CN105140160A - 衬底处理设备及其操作方法 - Google Patents
衬底处理设备及其操作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105140160A CN105140160A CN201510299956.0A CN201510299956A CN105140160A CN 105140160 A CN105140160 A CN 105140160A CN 201510299956 A CN201510299956 A CN 201510299956A CN 105140160 A CN105140160 A CN 105140160A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- status data
- driver module
- platform
- substrate
- drive motors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000012545 processing Methods 0.000 title abstract description 18
- 238000011017 operating method Methods 0.000 title abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 72
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims abstract description 21
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 48
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000000205 computational method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明提供一种衬底处理设备及其操作方法。所述衬底处理设备包含:平台,衬底安装在所述平台上;驱动模块,其经配置以传送所述平台;以及监控模块,其经配置以监控所述驱动模块的状态以获得状态数据,并且使用所述状态数据确定所述驱动模块是否是异常的,并且所述方法包含:操作驱动模块以传送能够传送衬底的平台;监控所述驱动模块的状态以获得状态数据;对所述状态数据进行转换;以及比较转换过的状态数据与预设参考范围以确定是否出现异常。实时监控所述驱动模块的操作状态,使得用户立刻识别驱动模块中的异常的出现并且执行后续措施,由此改进处理的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及一种衬底处理设备及操作所述设备的方法,且更确切地说,涉及用于改进处理的可靠性的衬底处理设备及操作所述设备的方法。
背景技术
玻璃衬底通常用于平面显示器设备(例如,有机发光二极管显示器)的衬底中。此类玻璃衬底经历清洁处理、激光退火处理、曝光处理和刻蚀处理,以便被制造为平面显示器设备的衬底。
此处,在激光退火处理中,激光照射到玻璃衬底上,使得玻璃衬底的非晶硅薄膜结晶。存在多种类型的激光退火处理和应用到其上设备。举例来说,第2013-0071288号韩国专利申请案早期公开案揭示了激光处理设备及用于控制所述设备的方法,且第0780291号韩国专利揭示了激光退火设备。
在执行处理的同时,具有预定长度和厚度的线型激光束以特定时间的时间间隔被重复照射到玻璃衬底上,因此获得均匀结晶的且高品质的薄膜。此外,玻璃衬底通过平台以特定速度在处理进行方向上进行传送,使得玻璃衬底的处理部分之间的距离在激光束重复照射的同时保持恒定。此处,平台的传送通过提供给平台的电机执行。
在重复执行所述处理时,由于其元件的干扰或机械磨损,电机的操作特征可能发生改变。如果电机的操作特征发生改变,那么即使精确的控制输入信号被输送到电机,电机的输出(例如,旋转量或旋转速度)也可能具有误差。因此,不能够精确地控制电机的输出,造成平台的传送速度的不规律变化。
如上文所述,当在执行处理的同时误差发生在电机或平台中时,玻璃衬底的处理部分之间的距离变得不规律,使得难以在玻璃衬底上形成均匀结晶的且高品质的薄膜。因此,制品的品质降级,这降低了处理的可靠性。
具体而言,典型设备不配备有用于在处理期间监控在电机的输出中是否出现误差的单元,因此用户难以立刻检测电机或平台中的异常。
发明内容
本发明提供用于迅速检测用于传送平台的驱动模块的操作特征的异常的衬底处理设备以及操作所述衬底处理设备的方法。
本发明还提供了用于生成通知信号使得用户识别驱动模块的操作特征的异常的衬底处理设备以及操作所述衬底处理设备的方法。
