CN105136304A - 温度校准方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种温度校准方法及系统。其中方法包括以下步骤：建立真实温度和被校准温度的预设对应关系数集，并计算各温度偏移量，温度偏移量为相对应的真实温度与被校准温度的差值；读取温控器的预设温度；根据预设对应关系数集计算预设温度对应的实际温度偏移量；温控器根据实际温度偏移量和预设温度控制机台加热。其可保证工艺温度的准确，实现多个不同预设温度的温度校准，在温度校准过程中，通过计算真实温度和被校准温度的差值，得到实际温度偏移量的方式进行，可实现实时温度校准，在工艺加工过程中，实际温度偏移量保持不变，减少了通讯量。

Description

温度校准方法及系统

技术领域

本发明涉及半导体工艺加工技术领域，特别是涉及一种温度校准方法及系统。

背景技术

CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相淀积)方法是一种利用不同气体在高温下的相互反应来制备外延薄膜层的方法。对于CVD设备来说反应温度都比较高，一般反应温度都在1000℃以上，因此CVD设备中采用感应加热比较多，在感应加热中，一般采用红外测温仪进行温度测温。

传统的温度校准方法需通过特殊的软件修改红外测温仪的发射率进行温度校准，由于红外测温仪的发射率只能设定一个值，因此只能对一个温度点进行温度校准。

发明内容

针对传统技术只能对一个温度点进行温度校准的问题，本发明提供了一种可以对多个不同预设温度进行温度校准的温度校准方法及系统。

为达到技术目的，本发明提供一种温度校准方法，包括以下步骤：

温控器控制机台加热；

读取机台的温度，记作机台的真实温度；

读取温控器的输出温度，记作机台的被校准温度；

所述真实温度至少为一个，所述被校准温度至少为一个；

将所述真实温度和所述被校准温度一一对应记录下来，建立所述真实温度和所述被校准温度的预设对应关系数集，并计算各温度偏移量，所述温度偏移量为相对应的所述真实温度与所述被校准温度的差值；

读取温控器的预设温度；

根据所述预设对应关系数集计算所述预设温度对应的实际温度偏移量；

所述温控器根据所述实际温度偏移量和所述预设温度控制机台加热。

作为一种可实施方式，所述根据所述预设对应关系数集计算所述预设温度对应的实际温度偏移量，包括如下步骤：

若所述预设温度为所述预设对应关系数集中的被记录的一个所述被校准温度，所述预设温度对应的实际温度偏移量为所述真实温度与所述被校准温度的差值。

作为一种可实施方式，所述根据所述预设对应关系数集计算所述预设温度对应的实际温度偏移量，包括如下步骤：

若所述预设温度不是所述预设对应关系数集中的被记录的所述被校准温度，则从预设对应关系数集中读取与所述预设温度邻近的两个所述被校准温度，比所述预设温度大的所述被校准温度记作第一被校准温度，相应的所述真实温度记作第一真实温度，比所述预设温度小的所述被校准温度记作第二被校准温度，相应的所述真实温度记作第二真实温度；

根据公式计算所述预设温度对应的所述实际温度偏移量，所述公式为：

(预设温度+实际温度偏移量-第二真实温度)/(第一真实温度-第二真实温度)＝(预设温度-第二被校准温度)/(第一被校准温度-第二被校准温度)。

作为一种可实施方式，所述温控器根据所述实际温度偏移量和所述预设温度控制所述机台加热，包括如下步骤：

所述温控器根据所述预设温度与所述实际温度偏移量的和控制所述机台加热。

相应的，本发明还提供一种温度校准系统，包括加热模块，第一读取模块，第二读取模块，建立模块，第三读取模块，计算模块和控制模块，其中：

所述加热模块，用于温控器控制机台加热；

所述第一读取模块，用于读取机台的温度，记作机台的真实温度；

所述第二读取模块，用于读取温控器的输出温度，记作机台的被校准温度；

所述真实温度至少为一个，所述被校准温度至少为一个；

所述建立模块，用于将所述真实温度和所述被校准温度一一对应记录下来，建立所述真实温度和所述被校准温度的预设对应关系数集，并计算各温度偏移量，所述温度偏移量为相对应的所述真实温度与所述被校准温度的差值；

