本发明改进了现有存储架构的固有缺点,提升了存储的整体性能。

Description

一种增加缓存的存储底层架构
技术领域
本发明涉及到存储架构的底层设计领域,尤其涉及一种增加缓存的存储底层架构。
背景技术
一般的存储底层架构中FC和SASadapter是直接通过PCIeswitch连接到存储的CPU和内存,但是不管是PCIe2.0还是PCIe3.0技术其数据传输效率都有瓶颈。
在从事存储的研究设计和测试当中,渐渐地意识到现有存储底层架构思想过于老套,大多数都是基于IntelCPU的架构来设计存储系统,很多存储产品硬件底层架构10多年而无实质的变化。
当外部的板卡(包括各种FCHBA卡,SAS扩展卡,万兆HBA卡等)直接通过各种PCIe总线连接PCIeSwitch当中然后接入到CPU和内存当中;当有大量的数据通过各种HBA卡部分流入PCIeSwitch当中时,此时PCIeSwitch将是大量数据流的瓶颈且此处的大量数据不受保护,易受各种电磁环境的影响
传统的存储架构设计思想当中,更多的是根据服务器的设计架构思想来设计布局,没有考虑到对高性能存储的特有设计要求。
发明内容
为了解决以上的技术问题,本发明提出了一种增加缓存的存储底层架构,增加一层缓存设计,将会大大改善存储底层的架构和提供存储大量数据稳定性的功效。
本发明在原有设计思路的基础之上,通过在HBA和PCIeswitch之间增加一层缓存的思想来打破PCIe的数据传输的固有瓶颈,起到提高存储传输效率和稳定性的功能。
本发明的技术方案是:
一种增加缓存的存储底层架构,在HBA和PCIeswitch之间增加一层缓存,
此增加的共享缓存处于FC,SAS,万兆等HBA的后端;
此增加的共享缓存处于PCIeSwitch的前端;
此增加的共享缓存的材质可以是内存DDR3也可以是SSD或者Flash卡等;
此增加的共享缓存的具体容量可以依据控制器当中的内存容量而定;
此增加的共享缓存的具体容量一般不大于单控制器的内存容量的一半;
此增加的共享缓存若是易失型的存储,应直接连接到控制器的UPS,用于保护数据。
此种增加缓存的方法将大大改善现有存储的硬件架构的缺点,进一步提高性能。
本发明的有益效果是。
1)增加的共享缓存,处于各种板载HBA的后端,提高了存储的性能;
2)增加的共享缓存提高了存储的数据存储的稳定性,
3)增加的共享缓存可以是多种容量和材质。
附图说明
图1为常见的存储示意图;
图2为增加一层缓存后的构架示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明做进一步地详细描述:
如图1所示,在设计存储架构时的常用的一种大体设计架构,包含CPU,内存,各种HBA卡,Switch等;本发明的设计主要是针对此构架存储架构当中的增加一层缓存的设计。
当前最普遍常用的存储架构整体设计思路架构情况为:当外部的板卡(包括各种FCHBA卡,SAS扩展卡,万兆HBA卡等)直接通过各种PCIe总线连接PCIeSwitch当中然后接入到CPU和内存当中;当有大量的数据通过各种HBA卡部分流入PCIeSwitch当中时,此时PCIeSwitch将是大量数据流的瓶颈且此处的大量数据不受保护,易受各种电磁环境的影响,如果在此之间增加一层缓存设计,将会大大改善存储底层的架构和提供存储大量数据稳定性的功效。
如图2为在各种板载HBA卡后端增加一层缓存后的构架示意图。
在HBA和PCIeswitch之间增加一层缓存,此增加的共享缓存处于FC,SAS,万兆等HBA的后端;处于PCIeSwitch的前端;此增加的共享缓存的材质是内存DDR3;此增加的共享缓存的具体容量可以依据控制器当中的内存容量而定;此增加的共享缓存的具体容量不大于单控制器的内存容量的一半;此增加的共享缓存是易失型的存储,直接连接到控制器的UPS,用于保护数据。

Claims (5)