根据一个示例性实施例,衬底处理设备包含:平台,衬底安装在所述平台上;驱动模块,其经配置以传送所述平台;以及监控模块,其经配置以监控所述驱动模块的状态以获得状态数据,并且使用所述状态数据确定所述驱动模块是否是异常的。
所述驱动模块可以包含驱动电机,所述驱动电机经配置以在处理进行方向上传送所述平台,其中所述监控模块可以获得由所述驱动电机产生的驱动声音的状态数据。
所述监控模块可以包含:传感器单元,其经配置以获得所述驱动电机的驱动声音;计算单元,其连接到所述传感器单元以通过执行傅立叶变换转换驱动声音的状态数据;确定单元,其经配置以从所述计算单元接收转换过的状态数据,并且比较转换过的状态数据与预设参考范围以确定所述驱动模块是否异常;以及通知单元,其经配置以在接收来自所述确定单元的异常状态数据之后生成通知信号。
驱动电机可以包含伺服电机,其中所述传感器单元可以包含电容式麦克风。
所述衬底处理设备可以进一步包含光照射模块,所述光照射模块经配置以将光照射到衬底。
根据另一示例性实施例,操作衬底处理设备的方法包含:操作驱动模块以传送能够传送衬底的平台;监控所述驱动模块的状态以获得状态数据;对所述状态数据进行转换;以及比较转换过的状态数据与预设参考范围以确定是否出现异常。
所述方法可以包含在所述驱动模块的操作之前在所述平台上安装衬底。
所述驱动模块的状态的监控可以包含获得由所述驱动模块的驱动电机产生的驱动声音的状态数据。
状态数据的转换可以包含执行短时傅立叶变换,以转换所获得的状态数据并且从转换过的状态数据计算基本频率。
转换过的状态数据与预设参考范围的比较可以包含:如果基本频率的输出范围落入预设基本频率参考范围内,那么确定驱动模块处于正常状态;并且如果输出范围并不落入所述参考范围内,那么确定驱动模块处于异常状态。
所述方法可以包含在比较转换过的状态数据与预设参考范围之后如果确定驱动模块处于异常状态,那么生成通知信号。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述可以更详细地理解示例性实施例,其中:
图1是图示根据一个实施例的衬底处理设备的框图。
图2是图示根据一个实施例的平台的操作状态的示意图。
图3A是图示其中光照射到照射目标的状态的示意图。
图3B是在驱动模块的正常状态下的照射目标的平面视图。
图3C是在驱动模块的异常状态下的照射目标的平面视图。
图4是图示根据一个实施例的衬底处理方法的流程图。
图5A是图示在具有时间轴和振幅轴的平面上通过传感器单元获得的驱动声音的状态数据的曲线。
图5B是图5A的区域A的放大视图。
图5C是图示从由驱动声音转换来的频率组分中提取的谐波频率的曲线。
图5D是说明计算出的基本频率的曲线。
具体实施方式
在下文中,将参考附图详细描述具体实施例。然而,本发明可以用不同形式实施,并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。实际上,提供这些实施例是为了使得本发明将是透彻并且完整的,且这些实施例将把本发明的范围完整地传达给所属领域的技术人员。在图式中,为了清晰起见可放大尺寸。相似参考标号在全文中指代相似元件。
图1是图示根据一个实施例的衬底处理设备的框图,图2是图示根据一个实施例的操作状态的示意图,图3A是图示其中光照射到照射目标的状态的示意图,图3B是在驱动模块的正常状态下的照射目标的平面视图,并且图3C是在驱动模块的异常状态下的照射目标的平面视图。图4是图示根据一个实施例的衬底处理方法的流程图,图5A是图示在具有时间轴和振幅轴的平面上通过传感器单元获得的驱动声音的状态数据的曲线,图5B是图5A的区域A的放大视图,图5C是图示从由驱动声音转换来的频率组分中提取的谐波频率的曲线,并且图5D是说明计算出的基本频率的曲线。
根据一个实施例的衬底处理设备可将光照射到照射目标S,以处理照射目标。更详细地说,根据一个实施例的衬底处理设备可以是用于将准分子激光照射到玻璃衬底以使安置在衬底上的非晶硅薄膜结晶的激光退火设备。也就是说,照射目标S可以是衬底,并且所述光可以是激光。
参考图1和图2,根据一个实施例的衬底处理设备包含:处理腔室100,其具有用于容纳例如衬底的照射目标S的内部空间;平台200,其安装在处理腔室100中以安装和支撑照射目标S;驱动模块300,其连接到平台200以在处理进行方向上传送平台200;光照射模块400,其安装在处理腔室100外部以将光照射到照射目标S;控制模块500,其用于控制驱动模块300和光照射模块400的操作;以及监控模块600,其用于监控驱动模块300的状态,以在驱动模块300传送平台200时获得状态信息并且用于使用所获得的状态信息确定驱动模块是否异常。
