CN105103093B - 氧化铟锡图案化装置及图案化方法 - Google Patents
氧化铟锡图案化装置及图案化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105103093B CN105103093B CN201480003182.6A CN201480003182A CN105103093B CN 105103093 B CN105103093 B CN 105103093B CN 201480003182 A CN201480003182 A CN 201480003182A CN 105103093 B CN105103093 B CN 105103093B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tin
- noncrystalline
- ito
- pattern
- indium oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 24
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 claims description 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 89
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 24
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 22
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 16
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 3
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 241000931526 Acer campestre Species 0.000 description 2
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 2
- FOXXZZGDIAQPQI-XKNYDFJKSA-N Asp-Pro-Ser-Ser Chemical compound OC(=O)C[C@H](N)C(=O)N1CCC[C@H]1C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@@H](CO)C(O)=O FOXXZZGDIAQPQI-XKNYDFJKSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminium flouride Chemical compound F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);trifluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[Ce+3] QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000869 ion-assisted deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- NIFHFRBCEUSGEE-UHFFFAOYSA-N oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O.OC(=O)C(O)=O NIFHFRBCEUSGEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
本发明公开一种ITO图案化装置及图案化方法。根据本发明一个方面的ITO图案化方法包括：在薄膜或玻璃上形成非晶质氧化铟锡层的步骤；利用直线束形态的激光束及形成有准备形成的氧化铟锡图案的掩膜对非晶质氧化铟锡层进行部分退火，使准备形成氧化铟锡图案的部分成为多晶氧化铟锡的步骤；以及通过化学蚀刻去除非晶质氧化铟锡层中未被退火的非晶质氧化铟锡并保留多晶氧化铟锡，以形成氧化铟锡图案的步骤，其中，激光束的波长范围为大于0且小于等于250nm，能量密度范围为大于等于60mJ/cm2且小于等于100mJ/cm2。本发明能够降低工序时间及费用，防止激光束的重叠造成下部层破坏。
Description
技术领域
本发明涉及一种氧化铟锡图案化装置及图案化方法。
背景技术
现在已经普及的智能手机或平板电脑都具有触摸屏。触摸屏是用户查看到相应设备的显示部显示的信息并用手或笔触摸附着在显示部上的触摸屏的触摸有效区域以进行选择时，在显示部显示所需信息的装置。随着现在智能手机或平板电脑的使用量上升，触摸屏使用量也在相应上升。
触摸屏根据其结构分为电容式和电阻膜式。其中，电容式具有透过率及耐久性强、可多点触摸(multi-touch)等优点。
电容式的触摸屏具有与各轴的坐标对应的氧化铟锡(Indium Tin Oxide；ITO)薄膜层，各ITO薄膜通过光学胶(OCA)粘贴。并且，ITO薄膜的ITO导电膜上形成有透明电极，当接触ITO薄膜时相应的电信号通过线路传输，执行所需功能。因此为确保能够执行这种功能，需要在ITO导电膜上形成将所需部分绝缘以形成外围电路与线路的ITO图案(pattern)。
现在主要通过化学蚀刻法在ITO薄膜上形成图案。图1是在ITO薄膜上形成图案的现有方法的流程图。
参照图1，采用化学蚀刻的现有ITO图案化方法需经过形成非晶质(amorphous)ITO层(layer)、涂布光致抗蚀剂(photo resist)、软烘(soft baking)、曝光(exposure)、显影(developing)、硬烘(hard baking)、蚀刻液蚀刻、去除光致抗蚀剂及烘箱中退火(annealing)等工序。
上述通过化学方法对ITO层图案化的现有方法工序复杂、需要大量时间，并且还得配备昂贵的曝光及显影设备，因此设置费用高，图案周边受到蚀刻液的影响。
为了解决上述化学蚀刻的问题，现在采用利用激光对ITO层进行退火的方法。
电阻膜式由于只需分离(isolation)外廓ITO图案即可形成回路，因此通常通过蚀刻液蚀刻制作或通过用价格低廉的1064nm激光对外廓图案部进行激光蚀刻的方法制作。但是，电容产品需要形成内部电路的图案，此部分容易用肉眼观测，因此当通过激光方法对内部图案图案化时，具有人眼容易识别的特性。尤其，在辨识度成为制作触摸传感器的重要问题的情况下，激光引起的辨识度问题与微图案形成问题使得电容产品在激光适用上还面临着很多问题。
为解决辨识度问题，在ITO薄膜及玻璃上端涂布或沉积折射率匹配层(IndexMatching Layer)解决辨识度问题。用沉积物质沉积Nb2O5与SiO2层至数纳米～数十纳米厚度(交替沉积低指数(Low index)与高指数(High index))使得反射率接近ITO薄膜及玻璃的反射率，通过光学调整使得看不到图案化的ITO。
并且，一般的激光图案化是利用光斑(Spot)激光进行图案化，多次重叠(overlap)数十微米的激光光斑进行图案化。此时，为解决辨识度问题而沉积的折射率匹配层被破坏，发生辨识度不良问题。
尤其，二极管泵浦固态(Diode Pumped Solid State；DPSS)激光每脉冲的能量高达数μJ～数十μJ，因此还会破坏下部折射率匹配层及薄膜层。
为解决这种问题而利用热影响低于普通纳米脉冲激光的皮秒脉冲(Pico Pulse)激光的情况下，累积的热影响仍会造成下部折射率匹配层破坏。
美国授权专利US6,448,158的技术方案是在玻璃上端沉积非晶质ITO后利用激态原子(excimer)激光进行图案形态的结晶化，以形成多晶ITO。由于非晶质ITO与多晶ITO对应的蚀刻液不同，因此利用可蚀刻非晶质ITO的蚀刻液蚀刻非晶质ITO的话只能形成多晶ITO图案。但用于形成这种图案的激光结晶化设备为了形成现在使用的5英寸以上图案，应考虑光掩膜(photo mask)的破坏阈值(damage threshold)，形成n:1的投影光学系统。248nm激态原子激光下普通光掩膜的破坏阈值为50mJ/cm2，而非晶质ITO的激光结晶化能量为60～100mJ/cm2，因此为了防止破坏光掩膜，必须采用n:1投影(projection)方式。或者不使用光掩膜，改为使用陶瓷掩膜(ceramic mask)或金属掩膜(metal mask)，但是这种掩膜难以制作成可以制作造10μm级图案的掩膜，大面积化方面也存在很多问题，因此无法实际应用。
若以3:1制作光掩膜，则以5英寸为基准的情况下应将一个边的长度制成381mm，并且需要制作成逐次重复曝光(step and repeat)形态，因此发生曝光(shot)之间重叠部分出现线迹(stitch)的问题及生产性下降的问题。
发明内容
技术问题
为解决上述问题，本发明提供一种能够降低工序时间及费用的ITO图案化装置及图案化方法。
并且，本发明提供一种能够解决由于激光束重叠而发生的问题的ITO图案化装置及图案化方法。
参见以下实施例还可明确理解本发明的其他目的。
技术方案
根据本发明一个方面的氧化铟锡图案化方法包括：在薄膜或玻璃上形成非晶质氧化铟锡层的步骤；利用直线束形态的激光束及形成有准备形成的氧化铟锡图案的掩膜对非晶质氧化铟锡层进行部分退火，使准备形成氧化铟锡图案的部分成为多晶氧化铟锡的步骤；以及通过化学蚀刻去除非晶质氧化铟锡层中未被退火的非晶质氧化铟锡并保留多晶氧化铟锡，以形成氧化铟锡图案的步骤，其中，激光束的波长范围为大于0且小于等于250nm，能量密度范围为大于等于60mJ/cm2且小于等于100mJ/cm2。
本发明的氧化铟锡图案化方法可包括多种实施例。例如，可对非晶质氧化铟锡层重复退火两次以上。
非晶质氧化铟锡通过沉积形成，沉积可在水(H2O)含量大于0SCCM且小于6SCCM的条件下进行。并且，可以在氧气(O2)含量大于0.9SCCM且小于等于1.7SCCM的条件下进行。
掩膜上可形成有与氧化铟锡图案的大小之比为1:1的图案。
根据本发明一个方面的氧化铟锡图案化装置包括：氧化铟锡层形成部，其在薄膜或玻璃上形成非晶质氧化铟锡层；激光退火部，其利用掩膜向非晶质氧化铟锡层照射直线束形态的激光束，对准备形成氧化铟锡图案的部分进行退火形成多晶氧化铟锡；以及蚀刻部，其去除所述非晶质氧化铟锡层中未被退火的非晶质氧化铟锡并保留多晶氧化铟锡以形成氧化铟锡图案，其中，激光束的波长范围为大于0且小于等于250nm，能量密度范围为大于等于60mJ/cm2且小于等于100mJ/cm2。
本发明的氧化铟锡图案化装置可包括多种实施例。例如，氧化铟锡层形成部通过沉积形成非晶质氧化铟锡层，沉积可在水(H2O)含量大于0SCCM且小于6SCCM的条件下进行。
沉积可以在氧气(O2)含量大于0.9SCCM且小于等于1.7SCCM的条件下进行。
掩膜上可形成有与准备形成的氧化铟锡图案的大小之比为1:1的图案。
技术效果
本发明能够提供可降低工序时间及费用的ITO图案化装置及图案化方法。
并且，本发明能够提供能够防止激光束的重叠造成下部层破坏的ITO图案化装置及图案化方法。
并且，本发明提供能够防止破坏滤色片(color filter)或保护层(overcoat)等下部层的ITO图案化装置及图案化方法。
并且，本发明提供能够降低ITO图案的电阻且能够提高透过率的ITO图案化装置及图案化方法。
附图说明
图1为通过化学蚀刻形成ITO图案的现有方法的流程图；
图2为根据本发明一个实施例的ITO图案化方法的流程图；
图3为示出激光退火部的示意图；
图4为示出用于激光退火的掩膜的示意图；
图5为示出根据本发明一个实施例的ITO图案化装置的框图；
图6为示出伊戈尔XG玻璃的对应于激光波长的透过率的曲线图；
图7为示出对最适于激光退火的ITO试料及一般常温下沉积的ITO试料进行二次离子质谱分析的曲线图，横轴表示深度(depth，nm)，纵轴表示密度(intens(c/s))。
具体实施方式
本发明可做多种变更，具有多种形态，以下在附图中显示特定实施例并在说明书中进行详细说明。但是，其仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对上述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。在说明本发明时，若判断认为对相关公知的结构或功能的具体说明有可能混淆本发明的内容时，省略有关详细说明。
本说明书中使用的术语只是用于说明特定实施例，并非要限定本发明。若本说明书的句子中未特别言及，单数型也包括复数型。说明书中使用的“包括”或“具有”等用语用于说明存在所记载的特征、数字、步骤、工作、构成要素、构件或其组合，而并非预先排除一个或一个以上的其他特征、数字、步骤、工作、构成要素、构件或其组合的存在或附加可能性。
第一、第二等术语可用于说明多种构成要素，但所述构成要素不得限定于所述术语。所述术语仅用于区分一个构成要素与其他构成要素。
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。以下实施例仅用于帮助理解本发明，本发明的范围并不限定于以下实施例。并且，以下实施例的目的在于向本领域的普通技术人员更为全面地说明本发明，若判断认为对相关公知的结构或功能的具体说明有可能混淆本发明的内容时，省略对其详细说明。
图2为根据本发明一个实施例的ITO图案化方法的流程图。并且，图3为示出对非晶质ITO层160部分退火的激光退火部100的示意图，图4为示出用于图3所示激光退火部100的形成有图案的掩膜140的示意图，图5为示出根据本发明一个实施例的ITO图案化装置200的框图。
参照图2至图5，根据本发明一个实施例的ITO图案化方法包括：形成非晶质ITO(a-ITO)层160的步骤、利用直线束(line beam)形态的激光束及掩膜(mask)对非晶质ITO层160进行部分退火的步骤以及利用蚀刻液去除未被退火的非晶质ITO并保留多晶ITO，以形成ITO图案的步骤。
并且，根据本发明一个实施例的ITO图案化装置200包括：在薄膜或玻璃上形成非晶质ITO层160的ITO层形成部210、利用直线束形态的激光束及掩膜140照射非晶质ITO层160，对准备形成ITO图案的部分进行退火以形成多晶ITO162的激光退火部100，以及去除非晶质ITO164并保留多晶ITO162以形成ITO图案的蚀刻部220。
根据本实施例的ITO图案化装置及方法不进行现有化学蚀刻方法，即涂布光致抗蚀剂、曝光及显影等复杂工序，只进行通过激光束退火的步骤及通过蚀刻液去除非晶质ITO的步骤，因此工序简单、无需具备昂贵的曝光及显影等设备，因此能够降低费用。
并且，根据本实施例的ITO图案化方法不采用激光扫描仪及光斑(spot)形状的激光束，而是利用直线束以1:1方式进行激光直接退火(laser direct annealing)，因此工序速度快于现有激光退火方式，并且能够解决激光束重叠引起的问题。
ITO层形成部210在聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate；PET)等薄膜(film)或玻璃(glass)上沉积非晶质ITO(Indium Tin Oxide)形成非晶质ITO层160。非晶质ITO相比于多晶ITO，能够在低温(例如，约25℃)沉积。
形成非晶质ITO层160的方法可以是喷雾(spray)、化学沉积(chemicalevaporation)、浸渍(dipping)等化学方法或真空蒸镀(vacuum evaporation)及溅射(sputtering)等物理方法。通常，溅射方法能够形成电阻更低且厚度均匀的ITO层。
可以使非晶质ITO层160形成得适于随后进行的基于激光的结晶化。关于溅射(sputtering)方法，其根据相当于有关电阻的参数(parameter)的沉积氛围尤其是水(H2O)及氧气(O2)含量，改变沉积的非晶质ITO在激光下的结晶化程度及透过率。因此可在沉积非晶质ITO层160的过程中控制水及氧气的含量，以改变非晶质ITO在激光下的结晶化程度及透过率，使得随后在激光下更易于结晶化，提高结晶化后的透过率。
根据通过化学蚀刻对非晶质ITO结晶化的现有工序，在沉积非晶质ITO层的过程中使用水，以防止沉积时产生的热导致纯非晶质ITO中部分形成多晶ITO，确保能够均匀蚀刻。但是利用激光结晶化ITO的情况下，水的含量增加的话不利于结晶化。因此，根据本实施例的形成非晶质ITO层的方法及ITO层形成部210的特征在于利用的水含量明显低于一般沉积设备所采用的条件。
参照下表1，在水含量为6SCCM的比较例的情况下，沉积ITO后的透过率(transmittance)为83.62％，激光结晶化后的透过率为88.14％，上升了4.52％。另外，水含量大于0且小于6SCCM的实验例1的情况下，沉积ITO后的透过率为84.6％，激光结晶化后的透过率为89.3％，上升了4.7％。相反，水含量为大于等于6SCCM且小于10SCCM的实验例2的情况下，溅射ITO后的透过率为84.5％，激光结晶化后的透过率为83.7％，降低了0.8％。
并且如图7所示，最适于激光退火的ITO试料(左侧)与一般沉积试料(右侧)的情况下，沉积时的水含量影响激光退火后残留于试料的H含量，从而对根据结晶化程度实现低电阻方面和透过率方面带来很大影响。一般常温ITO沉积试料的情况下(图7中右侧)，由于退火后试料中H含量相对高，因此透过率低且电阻高。
【表1】
因此，沉积根据本实施例的非晶质ITO层的过程中，通过使水含量维持在6SCCM以下，能够更利于ITO层的结晶化、提高透过率。
另外，沉积非晶质ITO时降低对腔体(chamber)的氧气供应量的情况下，沉积的非晶质ITO层160的透过率下降，通过激光结晶化以后仍达不到基准值。因此，在根据本实施例的沉积非晶质ITO的过程中，沉积时可将腔体内部的氧气量提高到一般沉积工序以上，这种情况下，激光结晶化后的ITO透过率高于基准值，可确保90％以上的透过率。
参照下表2，在氧气含量为0.9SCCM的比较例的情况下，溅射ITO后的透过率为83.62％，激光结晶化后的透过率为88.14％，上升了4.52％。相比与此，氧气含量为大于1.0且小于1.5SCCM低于比较例的实验例1的情况下，溅射ITO后的透过率为68.1％，激光结晶化后的透过率为76.2％，上升了8.1％。并且，氧气含量大于1.5且小于等于3.0SCCM的实验例2的情况下，溅射ITO后的透过率为86.3％，激光结晶化后的透过率为91.4％，上升了5.1％。
【表2】
因此根据本实施例的沉积非晶质ITO层的过程中，通过使氧气含量维持在大于1.5且小于等于3.0SCCM，能够提高激光结晶化后ITO层的透过率。
图3所示激光退火部100利用激光对非晶质ITO层160中准备形成ITO图案的部分进行退火。被激光退火部100退火的非晶质ITO形成多晶ITO，在随后的工序中不被蚀刻液蚀刻而是保留，形成ITO图案。并且未被激光退火部100退火的非晶质ITO随后被蚀刻液蚀刻去除。
如上所述，激光退火部100的作用是预先对准备形成ITO图案的部分进行退火形成多晶ITO。因此，通过激光退火部100对准备形成ITO图案的部分退火，能够利用蚀刻液(在此所使用的蚀刻液能够蚀刻非晶质ITO，但无法蚀刻多晶ITO。多晶ITO由于蚀刻率(etchingrate)不同，因此只有微量的一部分被蚀刻)轻松蚀刻未被退火的部分即ITO图案之外的部分。
激光退火部100包括激光光源110、衰减器120、光束对准单元(望远镜)、光束均质器及成型单元(beam homogenizing and shaping unit)130、以1:1形成有ITO图案的掩膜140及投影透镜150。
图3所示激光退火部100的特征在于不利用点波束(spot beam)，而是利用直线束(line beam)以1:1尺寸直接退火。即，形成于掩膜140的图案(未示出)的大小与准备在非晶质ITO层160上形成的ITO图案的大小相同。如上所述，通过形成有与准备形成的ITO图案的尺寸比为1:1的图案的掩膜140及直线束，根据本实施例的激光退火部100使直线束扫描一次掩膜140即可进行大面积退火，因此相比于利用点波束的现有情况，能够大幅降低工序时间，并且够解决激光束重叠引起的问题。
激光光源110可采用波长为诸如355nm、532nm或1064nm的二极管泵浦固态(DiodePumped Solid State；DPSS)激光或波长为诸如157nm、193nm、248nm，308nm等激态原子(excimer)激光。其中，激态原子激光在ITO层具有90％以上的光束吸收率，因此可选择性地只对上部的ITO层退火，几乎不破坏其下部层(例如，折射率匹配层(index matchinglayer)、滤色片及保护层等)。
激态原子激光中波长为308nm的激光由于透过率高，因此激光的能量能够到达相当于下部层的滤色片(color filter)、保护层(overcoat)及折射率匹配层等，对其造成破坏。因此，在利用康宁(Corning)公司的伊戈尔(Eagle)XG玻璃或碱石灰(Sodalime)玻璃等的情况下，可使用波长为248nm(KrF)或193nm(ArF)的激光，以防止激光被下部层吸收。
图6为示出使用伊戈尔(Eagle)XG玻璃的情况下对应于激光波长(x轴)的透过率(y轴)的曲线图。
参照图6，对于一般最常用于薄膜场效应晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display；TFT LCD)的伊戈尔(Eagle)XG玻璃，当波长为308nm以上时发生70％以上的透过率，能够破坏下部的滤色片及保护层等。但波长为250nm时透过率小于5％，因此能够防止破坏下部层。因此，根据本实施例的激光退火部100可采用波长为250nm以下的激态原子激光。
采用波长为250nm以下，例如波长为248nm的激态原子激光的情况下，激光的能量密度(energy density)与非晶质ITO层160的结晶化程度如下表3所示。
【表3】
利用248nm波长的激光的情况下能量密度与多晶ITO层的结晶化程度
| 能量密度(mJ/cm2) | 多晶ITO面电阻(Ω/cm2) | 边缘锐度(μm) |
| 50 | 55.4 | ±1.9μm |
| 60 | 28.2 | ±1.27μm |
| 65 | 23.8 | ±0.96μm |
| 70 | 18.1 | ±0.78μm |
| 75 | 17.9 | ±0.67μm |
| 80 | 18.1 | ±0.59μm |
| 85 | 20.5 | ±0.57μm |
| 90 | 22.3 | ±0.52μm |
| 95 | 25.9 | ±0.48μm |
| 100 | 28.6 | ±0.47μm |
| 105 | 350 | ±0.39μm |
由上述表3可知，激光能量密度大于100mJ/cm2的情况下，由于非晶质ITO层的结晶化程度严重，因此会发生微裂纹(micro crack)，此时多晶ITO的电阻增大。另外，激光能量密度小于60mJ/cm2的情况下，由于结晶化程度低，因此ITO结晶化程度微弱，具有生产性低下的问题。因此根据本实施例的激光退火部100及退火步骤可采用波长为248nm、能量密度为大于等于60mJ/cm2且小于等于100mJ/cm2的激态原子激光。
并且，当用波长为248nm的激光对非晶质ITO层160结晶化时，重要的参数有实现低电阻、提高透过率、形成微细线距/线宽(resolution)、形成线时的锐度(sharpness)、湿法蚀刻(wet etching)多晶ITO与非晶质ITO的情况下的选择率(selectivity)、湿法蚀刻时的锥度(taper)、生产速度、激光束的均匀性、激光束重叠(overlap)区域的图案实现性、ITO靶物的构成比等。其中边缘锐度(edge sharpness)是表示透过掩膜140的激光束照射到非晶质ITO层160进行结晶化并经过湿法蚀刻后形成的ITO图案的边缘(edge)部分的直线性的要素。当上述边缘锐度大的情况下判断为不良，但当激光能量密度大至100mJ/cm2的情况下如上述表3所示，边缘锐度有所改进。例如波长为245nm、能量密度为60mJ/cm2的条件下重复退火十二次的情况下边缘锐度为±1.27μm，而在相同波长下能量密度为100mJ/cm2的条件下重复退火八次的情况下边缘锐度为±0.47μm。作为参考，边缘锐度为±1μm以上的情况下不适合作为显示元件。
衰减器(attenuator)120将激光光源110输出的激光束的能量调整成所需值。衰减器120将激光束的能量调节到激光输出能量的10～90％之间。
光束均质器及成型单元130提高激光束的均匀度，使得具有直线束形状。光束均质器将能量分布从高斯(Gaussian)形态转换为平顶(flat top)形态。并且，成型单元将光斑形状的激光束转换成直线束形状。
直线束是长度大于宽度的激光束。直线束例如可以是长度为60mm、宽度为1mm。直线束在掩膜140的上部扫描(scanning)移动，对非晶质ITO层160进行退火。根据本实施例的激光退火部100利用直线束，因此能够迅速对大面积的ITO层进行退火，最小化或去除激光束重叠的重叠(overlap)区间，防止破坏非晶质ITO层160的下部层。
对于形成一般TFT玻璃图案的扫描仪(scanner)曝光设备，曝光用掩膜与基板图案之间的光学系统为1:1结构，但由于此时使用的能量密度在30mJ/cm2以下，因此可采用普通的光掩膜。
为解决使用光掩膜的情况下的问题，可将能够1:1图案化的介电层(dielectriclayer)结构的掩膜作为在KrF激光退火所需的100mJ/cm2下不遭破坏的掩膜。尤其，通过使用这种掩膜且将激光束转换成直线束形态，能够形成高生产性的图案。在直线束最大达到100mm x1mm的情况下，能够在12秒内将10英寸的面板激光结晶化，完成图案化。
这种方法能够解决专利US6,448,158提出的激光结晶化方案未能解决的部分即高生产性多晶ITO的形成方法。
并且，可通过这种方法生产的触摸面板不仅可以适用于片基(film base)的GFF、GF1、GF2产品，还能够适用于G2、G1、GG2、On Cell产品等。尤其，还可以适用于由于工序特性而不能在沉积ITO时加热形成多晶ITO的产品。以下参照图4说明的掩膜140便是这种介电层结构的掩膜，在KrF激光退火所需的100mJ/cm2能量密度下不会受到破坏，能够利用直线束形态的激光束进行退火。
参照图4，掩膜140上形成有形状及大小均与准备形成的ITO图案相同的透过部145。即，形成于掩膜140的透过部145的大小与准备在非晶质ITO层160上形成的ITO图案的大小之比为1:1。激光束透过形成于掩膜140的透过部145对非晶质ITO层160部分退火。并且，掩膜140的反射部146反射激光束。
掩膜140包括形成于基板142上形成的埋入槽144的反射部146，所述反射部146由第一反射膜148与第二反射膜152交替沉积数层至数十层形成。并且，没有形成反射部146的基板142的其余部分相当于光透过的透过部145。
基板142由激光束能够透过的材料形成。基板142可以是玻璃基板、熔融石英(fused silica)基板、石英(Quartz)基板、合成石英(Synthetic Quartz)基板或CaF2基板等。另外，基板142的底面即激光束入射的面上还可以形成抗反射膜(Anti-RefectionCoating；ARC)(未示出)，其能够提高基板142的透过部145的激光束透过率，从而可以提高退火效率。
基板142中除准备形成ITO图案的部分以外的部分形成有埋入槽144，埋入槽144上形成反射激光束的反射部146。埋入槽144是具有预定深度的槽，可通过光致抗蚀剂图案化工序或基于激光的图案化工序形成。
根据另一实施例，形成于基板142的埋入槽144上形成反射激光束的反射部146。反射部146由反射率互异的第一反射膜148及第二反射膜152交替层积数层至数十层形成。第一反射膜148及第二反射膜152通过层积完全填满埋入槽144。
第一反射膜148可以是折射率相对低的SiO2膜或MgF2膜，第二反射膜152可以是折射率大于第一反射膜148的二氧化钛(TiO2)膜、氧化铝(Al2O3)膜、五氧化二钽(Ta2O5)膜、氟化铈(Cerium fluoride)膜、硫化锌(Zinc sulfide)膜、氟化铝(AlF3)膜、二氧化铪(Hafnium oxide)膜或氧化锆(Zirconium oxide)膜等。例如，反射部146可以由HfO2膜/SiO2膜、Ta2O5膜/SiO2膜等层积结构重复层积数次至数十次形成，HfO2膜/SiO2膜的情况下可以将其制作成能够承受5J/cm2～8J/cm2能量密度的激光束，Ta2O5膜/SiO2膜的情况下可以将其制作成能够承受10J/cm2能量密度的激光束。
第一反射膜148及第二反射膜152可分别通过气相沉积(evaporativedeposition)、离子辅助沉积(ion beam assisted deposition)、化学气相沉积(chemicalvapor deposition，CVD)、离子沉积(ion beam deposition)、分子束外延(Molecular BeamEpitaxy，MBE)、溅射沉积(sputter deposition)等方法形成。
掩膜140的透过部145的形状及大小与准备在非晶质ITO层160上形成的ITO图案相同。因此透过透过部145的直线束形态的激光束照射非晶质ITO层160，通过退火将非晶质ITO转变为多晶ITO。直线束退火形成的多晶ITO在随后的工序中不被蚀刻液蚀刻而得到保留，形成ITO图案。
掩膜140的反射部146对应于准备在非晶质ITO层160上形成的ITO图案以外的部分。故，激光束被反射部146反射，因此激光束不会到达对应于反射部146的非晶质ITO层160部分。未被激光束退火的非晶质ITO层160的一部分在随后的工序中被蚀刻液蚀刻。
投影透镜150使通过掩膜140的直线束以与掩膜140相同的大小及形状入射到非晶质ITO层160。
被激光退火部100退火的非晶质ITO层160部分形成有多晶ITO162。并且，未被激光退火部100退火的非晶质ITO160部分的非晶质ITO164原封保留。
蚀刻部220利用蚀刻液去除上述被部分退火的非晶质ITO层160的非晶质ITO164。蚀刻液可以是乙二酸(oxalic acid)或草酸等，不蚀刻经过退火的多晶ITO162，只蚀刻未经过退火的非晶质ITO164。故，通过未被蚀刻液蚀刻的多晶ITO162形成准备形成的ITO图案。
通过化学蚀刻去除未被退火的非晶质ITO164后，可通过清洗(cleaning)工序去除残留的蚀刻液等。
上述利用电介质掩膜140的激光退火的情况下，当照射一次(one shot)进行退火，例如利用150mJ/cm2的能量结晶化时，ITO层会部分结晶化，但ITO层由于高能量而被部分去除(ablation)，或者即使结晶化也会发生微裂纹(micro crack)。因此，可能会出现电阻上升或断线的问题。因此，根据本实施例的ITO图案化方法利用相对弱的能量(例如，60mJ/cm2)对ITO层进行结晶化两次以上。
例如，可以以能量密度为80mJ/cm2的激光束重复退火六次以上。尤其，由于构成有直线束光学系统，因此可通过控制工作台170的移动速度调整对每个表面的激光照射次数。直线束厚度为1mm且激光脉冲的频率(frequency)为100Hz的情况下，若移动速度为100mm/s则退火一次，而如果是20mm/s则重复退火五次。
掩膜140不仅可以是电介质掩膜，还可以是高反射金属薄膜掩膜(highrefractive metal thin film mask)、扩散掩膜(diffusing mask)、光掩膜(photo mask)、陶瓷掩膜(ceramic mask)或金属掩膜(metal mask)中的任意一种。
采用金属掩膜的话利用殷钢(invar)等热变形小的材料，通过湿法蚀刻(wetetching)等方法蚀刻的情况下，由于各向同性问题而难以形成微型图案。另外，大面积化的情况下为防止殷钢自然下垂现象，需要增大殷钢的厚度，但是厚度越大，越难形成微型图案。
对于采用扩散掩膜，可以在石英板上形成包括牺牲膜的光刻图案后进行干法刻蚀(dry etching)或掩蔽(masking)，然后通过喷砂处理形成扩散(diffusing)图案。但是，一般的喷砂处理无法形成微型图案，因此需要进行微喷砂处理，这也是能够在20μm形成图案的情况。干法刻蚀也，利用大面积干法刻蚀设备，因此能够刻蚀300mmx300mm。
一般的光掩膜的情况下通过形成铬与氧化铬层形成图案，但在248nm基准的激态原子激光工序范围内铬层发生消蚀(ablation)。因此，可以沉积铝(Al)等高反射(highrefractive)层，制作在比工序范围略高的能量下也能够使用的掩膜。
以上参照附图说明了本发明的一个实施例，本领域技术人员在不脱离本发明技术方案的范围内可做多种修正及变形实施。
Claims (5)
1.一种氧化铟锡图案化方法，其特征在于，包括：
在薄膜或玻璃上形成非晶质氧化铟锡层的步骤；
利用直线束形态的激光束及形成有准备形成的氧化铟锡图案的掩膜对所述非晶质氧化铟锡层进行部分退火，使准备形成所述氧化铟锡图案的部分成为多晶氧化铟锡的步骤；以及
通过化学蚀刻去除所述非晶质氧化铟锡层中未被退火的非晶质氧化铟锡并保留所述多晶氧化铟锡，以形成所述氧化铟锡图案的步骤，
其中，所述激光束的波长范围为大于0且小于等于250nm，能量密度范围为大于等于60mJ/cm2且小于等于100mJ/cm2，所述非晶质氧化铟锡层在氧气含量大于1.5SCCM且小于等于3.0SCCM、水含量大于0SCCM且小于6SCCM的条件下沉积。
2.根据权利要求1所述的氧化铟锡图案化方法，其特征在于，
对所述非晶质氧化铟锡层重复退火两次以上。
3.根据权利要求1所述的氧化铟锡图案化方法，其特征在于，
所述掩膜上形成有与所述氧化铟锡图案的大小之比为1:1的图案。
4.一种氧化铟锡图案化装置，其特征在于，包括：
氧化铟锡层形成部，在薄膜或玻璃上形成非晶质氧化铟锡层；
激光退火部，利用掩膜向所述非晶质氧化铟锡层照射直线束形态的激光束，从而对准备形成氧化铟锡图案的部分进行退火以形成多晶氧化铟锡；以及
蚀刻部，去除所述非晶质氧化铟锡层中未被退火的非晶质氧化铟锡并保留所述多晶氧化铟锡以形成所述氧化铟锡图案，
其中，所述激光束的波长范围为大于0且小于等于250nm，能量密度范围为大于等于60mJ/cm2且小于等于100mJ/cm2，所述非晶质氧化铟锡层在氧气含量大于1.5SCCM且小于等于3.0SCCM、水含量大于0SCCM且小于6SCCM的条件下沉积。
5.根据权利要求4所述的氧化铟锡图案化装置，其特征在于，
所述掩膜上形成有与准备形成的氧化铟锡图案的大小之比为1:1的图案。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2013-0064479 | 2013-06-05 | ||
| KR20130064479 | 2013-06-05 | ||
| KR20140052400A KR101506734B1 (ko) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | Ito 패터닝 장치 및 패터닝 방법 |
| KR10-2014-0052400 | 2014-04-30 | ||
| PCT/KR2014/004956 WO2014196802A1 (ko) | 2013-06-05 | 2014-06-03 | Ito 패터닝 장치 및 패터닝 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105103093A CN105103093A (zh) | 2015-11-25 |
| CN105103093B true CN105103093B (zh) | 2017-07-07 |
Family
ID=52008376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201480003182.6A Expired - Fee Related CN105103093B (zh) | 2013-06-05 | 2014-06-03 | 氧化铟锡图案化装置及图案化方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105103093B (zh) |
| WO (1) | WO2014196802A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101630645B1 (ko) * | 2015-05-14 | 2016-06-15 | 주식회사 대화알로이테크 | 글라스 히팅장치 및 히팅방법 |
| CN105068681A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-11-18 | 业成光电（深圳）有限公司 | 电极图案的制作方法 |
| CN107463031A (zh) * | 2017-09-18 | 2017-12-12 | 武汉华星光电技术有限公司 | 结晶ITO薄膜的制备方法、On‑cell型触控面板的制备方法 |
| US10564461B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-02-18 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Method of forming crystalline ITO thin film and method of forming on-cell type touch panel |
| CN108227376A (zh) * | 2018-01-03 | 2018-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种微结构的制备方法、压印模版、显示基板 |
| CN113130317A (zh) * | 2021-04-09 | 2021-07-16 | 华南理工大学 | 一种氧化铟锡薄膜图案的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000031463A (ja) * | 1998-03-23 | 2000-01-28 | Hoya Corp | 透明電極の形成方法 |
| US6448158B2 (en) * | 2000-08-04 | 2002-09-10 | Hannstar Display Corp. | Method of patterning an ITO layer |
| KR20030020539A (ko) * | 2001-09-01 | 2003-03-10 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 반사형 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| CN101145523A (zh) * | 2006-09-13 | 2008-03-19 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 图案化氧化铟锡薄膜的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101006373B1 (ko) * | 2010-05-27 | 2011-01-10 | 위아코퍼레이션 주식회사 | 1:1 마스크를 이용한 레이저 결정화 장치 |
-
2014
- 2014-06-03 CN CN201480003182.6A patent/CN105103093B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-03 WO PCT/KR2014/004956 patent/WO2014196802A1/ko active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000031463A (ja) * | 1998-03-23 | 2000-01-28 | Hoya Corp | 透明電極の形成方法 |
| US6448158B2 (en) * | 2000-08-04 | 2002-09-10 | Hannstar Display Corp. | Method of patterning an ITO layer |
| KR20030020539A (ko) * | 2001-09-01 | 2003-03-10 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 반사형 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| CN101145523A (zh) * | 2006-09-13 | 2008-03-19 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 图案化氧化铟锡薄膜的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2014196802A1 (ko) | 2014-12-11 |
| CN105103093A (zh) | 2015-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105103093B (zh) | 氧化铟锡图案化装置及图案化方法 | |
| JP5181317B2 (ja) | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 | |
| US7745297B2 (en) | Method of substrate with transparent electrodes and devices incorporating it | |
| EP3650162B1 (en) | Laser micro/nano fabricating system and method of processing a metal ion solution | |
| US6617541B1 (en) | Laser etching method | |
| TWI424479B (zh) | 利用飛秒雷射圖案化多晶氧化銦錫之方法 | |
| Tseng et al. | Electrode patterning on PEDOT: PSS thin films by pulsed ultraviolet laser for touch panel screens | |
| CN110083008A (zh) | 大型相移掩模及大型相移掩模的制造方法 | |
| WO2004110693A1 (ja) | レーザー加工方法及びレーザー加工装置 | |
| Bushunov et al. | Fabrication of anti-reflective microstructures on chalcogenide crystals by femtosecond laser ablation | |
| Jia et al. | Fabrication of two-dimensional periodic nanostructures by two-beam interference of femtosecond pulses | |
| Xie et al. | Super-regular femtosecond laser nanolithography based on dual-interface plasmons coupling | |
| KR950024009A (ko) | 액정 배향 제어막의 제조방법 및 장치 | |
| Mishchik et al. | Dash line glass-and sapphire-cutting with high power USP laser | |
| CN103760749A (zh) | 薄膜图案的制造方法、显示基板 | |
| Cheng et al. | Femtosecond laser processing of indium-tin-oxide thin films | |
| JP3871562B2 (ja) | 光学素子機能を有する透明導電膜およびその製造方法 | |
| KR101506734B1 (ko) | Ito 패터닝 장치 및 패터닝 방법 | |
| Choi et al. | A study of ultrafast ablation on ITO thin films with wavelengths of 513 and 1026 nm for high resolution patterning | |
| Lee et al. | Micro-scale patterning of indium tin oxide film by spatially modulated pulsed Nd: YAG laser beam | |
| Farid et al. | Onset and evolution of laser induced periodic surface structures on indium tin oxide thin films for clean ablation using a repetitively pulsed picosecond laser at low fluence | |
| WO2014010686A1 (ja) | 機能性基板の製造方法 | |
| KR101762579B1 (ko) | 레이저를 이용한 ito 결정화 장치 및 방법 | |
| Gololobov et al. | Laser structuring of the diamond surface in the nanoablation regime | |
| Regelskis et al. | Ripple formation in the chromium thin film during laser ablation |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Jin Xiucan Inventor after: Li Zanjiu Inventor after: Pei Xianxie Inventor after: Pu Binggui Inventor before: Li Zanjiu Inventor before: Jin Xiucan Inventor before: Pei Xianxie Inventor before: Jin Yongyuan Inventor before: Pu Binggui |
|
| COR | Change of bibliographic data | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170707 Termination date: 20190603 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |