CN105116630A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种显示面板及显示装置,以解决现有技术中手机模组背光不再采用铁框设计,需要提高显示面板的抗静电能力的问题。该显示面板包括相对设置的阵列基板和对向基板,以及设置在非显示区域的封框胶,还包括:设置在阵列基板和/或对向基板的非显示区域,且包含至少一个静电释放结构的周边走线;封框胶在与静电释放结构对应的区域设置有填充材料,填充材料包含被绝缘材料包裹的导电材料;绝缘材料为常温绝缘超过预设温度阈值时融化的材料,导电材料为在超过预设温度阈值时融化的材料。由于在周边走线上增加了容易被击伤的静电释放结构,且在封框胶中添加了常温绝缘高温熔化的填充材料,因而保证显示面板长时间内都具有高抗静电能力。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
静电是一种客观的自然现象,产生的方式有多种,如接触、摩擦等,静电在我们的日常生活中可以说是无处不在,我们的身上和周围就带有很高的静电电压,几千伏甚至几万伏。这些静电也许对人体影响不大,但对于一些静电敏感元件,却直接可以使其失去本身应有的正常性能,甚至完全丧失正常功能,因而,静电防护对于显示面板制造领域也是一个永不过时的问题。
目前,各大手机厂商对显示面板抗静电能力要求越来越高。过去十年间,多数手机模组背光采用铁框设计,可以使显示面板置于铁框的保护下,减少其直接承受静电打击的机会。而随着手机市场的不断竞争,更轻薄的显示面板模组、更窄的边框成为了市场的新需求。因而背光不再采用铁框,而是采用更轻更薄的PVC材料,且不再完整包裹四周边框,这就要求我们进一步提高显示面板本身的抗静电能力。
综上所述,目前现有技术中手机模组背光不再采用铁框设计,需要进一步提高显示面板的抗静电能力。
发明内容
本发明实施例提供的一种显示面板及显示装置,用以解决现有技术中存在的手机模组背光不再采用铁框设计,需要进一步提高显示面板的抗静电能力的问题。
本发明实施例提供的一种显示面板,包括相对设置的阵列基板和对向基板,以及设置在所述阵列基板和对向基板的非显示区域的封框胶,该显示面板,还包括:设置在所述阵列基板和/或所述对向基板的非显示区域,且包含至少一个静电释放结构的周边走线;
其中,所述封框胶在与所述静电释放结构对应的区域设置有填充材料,所述填充材料包含被绝缘材料包裹的导电材料;所述绝缘材料为常温绝缘、超过预设温度阈值时融化的绝缘材料,所述导电材料为在超过预设温度阈值时融化的导电材料;所述预设温度阈值为所述静电释放结构释放静电被击伤时产生的温度值。
本发明中,在周边走线上增加了容易被击伤的静电释放结构,因而在显示面板受到静电电击时,会在周边走线上的静电释放结构处释放静电,并且由于在与静电释放结构对应区域的封框胶中设置有包含导电材料的填充材料,释放静电时产生的高温能够融化导电材料,融化后的导电材料可以填充到周边走线上被静电毁坏的静电释放结构中,使周边走线继续发挥作用,进而保证显示面板在长时间内都具有高抗静电能力。
较佳的,所述静电释放结构由走线组成,所述静电释放结构的走线总宽度不大于所述周边走线除设置有所述静电释放结构之外区域的走线宽度。
实施中,静电释放结构由走线组成,其主要特性是在显示面板受到静电电击时,能够比周边走线上没有设置静电释放结构的区域更容易被电击,且高温融化后的导电材料可以修补静电释放结构,使其变成正常功能的走线,进而保证显示面板在长时间内都具有高抗静电能力。而不增加周边走线的宽度,则不会影响周边区域的紫外线透射率,同时可以使其应用到窄边框的设计中。
较佳的,所述静电释放结构的电阻值大于所述周边走线除设置有所述静电释放结构之外区域的电阻值。
实施中,静电释放结构处的电阻值比周边走线没有设置静电释放结构的走线处的电阻值大,一般静电容易击伤电阻值较大的位置,因而损坏的位置可以被融化的导电材料修补,所以不会影响正常的周边走线的功能。
较佳的,所述静电释放结构具有尖端和/或拐角结构。
实施中,静电释放结构可以是具有尖端或拐角的结构,静电多击伤尖端或拐角的位置,又由于损坏的位置可以被高温融化的导电材料修补,所以不会影响正常的周边走线的功能。
较佳的,所述静电释放结构在单位面积内走线的总长度,大于所述周边走线除设置有所述静电释放结构之外区域在单位面积内走线的总长度。
较佳的,所述静电释放结构中走线的形状为S型和/或Z型。
较佳的,所述周边走线为在所述显示面板工作时传输信号的信号线和/或为设置在非显示区域的静电释放走线。
实施中,具有静电释放结构的走线可以是显示面板工作时具有传输信号功能的信号线;也可以是额外添加的专门用于电击的静电释放走线,此时静电更容易击伤静电释放走线上的静电释放结构,不会影响正常功能的走线,进而能够保证显示面板在长时间内都具有高抗静电能力。
较佳的,还包括:设置在所述封框胶的填充材料和所述静电释放结构之间的至少一层阻挡层,所述阻挡层的材料为在超过预设温度阈值时融化的绝缘材料。
较佳的,一种显示装置,该显示装置包括本发明任一所述的显示面板。
附图说明
图1为本发明实施例提供的静电释放结构和周边走线的相对位置关系的示意图;
图2为本发明实施例提供的一种S型静电释放结构的示意图;
图3为本发明实施例提供的一种Z型静电释放结构的示意图;
图4为本发明实施例提供的一种包含具有静电释放结构的周边走线的阵列基板的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,并不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种显示面板,包括相对设置的阵列基板和对向基板,以及设置在阵列基板和对向基板的非显示区域的封框胶,该显示面板,还包括:设置在阵列基板和/或对向基板的非显示区域,且包含至少一个静电释放结构的周边走线;
其中,封框胶在与静电释放结构对应的区域设置有填充材料,填充材料包含被绝缘材料包裹的导电材料;绝缘材料为常温绝缘、超过预设温度阈值时融化的绝缘材料,导电材料为在超过预设温度阈值时融化的导电材料;预设温度阈值为静电释放结构释放静电被击伤时产生的温度值。
如图1所示,为本发明实施例提供的静电释放结构和周边走线的相对位置关系的示意图。其中,图1只是用于示意两者之间的位置关系,并不是实际形状的结构图,也不代表静电释放结构101是完全与周边走线等宽的结构,其只是与周边走线相连接且更容易被电击的结构。
本发明实施例提供的显示面板,不仅包括现有技术中已有的相对设置的阵列基板和对向基板,以及设置在阵列基板和对向基板的非显示区域的封框胶,还包括图1所示的设置在阵列基板和/或对向基板的非显示区域的周边走线结构,在周边走线102上包含一个静电释放结构101,静电释放结构101与周边走线102相连的一体的结构(即可以在现有的周边走线上刻蚀一段静电释放结构101,或是在两个周边走线102之间连接一个静电释放结构101,组成一根完整的走线)。
实施中,为了更好的配合静电释放结构101的使用,本发明实施例在封框胶中添加了填充材料,较佳的,在静电释放结构101对应的区域的封框胶中要包含填充材料,而填充材料为被绝缘材料包裹的导电材料,其中绝缘材料为常温绝缘、超过预设温度阈值时融化的绝缘材料,导电材料为在超过预设温度阈值时融化的导电材料(如金属或导电物质等)。也就是说,当处于常温条件下时,绝缘材料是绝缘的,而此时被绝缘材料包裹的导电材料也无法导电,当显示面板受到静电电击时,静电可以在周边走线的静电释放结构处释放,在静电释放的温度达到一定的预设温度阈值时(如300℃),接受电击的静电释放结构101被击伤,绝缘材料和导电材料都会融化,进而融化后的导电材料会对被击伤的位置,以及释放静电的静电释放结构101进行修补,从而使被静电击伤的静电释放结构101变成正常功能的走线,使周边电路在下次静电电击时继续发挥作用,从而保证显示面板在长时间内都具有高抗静电能力。
下面对静电释放结构的具体结构和特性进行详细介绍。
较佳的,静电释放结构由走线组成,静电释放结构的走线总宽度不大于周边走线除设置有静电释放结构之外区域的走线宽度。
实施中,静电释放结构也是由走线组成,与周边走线连接,进而组成一根完整的走线,其主要特性是在显示面板受到静电电击时,能够比周边走线上没有设置静电释放结构的区域更容易被电击。而使静电释放结构的走线总宽度不大于周边走线除设置有静电释放结构之外区域的走线宽度,则可以在实施时不增加周边走线的宽度,因而不会影响周边区域的紫外线透射率,同时由于没有增加周边走线的宽度,也可以应用到窄边框的设计中。
实施中,静电释放结构是增加的薄弱点,使静电的能量能在薄弱点释放,因而静电释放结构至少需要满足电阻变大,具有尖端和/或拐角结构两个条件中的一个,下面具体进行介绍。
第一、电阻变大。
较佳的,静电释放结构的电阻值大于周边走线除设置有静电释放结构之外区域的电阻值。
实施中,如图1所示,假设静电释放结构101处的电阻值大于周边走线102上除设置有静电释放结构之外区域的电阻值,当显示面板受到静电电击时,静电的能量如果得不到释放的话,会沿导线传导,而电阻值较大的静电释放结构101位置更容易被静电击伤;为了使电阻值变大,可以有多种实现方式,例如可以使走线变细。
第二、具有尖端和/或拐角结构。
较佳的,静电释放结构具有尖端和/或拐角结构。
实施中,静电释放结构可以是具有尖端或拐角的结构,静电多击伤尖端或拐角的位置,一般静电击伤位置在那里集中,因而损坏的位置可以被融化的导电材料修补,所以不会影响正常的周边走线的功能。
较佳的,静电释放结构在单位面积内走线的总长度,大于周边走线除设置有静电释放结构之外区域在单位面积内走线的总长度。
实施中,如图1所示,静电释放结构101处单位面积内走线的总长度,大于周边走线102上除设置有静电释放结构之外区域在单位面积内走线的总长度;也就是说,周边走线上没有设置静电释放结构处的走线就是普通直的走线,而静电释放结构101处的走线是弯曲的走线。
在生产制造过程中,静电释放结构可以有多种结构,只要其满足电阻变大,具有尖端和/或拐角结构两个条件中的一个即可,而针对具有尖端和/或拐角结构的情况,较佳的,静电释放结构中走线的形状为S型和/或Z型。
实施中,由于在周边走线上增加的S型或Z型结构处功率会突然增大,因而比较容易被静电击伤;其中,当周边走线上包含一个静电释放结构时,该静电释放结构中走线的形状可以是一组S型或一组Z型的结构;而当周边走线上包含多个静电释放结构时,静电释放结构的形状不做限定,可以既包括S型又包括Z型的静电释放结构,也可以是只包括多组S型的静电释放结构,或者是只包括多组Z型的静电释放结构。
如图2所示,为本发明实施例提供的一种S型静电释放结构的示意图;图中的走线是刻出来的两个连续的纵向的S(也可以是横向的S)型形状,使静电释放结构处的走线宽度骤减,使其具有拐角201的结构,同时刻掉的部分能够用于承载融化后的导电材料,其中纵向和横向的S型结构在功能上没有区别,都是为了制造容易被电击的薄弱点。
如图3所示,为本发明实施例提供的一种Z型静电释放结构的示意图;图中的走线是刻出来的多个连续的Z型形状,使静电释放结构具有尖端301的结构,同时刻掉的部分能够用于承载融化后的导电材料。
其中,S型和Z型结构可以通过正常的TFT成膜、曝光、刻蚀工艺做出来的,没有额外增加设备、同时可以在制作其他膜层时制作该静电释放结构,不需要增加制程,节约成本。
实施中,周边走线可以是位于阵列基板和/或对向基板的非显示区域上的走线,为了更加清楚的说明静电释放结构、周边走线和基板之间的位置关系,下面以位于阵列基板非显示区域上的周边走线为例进行说明。
如图4所示,为本发明实施例提供的一种包含具有静电释放结构的周边走线的阵列基板的示意图。图中包括阵列基板401、驱动IC402、周边走线403、静电释放结构404、静电释放结构405和静电释放结构406。其中,静电释放结构404、静电释放结构405和静电释放结构406可以是一组S型的结构。静电的能量如果得不到释放的话,会沿导线传导,或者是向内部跳跃,击伤薄弱点,本发明的目的是增加静电释放结构(即容易被电击的薄弱点),使静电的能量在静电释放结构处释放。
实施中,静电释放结构404、静电释放结构405和静电释放结构406的位置、长度等都没有限制,两两相邻的静电释放结构之间的间距也没有限制,可以根据需要进行设置,例如,显示面板的四个角较容易被静电击伤,故在四个角的位置可以高密度的设置静电释放结构,其他的位置则每隔一定距离布置一个静电释放结构;或者是将静电释放结构布置在显示面板最外围的周边走线上(可以是一根走线或多根走线),位于显示面板最外围的走线最先接受外部静电的打击。
本发明实施例在位于阵列基板401的周边走线上增加了容易被击伤的静电释放结构,因而在显示面板受到静电电击时,静电释放结构会比其它没有设置静电释放结构的周边走线403处更容易被电击,静电可以在周边走线的静电释放结构处释放,从而避免静电击伤其它的位置。假设静电释放结构404被电击,则被击伤后S型结构的拐角处会融融甚至断裂,而高温也会使封框胶中的填充材料融化,因而融化后的导电材料就会填充到被击伤的位置处和/或电释放结构404中。当静电释放结构404被击伤和修补(一次或者多次),就会失去拐角的特性,转变为一根正常的金属走线(即变成非薄弱点),此时,若再次发生静电电击,则与之相邻的(即离打击点最近的)未损坏的静电释放结构405变成了薄弱点,来承受再次发生的静电打击。
本发明实施例中的周边走线可以是普通的信号线,也可以是添加的专门用于电击的走线,下面再进行详细介绍。
较佳的,周边走线为在显示面板工作时传输信号的信号线和/或为设置在非显示区域的静电释放走线。
实施中,具有静电释放结构的走线可以是显示面板工作时具有传输信号功能的信号线,也可以是额外添加的专门用于电击的静电释放走线,此时静电更容易击伤静电释放走线上的静电释放结构,不会影响正常功能的走线,进而能够保证显示面板在长时间内都具有高抗静电能力。
在实际应用时,可以直接用封框胶的填充材料覆盖静电释放结构,也可以是在两者之间设置其他的膜层,下面具体进行介绍。
较佳的,还包括:设置在封框胶的填充材料和静电释放结构之间的至少一层阻挡层,阻挡层的材料为在超过预设温度阈值时融化的绝缘材料。
实施中,封框胶的填充材料必须完全覆盖静电释放结构,可以是直接覆盖,也可以是通过阻挡层覆盖,即在两者之间包含阻挡层,该阻挡层是能够在电击超过预设温度阈值时融化的绝缘材料。因而当显示面板中受到静电电击时,高温可以融化填充材料中的导电材料和融化阻挡层,而融化的导电材料会对被击伤的位置和静电释放结构进行修补。
基于同一构思,本发明实施例中还提供了一种显示装置,该显示装置包括本发明实施例中提供的任一显示面板。由于该显示装置解决问题的原理与本发明实施例一种显示面板相似,因此该显示装置的实施可以参见显示面板的实施,重复之处不再赘述。
综上所述,本发明中在周边走线上增加了容易被击伤的静电释放结构,因而在显示面板受到静电电击时,会在周边走线上的静电释放结构处释放静电,并且由于在与静电释放结构对应区域的封框胶中设置有包含导电材料的填充材料,释放静电时产生的高温能够融化导电材料,融化后的导电材料可以填充到周边走线上被静电毁坏的静电释放结构中,使周边走线继续发挥作用,进而保证显示面板在长时间内都具有高抗静电能力。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种显示面板,包括相对设置的阵列基板和对向基板,以及设置在所述阵列基板和对向基板的非显示区域的封框胶,其特征在于,该显示面板,还包括:设置在所述阵列基板和/或所述对向基板的非显示区域,且包含至少一个静电释放结构的周边走线;
其中,所述封框胶在与所述静电释放结构对应的区域设置有填充材料,所述填充材料包含被绝缘材料包裹的导电材料;所述绝缘材料为常温绝缘、超过预设温度阈值时融化的绝缘材料,所述导电材料为在超过预设温度阈值时融化的导电材料;所述预设温度阈值为所述静电释放结构释放静电被击伤时产生的温度值。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述静电释放结构由走线组成,所述静电释放结构的走线总宽度不大于所述周边走线除设置有所述静电释放结构之外区域的走线宽度。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述静电释放结构的电阻值大于所述周边走线除设置有所述静电释放结构之外区域的电阻值。
4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述静电释放结构具有尖端和/或拐角结构。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述静电释放结构在单位面积内走线的总长度,大于所述周边走线除设置有所述静电释放结构之外区域在单位面积内走线的总长度。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述静电释放结构中走线的形状为S型和/或Z型。
7.如权利要求1~6任一项所述的显示面板,其特征在于,所述周边走线为在所述显示面板工作时传输信号的信号线和/或为设置在非显示区域的静电释放走线。
8.如权利要求1~6任一项所述的显示面板,其特征在于,还包括:设置在所述封框胶的填充材料和所述静电释放结构之间的至少一层阻挡层,所述阻挡层的材料为在超过预设温度阈值时融化的绝缘材料。
9.一种显示装置,其特征在于,该显示装置包括权利要求1~8中任一项所述的显示面板。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105549288A (zh) * | 2016-03-04 | 2016-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN108399020A (zh) * | 2017-02-08 | 2018-08-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控基板和触控装置 |
CN111048528A (zh) * | 2019-12-19 | 2020-04-21 | 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 | 一种修复薄膜晶体管阵列基板静电击伤的结构和方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070279543A1 (en) * | 2006-06-05 | 2007-12-06 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display and fabricating method thereof |
CN101661198A (zh) * | 2008-08-26 | 2010-03-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示器阵列基板及其制造方法 |
JP2010276909A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
CN103034008A (zh) * | 2012-12-17 | 2013-04-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶面板的防静电结构及其制造方法、连接线的修复方法 |
CN104391389A (zh) * | 2014-12-01 | 2015-03-04 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种基板及显示面板、显示装置 |
-
2015
- 2015-09-23 CN CN201510613281.2A patent/CN105116630B/zh active Active
-
2016
- 2016-06-16 US US15/184,540 patent/US9786655B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070279543A1 (en) * | 2006-06-05 | 2007-12-06 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display and fabricating method thereof |
CN101661198A (zh) * | 2008-08-26 | 2010-03-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示器阵列基板及其制造方法 |
JP2010276909A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
CN103034008A (zh) * | 2012-12-17 | 2013-04-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶面板的防静电结构及其制造方法、连接线的修复方法 |
CN104391389A (zh) * | 2014-12-01 | 2015-03-04 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种基板及显示面板、显示装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105549288A (zh) * | 2016-03-04 | 2016-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN105549288B (zh) * | 2016-03-04 | 2021-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN108399020A (zh) * | 2017-02-08 | 2018-08-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控基板和触控装置 |
US10895938B2 (en) | 2017-02-08 | 2021-01-19 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Touch substrate, touch panel and method of fabricating a touch panel |
CN111048528A (zh) * | 2019-12-19 | 2020-04-21 | 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 | 一种修复薄膜晶体管阵列基板静电击伤的结构和方法 |
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