此处,驱动模块300包含驱动电机340,其用于在处理进行方向上运输平台200。当驱动电机340操作时监控模块600可获得从驱动模块300中生成的驱动声音的状态数据,并且可基于驱动声音的状态数据确定驱动模块300是否异常。为此目的,监控模块600可以配备有传感器单元610以用于获得从驱动电机340中生成的驱动声音的状态数据,并且可以配备有通知单元640以用于在驱动电机340异常时使用所获得的状态数据生成通知信号。
因此,根据一个实施例的衬底处理设备可使用监控模块600立刻确定传送平台200的驱动模块300是否是异常的,并且可在异常出现时生成通知信号,使得用户可立刻认识到异常。
在下文中,将参考图1、图2、图3A、图3B与图3C详细地描述衬底处理设备。
处理腔室100可以形成为各种形状以具有用于容纳照射目标S的内部空间,例如,呈具有四边形截面的容器的形状。石英透射窗口110可以安装在处理腔室100的一个侧壁中或上侧壁中,使得光照射到处理腔室100中。虽然在附图中未说明,但是处理腔室100可以配备有:气体供应单元,以用于将处理气体供应到处理腔室100中以便控制处理腔室100的内部氛围;以及异物移除单元,以用于从处理腔室100的内部移除异物。
平台200安装在处理腔室100中,例如衬底的照射目标S安装在平台200上,并且在执行处理时平台200在处理进行方向上传送照射目标S。
用于在处理进行方向上精确传送照射目标S的平台200可以经安置以便面向处理腔室100中的透射窗口110。平台200可以配备有支撑表面,使得照射目标S安装和支撑在其上。照射目标S安装在其上的平台200可接收来自驱动模块300的驱动力,以便在处理进行方向上被传送,因此照射目标S的局部或整个区域暴露于光。
为方便起见,处理进行方向(例如,平台200的传送方向)被定义为x轴方向,与平台200的传送平面上的处理进行方向相交的方向被定义为y轴方向,并且与x轴和y轴方向中的每一个相交的方向被定义为r轴方向。
驱动模块300可以包含:第一驱动轴杆310,其在处理进行方向(即,x轴方向)上延伸并且在y轴方向上彼此间隔开;第二驱动轴杆320,其在y轴方向上延伸并且在x轴方向上彼此间隔开,并且安装在第一驱动轴杆310上以便在x轴方向上移动;第三驱动轴杆330,其安装在第二驱动轴杆320上以便在y轴方向上移动,第三驱动轴330在r轴方向上是可旋转的;以及驱动电机340,其安装在第一驱动轴杆310的一侧上,以便在x轴方向上传送第二驱动轴杆320。此外,虽然在附图中未说明,但是驱动模块300可以包含安装在第二驱动轴杆320的一侧上的y轴驱动电机(未示出)以便在y轴方向上传送第三驱动轴杆330以及安装在第三驱动轴杆330的一侧上的r轴驱动电机(未示出)以便使安装在第三驱动轴杆330上的平台200在r轴方向上旋转。在驱动模块300的元件中,在下文中详细描述了用于在处理进行方向上传送平台200的第一驱动轴杆310以及连接的到其上的驱动电机340。
驱动电机340响应于从控制模块500输出的控制输入信号操作安置在第一驱动轴杆310中的传送部件(未示出),以便以所需速度传送安装在第一驱动轴杆310上的第二驱动轴杆320。此处,传送部件可以选自能够传递从驱动电机340输出的驱动力到第二驱动轴杆320和连接到其上的平台200的机械元件,例如,在旋转轴杆、链、带、齿轮和轨道当中适合于传送驱动力的元件。用于第二驱动轴杆320和第三驱动轴杆330的元件和操作方法可以与用于第一驱动轴杆310的那些相同。因此,在下文中不提供第二驱动轴杆320和第三驱动轴杆330的描述。如上配置的驱动模块300可操作驱动电机340,以在执行将光照射到照射目标S的处理的同时在处理进行方向上传送平台200。然而,驱动模块300不限于上述元件及其连接关系,并且因此可具有满足在x轴方向或y轴方向上传送平台200以及在r轴方向上旋转平台200的要求的各种元件及其连接关系。
光照射模块400可以安装在处理腔室100外部,并且可朝向安置在处理腔室100中的照射目标S照射光(例如,具有线性形状的脉冲类型激光),以便改变安置在照射目标S的处理表面上的薄膜F的特征。光照射模块400可以包含:振荡单元410,其由从控制模块500输出的脉冲信号控制以朝向照射目标S振荡例如激光的光;衰减单元420,其用于调节通过振荡单元410振荡的光的入射角以调节光的强度;光学单元430,其配备有多个透镜和镜面以处理已经通过衰减单元420的光,使得所述光具有所需形状和均匀的能量分布;以及遮板单元440,其安置在已经通过光学单元430并且照射到照射目标S的光的路径中,以便阻断所述光或使所述光通过。光照射模块400可以具有满足在执行处理时的稳定地且重复地照射光的要求的各种元件及其连接关系。由于已知的技术可以应用于用于光照射模块400的配置和操作方法,因此不再提供其详细描述。
控制模块500用于控制衬底处理设备的每个元件,例如,驱动模块300和光照射模块400,因此照射目标S根据预设处理进度得到处理。控制模块500是用于控制处理的主要系统,并且可以配备有中央处理单元(CPU)、存储器、输入/输出装置和软件。控制模块500的元件和处理控制是已知的,并且因此不再详细地描述。
在描述根据一个实施例的监控模块600之前,下文描述驱动模块300的异常状态。图3A是图示其中光照射到照射目标S的状态的示意图,图3B是在驱动模块的正常状态下的照射目标S的平面视图,并且图3C是在驱动模块的异常状态下的照射目标S的平面视图。
如图3A中所说明,具有预定长度和厚度的线型光1垂直地或以预定角度照射到照射目标S。光1以恒定时间的时间间隔重复地照射,并且照射目标S通过平台200在处理进行方向(例如,x轴方向)上以所需速度或恒定速度传送,使得照射目标S的处理部分2之间的距离在光重复地照射到照射目标S时保持为所需距离或恒定距离(参见图3B)。此处,如上文所述,自驱动模块300的驱动电机340接收驱动力以便执行平台200的传送。此处,驱动电机340可以是例如伺服电机,其经配置以响应于从控制模块500输出的控制输入信号遵循所需输出,例如,旋转量、旋转速度或扭矩。驱动电机340的输出可以在正常状态下具有预定误差,其中所述误差被称作驱动电机340的正常状态误差。此处,驱动电机340的正常状态误差与正常状态中的驱动电机340的输出值相比非常小,因此是可忽略的。由于驱动电机340的正常状态误差,预定误差出现在平台200的传送速度和传送距离中。此误差被称作平台200的正常状态误差。由此引起的驱动电机340的正常状态误差和平台200的正常状态误差可以在设置衬底处理设备时测量,并且可以在衬底处理设备的初始设置时使用,因此在执行处理时形成均匀结晶的且高品质的薄膜。
在驱动模块300(更确切地说,驱动电机340)重复执行处理时,如果由于驱动电机340的元件的磨损使驱动电机的操作特征发生改变,那么驱动电机340的输出中的误差增大。此外,如果在处理衬底时所生成的异物粘附到平台200的传送路径,那么平台200的传送速度和传送距离中的误差增大。当驱动电机340的输出误差和平台200的传送误差增大时,平台200不能够得到精确地控制,因此如图3C中所说明照射目标S的处理部分2之间的距离是不规律的。如果在执行处理时照射目标S的处理部分2之间的距离是不规律的,那么产品质量可能降级。因此,根据一个实施例的衬底处理设备配备有监控模块600,以用于实时检测驱动模块300的异常状态。
在下文中更加详细地描述了监控模块600。监控模块600可以包含:传感器单元610,其用于获得驱动电机340的驱动声音;计算单元620,其连接到传感器单元610以通过执行傅立叶变换转换驱动声音的状态数据;确定单元630,其用于接收来自计算单元620的转换过的状态数据以比较经转换的状态数据与预设参考范围以确定是否出现异常;以及通知单元640,其用于在接收来自确定单元630的异常状态数据之后生成通知信号。
传感器单元610可以邻近于驱动电机340安装,以便实时获得驱动电机340的驱动声音,并且可以朝向驱动电机340取向。传感器单元610可以是例如电容式麦克风,以用于容易地获得驱动电机340的驱动声音。此处,在获得驱动声音时电容式麦克风可覆盖宽频带,并且所获得的状态数据可具有平的频率特征。通过传感器单元610获得的驱动声音的状态数据包含驱动声音的强度(或声压)以及其在时域中的改变(或波形)。此数据在图5A和图5B中说明。
也就是说,图5A是图示在具有时间轴和振幅轴的平面上通过传感器单元610获得的驱动声音的状态数据的曲线,并且图5B是图5A的区域A的放大视图。
此处,驱动声音是随着驱动电机340的输出变化的物理量。因此,驱动声音的特征的改变(例如,驱动声音的频率特征的改变)表示驱动电机340的输出的改变。因此,在一个实施例中,在获得驱动电机340的驱动声音以监控驱动电机340的状态之后,使用驱动声音来确定驱动电机340是否异常。
计算单元620连接到传感器单元610,并且接收通过传感器单元610获得的时域状态数据,以将所述时域状态数据转换成频域状态数据。也就是说,计算单元620可执行短时傅立叶变换,以将通过传感器单元610获得的驱动声音的波形转换成频率组分,并且可计算频率组分当中的基本频率。如上文所述,计算单元620将从传感器单元610接收的时域状态数据(例如,驱动声音的波形)转换成频率组分。为此目的,计算单元620可以是例如逻辑电路类型半导体(例如,现场可编程门阵列(field-programmablegatearray,FPGA),其中形成有逻辑电路以执行短时傅立叶变换(shorttimeFouriertransform,STFT)。
为了计算频率组分当中的基本频率,移除对应于噪音的近似1Hz与近似30Hz之间的频率组分。此后,从剩余的频率组分中提取彼此具有周期性的频率组分,即,互相是彼此的倍数且具有类似特征的谐波频率。以此方式,可以计算所提取的谐波频率当中具有最低频率的频率组分,即,基本频率。在图5C中说明此频率。图5C是图示从由驱动声音转换来的频率组分中提取的谐波频率的曲线。所述频率沿曲线的频率轴在向上方向上增大。也就是说,在曲线的最下部区域中示出的频率组分是基本频率,并且基本频率以上的频率组分是谐波频率当中的基本频率的倍数。也就是说,计算单元620执行短时傅立叶变换以将驱动声音转换成频率组分,并且从频率组分中提取谐波频率,并且计算谐波频率当中最低频带的基本频率。在图5D的曲线中说明计算出的基本频率。此处,曲线的实线表示从驱动声音的频率组分计算出的基本频率。
短时傅立叶变换是经创建以防止时间信息的损失的算法,所述时间信息的损失是在执行快速傅立叶变换(FFT)以将具有随时间的推移变化的状态量的时域数据转换成频域数据以便计算状态量的频率特征时出现的。也就是说,短时傅立叶变换是用于将时域的状态量划分成多个时间间隔以针对每个时间间隔执行快速傅立叶变换的算法。因此,借助于短时傅立叶变换,具有时间信息的频率组分可以与随时间的推移变化的状态量分开。由于快速傅立叶变换以及短时傅立叶变换的算法和计算方法是已知的,因此不再提供其详细描述。
确定单元630可接收从计算单元620输出的基本频率,并且可比较基本频率的输出范围W1与基本频率的预设参考范围W0以确定驱动电机340是否是异常的。详细地说,如果输出范围W1落入参考范围W0内,那么确定单元630可确定驱动电机340处于稳定状态。否则的话,例如,如果输出范围W1的至少一部分并不落入参考范围W0内,那么确定单元630可确定驱动电机340处于异常状态。
此处,基本频率的预设参考范围W0可以如下计算。在排除驱动电机340的元件的磨损和由于异物的干扰而驱动电机340在例如衬底处理设备的初始设置状态下正常操作的状态中,平台200根据预设处理进度在处理进行方向上以恒定速度被传送。在平台200以恒定速度被传送的同时,可以获得驱动电机340的驱动声音,并且从驱动声音计算出的一系列基本频率可以设定成是基本频率的参考范围W0。此处,从正常操作的驱动电机340输出的速度值可以参考输出速度值的近似3%增大或减小。举例来说,在正常操作的驱动电机340经控制以遵循近似10m/s的速度值的情况下,驱动电机340的实际输出值可以在近似9.7m/s到近似10.3m/s的范围内,并且此刻从驱动电机340的驱动声音计算出的基本频率的范围可以设定成是基本频率的参考范围W0。
通知单元640接收从确定单元630输出的关于驱动电机340的异常状态信息,以产生通知信号。此处,通知信号可以是视觉信号或听觉信号中的至少一个。为此目的,通知单元640可以配备有(例如)扬声器单元或发光二极管。
将参考图1、图2、图3A、图3B、图3C、图4、图5A、图5B、图5C与图5D描述根据一个实施例的操作衬底处理设备的方法。下文中将不提供或简要地提供与上文中衬底处理设备的描述重叠的描述。
根据一个实施例的操作衬底处理设备的方法包含:操作驱动模块300以传送平台200,所述平台200能够在处理进行方向上传送衬底;监控驱动模块300的状态以获得状态数据;对所获得的状态数据进行转换;以及比较转换过的状态数据与预设参考范围以确定是否出现异常。此处,考虑驱动模块300的状态的监控,可以获得由驱动模块300产生(更确切地说,由驱动电机340产生)的驱动声音的状态数据,所获得的状态数据可以通过在其上执行短时傅立叶变换进行转换,并且可以从转换过的状态数据计算基本频率。此外,考虑转换过的状态数据与预设参考范围的比较,如果基本频率的输出范围W1落入预设基本频率参考范围W0内,那么它可以确定驱动模块300处于正常状态,否则的话,它可以确定驱动模块300处于异常状态。此外,在转换过的状态数据与预设参考范围的比较之后,如果确定驱动模块300处于异常状态,那么可以执行通知信号的生成。
此处,在操作驱动模块300之前,衬底可以安装在平台200上。以此方式,根据一个实施例,可以实时确定在对衬底进行处理时驱动模块300是否异常。理所当然地,无论是否执行处理,即,在执行衬底的处理之前,平台200可以得到传送以确定驱动模块300是否异常。
下文中更详细地描述了操作衬底处理设备的方法。
驱动模块300的驱动电机340经操作使得平台200在处理进行方向上传送(S100)。此处,如上文所述,衬底可以安置在平台200上或可以不安置在平台200上。在其中衬底安置在平台200上的情况下,非晶硅薄膜F可以形成于照射目标S上,并且随后照射目标S可以插入到根据一个实施例的衬底处理设备的处理腔室100中,并且可以安装在平台200上。
此后,监控驱动模块300的状态以在平台200以恒定速度在处理进行方向上传送的同时获得状态数据(S200)。具体来说,获得由驱动模块300的驱动电机340产生的驱动声音。此处,在其中衬底安置在平台200上的情况下,光可以重复地照射到衬底上。具体来说,准分子激光可以照射到衬底的非晶硅薄膜F,使得非晶硅薄膜F结晶。此处,所获得的状态数据可以是时域中的驱动声音的波形。
时域的状态数据转换成频域的状态数据(S300)。具体来说,通过传感器单元610获得的驱动电机340的驱动声音的波形可以通过执行短时傅立叶变换转换成频率组分,并且随后从频率组分中提取谐波频率,并且使用谐波频率计算基本频率。
确定从转换过的状态数据计算出的基本频率的输出范围W1是否落入预设参考范围W0内(S400)。如果输出范围W1落入参考范围W0内,那么确定驱动模块300处于正常状态(S510)。如果输出范围W1的至少一部分并不落入参考范围W0内,那么确定驱动模块300处于异常状态(S520)。如果确定驱动模块300以正常状态操作,那么处理继续(S610)。然而,如果确定驱动模块300以异常状态操作,那么生成通知信号使得用户立刻识别异常状态,并且执行后续的措施,例如,处理终止和设施维护(S620)。
如上文所述,根据一个实施例,实时监控在处理进行方向上传送平台200的驱动模块300的驱动电机340的驱动声音以获得状态数据,并且将从状态数据计算的基本频率的输出范围与参考范围进行比较以检测驱动模块300的操作特征是否发生改变,即,驱动模块300是否是异常的,并且可以生成通知信号使得用户可以立刻识别到异常。响应于驱动模块300的异常状态,用户可以执行后续措施,例如,处理终止和维护,以便防止安置在平台200上的衬底由于驱动模块300的异常而以不规律的速度被传送和处理。因此,可以改进制品的品质和处理的可靠性。
根据一个实施例,监控模块可以实时检测传送平台的驱动模块的异常,并且可以生成通知信号使得用户迅速识别驱动模块的操作特征的异常。
因此,当驱动模块的操作特征出现异常时,用户可以执行后续措施,从而防止平台以不规律的速度被传送。因此,可以改进处理的稳定性和可靠性。
举例来说,在应用于准分子激光退火处理的情况下,可以使用监控模块获得由在处理进行方向上传送平台的驱动电机产生的驱动声音。监控模块可以使用计算单元对所获得的驱动声音执行短时傅立叶变换以将驱动声音的波形转换成频率组分,并且可计算频率组分当中的基本频率。如果计算出的基本频率的输出范围位于预设基本频率参考范围外,那么监控模块可以确定已经出现驱动模块的操作特征的异常。以此方式,监控模块可以使用从驱动模块的驱动声音计算出的基本频率实时检测驱动模块的操作特征的异常。
此外,根据一个实施例,如果出现驱动模块的操作特征的异常,那么可以生成通知信号,因此用户可以识别到异常并且可以迅速执行后续措施。因此,可以防止平台的传送速度不规则地改变,并且可以改进准分子激光退火处理的稳定性和可靠性。
虽然已经参考具体实施例描述了衬底处理设备和操作所述设备的方法,但是它们并不限于此。因此,所属领域的技术人员将容易理解,在不脱离通过所附权利要求书界定的本发明的精神和范围的情况下,可以对其进行各种修改以及改变。
Claims (11)
1.一种衬底处理设备,其包括:
平台,衬底安装在所述平台上;
驱动模块,其经配置以传送所述平台;以及
监控模块,其经配置以监控所述驱动模块的状态以获得状态数据,并且使用所述状态数据确定所述驱动模块是否是异常的。
2.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其中所述驱动模块包括驱动电机,所述驱动电机经配置以在处理进行方向上传送所述平台,其中所述监控模块获得由所述驱动电机产生的驱动声音的状态数据。
3.根据权利要求2所述的衬底处理设备,其中所述监控模块包括:
传感器单元,其经配置以获得所述驱动电机的所述驱动声音;
计算单元,其连接到所述传感器单元以通过执行傅立叶变换转换所述驱动声音的状态数据;
确定单元,其经配置以从所述计算单元接收转换过的状态数据,并且比较所述转换过的状态数据与预设参考范围以确定所述驱动模块是否异常;以及
通知单元,其经配置以在接收来自所述确定单元的异常状态数据之后生成通知信号。
4.根据权利要求2或3所述的衬底处理设备,其中所述驱动电机包括伺服电机,其中所述传感器单元包括电容式麦克风。
5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的衬底处理设备,其进一步包括光照射模块,所述光照射模块经配置以将光照射到所述衬底。
6.一种操作衬底处理设备的方法,包括:
操作驱动模块以传送能够传送衬底的平台;
监控所述驱动模块的状态以获得状态数据;
转换所述状态数据;以及
比较转换过的状态数据与预设参考范围以确定是否出现异常。
7.根据权利要求6所述的操作衬底处理设备的方法,其包括在所述驱动模块的操作之前在所述平台上安装衬底。
8.根据权利要求6所述的操作衬底处理设备的方法,其中所述驱动模块的状态的监控包括获得由所述驱动模块的驱动电机产生的驱动声音的状态数据。
9.根据权利要求6所述的操作衬底处理设备的方法,其中所述状态数据的转换包括执行短时傅立叶变换以转换所获得的状态数据并且从所述转换过的状态数据中计算基本频率。
10.根据权利要求9所述的操作衬底处理设备的方法,其中所述转换过的状态数据与所述预设参考范围的比较包括:如果所述基本频率的输出范围落入预设基本频率参考范围内,那么确定所述驱动模块处于正常状态;并且如果所述输出范围并不落入所述预设基本频率参考范围内,那么确定所述驱动模块处于异常状态。
11.根据权利要求6所述的操作衬底处理设备的方法,其包括如果在比较所述转换过的状态数据与所述预设参考范围之后确定所述驱动模块处于异常状态,那么生成通知信号。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140067466A KR101809654B1 (ko) | 2014-06-03 | 2014-06-03 | 기판 처리 장치 및 그 작동 방법 |
KR10-2014-0067466 | 2014-06-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105140160A true CN105140160A (zh) | 2015-12-09 |
Family
ID=54725461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510299956.0A Pending CN105140160A (zh) | 2014-06-03 | 2015-06-03 | 衬底处理设备及其操作方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101809654B1 (zh) |
CN (1) | CN105140160A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109768002A (zh) * | 2017-11-10 | 2019-05-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于制造或分析半导体晶圆的装置、操作方法及系统 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190079560A (ko) * | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 주성엔지니어링(주) | 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법 |
KR102057081B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2019-12-18 | 한국외국어대학교 연구산학협력단 | 자동화 생산 라인의 작업 오류 검출 장치 및 방법 |
KR102472134B1 (ko) | 2018-03-29 | 2022-11-29 | 삼성전자주식회사 | 심층학습을 기반으로 한 설비 진단 시스템 및 방법 |
KR102179040B1 (ko) | 2018-10-25 | 2020-11-16 | 한국외국어대학교 연구산학협력단 | 딥러닝 기반 표면 실장 부품 조립 장치의 동작 이상 검출 장치 및 방법 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003273430A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-26 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザの駆動方法及びその装置 |
-
2014
- 2014-06-03 KR KR1020140067466A patent/KR101809654B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-06-03 CN CN201510299956.0A patent/CN105140160A/zh active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109768002A (zh) * | 2017-11-10 | 2019-05-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于制造或分析半导体晶圆的装置、操作方法及系统 |
US10872793B2 (en) | 2017-11-10 | 2020-12-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for monitoring operation conditions of semiconductor manufacturing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150139212A (ko) | 2015-12-11 |
KR101809654B1 (ko) | 2017-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105140160A (zh) | 衬底处理设备及其操作方法 | |
JP6996794B2 (ja) | 回転機器の自動故障診断・予後診断システムおよび方法 | |
JP7408653B2 (ja) | 非定常性機械性能の自動分析 | |
US9198272B2 (en) | Target generation device and extreme ultraviolet light generation apparatus | |
US20130304419A1 (en) | Abnormality determination system and abnormality determination method for processing apparatus | |
CN108138750A (zh) | 用于监控风能设备的方法 | |
JP2004526252A (ja) | 物理的特徴を検出する監視システム | |
TWI750164B (zh) | 雷射處理設備與使用其之雷射處理方法 | |
JP2021517694A (ja) | 産業機械用の柔軟でスケーラブルな監視システム | |
TWI741618B (zh) | 晶圓接合系統、晶圓接合監測系統及方法 | |
CN101561636A (zh) | 一种光刻曝光剂量控制装置与方法 | |
KR20050118277A (ko) | 반도체 제조 시스템 | |
US11932991B2 (en) | Systems and methods for monitoring and controlling industrial processes | |
KR102382343B1 (ko) | 반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치와, 그 장치를 갖는 챔버 | |
JP2019139734A (ja) | エッジサーバおよびエッジサーバにおけるai学習モデル生成・運用方法 | |
WO2020196195A1 (ja) | 状態判定装置、状態判定方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
US20220269182A1 (en) | System and method for omnidirectional real time detection of photolithography characteristics | |
CN203787389U (zh) | 一种湿法刻蚀设备 | |
WO2010130401A3 (de) | Regelvorrichtung zur erzeugung eines steuer- und/oder regelsignals für eine stellgrösse eines umformprozesses des messobjekts | |
SE527074C2 (sv) | Icke-förstörande materialprovning | |
CN113699501A (zh) | 蒸镀监控方法及装置、存储介质、电子设备 | |
CN108872950A (zh) | 一种信号模拟器生成自编号脉冲回波的方法 | |
US20240112911A1 (en) | Laser crystallization apparatus and laser crystallization method | |
US12019378B2 (en) | Methods of cleaning a lithography system | |
EP4261633A1 (en) | Method and devices for use in a process industry |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20151209 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |