CN105148762A - 均匀气流装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种均匀气流装置，可以提供分散均匀的刻蚀气体。其技术方案为：均匀气流装置包括位于顶部的中心孔、位于中心孔之下的第一筛孔板、以及位于第一筛孔板之下的第二筛孔板，第一筛孔板中的孔径大于第二筛孔板中的孔径。
Description
技术领域
本发明涉及一种气流装置，尤其涉及将气流分散化、均匀化的装置。
背景技术
在半导体晶圆的工艺中，经常需要遇到气流喷射的步骤，如何得到分散化的、均匀化的气流，以强化喷射效果，是目前业界亟待解决的问题之一。
发明内容
以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序。
本发明的目的在于解决上述问题，提供了一种均匀气流装置，可以提供分散均匀的刻蚀气体。
本发明的技术方案为：本发明揭示了一种均匀气流装置，包括位于顶部的中心孔、位于中心孔之下的第一筛孔板、以及位于第一筛孔板之下的第二筛孔板，第一筛孔板中的孔径大于第二筛孔板中的孔径。
根据本发明的均匀气流装置的一实施例，第一筛孔板的筛孔分布密度小于第二筛孔板的筛孔分布密度。
根据本发明的均匀气流装置的一实施例，第一筛孔板中的孔径为1mm至3mm。
根据本发明的均匀气流装置的一实施例，第二筛孔板中的孔径为0.3mm至1mm。
根据本发明的均匀气流装置的一实施例，第一筛孔板的面积小于第二筛孔板的面积。
根据本发明的均匀气流装置的一实施例，均匀气流装置还包括框架，中心孔安装在框架上方，第一筛孔板和第二筛孔板分别安装在框架下方。
根据本发明的均匀气流装置的一实施例，压力刻蚀混合气体从中心孔进入，在第一筛孔板挡住，使气流压力减小并分散，分散的气体经过下方的第二筛孔板后变成均匀刻蚀气体。
本发明对比现有技术有如下的有益效果：本发明使得压力刻蚀混合气体从中心孔进入装置后，经过大孔径的筛孔板和小孔径的筛孔板后变成均匀刻蚀气体，这种均匀气体用于后续的步骤。相较于传统技术，本发明的装置输出的刻蚀气体的分散和均匀效果更显著。
附图说明
图1示出了本发明的均匀气流装置的较佳实施例的外形图。
图2示出了本发明的均匀气流装置的较佳实施例的剖面结构图。
图3示出了第一筛孔板的示意图。
图4示出了第二筛孔板的示意图。
附图标记：
1中心孔
2第一筛孔板
3第二筛孔板
4框架
具体实施方式
在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本发明的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
图1示出了本发明的均匀气流装置的较佳实施例的外形，图2示出了其剖面结构。请同时参见图1和图2，本实施例的均匀气流装置包括：位于顶部的中心孔1、位于中心孔1之下的第一筛孔板2、以及位于第一筛孔板2之下的第二筛孔板3。较佳的，装置还包括框架4，中心孔1安装在框架4的上方，第一筛孔板2和第二筛孔板3分别安装在框架4下方。
图3和图4分别示出了第一筛孔板和第二筛孔板的示意图。第一筛孔板2中的孔径大于第二筛孔板3中的孔径。从筛孔分布密度来看，第一筛孔板2的筛孔分布密度小于第二筛孔板3的筛孔分布密度。从筛孔板的面积来看，第一筛孔板2的面积小于第二筛孔板3的面积。
在本实施例中，第一筛孔板2中的孔径范围为1mm至3mm，第二筛孔板3中的孔径范围为0.3mm至1mm。
在本实施例中，压力刻蚀混合气体从中心孔1进入，在第一筛孔板2挡住，使气流压力减小并分散，分散的气体经过下方的第二筛孔板3后变成均匀刻蚀气体。
提供对本公开的先前描述是为使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对本领域技术人员来说都将是显而易见的，且本文中所定义的普适原理可被应用到其他变体而不会脱离本公开的精神或范围。由此，本公开并非旨在被限定于本文中所描述的示例和设计，而是应被授予与本文中所公开的原理和新颖性特征相一致的最广范围。
Claims (7)
1.一种均匀气流装置，包括位于顶部的中心孔、位于中心孔之下的第一筛孔板、以及位于第一筛孔板之下的第二筛孔板，其特征在于，第一筛孔板中的孔径大于第二筛孔板中的孔径。
2.根据权利要求1所述的均匀气流装置，其特征在于，第一筛孔板的筛孔分布密度小于第二筛孔板的筛孔分布密度。
3.根据权利要求1所述的均匀气流装置，其特征在于，第一筛孔板中的孔径为1mm至3mm。
4.根据权利要求1所述的均匀气流装置，其特征在于，第二筛孔板中的孔径为0.3mm至1mm。
5.根据权利要求1所述的均匀气流装置，其特征在于，第一筛孔板的面积小于第二筛孔板的面积。
6.根据权利要求1所述的均匀气流装置，其特征在于，均匀气流装置还包括框架，中心孔安装在框架上方，第一筛孔板和第二筛孔板分别安装在框架下方。
7.根据权利要求1所述的均匀气流装置，其特征在于，压力刻蚀混合气体从中心孔进入，在第一筛孔板挡住，使气流压力减小并分散，分散的气体经过下方的第二筛孔板后变成均匀刻蚀气体。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410235427.XA CN105148762A (zh) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | 均匀气流装置 |
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| CN201410235427.XA CN105148762A (zh) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | 均匀气流装置 |
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| CN201410235427.XA Pending CN105148762A (zh) | 2014-05-30 | 2014-05-30 | 均匀气流装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN105148762A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112447486A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-03-05 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种双壁多结构石英筒装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4913090A (en) * | 1987-10-02 | 1990-04-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition apparatus having cooling heads adjacent to gas dispersing heads in a single chamber |
| CN202610323U (zh) * | 2011-12-29 | 2012-12-19 | 财团法人工业技术研究院 | 气体喷洒模块 |
| CN103305812A (zh) * | 2013-06-08 | 2013-09-18 | 上海和辉光电有限公司 | 一种上电极装置 |
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2014
- 2014-05-30 CN CN201410235427.XA patent/CN105148762A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4913090A (en) * | 1987-10-02 | 1990-04-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Chemical vapor deposition apparatus having cooling heads adjacent to gas dispersing heads in a single chamber |
| CN202610323U (zh) * | 2011-12-29 | 2012-12-19 | 财团法人工业技术研究院 | 气体喷洒模块 |
| CN103305812A (zh) * | 2013-06-08 | 2013-09-18 | 上海和辉光电有限公司 | 一种上电极装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112447486A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-03-05 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种双壁多结构石英筒装置 |
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