所述第三读取模块，用于读取温控器的预设温度；

所述计算模块，用于根据所述预设对应关系数集计算所述预设温度对应的实际温度偏移量；

所述控制模块，用于控制所述温控器根据所述实际温度偏移量和所述预设温度控制机台加热。

作为一种可实施方式，所述计算模块包括第一计算单元，用于当所述预设温度为所述预设对应关系数集中的被记录的一个所述被校准温度时，计算所述真实温度与所述被校准温度的差值，记作所述预设温度对应的所述实际温度偏移量。

作为一种可实施方式，所述计算模块还包括第二计算单元，用于当所述预设温度不是所述预设对应关系数集中的被记录的所述被校准温度时，根据公式计算所述预设温度对应的所述实际温度偏移量，所述公式为：

(预设温度+实际温度偏移量-第二真实温度)/(第一真实温度-第二真实温度)＝(预设温度-第二被校准温度)/(第一被校准温度-第二被校准温度)；

从所述预设对应关系数集中读取与所述预设温度邻近的两个被校准温度，比所述预设温度大的所述被校准温度记作第一被校准温度，相应的所述真实温度记作第一真实温度，比所述预设温度小的所述被校准温度记作第二被校准温度，相应的所述真实温度记作第二真实温度。

作为一种可实施方式，所述控制模块包括控制加热单元，用于所述温控器根据所述预设温度与所述实际温度偏移量的和控制所述机台加热。

作为一种可实施方式，所述第二读取模块为双色红外测温仪。

作为一种可实施方式，所述机台为多个，多个机台采用一个双色红外测试仪，所述双色红外测试仪为可拆卸的。

本发明的有益效果包括：

本发明的温度校准方法及系统，首先建立真实温度和被校准温度的预设对应关系数集，然后根据预设对应关系数集计算出预设温度对应的实际温度偏移量，温控器根据实际温度偏移量和预设温度对机台加热，保证工艺温度的准确，根据预设对应关系数集，温控器控制机台加热到不同的预设温度时，都可保证工艺温度的准确，实现多个不同预设温度的温度校准。在温度校准过程中，不采用修改物体发射率进行温度校准的方式，而是通过计算真实温度和被校准温度的差值，得到实际温度偏移量的方式进行，可实现实时温度校准。

附图说明

图1为本发明的温度校准方法的一实施例的应用时的结构示意图；

图2为本发明的温度校准方法的一实施例的流程图；

图3为本发明的温度校准方法的建立真实温度和被校准温度的预设对应关系的一实施例的流程图；

图4为本发明的温度校准方法的一实施例的温度校准曲线示意图；

图5为本发明的温度校准系统的一实施例的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例对本发明温度校准方法及系统进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相淀积)方法是一种利用不同气体在高温下的相互反应来制备外延薄膜层的方法。对于CVD设备来说反应温度一般都比较高，比如GaN薄膜的生长温度为1200℃，Si单晶体的生长温度为1100℃。

通常，高温加热采用的方法有加热丝加热、灯管加热和感应加热。加热丝加热有容易控制加热温度均匀性的优点，但是其升温和降温的速度比较慢，因此将增加设备升温和降温的时间，效率比较低。灯管加热有升温和降温的速度比较快的优点，但其加热温度均匀性不易控制，一般适用于单片设备系统，另外灯管还存在老化的问题，使用一段时间后需要更换灯管。感应加热升温和降温的速度比较快，且其加热温度均匀性可以通过调整线圈的方式加以控制，因此1000℃以上的CVD设备中采用感应加热的较多，而在感应加热中一般采用红外测温仪进行温度测量。

红外测温仪的温度校准方式与热电偶的不一样，红外测温仪校准的是物体的发射率，同一物体在不同的温度下发射率是不一样的，通常温度高时，发射率也要高一些。通常我们只采用材料的一段度区间，因此发射率在不同温度下的变化一般不予考虑。

目前在硅外延设备中，温度校准方法采用的是一个机台匹配一个辅助红外测温仪进行校准，辅助红外测温仪用于校准温度。在硅外延反应中，1050℃和1100℃这两个温度是需要我们关注的。针对工艺温度1050℃校准时，假设红外测温仪测试温度为1050℃，用于校准温度的辅助红外测温仪显示为1055℃，那么此时需要通过红外测温仪配备的调试装置调整发射率使红外测温仪的温度显示为1055℃，完成红外测温仪的温度校准，温控器根据此时红外测温仪显示的温度调节加热线圈，控制机台加热到准确的工艺温度。在此温度校准过程中，由于红外测温仪调整的发射率只能设定一个值，这决定了采用红外测温仪通过修改发射率的方法进行温度校准只能保证一个温度点的准确，只能针对一个温度点进行温度校准。

实施例一

参见图1、图2所述，本发明实施例提供一种温度校准方法，包括以下步骤：

S100，温控器3控制机台加热。

S200，读取机台的温度，记作机台的真实温度，真实温度至少为一个。

S300，读取温控器3的输出温度，记作机台的被校准温度，被校准温度至少为一个。

S400，将真实温度和被校准温度一一对应记录下来，建立真实温度和被校准温度的预设对应关系数集，并计算各温度偏移量，本步骤中的温度偏移量为相对应的真实温度与被校准温度的差值。

本发明的温度校准方法，首先预先获得被校准温度和真实温度的预设对应关系数集，具体操作步骤是温控器3控制机台加热到不同的温度点，读取机台的真实温度；对应的，读取多个温控器3的输出温度，记作机台的被校准温度，并将多个真实温度和多个被校准温度一一对应记录下来，以表格或者曲线的方式建立真实温度和被校准温度的预设对应关系数集，实际使用时根据预设对应关系数集计算预设温度对应的实际温度偏移量。在温控器3控制机台加热之前，根据工艺需求设定相应的温度点，即设定的温度点应当为工艺温度，保证进行工艺加工时工艺温度点温度校准的精确。建立预设对应关系数集时设置真实温度的初始值与被校准温度的初始值相等，防止用户出错。预设对应关系数集建立后，机台可根据预设对应关系数集对机台的多个预设温度进行温度校准，保证了工艺加工时工艺温度的准确，克服传统技术中只能针对一个预设温度进行温度校准的缺陷。

结合图3所示，详细地说明建立真实温度和被校准温度的预设对应关系数集的实施步骤：

G100，温控器3根据预设温度控制机台加热到温度点一，读取机台的真实温度一，读取温控器3输出的被校准温度一，将真实温度一和被校准温度一对应记录下来，计算真实温度一与被校准温度一的差值，作为温度偏移量一，完成温度点一的温度校准。

G200，温控器3根据预设温度控制机台加热到温度点二，读取机台的真实温度二，读取温控器3输出的被校准温度二，将真实温度二和被校准温度二对应记录下来，计算真实温度二与被校准温度二的差值，作为温度偏移量二，完成温度点二的温度校准。

G300，相应的，温控器3根据预设温度控制机台加热到温度点N，读取机台的真实温度N，读取温控器3输出的被校准温度N，将真实温度N和被校准温度N对应记录下来，计算真实温度N与被校准温度N的差值，作为温度偏移量N，完成温度点N的温度校准。

其中N≥1，当温度点N的温度校准完成后，以表格、函数或曲线的方式建立完成真实温度和被校准温度的预设对应关系数集。

作为一种可实施方式，在建立真实温度和被校准温度的预设对应关系数集，并计算各温度偏移量之后，包括以下步骤：

S500，读取温控器3的预设温度；

S600，根据预设对应关系数集计算预设温度对应的实际温度偏移量；

S700，温控器3根据实际温度偏移量和预设温度控制机台加热。

在建立真实温度和被校准温度的预设对应关系数集之后，拆掉连接在机台上的第一红外测温仪1，该第一红外测温仪1测量温控器3的输出温度，即被校准温度，温控器3控制机台进行工艺加工过程，根据工艺需求对温控器3设定一个预设温度，然后根据该预设对应关系数集计算该预设温度对应的实际温度偏移量，温控器3根据该实际温度偏移量和预设温度控制机台加热，采用上述温度校准方法，温控器3可控制机台加热到准确的工艺温度，保证工艺的良好。其中，第一红外测温仪1与机台是可拆卸连接的，这样该第一红外测温仪1还可以对其他机台进行相应的温度测量，降低了设备成本和设备维护成本。

作为一种可实施方式，根据预设对应关系数集计算预设温度对应的实际温度偏移量包括如下步骤：

若预设温度为预设对应关系数集中的被记录的一个被校准温度，预设温度对应的实际温度偏移量为真实温度与被校准温度的差值。

作为一种可实施方式，根据预设对应关系数集计算预设温度对应的实际温度偏移量还包括如下步骤：

若预设温度不是预设对应关系数集中的被记录的被校准温度，则从预设对应关系数集中读取与预设温度邻近的两个被校准温度，比预设温度大的被校准温度记作第一被校准温度，相应的真实温度记作第一真实温度，比预设温度小的被校准温度记作第二被校准温度，相应的真实温度记作第二真实温度；

根据公式计算预设温度对应的实际温度偏移量，该公式为：

(预设温度+实际温度偏移量-第二真实温度)/(第一真实温度-第二真实温度)＝(预设温度-第二被校准温度)/(第一被校准温度-第二被校准温度)。

从上述实施例中，可以看出，根据预设对应关系数集计算预设温度对应的实际温度偏移量时，包括两种情况：

预设温度与预设对应关系数集中记录的某个被校准温度相等，此时预设温度对应的实际温度偏移量为真实温度与被校准温度的差值。

预设温度与预设对应关系数集中记录的被校准温度都不相等，此时预设温度对应的实际温度偏移量根据公式：(预设温度+实际温度偏移量-第二真实温度)/(第一真实温度-第二真实温度)＝(预设温度-第二被校准温度)/(第一被校准温度-第二被校准温度)计算得到。在根据上述公式计算此时预设温度对应的温度偏移量时，先从预设对应关系中读取与预设温度邻近的两个被校准温度，将比预设温度大的被校准温度记作第一被校准温度，与第一被校准温度相应的真实温度记作第一真实温度，将比预设温度小的被校准温度记作第二被校准温度，与第二被校准温度相应的真实温度记作第二真实温度。

有上述两种情况可计算任意预设温度对应的实际温度偏移量，温控器3根据该预设温度和实际温度偏移量控制机台加热，保证工艺加工时工艺温度的准确。值得说明的是，在温控器3控制机台加热的过程中，实际温度偏移量保持不变，减少了通讯量。

作为一种可实施方式，步骤S700包括如下步骤：

S710，温控器根据预设温度与实际温度偏移量的和控制机台加热。

第二红外测温仪2是机台自带的，其测量机台的真实温度，温控器3根据预设温度和实际温度偏移量计算它们的和，进而根据预设温度与实际温度偏移量的和调节中频感应电源4，控制加热线圈5对机台进行加热，保证机台工艺加工时的工艺温度准确。

作为一种可实施方式，第一红外测温仪1为双色红外测温仪。

双色红外测温仪是红外测温仪的一种，其工作原理是：在选定的两个红外波长和一定的宽带下，它们的辐射能量之比随着温度的变化而变化，利用两组带宽很窄的不同单色滤光片，收集两个相近波段内的辐射能量，将它们转化成电信号后进行比较，最终由此比值确定被测目标的温度。双色红外测温仪可以基本消除目标材料发射率调节的不便，其测温灵敏度较高，与目标的真实温度偏差较小，受测试距离和其间吸收物的影响也较小。由于双色红外测温仪的测量精确度较高，因此采用双色红外测温仪可以更加精确地测量机台的被校准温度，保证温度校准的准确性。

以下结合一具体的实施例对本发明的温度校准方法进行详细的说明：

首先，制作温度校准表格。

表格中包括被校准温度(Temp)栏和真实温度(Real)栏，被校准温度栏中的数据可根据工艺需求进行修改，记录的是第一红外测温仪1测量的温度，真实温度栏中记录的是与被校准温度栏一一对应的第二红外测温仪2测量的温度。

其次，建立预设对应关系数集。

在建立预设对应关系数集之前，设置表格中默认的真实温度与被校准温度相等，可防止用户出错。在该实施例中，根据工艺需求抽样10个温度点，第一红外测温仪1测量的机台的10个被校准温度，相应的，第二红外测温仪2测量机台的10个真实温度，以表格和曲线的方式建立真实温度和被校准温度的预设对应关系，具体的参见表1、图4所示。在被校准温度栏中填写第一红外测温仪1测量的机台的被校准温度，在真实温度栏中填写第二红外测温仪2测量的机台的真实温度，并一一对应。(如：被校准温度栏中填写的是在温度点为950℃时温控器3输出的被校准温度，则对应的真实温度栏中填写的也是在温度点为950℃时，读取的机台的真实温度955℃)。填写完成的温度校准表格如表1所示：

表1

Temp	Real
		800	800
850	850
		900	900
950	955
		1000	1010
1050	1063

1100	1110
		1150	1158
1200	1200
		1250	1250

最后，预设对应关系数集建立后，计算各自的温度偏移量。

以上述表1或图4为例，假设当前需加热到的预设温度为1050℃，为预设对应关系数集中的一个被校准温度，根据表1或图4读取被校准温度为1050℃，对应的真实温度为1063℃，计算预设温度为1050℃时的实际温度偏移量offset＝1063℃-1050℃＝13℃，在温控器3控制机台进行加热过程中，读取温控器3的预设温度，根据预设温度与实际温度偏移量的和调节中频感应电源4，控制加热线圈5对机台加热保证工艺温度的准确。本发明中对多个机台采用一个实际温度偏移量，在整个升温的过程中，实际温度偏移量保持不变，可减少通讯量。

假设温控器3控制机台加热的预设温度为1250℃，通过查表计算此时的真实温度为1250℃，计算预设温度为1250℃的实际温度偏移量为0。由于被校准温度和真实温度是一一对应的关系，因此在第二红外测温仪2达到预设温度1250℃时，机台的真实温度也达到预设温度1250℃，可保证工艺温度的准确。

参见图4所示，假设温控器3控制机台加热的预设温度是1040℃，在表1中没有直接对应的真实温度和被校准温度，则不能根据查表计算实际温度偏移量。由于温度是连续的模拟量，因此可采用一次曲线线性拟合方式快速计算温度偏移量，进行温度校准。当预设温度不是预设对应关系数集中的某个被校准温度时，对温度的精度要求比较低，因此采用一次曲线线性拟合既能快速处理又能避免误差过大。其处理步骤具体如下：

判断预设温度在表格1中位于被校准温度的区间。如1000℃<1040℃<1050℃，则此时的真实温度位于1010℃-1063℃之间。

根据一次线性曲线的特性计算得到该预设温度为1040℃对应的实际温度偏移量(offset)：(预设温度-1000)/(1050-1000)＝(预设温度+offset-1010)/(1063-1010)，已知此时的预设温度为1040℃，计算得到预设温度为1040℃对应的实际温度偏移量offset为12.4℃。在进行工艺加工的过程中，该实际温度偏移量保持不变，可减少通讯量，温控器3根据预设温度与实际温度偏移量的和实时调节中频感应电源4，控制加热线圈5对机台进行加热，保证工艺温度的准确。

通过上述温度校准方法，针对不同的工艺需求，改进了温度校准的方式，保证了工艺温度的准确，使工艺加工时制备的产品更佳。值得说明的是，在上述温度校准过程中，除了采用线性拟合方式外，还可采用其他的拟合方式。

实施例二

基于同一发明构思，本发明还提供了一种温度校准系统，由于此系统解决问题的原理与前述一种温度校准方法相似，因此该系统的实施可以参见前述方法的实施，重复之处不再赘述。

本发明实施例提供的温度校准系统，参见图5所示，包括加热模块100，第一读取模块200，第二读取模块300，建立模块400，第三读取模块500，计算模块600和控制模块700，其中：

加热模块100，用于温控器3控制机台加热；

第一读取模块200，用于读取机台的温度，记作机台的真实温度，真实温度至少为一个；

第二读取模块300，用于读取温控器3的输出温度，记作机台的被校准温度，被校准温度至少为一个；

建立模块400，用于将真实温度和被校准温度一一对应记录下来，建立真实温度和被校准温度的预设对应关系数集，并计算各温度偏移量，本步骤中的温度偏移量为相对应的真实温度与被校准温度的差值；

第三读取模块500，用于读取温控器3的预设温度；

计算模块600，用于根据预设对应关系数集计算预设温度对应的实际温度偏移量；

控制模块700，用于温控器3根据实际温度偏移量和预设温度控制机台加热。

本发明的温度校准系统，机台可根据预设对应关系数集对机台的多个预设温度进行温度校准，保证了工艺加工时工艺温度的准确，克服了传统技术中只能针对一个预设温度进行温度校准的缺陷。

作为一种可实施方式，计算模块600包括第一计算单元610，用于当预设温度为预设对应关系数集中的被记录的一个被校准温度时，计算真实温度与被校准温度的差值，记作预设温度对应的实际温度偏移量。

作为一种可实施方式，计算模块还包括第二计算单元620，用于当预设温度不是预设对应关系数集中被记录的被校准温度时，根据公式计算预设温度对应的实际温度偏移量，该公式为：

(预设温度+温度偏移量-第二真实温度)/(第一真实温度-第二真实温度)＝(预设温度-第二被校准温度)/(第一被校准温度-第二被校准温度)；

从预设对应关系数集中读取与预设温度邻近的两个被校准温度，比预设温度大的被校准温度记作第一被校准温度，相应的真实温度记作第一真实温度，比预设温度小的被校准温度记作第二被校准温度，相应的真实温度记作第二真实温度。

作为一种可实施方式，控制模块700包括控制加热单元710，用于温控器3根据预设温度与实际温度偏移量的和控制机台加热。

作为一种可实施方式，第二读取模块300为双色红外测温仪。

作为一种可实施方式，机台为多个，多个机台采用一个双色红外测温仪，双色红外测温仪为可拆卸的。

采用双色红外测温仪，测温灵敏度较高，可以更加精确地测量机台的被校准温度，保证工艺温度的准确，多个机台采用一个双色红外测温仪，保证各个机台被校准温度的一致，避免了因采用不同的双色红外测温仪带来的误差。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种温度校准方法，其特征在于，包括以下步骤：

温控器控制机台加热；

读取所述机台的温度，记作所述机台的真实温度；

读取所述温控器的输出温度，记作所述机台的被校准温度；

所述真实温度至少为一个，所述被校准温度至少为一个；

将所述真实温度和所述被校准温度一一对应记录下来，建立所述真实温度和所述被校准温度的预设对应关系数集，并计算各温度偏移量，所述温度偏移量为相对应的所述真实温度与所述被校准温度的差值；

读取所述温控器的预设温度；

根据所述预设对应关系数集计算所述预设温度对应的实际温度偏移量；

所述温控器根据所述实际温度偏移量和所述预设温度控制所述机台加热。

2.根据权利要求1所述的温度校准方法，其特征在于，所述根据所述预设对应关系数集计算所述预设温度对应的实际温度偏移量，包括如下步骤：

若所述预设温度为所述预设对应关系数集中的被记录的一个所述被校准温度，所述预设温度对应的实际温度偏移量为所述真实温度与所述被校准温度的差值。

3.根据权利要求1所述的温度校准方法，其特征在于，所述根据所述预设对应关系数集计算所述预设温度对应的实际温度偏移量，包括如下步骤：

若所述预设温度不是所述预设对应关系数集中的被记录的所述被校准温度，则从所述预设对应关系数集中读取与所述预设温度邻近的两个所述被校准温度，比所述预设温度大的所述被校准温度记作第一被校准温度，相应的所述真实温度记作第一真实温度，比所述预设温度小的所述被校准温度记作第二被校准温度，相应的所述真实温度记作第二真实温度；

根据公式计算所述预设温度对应的所述实际温度偏移量，所述公式为：

(预设温度+实际温度偏移量-第二真实温度)/(第一真实温度-第二真实温度)＝(预设温度-第二被校准温度)/(第一被校准温度-第二被校准温度)。

4.根据权利要求2或3所述的温度校准方法，其特征在于，所述温控器根据所述实际温度偏移量和所述预设温度控制所述机台加热，包括如下步骤：

所述温控器根据所述预设温度与所述实际温度偏移量的和控制所述机台加热。

5.一种温度校准系统，其特征在于，包括加热模块，第一读取模块，第二读取模块，建立模块，第三读取模块，计算模块和控制模块，其中：

所述加热模块，用于温控器控制机台加热；

所述第一读取模块，用于读取所述机台的温度，记作所述机台的真实温度；

所述第二读取模块，用于读取所述温控器的输出温度，记作所述机台的被校准温度；

所述真实温度至少为一个，所述被校准温度至少为一个；

所述建立模块，用于将所述真实温度和所述被校准温度一一对应记录下来，建立所述真实温度和所述被校准温度的预设对应关系数集，并计算各温度偏移量，所述温度偏移量为相对应的所述真实温度与所述被校准温度的差值；

所述第三读取模块，用于读取所述温控器的预设温度；

所述计算模块，用于根据所述预设对应关系数集计算所述预设温度对应的实际温度偏移量；

所述控制模块，用于控制所述温控器根据所述实际温度偏移量和所述预设温度控制所述机台加热。

6.根据权利要求5所述的温度校准系统，其特征在于，所述计算模块包括第一计算单元，用于当所述预设温度为所述预设对应关系数集中的被记录的一个所述被校准温度时，计算所述真实温度与所述被校准温度的差值，记作所述预设温度对应的所述实际温度偏移量。

7.根据权利要求5所述的温度校准系统，其特征在于，所述计算模块还包括第二计算单元，用于当所述预设温度不是所述预设对应关系数集中的被记录的所述被校准温度时，根据公式计算所述预设温度对应的所述实际温度偏移量，所述公式为：

(预设温度+实际温度偏移量-第二真实温度)/(第一真实温度-第二真实温度)＝(预设温度-第二被校准温度)/(第一被校准温度-第二被校准温度)；

从所述预设对应关系数集中读取与所述预设温度邻近的两个被校准温度，比所述预设温度大的所述被校准温度记作第一被校准温度，相应的所述真实温度记作第一真实温度，比所述预设温度小的所述被校准温度记作第二被校准温度，相应的所述真实温度记作第二真实温度。

8.根据权利要求6或7所述的温度校准系统，其特征在于，所述控制模块包括控制加热单元，用于所述温控器根据所述预设温度与所述实际温度偏移量的和控制所述机台加热。

9.根据权利要求8所述的温度校准系统，其特征在于，所述第二读取模块为双色红外测温仪。

10.根据权利要求8所述的温度校准系统，其特征在于，所述机台为多个，多个所述机台采用一个双色红外测温仪，所述双色红外测温仪为可拆卸的。