1.一种增加缓存的存储底层架构,其特征在于,
在HBA和PCIeswitch之间增加一层缓存,
此增加的共享缓存处于FC,SAS,万兆等HBA的后端;
此增加的共享缓存处于PCIeSwitch的前端。
2.根据权利要求1所述的存储底层架构,其特征在于,
此增加的共享缓存的材质可以是内存DDR3、SSD或Flash卡。
3.根据权利要求1所述的存储底层架构,其特征在于,
此增加的共享缓存的具体容量可以依据控制器当中的内存容量而定。
4.根据权利要求1所述的存储底层架构,其特征在于,
此增加的共享缓存的具体容量一般不大于单控制器的内存容量的一半。
5.根据权利要求1所述的存储底层架构,其特征在于,
此增加的共享缓存若是易失型的存储,应直接连接到控制器的UPS,用于保护数据。
CN201510513990.3A 2015-08-20 2015-08-20 一种增加缓存的存储底层架构 Pending CN105204778A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510513990.3A CN105204778A (zh) 2015-08-20 2015-08-20 一种增加缓存的存储底层架构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510513990.3A CN105204778A (zh) 2015-08-20 2015-08-20 一种增加缓存的存储底层架构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105204778A true CN105204778A (zh) 2015-12-30

Family

ID=54952497

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510513990.3A Pending CN105204778A (zh) 2015-08-20 2015-08-20 一种增加缓存的存储底层架构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105204778A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105892948A (zh) * 2016-04-01 2016-08-24 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种在sas线前后端增加缓存来提高存储性能的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103336745A (zh) * 2013-07-01 2013-10-02 无锡众志和达存储技术股份有限公司 一种基于ssd缓存的fc hba及其设计方法
CN103984569A (zh) * 2014-04-30 2014-08-13 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种hba卡加速方法
CN104407818A (zh) * 2014-12-03 2015-03-11 浪潮集团有限公司 一种pcie高速存储设备方案设计
US20150205663A1 (en) * 2014-01-17 2015-07-23 Netapp, Inc. Clustered raid data organization

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103336745A (zh) * 2013-07-01 2013-10-02 无锡众志和达存储技术股份有限公司 一种基于ssd缓存的fc hba及其设计方法
US20150205663A1 (en) * 2014-01-17 2015-07-23 Netapp, Inc. Clustered raid data organization
CN103984569A (zh) * 2014-04-30 2014-08-13 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种hba卡加速方法
CN104407818A (zh) * 2014-12-03 2015-03-11 浪潮集团有限公司 一种pcie高速存储设备方案设计

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105892948A (zh) * 2016-04-01 2016-08-24 浪潮电子信息产业股份有限公司 一种在sas线前后端增加缓存来提高存储性能的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10678768B2 (en) Logical band-based key-value storage structure
CN109416666B (zh) 用于存储和读取多个缓存行的装置和方法
US20190042146A1 (en) Nand-based storage device with partitioned nonvolatile write buffer
US8640006B2 (en) Preemptive memory repair based on multi-symbol, multi-scrub cycle analysis
EP2733617A1 (en) Data buffer device, data storage system and method
CN106066890B (zh) 一种分布式高性能数据库一体机系统
CN109213693B (zh) 存储管理方法、存储系统和计算机程序产品
WO2017041570A1 (zh) 向缓存写入数据的方法及装置
US20120278541A1 (en) Memory system with improved command reception
CN106062724B (zh) 管理存储器模块上的数据的方法、存储器模块及存储介质
US20150261461A1 (en) High performance persistent memory
CN105550127A (zh) 一种基于stt-mram的读写缓存分离的ssd控制器
US10754785B2 (en) Checkpointing for DRAM-less SSD
CN103593226A (zh) 一种提高虚拟机磁盘io性能的方法
CN102637147A (zh) 利用固态硬盘作为计算机写缓存的存储系统以及相应的管理调度方法
US20160293241A1 (en) Nonvolatile memory interface for metadata shadowing
CN105468297A (zh) 一种云存储系统内主从设备数据快速同步的方法
CN105005510A (zh) 应用于固态硬盘阻变存储器缓存的纠错保护架构及方法
US11113159B2 (en) Log structure with compressed keys
JP2013200868A5 (zh)
CN103488547A (zh) 一种raid组故障硬盘快速重建的方法
CN103488582A (zh) 写高速缓冲存储器的方法及装置
CN105204778A (zh) 一种增加缓存的存储底层架构
CN102750342B (zh) 一种集群文件系统数据一致性的方法
CN104615565A (zh) 一种传输速率达到12Gb的SAS卡装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20151230

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication